半導(dǎo)體制造常用英語詞匯大全---半導(dǎo)體制造常用英語詞匯大全半導(dǎo)體制造（SemiconductorManufacturing）是集精密機械、材料科學(xué)、光學(xué)、化學(xué)、物理學(xué)乃至信息技術(shù)于一體的尖端領(lǐng)域。其流程冗長復(fù)雜，從最初的硅片制備到最終的芯片測試，每一步都凝聚著極高的技術(shù)含量。掌握相關(guān)的英語詞匯，是深入理解這一領(lǐng)域的基礎(chǔ)。本文將按照半導(dǎo)體制造的主要流程和關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節(jié)，梳理常用的英語詞匯。一、原材料與襯底(RawMaterials&Substrates)*Semiconductor:半導(dǎo)體-指導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料，如硅（Si）、鍺（Ge）及化合物半導(dǎo)體。*Silicon(Si):硅-目前應(yīng)用最廣泛的半導(dǎo)體材料，通常從石英砂中提煉。*Wafer:晶圓-圓形的半導(dǎo)體襯底材料，是制造集成電路的基礎(chǔ)。*Substrate:襯底-指在其上進(jìn)行薄膜生長或其他工藝加工的基礎(chǔ)材料，通常即指晶圓。*Ingot:晶錠-通過晶體生長（如直拉法）得到的圓柱形半導(dǎo)體單晶體。*PolycrystallineSilicon(Poly-Si):多晶硅-由許多小硅晶體組成的材料，常用于柵極和局部互連。*MonocrystallineSilicon:單晶硅-具有完整晶體結(jié)構(gòu)的硅材料，是制造高性能半導(dǎo)體器件的理想襯底。*Epitaxy(Epi):外延-在單晶襯底上生長一層具有相同或相似晶體結(jié)構(gòu)的薄膜的工藝。*EpitaxialLayer:外延層-通過外延工藝生長的薄膜層。二、晶圓制造(WaferFabrication/FAB)晶圓制造是半導(dǎo)體生產(chǎn)中最核心、最復(fù)雜的環(huán)節(jié)，通常在潔凈室內(nèi)進(jìn)行，也稱為“前道工序”（Front-End-of-Line,FEOL）和“中道工序”（Middle-End-of-Line,MEOL）。2.1薄膜沉積(ThinFilmDeposition)*Deposition:沉積-將材料以原子、分子或離子形式沉積在襯底表面形成薄膜的過程。*ChemicalVaporDeposition(CVD):化學(xué)氣相沉積-通過氣體化學(xué)反應(yīng)在襯底表面生成固態(tài)薄膜的方法。*Low-PressureCVD(LPCVD):低壓化學(xué)氣相沉積*Plasma-EnhancedCVD(PECVD):等離子體增強化學(xué)氣相沉積*PhysicalVaporDeposition(PVD):物理氣相沉積-通過物理過程（如蒸發(fā)、濺射）將材料沉積到襯底表面的方法。*Sputtering:濺射-利用高能離子轟擊靶材，使靶材原子逸出并沉積在襯底上形成薄膜。*Evaporation:蒸發(fā)-通過加熱使材料氣化，然后在襯底表面凝結(jié)成膜。*AtomicLayerDeposition(ALD):原子層沉積-一種可以實現(xiàn)單原子層精確控制沉積的薄膜制備技術(shù)。*Dielectric:電介質(zhì)-不導(dǎo)電的材料，用于隔離導(dǎo)電層，如二氧化硅（SiO?）、氮化硅（Si?N?）。*Oxide:氧化物-氧與另一種元素形成的化合物，如二氧化硅（SiliconDioxide,SiO?）。*Nitride:氮化物-氮與另一種元素形成的化合物，如氮化硅（SiliconNitride,Si?N?）。2.2光刻(Lithography)*Lithography/Photolithography:光刻-將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底表面光刻膠上的工藝，是IC制造的核心技術(shù)之一。*Photoresist(PR):光刻膠-一種對光敏感的聚合物材料，曝光后其化學(xué)性質(zhì)會發(fā)生變化。*PositivePhotoresist:正性光刻膠-曝光區(qū)域在顯影后被去除。*NegativePhotoresist:負(fù)性光刻膠-未曝光區(qū)域在顯影后被去除。*Mask/Reticle:掩模版/光罩-承載有集成電路圖形的透明石英板，用于光刻過程中圖形的轉(zhuǎn)移。*Exposure:曝光-用特定波長的光照射涂有光刻膠的晶圓，使光刻膠發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)。*LightSource:光源-光刻機中提供曝光能量的裝置，如汞燈、準(zhǔn)分子激光器（ExcimerLaser）。*Wavelength:波長-曝光光的波長，如深紫外（DUV）、極紫外（EUV）。*DeepUltraviolet(DUV):深紫外光-常用于先進(jìn)制程的光刻光源。*ExtremeUltraviolet(EUV):極紫外光-下一代先進(jìn)光刻技術(shù)，波長更短，分辨率更高。*LensSystem:透鏡系統(tǒng)-光刻機中用于將掩模版圖形聚焦并成像到晶圓表面的精密光學(xué)部件。*Alignment:對準(zhǔn)-在曝光前，確保晶圓上已有的圖形與掩模版上的圖形精確對位。*Developing/Developer:顯影/顯影液-將曝光后的光刻膠進(jìn)行處理，去除不需要的部分，得到光刻圖形。*Post-ExposureBake(PEB):曝光后烘烤-曝光后對光刻膠進(jìn)行烘烤，以促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)或改善圖形質(zhì)量。*SpinCoating:旋涂-將光刻膠等液體材料均勻涂覆在晶圓表面的常用方法。2.3刻蝕(Etching)*Etching:刻蝕-利用化學(xué)或物理方法有選擇性地去除襯底表面未被光刻膠保護的材料，從而將光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到其下方材料層。*DryEtching:干法刻蝕-利用等離子體進(jìn)行刻蝕的技術(shù)，具有高各向異性和高選擇性。*PlasmaEtching:等離子體刻蝕*ReactiveIonEtching(RIE):反應(yīng)離子刻蝕-一種常用的干法刻蝕技術(shù)。*WetEtching:濕法刻蝕-利用化學(xué)溶液與被刻蝕材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)來去除材料，通常各向異性較差，但選擇性較好。*IsotropicEtching:各向同性刻蝕-刻蝕在各個方向上速率相同，會產(chǎn)生側(cè)向鉆蝕。*AnisotropicEtching:各向異性刻蝕-刻蝕在垂直方向上的速率遠(yuǎn)大于水平方向，能得到陡峭的側(cè)壁。*Selectivity:選擇性-刻蝕過程中對目標(biāo)材料與非目標(biāo)材料刻蝕速率的比值。*EtchRate:刻蝕速率-單位時間內(nèi)被刻蝕掉的材料厚度。2.4離子注入(IonImplantation)*IonImplantation:離子注入-將高能離子（摻雜劑）打入半導(dǎo)體材料中，以改變其電學(xué)性質(zhì)的工藝。*Dopant:摻雜劑-用于改變半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型和電導(dǎo)率的雜質(zhì)原子，如硼（B）、磷（P）、砷（As）。*P-typeDopant:P型摻雜劑-引入空穴作為多數(shù)載流子，如硼。*N-typeDopant:N型摻雜劑-引入電子作為多數(shù)載流子，如磷、砷。*IonSource:離子源-產(chǎn)生待注入離子的裝置。*Accelerator:加速器-用于加速離子獲得高能的裝置。*Dose:劑量-注入到單位面積內(nèi)的離子數(shù)量。*Energy:能量-注入離子的能量，決定了離子在材料中的注入深度。*Annealing:退火-離子注入后對晶圓進(jìn)行加熱處理，以修復(fù)晶格損傷、激活摻雜劑并消除應(yīng)力。*RapidThermalAnnealing(RTA):快速熱退火-一種短時、高溫的退火工藝。2.5化學(xué)機械研磨(ChemicalMechanicalPolishing/Planarization,CMP)*ChemicalMechanicalPolishing/Planarization(CMP):化學(xué)機械研磨/平坦化-結(jié)合化學(xué)腐蝕和機械研磨作用，使晶圓表面達(dá)到高度平坦化的工藝。*Slurry:研磨液/漿料-CMP過程中使用的含有磨料和化學(xué)試劑的混合物。*Pad:研磨墊-CMP設(shè)備中與晶圓接觸并提供機械研磨作用的部件。*Planarization:平坦化-使晶圓表面變得平整的過程，CMP是主要手段。2.6清洗(Cleaning)*Cleaning:清洗-在半導(dǎo)體制造的多個步驟之間，去除晶圓表面的顆粒、有機物、金屬離子等污染物的過程。*RCAClean:RCA清洗-一種廣泛使用的半導(dǎo)體晶圓清洗方法，通常包括SC-1和SC-2等步驟。*MegasonicCleaning:兆聲清洗-利用高頻聲波（兆赫茲級）產(chǎn)生的空化效應(yīng)進(jìn)行清洗。*WetBench:濕法工作臺-進(jìn)行濕法清洗、顯影等操作的通風(fēng)柜或自動化設(shè)備。*Contamination:污染-任何不需要的物質(zhì)（顆粒、化學(xué)物質(zhì)等）出現(xiàn)在不該出現(xiàn)的位置。三、金屬化與互連(Metallization&Interconnect)*Metallization:金屬化-在半導(dǎo)體器件上形成導(dǎo)電金屬層，用于電極和互連線。*Interconnect:互連-連接集成電路中各個器件和模塊的金屬導(dǎo)線網(wǎng)絡(luò)。*Contact:接觸孔-連接器件有源區(qū)（如源極、漏極、柵極）與第一層金屬的孔。*Via:通孔/過孔-連接不同金屬層之間的垂直導(dǎo)電通道。*Trench:溝槽-在絕緣層中刻蝕出的用于填充金屬形成互連線的凹槽。*DamasceneProcess:大馬士革工藝-一種先在絕緣層中刻蝕出溝槽或通孔，然后填充金屬并進(jìn)行CMP平坦化的金屬化工藝。*SingleDamascene:單大馬士革-只形成溝槽或通孔中的一種金屬結(jié)構(gòu)。*DualDamascene:雙大馬士革-同時形成溝槽（線）和通孔（孔）的金屬互連結(jié)構(gòu)。*BarrierLayer:阻擋層-防止金屬互連材料（如銅）擴散到周圍介質(zhì)或硅襯底中的薄層材料，如氮化鈦（TiN）、鉭（Ta）。*SeedLayer:籽晶層-在電鍍銅等工藝前沉積的一薄層金屬，用于引導(dǎo)后續(xù)金屬的均勻生長。四、晶圓測試與切割(WaferTesting&Dicing)*WaferSort/ProbeTest:晶圓測試/探針測試-在晶圓級對每個芯片（Die）進(jìn)行初步電學(xué)性能測試，篩選出合格的芯片。*ProbeCard:探針卡-測試設(shè)備與晶圓上芯片焊盤接觸的部件，其上有精密的探針。*ProbeStation:探針臺-進(jìn)行晶圓測試的設(shè)備，可精確控制晶圓和探針卡的相對位置。*KGD(KnownGoodDie):已知合格芯片-經(jīng)過測試確認(rèn)性能良好的裸芯片。*Dicing/Sawing:切割/劃片-將完成測試的晶圓切割成單個獨立的芯片（Die）。*DicingBlade/Saw:切割刀片/鋸片-用于切割晶圓的精密工具。*Die:芯片/裸片-從晶圓上切割下來的單個集成電路單元。*Kerf:切割道/鋸縫-晶圓上用于切割的區(qū)域，此區(qū)域無電路。五、封裝(Packaging)*Packaging:封裝-將裸芯片（Die）包裹起來，提供機械保護、電氣連接、熱管理，并使其能夠與外部系統(tǒng)接口。*Package:封裝體-封裝完成后的整體結(jié)構(gòu)。*LeadFrame:引線框架-一種金屬框架，用于芯片的電氣引出和機械支撐，常見于傳統(tǒng)封裝。*Substrate:封裝基板-在先進(jìn)封裝中使用的多層布線基板，為芯片提供更密集的互連。*DieAttach/DieBonding:芯片貼裝/粘片-將裸芯片固定到引線框架或封裝基板上的過程。*WireBonding(WB):引線鍵合-通過細(xì)金屬絲（如金線、銅線）將芯片的焊盤（Pad）與引線框架或基板的焊盤連接起來。*FlipChip(FC):倒裝芯片-將芯片面朝下，通過其表面的焊球（Bump）直接與基板或引線框架連接的技術(shù)。*Bump:凸點-倒裝芯片技術(shù)中，在芯片焊盤上制作的金屬凸起，用于與基板連接。*Underfill:底部填充膠-在倒裝芯片與基板之間填充的環(huán)氧樹脂材料，以增強機械強度和散熱。*Molding/Encapsulation:塑封/包封-用塑料或陶瓷等材料將芯片和內(nèi)部連線密封起來，提供保護。*Lead:引腳-從封裝體延伸出來的金屬端子，用于與外部電路連接。*BallGridArray(BGA):球柵陣列-一種封裝形式，其底部有陣列排布的焊球作為I/O引出端。*ChipScalePackage(CSP):芯片級封裝-封裝體尺寸與裸芯片尺寸接近的封裝技術(shù)。*SysteminPackage(SiP):系統(tǒng)級封裝-將多個不同功能的芯片（如處理器、存儲器）集成在一個封裝內(nèi)，實現(xiàn)系統(tǒng)功能。*3DIntegration/StackedDie:3D集成/堆疊芯片-將多個芯片在垂直方向上堆疊并實現(xiàn)互連，以提高集成度和性能。六、測試(Testing)*FinalTest/FinalInspection:終測/最終檢驗-對封裝完成的芯片進(jìn)行全面的電學(xué)性能和可靠性測試。*Burn-In(BI):老化測試-在高溫、高電壓等應(yīng)力條件下對芯片進(jìn)行測試，以篩選出早期失效的產(chǎn)品。*ReliabilityTest:可靠性測試-評估芯片在各種環(huán)境和工作條件下長期穩(wěn)定工作能力的測試。*FunctionalTest:功能測試-驗證芯片是否能正確執(zhí)行其設(shè)計的功能。*ParametricTest:參數(shù)測試-測量芯片的各種電學(xué)參數(shù)（如電壓、電流、電阻、頻率等）是否在規(guī)定范圍內(nèi)。七、通用與設(shè)備相關(guān)術(shù)語(General&Equipment-RelatedTerms)*Fab(FabricationFacility):晶圓廠-進(jìn)行半導(dǎo)體晶圓制造的工廠。*