第十章、第十一章、第十二章練習(xí)一、填空

2．填料塔的等板高度（HETP）是指

。

4．列舉兩種常用的亂堆填料的名稱：

，

。

5．填料的

和

是評價填料性能的兩個重要指標(biāo)。練習(xí)九解答一、

2．分離作用相當(dāng)于一塊理論板的填料層高度

4．拉西環(huán)，鮑爾環(huán)，階梯環(huán)，

5.壓降，HETP

8．萃取中分配系數(shù)的定義是kA=

。kA=1的物系可否進(jìn)行萃取分離操作？

。

9．從技術(shù)上說，萃取劑選擇的基本條件是

，

。

10．萃取設(shè)備與汽液傳質(zhì)設(shè)備有較大區(qū)別，其主要原因是

，

。

11．液液萃取的依據(jù)是

。

12．液液萃取中，如果物系的界面張力小，則液滴分散比較

，兩相沉降分離較

。

8．yA/xA，可以9．溶解度，選擇性10．Δρ小，σ小11．各組分的溶解度差異12．易，難13．塔板上汽液兩相的接觸狀態(tài)按氣速的高低可分為

，

，

三種狀態(tài)。

14．試寫出三種工業(yè)萃取設(shè)備的名稱

，

，

。16．結(jié)晶的基本方法有

，

，

，

。17．溶液結(jié)晶操作的基本原理是

。18．造成溶液結(jié)晶過飽和度的方法有

，

。19．溶液結(jié)晶要經(jīng)歷

和

兩個階段。13．鼓泡，泡沫，噴射14．混合澄清槽，脈沖篩板塔，轉(zhuǎn)盤萃取塔16．溶液結(jié)晶，熔融結(jié)晶，升華結(jié)晶，反應(yīng)結(jié)晶17．溶液的過飽和18．冷卻，蒸發(fā)濃縮19．晶核生成，晶體成長20．吸附分離的基本原理是

。21．常用的吸附解吸循環(huán)操作有

，

，

，

。22．分子篩的特點是

。23．常用的吸附劑有

，

，

，

等。25．膜分離的基本原理是

。26．電滲析的過程推動力是

；反滲透的過程推動力是

。27．陽膜的活性基團(tuán)在溶液中電離后，固定性基團(tuán)帶

電；陰膜的活性基團(tuán)在溶液中電離后，固定性基團(tuán)帶

電。20．吸附劑對混合物中各組分的選擇性吸附21．變溫，變壓，變濃度，置換22．晶格結(jié)構(gòu)一定，微孔大小均一，能起篩選分子的作用23．活性炭，硅膠，活性氧化鋁，沸石分子篩25.利用膜對流體混合物中各組分的選擇性滲透26.電位差，壓力差27.負(fù)，正

二、作圖

1.圖示物系，加料F=1kg，用溶劑作兩級錯流萃取(每級0.4kg溶劑)，求萃余相的量及濃度。二、1．解：由FS線作M1點，使內(nèi)插相平衡得E1，R1，由E1R1線得由R1S線,作M2點，內(nèi)插得E2,R2,由E2R2線得2．某精餾塔精餾段的負(fù)荷性能圖及工作點如右圖所示，今欲提高塔頂采出率D/F，但保持回流比及進(jìn)料條件不變，試在同一圖上畫出新操作條件下的工作點。

2．R不變，不變，但L↑,V↑，

三、用純?nèi)軇苜|(zhì)0.2（質(zhì)量分率）的原料作單級萃取，溶劑比S/F=0.5,求①每kg加料可得的萃取相量；②該萃取級的分配系數(shù)；③該萃取級的選擇性系數(shù)；（注明符號，并用線段比例表示）

三、解：F=1kg,S=0.5kg,M=1.5kg,xF

=0.2①作M點，相平衡內(nèi)插得R,E點，②③四、用純?nèi)軇B混合液作逆流萃取，溶劑S與稀釋劑B完全不互溶。原料液中含A20%（質(zhì)量），要求最終萃余相的溶質(zhì)濃度不高于0.02kgA/kgB。A在平衡兩相中的分配YA/XA=2，溶劑用量為最少用量的1.5倍。求：①

實際溶劑比S/B；②求離開第一理論級的萃余相組成x1。

四、解：

Z=0(純?nèi)軇?①②

五、圖示某萃取物系的互溶曲線：原料組成為xF=0.4(質(zhì)量分率，下同)，用純?nèi)軇┹腿?，?jīng)單級萃取后所得的萃余相中含溶質(zhì)A的濃度xA=0.2,β=4.0,求 ①溶劑比S/F；②

該級的分配系數(shù)kA。五、解：①β=4,xA=0.2,作圖得R點作圖yA0點為E0點，連接E0S線得E點由RE線與FS線相交得