(12)發(fā)明專利具有改進(jìn)的編程性能的存儲(chǔ)器設(shè)備及其操接至多條字線中的第一字線的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行一電平的電平的電壓施加到多條字線中的第三1存儲(chǔ)器設(shè)備存儲(chǔ)器單元陣列緩沖器存儲(chǔ)器行解碼器預(yù)充電控制器存儲(chǔ)器控制器21.一種操作存儲(chǔ)器設(shè)備的方法，所述存儲(chǔ)器設(shè)備包括存儲(chǔ)器單元陣列，所述存儲(chǔ)器單元陣列包括包含多個(gè)存儲(chǔ)器單元的多個(gè)單元串、分別連接至所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元的多條字線、以及連接至所述多個(gè)單元串的一側(cè)的多條位線，所述方法包括：將第一電平的導(dǎo)通電壓施加到所述多條字線中的第一字線和第二字線，并將低于第一電平的電平的電壓施加到所述多條字線中的第三字線，并對(duì)所述多個(gè)單元串中的部分單元串執(zhí)行預(yù)充電操作；對(duì)連接至所述多條字線中的第一字線的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第一編程操作；對(duì)連接至所述多條字線中的第二字線的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第一編程操作；將第二電平的導(dǎo)通電壓施加到第一字線和第二字線；將低于第二電平的電平的電壓施加到所述多條字線中的第三字線；對(duì)所述多個(gè)單元串中的部分單元串執(zhí)行預(yù)充電操作；以及對(duì)連接至第一字線的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第二編程操作，其中，第一電平的導(dǎo)通電壓低于第二電平的導(dǎo)通電壓。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，第一字線和第二字線被布置為彼此相鄰。3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，對(duì)部分單元串執(zhí)行預(yù)充電操作包括將預(yù)充電電壓施加到所述多條位線中的連接4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述存儲(chǔ)器單元陣列還包括連接至所述多個(gè)單元串的另一側(cè)的一個(gè)或多個(gè)公共源極線，其中，對(duì)部分單元串執(zhí)行預(yù)充電操作包括將預(yù)充電電壓施加到一個(gè)或多個(gè)公共源極其中，第一字線被布置在第二字線上。5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在對(duì)部分單元串執(zhí)行預(yù)充電操作時(shí)，將地電壓施加到所述多條字線中的除第一字線和第二字線之外的字線。6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，對(duì)部分單元串執(zhí)行預(yù)充電操作包括對(duì)所述多個(gè)單元串中的非選擇單元串執(zhí)行預(yù)充電操作。7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，對(duì)其執(zhí)行第一編程操作的存儲(chǔ)器單元具有大于或等于對(duì)其執(zhí)行第一編程操作和第二編程操作的存儲(chǔ)器單元的重疊閾值電壓分布區(qū)域。8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在對(duì)其執(zhí)行第一編程操作的存儲(chǔ)器單元中對(duì)最低有效位(LSB)數(shù)據(jù)進(jìn)行編程，以及其中，在對(duì)其執(zhí)行第二編程操作的存儲(chǔ)器單元中對(duì)最高有效位(MSB)數(shù)據(jù)進(jìn)行編程。9.一種操作存儲(chǔ)器設(shè)備的方法，所述存儲(chǔ)器設(shè)備包括存儲(chǔ)器單元陣列，所述存儲(chǔ)器單元陣列包括包含多個(gè)存儲(chǔ)器單元的多個(gè)單元串、以及分別連接至所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元的多將第一電壓施加到所述多條字線中的第一字線和與第一字線相鄰的第二字線，并對(duì)所述多個(gè)單元串中的一個(gè)或多個(gè)非選擇單元串執(zhí)行預(yù)充電；3對(duì)連接至第一字線和第二字線的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第一編程操作；將具有與第一電壓的電平不同的電平的第二電壓施加到第一字線和第二字線；以及對(duì)所述一個(gè)或多個(gè)非選擇單元串執(zhí)行預(yù)充電，第二電壓具有高于第一電壓的電平的電平。10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，第一字線位于第二字線與襯底之間。11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，第二字線位于第一字線與襯底之間。存儲(chǔ)器單元陣列，包括包含多個(gè)存儲(chǔ)器單元的多個(gè)單元串、分別連接至所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元的多條字線、以及連接至所述多個(gè)單元串的一側(cè)的多條位線；控制邏輯，包括預(yù)充電控制電路，用于控制對(duì)所述多個(gè)單元串中的部分單元串的預(yù)充電，并控制對(duì)所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元的多個(gè)數(shù)據(jù)編程步驟；以及行解碼器，用于響應(yīng)于所述控制邏輯的控制而激活所述多條字線中的至少一些字線，其中，所述多個(gè)數(shù)據(jù)編程步驟包括順序地形成所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元的閾值電壓分布的第一編程操作和第二編程操作，其中，所述預(yù)充電控制電路控制所述行解碼器，使得在第一編程操作的預(yù)充電期間，第一電平的導(dǎo)通電壓被施加到所述多條字線中的選擇字線和與選擇字線相鄰的字線，并且低于導(dǎo)通電壓的電平的電壓被施加到另一字線，以及使得在第二編程操作的預(yù)充電期間，第二電平的導(dǎo)通電壓被施加到所述多條字線中的選擇字線和與選擇字線相鄰的字線，其中，第一電平的導(dǎo)通電壓低于第二電平的導(dǎo)通電壓。13.如權(quán)利要求12所述的存儲(chǔ)器設(shè)備，其中，所述導(dǎo)通電壓具有不小于在所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元中的對(duì)其執(zhí)行第一編程操作的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓的電平。14.如權(quán)利要求12所述的存儲(chǔ)器設(shè)備，還包括頁面緩沖器，用于響應(yīng)于所述控制邏輯的控制而激活所述多條位線中的至少一些位線，其中，所述預(yù)充電控制電路控制所述頁面緩沖器，使得在預(yù)充電期間，預(yù)充電電壓被施加到所述多條位線中的部分位線，以及其中，與選擇字線相鄰的字線包括布置在選擇字線上的字線。15.如權(quán)利要求12所述的存儲(chǔ)器設(shè)備，其中，所述存儲(chǔ)器單元陣列還包括連接至所述多個(gè)單元串的另一側(cè)的一個(gè)或多個(gè)公共源極線，其中，所述存儲(chǔ)器設(shè)備還包括公共源極線驅(qū)動(dòng)器，用于響應(yīng)于所述控制邏輯的控制而激活一個(gè)或多個(gè)公共源極線，以及其中，所述預(yù)充電控制電路控制所述公共源極線驅(qū)動(dòng)器，使得在預(yù)充電期間，預(yù)充電電壓被施加到一個(gè)或多個(gè)公共源極線。16.如權(quán)利要求12所述的存儲(chǔ)器設(shè)備，其中，所述預(yù)充電控制電路控制所述行解碼器，使得地電壓被施加到除選擇字線和與選擇字線相鄰的字線之外的字線。17.如權(quán)利要求12所述的存儲(chǔ)器設(shè)備，其中，所述多個(gè)單元串中的部分單元串包括一個(gè)或多個(gè)非選擇單元串。18.如權(quán)利要求12所述的存儲(chǔ)器設(shè)備，其中，所述存儲(chǔ)器單元陣列包括：上襯底；4多個(gè)通道層，其通過所述多個(gè)柵極導(dǎo)電層在垂直于所述上襯底的上表面的方向上延伸。5[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用[0002]本申請(qǐng)要求于2018年2月28日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)第10-2018-0024728號(hào)的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容通過引用整體結(jié)合于此。技術(shù)領(lǐng)域[0003]本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例涉及存儲(chǔ)器設(shè)備，更具體地，涉及具有改進(jìn)的編程性能的存儲(chǔ)器設(shè)備。背景技術(shù)[0004]非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備，其包括以非易失方式存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的多個(gè)存儲(chǔ)器單元。閃存存儲(chǔ)器系統(tǒng)是一種廣泛用于通用串行總線(USB)驅(qū)動(dòng)器、數(shù)碼相機(jī)、移動(dòng)電話、智能電話、平板計(jì)算機(jī)(PC)、存儲(chǔ)卡、固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)等的非易失性存儲(chǔ)器設(shè)發(fā)明內(nèi)容[0005]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，在一種操作存儲(chǔ)器設(shè)備的方法中，存儲(chǔ)器設(shè)備包括存儲(chǔ)器單元陣列，存儲(chǔ)器單元陣列包括包含多個(gè)存儲(chǔ)器單元的多個(gè)單元串、連接至多個(gè)存儲(chǔ)器單元的多條字線、以及連接至多個(gè)單元串的一側(cè)的多條位線，該方法包括：對(duì)連接至多條字線中的第一字線的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第一編程操作；對(duì)連接至多條字線中的第二字線的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第一編程操作；將第一電平的導(dǎo)通電壓施加到第一字線和第二字線；將低于第一電平的電平的電壓施加到多條字線中的第三字線；對(duì)多個(gè)單元串中的部分單元串執(zhí)行預(yù)充電操作；以及對(duì)連接至第一字線的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第二編程操作。[0006]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，在一種操作存儲(chǔ)器設(shè)備的方法中，存儲(chǔ)器設(shè)備包括存儲(chǔ)器單元陣列，存儲(chǔ)器單元陣列包括包含多個(gè)存儲(chǔ)器單元的多個(gè)單元串、以及連接至多個(gè)存儲(chǔ)器單元的多條字線，該方法包括：將第一電壓施加到多條字線中的第一字線和與第一字線相鄰的第二字線，并對(duì)多個(gè)單元串中的一個(gè)或多個(gè)非選擇單元串執(zhí)行預(yù)充電；對(duì)連接至第一字線和第二字線的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第一編程操作；將具有與第一電壓不同的電平的第二電壓施加到第一字線和第二字線；以及對(duì)一個(gè)或多個(gè)非選擇單元串執(zhí)行預(yù)充[0007]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，一種存儲(chǔ)器設(shè)備包括存儲(chǔ)器單元陣列、控制邏輯和行解碼器。存儲(chǔ)器單元陣列包括包含多個(gè)存儲(chǔ)器單元的多個(gè)單元串、連接至多個(gè)存儲(chǔ)器單元的多條字線、以及連接至多個(gè)單元串的一側(cè)的多條位線。控制邏輯包括預(yù)充電控制電路，用于控制對(duì)多個(gè)單元串中的部分單元串的預(yù)充電，并控制對(duì)多個(gè)存儲(chǔ)器單元的多個(gè)數(shù)據(jù)編程步驟。行解碼器響應(yīng)于控制邏輯的控制而激活多條字線中的至少一些字線。預(yù)充電控制電路控制行解碼器，使得在對(duì)部分單元串的預(yù)充電期間，導(dǎo)通電壓被施加到多條字線中的選擇字線和與選擇字線相鄰的字線，并且低于導(dǎo)通電壓的電平的電壓被施加到另一6附圖說明[0008]通過參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，將更清楚地理解本發(fā)明構(gòu)思的上述和其他特征。[0009]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的框圖。[0010]圖2A至圖2C是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的編程操作的視圖。[0011]圖3是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的編程操作的視圖。[0012]圖4是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲(chǔ)器設(shè)備的框圖。[0013]圖5是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖4的存儲(chǔ)器塊中的第一存儲(chǔ)器塊的透視圖。[0014]圖6是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖4的存儲(chǔ)器塊中的第一存儲(chǔ)器塊的等效電路的電路圖。[0015]圖7示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖5的第一存儲(chǔ)器塊的橫截面的一部[0016]圖8是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的操作存儲(chǔ)器設(shè)備的方法的流程圖。[0017]圖9是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的操作存儲(chǔ)器設(shè)備的方法的流程圖。[0018]圖10A和圖10B是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的操作存儲(chǔ)器設(shè)備的方法的定時(shí)圖。[0019]圖11是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的預(yù)充電期間的單元串的視圖。[0020]圖12A和圖12B是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的操作存儲(chǔ)器設(shè)備的方法的定時(shí)圖。[0021]圖13A至圖13D是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的操作存儲(chǔ)器設(shè)備的方法的定時(shí)圖。[0022]圖14是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲(chǔ)器設(shè)備應(yīng)用于固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)系統(tǒng)的示例的框圖。具體實(shí)施方式[0023]本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例提供了具有改進(jìn)的編程性能的存儲(chǔ)器設(shè)備及其操作方法、以及在預(yù)充電操作期間控制施加到字線的電壓的存儲(chǔ)器設(shè)備及其操作方法。[0024]以下將參考附圖更全面地描述本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例。貫穿本申請(qǐng)，相似的附圖標(biāo)記可以指代相似的元件。[0025]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的框圖。參考圖1,存儲(chǔ)器系統(tǒng)1可以包括存儲(chǔ)器控制器10和存儲(chǔ)器設(shè)備100。存儲(chǔ)器控制器10可以包括緩沖器存儲(chǔ)器12。存儲(chǔ)器設(shè)備100可以包括存儲(chǔ)器單元陣列110、行解碼器140和預(yù)充電控制電路132。[0026]在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，存儲(chǔ)器系統(tǒng)1可以由安裝在電子設(shè)備中的內(nèi)部器(SSD)。在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，存儲(chǔ)器系統(tǒng)1可以由可拆卸地附接到電子設(shè)備7(micro-SD)卡、迷你型安全數(shù)字(mini-SD)卡、極限數(shù)字(xD)卡或記憶棒。[0027]存儲(chǔ)器控制器10可以控制存儲(chǔ)器設(shè)備100以響應(yīng)于來自主機(jī)HOST的記錄/讀取請(qǐng)求來讀取存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器設(shè)備100中的數(shù)據(jù)或者在存儲(chǔ)器設(shè)備100中編程數(shù)據(jù)。詳細(xì)地，存儲(chǔ)控制對(duì)存儲(chǔ)器設(shè)備100的編程、讀取和擦除操作。此外，可以在存儲(chǔ)器控制器10與存儲(chǔ)器設(shè)[0028]在存儲(chǔ)器控制器10中提供的緩沖器存儲(chǔ)器12可以臨時(shí)存儲(chǔ)從主機(jī)HOST發(fā)送的數(shù)元陣列110中的數(shù)據(jù)DATA,并且可以通過多個(gè)數(shù)據(jù)編程步驟被寫入存儲(chǔ)器單元陣列110中。[0029]在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，基于存儲(chǔ)在緩沖器存儲(chǔ)器12中的第一數(shù)據(jù)項(xiàng)，可以執(zhí)行對(duì)連接至存儲(chǔ)器單元陣列110的第一字線的存儲(chǔ)器單元的第一編程操作。然后，基于存儲(chǔ)在緩沖器存儲(chǔ)器12中的第二數(shù)據(jù)項(xiàng)，執(zhí)行對(duì)連接至存儲(chǔ)器單元陣列110的第二字線的存儲(chǔ)器單元的第一編程操作。然后，可以基于第一數(shù)據(jù)項(xiàng)執(zhí)行對(duì)連接至第一字線的存儲(chǔ)器單元的第二編程操作。[0030]例如，第一編程操作可以是預(yù)編程操作，并且第二編程操作可以是第一編程操作的重編程(reprogram)操作。作為另一示例，第一和第二編程操作可以是陰影(shadow)編程[0031]例如，存儲(chǔ)器設(shè)備100可以由單個(gè)存儲(chǔ)器芯片形成。作為另一示例，存儲(chǔ)器設(shè)備100可以由多個(gè)存儲(chǔ)器芯片形成。一個(gè)存儲(chǔ)器芯片可以由單個(gè)裸片(die)或多個(gè)裸片形成。一個(gè)裸片可以由單個(gè)平面(plane)或多個(gè)平面形成。一個(gè)平面包括多個(gè)存儲(chǔ)器塊(block)。每個(gè)存儲(chǔ)器塊包括多個(gè)頁面。多個(gè)頁面中的每一個(gè)可以包括多個(gè)扇區(qū)。[0032]存儲(chǔ)器單元陣列110可以包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元，例如，閃存存儲(chǔ)器單元。存儲(chǔ)器單元陣列110可以包括分別連接至多條串選擇線和多條位線相交的點(diǎn)的多個(gè)單元串(或NAND串)。每個(gè)單元串可以包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元。例如，單元串可以被實(shí)現(xiàn)為在垂直方向上從半導(dǎo)體襯底延伸。因此，每個(gè)單元串可以包括基于半導(dǎo)體襯底定位成垂直的多個(gè)存儲(chǔ)器單元。包括在單元串中的存儲(chǔ)器單元可以連接至多條字線。[0033]在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，在對(duì)存儲(chǔ)器單元的編程操作之前，可以執(zhí)行對(duì)多個(gè)單元串中的部分單元串的預(yù)充電操作。例如，預(yù)充電控制電路132可以控制行解碼器140,使得在對(duì)存儲(chǔ)器單元的編程操作之前對(duì)非選擇單元串執(zhí)行預(yù)充電操作。[0034]在預(yù)充電操作期間，可以將預(yù)充電電壓施加到非選擇單元串。例如，可以通過位線將預(yù)充電電壓施加到非選擇單元串。作為另一示例，可以通過公共源極線將預(yù)充電電壓施加到非選擇單元串。作為另一示例，可以通過兩條線(例如，位線和公共源極線)將預(yù)充電電壓施加到非選擇單元串。[0035]在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，在對(duì)一些單元串的預(yù)充電操作期間，特別地，可以將導(dǎo)通(turn-on)電壓施加到特定字線和與特定字線相鄰的字線。導(dǎo)通電壓可以是具有不小于連接至特定字線和與特定字線相鄰的字線的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓的電平的電壓。例如，預(yù)充電控制電路132可以控制行解碼器140,使得在對(duì)部分單元串的預(yù)充電操作期間，導(dǎo)通電壓被施加到特定字線和與特定字線相鄰的字線。在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，連接至特定字線和與特定字線相鄰的字線的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓可以指代在執(zhí)行第一8編程操作時(shí)增加的閾值電壓。[0036]例如，在對(duì)特定字線執(zhí)行第一編程操作之后，可以對(duì)與特定字線相鄰的字線執(zhí)行第一編程操作。然后，可以對(duì)特定字線執(zhí)行第二編程操作。在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，在對(duì)特定字線的第二編程操作之前執(zhí)行的預(yù)充電操作中，可以將導(dǎo)通電壓施加到特定字線和與特定字線相鄰的字線。[0037]在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，特定字線可以是選擇字線。選擇字線可以是例如編程電壓被施加到的字線。另外，在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，與特定字線相鄰的字線可以包括布置在選擇字線上(例如，上方)的字線和布置在選擇字線上(例如，下方)的字線中的至少一個(gè)。[0038]在采用多個(gè)編程步驟來寫入存儲(chǔ)器設(shè)備100的數(shù)據(jù)時(shí)，在對(duì)非選擇單元串執(zhí)行的預(yù)充電操作期間，連接至與選擇字線相鄰的字線的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓會(huì)在執(zhí)行第一編程操作時(shí)增加。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，在執(zhí)行第二編程操作之前的非選擇單元串的預(yù)充電期間，可以將導(dǎo)通電壓施加到選擇字線和與選擇字線相鄰的字線。因此，由于預(yù)充電電壓可以被發(fā)送到連接至選擇字線的存儲(chǔ)器單元的通道(channel),所以在稍后的編程操作期間，非選擇單元串的升壓效率(boostingefficiency)可以提高。此外[0039]圖2A至圖2C是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的編程操作的視圖。詳細(xì)地，圖2A示出用于描述第一和第二編程操作的執(zhí)行順序的表。圖2B和圖2C是示出在第一和第二編程操作中形成的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓分布的示例的示圖。[0040]參考圖2A,在所示的表中，數(shù)字是指編程操作的輪數(shù)(turns)。例如，可以在同一串選擇線單元中按照第一字線WL[1]、第二字線WL[2]和第三字線WL[3]的順序執(zhí)行第一編程操作1stPGM和第二編程操作2dPGM。另外，可以在同一字線中按照從第一串選擇線SSL[1]至第四串選擇線SSL[4]的順序執(zhí)行第一編程操作1stPGM和第二編程操作2PGM.然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此。第一串選擇線SSL[1]至第四串選擇線SSL[4]的執(zhí)行順序可以變化。[0041]根據(jù)本示例性實(shí)施例，為了便于描述，示出了在編程單元中包括四條串選擇線。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此。編程單元可以是例如頁面單元或塊單元。[0042]詳細(xì)地，在連接至第一字線WL[1]的存儲(chǔ)器單元中，可以按照第一串選擇線SSL[1]到第四串選擇線SSL[4]的順序，對(duì)連接至各條串選擇線的單元串中包括的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第一編程操作1stPGM。然后，在連接至第二字線WL[2]的存儲(chǔ)器單元中，可以按照第一串選擇線SSL[1]到第四串選擇線SSL[4]的順序，對(duì)連接至各條串選擇線的單元串中包括的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第一編程操作1stPGM。[0043]在對(duì)連接至第二字線WL[2]的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第一編程操作1stPGM之后，可以對(duì)[1]的存儲(chǔ)器單元中，可以按照第一串選擇線SSL[1]到第四串選擇線SSL[4]的順序，對(duì)連接至各條串選擇線的單元串中包括的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第二編程操作2PGM。[0044]然后，對(duì)連接至第三字線WL[3]的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第一編程操作1stPGM,并且可以對(duì)連接至第二字線WL[2]的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第二編程操作2dPGM。此后，可以根據(jù)上述模式對(duì)剩余的字線執(zhí)行的第一編程操作1stPGM和第二編程操作2dPGM。[0045]參考圖2B,示出了連接至對(duì)其執(zhí)行第一編程操作1stPGM的字線的存儲(chǔ)器單元的閾9值電壓分布。根據(jù)本示例性實(shí)施例，示出了通過三層單元(TLC)方法對(duì)存儲(chǔ)器單元進(jìn)行編[0046]在執(zhí)行第一編程操作1st擦除狀態(tài)E的閾值電壓分布一起，可以形成第一編程狀態(tài)P1至第七編程狀態(tài)P7中的閾值電壓分布。對(duì)其執(zhí)行第一編程操作1stPGM的存儲(chǔ)器單元可以具有粗略的閾值電壓分布。例如，各個(gè)編程狀態(tài)中的分布可以與其他相鄰分布重疊。第一編程操作1stPGM可以被稱為預(yù)編程操作。[0047]參考圖2C,示出了連接至對(duì)其執(zhí)行第二編程操作2dPGM的字線的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓分布。第二編程操作2dPGM可以在形成有初級(jí)(primary)粗略分布的存儲(chǔ)器單元上形成二次(secondary)精細(xì)分布。換句話說，在執(zhí)行第二編程操作2PGM時(shí)，存儲(chǔ)器單元可以具有獨(dú)立的最終閾值電壓分布而沒有重疊區(qū)域。第二編程操作2PGM可以被稱為重編程操作。例如，可以在垂直非易失性存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中執(zhí)行預(yù)編程和重編程操作。[0048]圖3是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的編程操作的視圖。[0049]參考圖3,可以以字線為單位執(zhí)行第一編程操作1stPGM和第二編程操作2dPGM。詳細(xì)地，在對(duì)連接至第一字線WL[1]的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第一編程操作1stPGM之后，可以對(duì)連接至第二字線WL[2]的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第一編程操作1stPGM。然后，對(duì)連接至第一字線WL[1]的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第二編程操作2PGM。然后，可以對(duì)連接至第三字線WL[3]的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第一編程操作1stPGM。然后，可以對(duì)連接至第二字線WL[2]的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第二編程操作2PGM。在下文中，可以在剩余的字線上執(zhí)行根據(jù)上述模式的第一編程操作1st[0050]根據(jù)本示例性實(shí)施例的第一編程操作1stPGM和第二編程操作2dPGM可以被稱為陰影編程操作。例如，根據(jù)陰影編程操作，在對(duì)其執(zhí)行第一編程操作1stPGM的存儲(chǔ)器單元中，對(duì)最低有效位(LSB)數(shù)據(jù)進(jìn)行編程，并且在對(duì)其執(zhí)行第二編程操作2dPGM的存儲(chǔ)器單元中，可以對(duì)最高有效位(MSB)數(shù)據(jù)進(jìn)行編程。例如，可以在平面非易失性存儲(chǔ)器中執(zhí)行陰影編程操作。[0051]圖4是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲(chǔ)器設(shè)備的框圖。例如，圖4可以示出圖1的存儲(chǔ)器設(shè)備100的實(shí)現(xiàn)示例。[0052]參考圖4,存儲(chǔ)器設(shè)備100可以包括存儲(chǔ)器單元陣列110、電壓發(fā)生器120、控制邏輯130、行解碼器140、頁面緩沖器150和公共源極線驅(qū)動(dòng)器160。存儲(chǔ)器設(shè)備100還可以包括其他與存儲(chǔ)器操作有關(guān)的各種組件，例如數(shù)據(jù)輸入和輸出電路或輸入和輸出接口。[0053]存儲(chǔ)器單元陣列110包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元，并且可以連接至字線WL、串選擇線SSL、和地選擇線GSL連接至行解碼器140,或者可以通過位線BL連接至頁面緩沖器150。另外，存儲(chǔ)器單元陣列110可以通過公共源極線CSL連接至公共源極線驅(qū)動(dòng)器160。[0054]例如，包括在存儲(chǔ)器單元陣列110中的多個(gè)存儲(chǔ)器單元可以是盡管供應(yīng)的電力被阻擋也保持存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)器單元。詳細(xì)地，當(dāng)存儲(chǔ)器單元是非易失性存儲(chǔ)器單元時(shí)，存儲(chǔ)器設(shè)備100可以是電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、閃存、相變隨機(jī)存取[0055]存儲(chǔ)器單元陣列110包括多個(gè)存儲(chǔ)器塊BLK1至BLKz,并且存儲(chǔ)器塊BLK1至BLKz中的每一個(gè)可以具有平面結(jié)構(gòu)或三維結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)器單元陣列110可以包括下述各項(xiàng)中的至少一個(gè)：包括單層單元(SLC)的單層單元塊、包括多層單元(MLC)的多層單元塊、包括三層單元[0056]電壓發(fā)生器120可以產(chǎn)生在存儲(chǔ)器設(shè)備100中使用的各種電壓。例如，對(duì)于編程操作，可以產(chǎn)生提供給選擇字線的編程電壓V_PGM和提供給非選擇字線的通過電壓(passvoltage)V_PASS。另外，電壓發(fā)生器120還可以產(chǎn)生分別提供給串選擇線SSL和地選擇線GSL的串選擇電壓和地選擇電壓。[0057]在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，電壓發(fā)生器120可以在預(yù)充電操作期間，產(chǎn)生提供給選擇字線和與選擇字線相鄰的字線的導(dǎo)通電壓V_ON。例如，導(dǎo)通電壓V_0N可以具有不小于對(duì)其執(zhí)行第一編程操作1stPGM的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓的電平。據(jù)編程到存儲(chǔ)器單元陣列110或從存儲(chǔ)器單元陣列110讀取數(shù)據(jù)的各種內(nèi)部控制信號(hào)。例如，控制邏輯130可以輸出用于控制由電壓發(fā)生器120產(chǎn)生的各種電壓的電平的電壓控制信號(hào)CTRL_vol。此外，控制邏輯130可以輸出用于控制對(duì)公共源極線驅(qū)動(dòng)器160的公共源極線[0059]控制邏輯130可以將行地址信號(hào)X-ADDR提供給行解碼器140,并且可以將列地址信存儲(chǔ)器塊的字線中的至少一個(gè)。在編程操作期間，響應(yīng)于行地址信號(hào)X-ADDR,行解碼器140可以將編程電壓V_PGM提供給選擇存儲(chǔ)器單元的字線，并且可以將通過電壓V_PASS提供給非選擇存儲(chǔ)器單元的字線。頁面緩沖器150可以作為寫入驅(qū)動(dòng)器或感測(cè)放大器來操作。在編程操作期間，頁面緩沖器150作為寫入驅(qū)動(dòng)器來操作，并且可以根據(jù)要存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元陣感測(cè)放大器來操作并且可以感測(cè)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元陣列110中的數(shù)據(jù)DATA。[0060]控制邏輯130可以控制電壓發(fā)生器120、行解碼器140、頁面緩沖器150和公共源極線驅(qū)動(dòng)器160,使得對(duì)存儲(chǔ)器單元陣列110執(zhí)行多個(gè)數(shù)據(jù)編程步驟?？刂七壿?30可以控制用于存儲(chǔ)器單元陣列110的第一編程操作1stPGM和第二編程操作2dPGM,這僅是示例性的。例如，編程步驟可以包括第一至第三編程操作或更多編程操作。[0061]控制邏輯130可以包括預(yù)充電控制電路132。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此。例如，預(yù)充電控制電路132可以被提供在控制邏輯130的外部。[0062]預(yù)充電控制電路132可以控制電壓發(fā)生器120、行解碼器140、頁面緩沖器150和公共源極線驅(qū)動(dòng)器160,使得對(duì)部分單元串執(zhí)行預(yù)充電。例如，在對(duì)其執(zhí)行預(yù)充電的部分單元串可以是非選擇單元串。預(yù)充電控制電路132控制要在執(zhí)行第一編程操作1stPGM和第二編程操作2PGM之前對(duì)非選擇單元串執(zhí)行的預(yù)充電操作，使得在后續(xù)編程期間，可以改進(jìn)非選擇單元串的升壓效率。[0063]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，預(yù)充電控制電路132可以控制行解碼器140,使11線和與選擇字線相鄰的字線。因此，在對(duì)非選擇單元串的預(yù)充電期間，對(duì)其執(zhí)行第一編程操作1stPGM的存儲(chǔ)器單元被接通并且可以形成通道。[0064]在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，與選擇字線相鄰的字線可以包括布置在選擇字線上(例如，上方)的字線，或者與選擇字線相鄰的字線可以包括布置在選擇字線上(例如，下方)的字線。例如，對(duì)于布置在選擇字線上方的字線，選擇字線可以在襯底與布置在選擇字線上方的字線之間。例如，對(duì)于布置在選擇字線下方的字線，布置在選擇字線下方的字線可以在襯底與選擇字線之間。[0065]例如，在對(duì)連接至選擇字線和與選擇字線相鄰的字線的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第一編程操作1stPGM之前，將第一電壓施加到選擇字線和與選擇字線相鄰的字線，使得非選擇單元串可以被預(yù)充電。另外，在對(duì)連接至選擇字線和與選擇字線相鄰的字線的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第一編程操作1stPGM之后，并且在執(zhí)行第二編程操作2dPGM之前，將第二電壓施加到選擇字線和與選擇字線相鄰的字線，使得非選擇單元串可以被預(yù)充電。在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，第一電壓和第二電壓可以具有不同的電平。例如，第二電壓可以具有比第一電壓更高的電平。[0066]在預(yù)充電操作期間，可以通過位線BL和公共源極線CSL中的至少一個(gè)將預(yù)充電電壓施加到非選擇單元串。例如，預(yù)充電控制電路132可以控制頁面緩沖器150,使得通過位線BL將預(yù)充電電壓施加到非選擇單元串。作為另一示例，預(yù)充電控制電路132可以控制公共源極線驅(qū)動(dòng)器160,使得通過公共源極線CSL將預(yù)充電電壓施加到非選擇單元串。作為另一示例，預(yù)充電控制電路132可以控制頁面緩沖器150和公共源極線驅(qū)動(dòng)器160,使得通過位線BL和公共源極線CSL二者將預(yù)充電電壓施加到非選擇單元串。[0067]圖5是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖4的存儲(chǔ)器塊中的第一存儲(chǔ)器塊的透視圖。[0068]參考圖5,第一存儲(chǔ)器塊BLK1可以在垂直于襯底SUB的方向上形成?？梢栽诘谝淮婢€GSL和/或第八字線WL8與串選擇線[0069]襯底SUB可以是摻雜有第一導(dǎo)電類型(例如，p型)的多晶硅層。襯底SUB可以是體硅襯底、絕緣體上硅(SOI)襯底、鍺襯底，或通過執(zhí)行選擇性外延生長(zhǎng)(SEG)獲得的外延薄膜的襯底。襯底SUB可以由半導(dǎo)體材料形成，例如，硅(Si)、鍺(Ge)、鍺化硅(SiGe)、砷化鎵(GaAs)、砷化銦鎵(InGaAs)、砷化鋁鎵(AlGaAs)、或上述金屬的至少一種組合。[0070]在襯底SUB中，可以提供沿第一方向在襯底SUB上延伸并摻雜有第二導(dǎo)電類型(例上，在第三方向上順序地提供沿第一方向延伸的多個(gè)絕緣層IL。多個(gè)絕緣層IL可以在第三方向上分開特定距離。例如，多個(gè)絕緣層IL可以包括諸如二氧化硅的絕緣材料。[0071]在襯底SUB中的處于兩個(gè)相鄰的公共源極線CSL之間的區(qū)域上，可以提供沿第一方向順序地布置并且沿第三方向穿過多個(gè)絕緣層IL的多個(gè)柱P。例如，多個(gè)柱P可以通過多個(gè)絕緣層IL接觸襯底SUB。詳細(xì)地，每個(gè)柱P的表面層S可以包括摻雜有第一導(dǎo)電類型的硅材料，并且可以用作通道區(qū)。另一方面，每個(gè)柱P的內(nèi)層I可以包括諸如二氧化硅或氣隙的絕緣材料。暴露表面提供電荷存儲(chǔ)層CS。電荷存儲(chǔ)層CS可荷陷阱層和阻擋絕緣層。例如，電荷存儲(chǔ)層CS可以具有氧化物-氮化物-氧化物(ONO)結(jié)構(gòu)。另外，在兩個(gè)相鄰的公共源極線CSL之間的區(qū)域中，在電荷存儲(chǔ)層CS的暴露表面上，可以提[0073]漏極或漏極觸頭DR可以被提供在多個(gè)柱P中的每一個(gè)上。例如，漏極或漏極觸頭DR可以包括摻雜有具有第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)的硅材料。在漏極觸頭DR上，位線BL1至BL3被布置成在第二方向上延伸并且在第一方向上分開特定距離。[0074]圖6是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖4的存儲(chǔ)器塊中的第一存儲(chǔ)器塊的等效電路的電路圖。[0075]參考圖6,第一存儲(chǔ)器塊BLK1可以是具有垂直結(jié)構(gòu)的NAND閃存，并且圖4中示出的串的數(shù)量、字線的數(shù)量、位線的數(shù)量、地選擇線的數(shù)量和串選擇線的數(shù)NS23和NS33被提供在第三位線BL3與公共源極線CSL之間。每個(gè)NAND單元串(例如，NS11)可以包括串選擇晶體管SST、多個(gè)存儲(chǔ)器單元MC1至MC8和地選擇晶體管GST。[0077]共同連接至一條位線的NAND單元串可以配置一列。例如，共同以對(duì)應(yīng)于第三列。[0078]連接至一條串選擇線的NAND單元串可以配置一行。例如，連接至第一串選擇線串NS21、NS22和NS23對(duì)應(yīng)于第二行，并且連接至第三串選擇線SSL3的NAND單元串NS31、NS32和NS33可以對(duì)應(yīng)于第三行。[0079]每個(gè)NAND單元串的串選擇晶體管SST可以連接至串選擇線SSL1至SSL3中的對(duì)應(yīng)的單元串的地選擇晶體管GST連接至地選擇線GSL1至GLS3中的對(duì)應(yīng)的一條地選擇線。串選擇晶體管SST可以連接至對(duì)應(yīng)的位線BL1至BL3。地選擇晶體管GST可以連接至公共源極線CSL。[0080]根據(jù)本示例性實(shí)施例，具有基本相同高度的字線(例如，WL1)被共同連接，串選擇字線WL1和第一串選擇線SSL1。然而，[0081]圖7示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖5的第一存儲(chǔ)器塊的橫截面的一部[0082]參考圖7,示出了用于任意單元串的各種預(yù)充電方向。例如，可以在從公共源極線CSL開始的方向(①)上對(duì)單元串執(zhí)行預(yù)充電操作。換句話說，在預(yù)充電操作期間，可以通過公共源極線CSL將預(yù)充電電壓施加到單元串。[0083]根據(jù)另一示例，可以在從位線BL3開始的方向(②上對(duì)單元串執(zhí)行預(yù)充電操作。換句話說，在預(yù)充電操作期間，可以通過位線B[0084]作為另一示例，可以在從公共源極線CSL和位線BL3開始的兩個(gè)方向(③上對(duì)單元條線將預(yù)充電電壓施加到單元串。[0085]圖8是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的操作存儲(chǔ)器設(shè)備的方法的流程圖。存儲(chǔ)器設(shè)備可以包括存儲(chǔ)器單元陣列，該存儲(chǔ)器單元陣列包括包含多個(gè)存儲(chǔ)器單元的多個(gè)單元串、連接至存儲(chǔ)器單元的多條字線、連接至單元串的一側(cè)的位線、以及連接至單元串的另一側(cè)的公共源極線。[0086]參考圖8,在對(duì)存儲(chǔ)器單元陣列執(zhí)行具有多個(gè)步驟的數(shù)據(jù)編程操作時(shí)，在操作S100中，可以對(duì)連接至第一字線(例如，選擇字線)的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第一編程操作。另外，在操作S110中，可以對(duì)連接至第二字線的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第一編程操作。例如，通過第一編程操作，連接至第一字線和第二字線的存儲(chǔ)器單元可以形成粗略分布。[0087]然后，在操作S120中，將第一電平的導(dǎo)通以對(duì)部分單元串執(zhí)行預(yù)充電操作。在操作S120中，可以將低于第一電平的電平的電壓施加到多條字線中的第三字線。例如，第三字線可以是非選擇字線。另外，第三字線可以不與選擇字線相鄰。[0088]在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，第一字線和第二字線可以分別是選擇字線和與選擇字線相鄰的字線。另外，導(dǎo)通電壓可以具有不小于對(duì)其執(zhí)行第一編程操作的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓的電平。另外，對(duì)其執(zhí)行預(yù)充電操作的部分單元串可以是非選擇單元串。然后，在操作S130中，可以對(duì)連接至第一字線的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第二編程操作。[0089]圖9是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的操作存儲(chǔ)器設(shè)備的方法的流程圖。[0090]參考圖9,在操作S200中，將第一電壓施加到第一字線和第二字線，并且可以對(duì)非在操作S210中，可以對(duì)連接至第一字線和第二字線的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第一編程操作。[0091]在操作S220中，可以將具有與第一電壓的電平不同的電平的第二電壓施加到第一字線和第二字線，并且可以對(duì)非選擇單元串預(yù)充電。例如，在操作S220中，可以執(zhí)行用于執(zhí)行第二編程操作的預(yù)充電。在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，第二電壓可以具有高于第一電壓的電平。第二電壓可以是對(duì)其執(zhí)行第一編程操作的存儲(chǔ)器單元的導(dǎo)通電壓。[0092]圖10A和圖10B是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的操作存儲(chǔ)器設(shè)備的方法的定時(shí)圖。例如，圖10A和圖10B可以是從位線方向執(zhí)行預(yù)充電的情況的定時(shí)圖。[0093]參考圖10A,從第一時(shí)間T1到第二時(shí)間T2的時(shí)段可以是預(yù)充電時(shí)段PRC,并且從第二時(shí)間T2到第三時(shí)間T3的時(shí)段可以是恢復(fù)時(shí)段RCV。在預(yù)充電時(shí)段PRC中，施加到非選擇串選擇線SSL_Unsel的電壓(例如，VSSL_Unsel)增加，使得連接至非選擇串選擇線SSL_Unsel的串選擇晶體管(例如，圖6的SST)可以導(dǎo)通。在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，在預(yù)充電時(shí)段PRC中，可以將預(yù)充電電壓施加到非選擇串選擇線SSL_Unsel。因此，可以通過擇線SSL_Unsel將預(yù)充電電壓施加到非選擇單元串。預(yù)充電時(shí)段PRC可以是用于執(zhí)行第一編程操作1stPGM的預(yù)充電時(shí)段@1stPGM,或者可以是用于執(zhí)行第二編程操作2PGM的預(yù)充電中，高于第一電壓的電平的第二電壓可以被施加到第n字線WLn和與第n字線WLn相鄰的字線[0094]在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，在用于執(zhí)行第二編程操作2PGM的預(yù)充電時(shí)段@2ndPGM中，導(dǎo)通電壓可以被施加到第n字線WLn和與第n字線WLn相鄰的字線WLn-1和WLn+1.因此，在預(yù)充電時(shí)段PRC中，連接至包括在非選擇單元串中的存儲(chǔ)器單元中的第(n-1)字[0095]在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，可以將地電壓(例如，VWL_Unsel)施加到除第的升壓效率。因此，可以防止電子從升壓的單元串向公共源極線CSL離開的現(xiàn)象。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此。[0097]在恢復(fù)時(shí)段RCV中，施加到非選擇串選擇線SSL_Unsel的電壓可以恢復(fù)到增加之前+1)WLn+1的電壓可以恢復(fù)到增加之前的電平。[0098]參考圖10B,從第一時(shí)間T1到第二時(shí)間T2的時(shí)段可以被稱為預(yù)充電時(shí)段PRC,從第二時(shí)間T2到第三時(shí)間T3的時(shí)段可以被稱為第一恢復(fù)時(shí)段RCV1,并且從第三時(shí)間T3到第四時(shí)間T4的時(shí)段可以被稱為第二恢復(fù)時(shí)段RCV2。[0099]圖10B的定時(shí)圖類似于圖10A的定時(shí)圖。根據(jù)本示例性實(shí)施例，在預(yù)充電時(shí)段PRC中，施加到選擇位線BL_Sel和非選擇位線BL_Unsel的所有電壓(例如，VBL_Sel和VBL_Unsel)增加，并且在第二恢復(fù)時(shí)段RCV2中，施加到選擇位線BL_Sel的電壓可以恢復(fù)到增加可以在第二恢復(fù)時(shí)段RCV2之后在第四時(shí)間T4增加。[0100]圖11是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的預(yù)充電期間的單元串的視圖。圖11可以示出在執(zhí)行第一編程操作1stPGM和第二編程操作2dPGM之前的預(yù)充電時(shí)段PRC中的單元串NSn的示例。[0101]參考圖11,可以通過位線BL將預(yù)充電電壓施加到單元串NSn。在單元串Nsn中，可能值電壓可能已經(jīng)增加。[0102]例如，第k字線WLk可以是要對(duì)其執(zhí)行第二編程操作2dPGM的選擇字線。在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，在預(yù)充電時(shí)段PRC中，導(dǎo)通電壓V_0N可以被施加到第(k-1)字線選擇字線相鄰的字線導(dǎo)通并且可以形成通道，所以預(yù)充電電壓可以到達(dá)連接至選擇字線的存儲(chǔ)器單元。在隨后的編程操作期間，可以提高非選擇單元串的升壓效率。[0103]例如，可能已經(jīng)對(duì)第(k-1)存儲(chǔ)器單元MCk-1執(zhí)行第一編程操作1stPGM和第二編程操作2PGM。在將導(dǎo)通電壓V_0N施加到連接至第(k-1)存儲(chǔ)器單元MCk-1的第(k-1)字線WLk-1時(shí)，隨后在對(duì)第k存儲(chǔ)器單元MCk執(zhí)行的編程操作期間，可以防止發(fā)生熱載流子注入現(xiàn)[0104]圖12A和圖12B是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的操作存儲(chǔ)器設(shè)備的方法的定時(shí)圖。例如，圖12A和圖12B可以是其中從公共源極線方向執(zhí)行預(yù)充電的定時(shí)圖。[0105]圖12A的定時(shí)圖類似于圖10A的定時(shí)圖。根據(jù)本示例性實(shí)施例，在預(yù)充電時(shí)段PRCGSL的電壓(例如，VGSL)可以增加。因此，可以通過公共源極線CSL將預(yù)充電電壓施加到非選加，但可以保持。例如，在預(yù)充電時(shí)段PRC中，施加到公共源極線CSL的電壓可以保持為地電[0106]圖12B的定時(shí)圖類似于圖12A的定時(shí)圖。在圖12B的定時(shí)圖中，可以提供預(yù)充電時(shí)段PRC、第一恢復(fù)時(shí)段RCV1和第二恢復(fù)時(shí)段RCV2。[0107]根據(jù)本示例性實(shí)施例，在預(yù)充電時(shí)段PRC中，施加到公共源極線CSL的電壓(例如，VCSL)可以增加。例如，在預(yù)充電時(shí)段PRC中，施加到公共源極線CSL的電壓可以是高于地電壓的電平的電壓VCSL1。另外，在第二恢復(fù)時(shí)段RCV2中，施加到公共源極線CSL的電壓可以恢復(fù)到高于增加之前的電平的電壓VCSL2。[0108]圖13A至圖13D是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的操作存儲(chǔ)器設(shè)備的方法的定時(shí)圖。例如，圖13A至圖13D可以是從位線和公共源極線的兩個(gè)方向執(zhí)行預(yù)充電的情況的