芯片生產(chǎn)工藝知識(shí)培訓(xùn)課件匯報(bào)人：XX目錄01芯片制造基礎(chǔ)02晶圓制備技術(shù)03光刻技術(shù)介紹04蝕刻與離子注入05薄膜沉積技術(shù)06封裝與測(cè)試芯片制造基礎(chǔ)PARTONE芯片的定義與分類芯片分類按功能與應(yīng)用分芯片定義半導(dǎo)體集成元件0102芯片制造流程概述拉晶切片，光刻蝕刻，薄膜沉積關(guān)鍵工藝設(shè)計(jì)電路，制造晶圓，封裝測(cè)試設(shè)計(jì)制造封裝關(guān)鍵制造術(shù)語(yǔ)解釋晶圓切割成Die，封裝后成Chip。晶圓與芯片光刻轉(zhuǎn)移圖案，刻蝕形成電路。光刻與刻蝕晶圓制備技術(shù)PARTTWO晶圓材料選擇硅儲(chǔ)量豐富，電學(xué)性能佳，穩(wěn)定性好。硅材料為主砷化鎵、碳化硅等，用于特定領(lǐng)域。其他材料補(bǔ)充晶圓切割與拋光晶圓切割技術(shù)采用金剛石刀片或激光切割晶圓拋光工藝研磨表面，提升平整度晶圓清洗過程01預(yù)清洗去離子水沖洗和超聲處理02化學(xué)清洗去除有機(jī)物、金屬離子03終清洗干燥去離子水沖洗后干燥光刻技術(shù)介紹PARTTHREE光刻原理與步驟光化學(xué)反應(yīng)轉(zhuǎn)印圖形涂膠曝光顯影檢測(cè)光刻基本原理光刻主要步驟光刻機(jī)的種類與應(yīng)用I-line至EUV等光刻機(jī)種類半導(dǎo)體及平板顯示應(yīng)用領(lǐng)域光刻過程中的挑戰(zhàn)EUV光刻機(jī)價(jià)格昂貴，對(duì)小型企業(yè)構(gòu)成經(jīng)濟(jì)壓力。高昂設(shè)備成本EUV技術(shù)需改進(jìn)穩(wěn)定性和可靠性，提高制造精度。技術(shù)穩(wěn)定性蝕刻與離子注入PARTFOUR蝕刻技術(shù)的分類利用化學(xué)溶液腐蝕材料，操作簡(jiǎn)便，但各向異性較差。濕蝕刻利用等離子體刻蝕，各向異性高，適用于精密制程。干蝕刻離子注入的原理離子束穿透硅片，改變材料電學(xué)特性。高能離子摻雜退火工藝修復(fù)損傷，激活雜質(zhì)離子。晶格損傷修復(fù)蝕刻與注入的優(yōu)化精確控制摻雜深度與濃度離子注入優(yōu)化提高速率均勻性，減小側(cè)壁傾斜蝕刻優(yōu)化薄膜沉積技術(shù)PARTFIVE化學(xué)氣相沉積（CVD）氣態(tài)反應(yīng)生固態(tài)膜技術(shù)原理01半導(dǎo)體及貴金屬應(yīng)用領(lǐng)域02物理氣相沉積（PVD）PVD技術(shù)簡(jiǎn)介真空下物理鍍膜主要沉積方法蒸鍍?yōu)R射離子鍍薄膜質(zhì)量控制選用優(yōu)質(zhì)PE樹脂，確保原料穩(wěn)定可靠。原料質(zhì)量把控01嚴(yán)格控制工藝參數(shù)，確保沉積過程穩(wěn)定一致。工藝參數(shù)監(jiān)控02封裝與測(cè)試PARTSIX芯片封裝技術(shù)保護(hù)、連接、散熱核心功能TSV互連、混合鍵合關(guān)鍵技術(shù)芯片測(cè)試流程檢測(cè)芯片功能及時(shí)序晶圓測(cè)試功能、性能及可靠性測(cè)試封裝后測(cè)試系統(tǒng)級(jí)測(cè)試抽樣測(cè)試芯片功能質(zhì)量保證與可靠性01封裝質(zhì)量把控通過先進(jìn)封裝技術(shù)，確保芯片散熱與信