ICS77040

CCSH.21

中華人民共和國國家標準

GB/T19444—2025

代替GB/T19444—2004

硅片氧沉淀特性的測試

間隙氧含量減少法

Testmethodforoxygenprecipitioncharacteristicsofsiliconwafers—

Interstitialoxygenreduction

2025-06-30發(fā)布2026-01-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T19444—2025

前言

本文件按照標準化工作導(dǎo)則第部分標準化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替硅片氧沉淀特性的測定間隙氧含量減少法與

GB/T19444—2004《—》,GB/T19444—

相比除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編輯性改動外主要技術(shù)變化如下

2004,,:

更改了適用范圍見第章年版的第章

a)(1,20041);

增加了術(shù)語和定義見第章

b)(3);

更改了方法原理見第章年版的第章

c)(4,20043);

增加了干擾因素見第章

d)(5);

增加了試驗條件見第章

e)(6);

更改了試劑或材料見第章年版的第章

f)(7,20045);

增加了儀器設(shè)備見第章

g)(8);

更改了樣品見第章年版的第章

h)(9,20046);

更改了試驗步驟見第章年版的第章

i)(10,20047);

增加了試驗數(shù)據(jù)處理見第章

j)(11);

更改了精密度見第章年版的第章

k)(12,200410);

更改了試驗報告見第章年版的第章

l)(13,20049)。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位麥斯克電子材料股份有限公司浙江中晶科技股份有限公司隆基綠能科技股份

:、、

有限公司內(nèi)蒙古中環(huán)晶體材料有限公司浙江海納半導(dǎo)體股份有限公司山東有研艾斯半導(dǎo)體材料有

、、、

限公司浙江金瑞泓科技股份有限公司杭州中欣晶圓半導(dǎo)體股份有限公司上海合晶硅材料股份有限

、、、

公司浙大寧波理工學(xué)院

、。

本文件主要起草人方麗霞陳衛(wèi)群姚獻朋黃笑容寇文輝王新社郭紅強劉麗娟肖世豪朱曉彤

:、、、、、、、、、、

張海英王江華尚海波章金兵

、、、。

本文件于年首次發(fā)布本次為第一次修訂

2004,。

Ⅰ

GB/T19444—2025

硅片氧沉淀特性的測試

間隙氧含量減少法

1范圍

本文件描述了通過硅片熱處理前后間隙氧含量的減少量來測試硅片氧沉淀特性的方法

。

本文件適用于室溫電阻率大于的型硅單晶片和室溫電阻率大于的型硅

0.1Ω·cmn0.5Ω·cmp

單晶片氧沉淀特性的測試

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法

GB/T1557—2018

分析實驗室用水規(guī)格和試驗方法

GB/T6682

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

氧沉淀oxygenprecipitation

在晶體生長及后期熱處理階段晶格之間的氧原子與硅及硅晶體中的其他雜質(zhì)反應(yīng)而形成的氧沉

,

積物

。

32

.

初始氧含量initialoxygencontent

未經(jīng)熱處理工藝的硅單晶片的間隙氧含量

。

33

.

最終氧含量finaloxygencontent

經(jīng)過熱處理工藝的硅單晶片的間隙氧含量

。

34

.

氧減少量thereductioninoxygencontent

初始氧含量減去最終氧含量的差值

。

4原理

對樣品進行熱處理用紅外吸收的方法測試樣品熱處理前和熱處理后的間隙氧含量