模擬CMOS課件單擊此處添加副標題匯報人：XX目錄壹CMOS技術(shù)概述貳CMOS電路基礎(chǔ)叁CMOS放大器設(shè)計肆CMOS模擬集成電路伍CMOS電路的制造工藝陸CMOS電路的測試與分析CMOS技術(shù)概述第一章CMOS技術(shù)定義CMOS是互補金屬氧化物半導(dǎo)體，一種用于制造集成電路的關(guān)鍵半導(dǎo)體技術(shù)。半導(dǎo)體技術(shù)CMOS技術(shù)以低功耗著稱，廣泛應(yīng)用于微處理器、存儲器等數(shù)字電路中。低功耗特性CMOS技術(shù)優(yōu)勢CMOS電路靜態(tài)時幾乎不耗電，適合移動設(shè)備。低功耗可在小芯片上集成大量功能，降低成本。高集成度應(yīng)用領(lǐng)域存儲器制造CMOS技術(shù)用于制造SRAM和DRAM。圖像處理CMOS圖像傳感器廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機、手機攝像頭。0102CMOS電路基礎(chǔ)第二章基本電路元件CMOS電路核心，控制電流開關(guān)。晶體管輔助元件，調(diào)節(jié)電流，儲存電荷。電阻與電容電路工作原理信號傳輸CMOS電路中，信號通過晶體管開關(guān)實現(xiàn)傳輸，高低電平表示二進制信息。功耗特性CMOS電路在靜態(tài)時功耗極低，僅在開關(guān)轉(zhuǎn)換時消耗能量，具有高能效比。電路設(shè)計要點通過調(diào)整晶體管尺寸和電源電壓，減少切換功耗。動態(tài)功耗優(yōu)化利用CMOS互補特性，降低靜態(tài)電流，實現(xiàn)低功耗設(shè)計。靜態(tài)功耗控制CMOS放大器設(shè)計第三章放大器類型CMOS工藝制造，高增益，低功耗。運算放大器采用開關(guān)電容技術(shù)，實現(xiàn)低失調(diào)電壓和高PSRR。斬波穩(wěn)定放大器設(shè)計流程明確增益、帶寬等關(guān)鍵參數(shù)。確定設(shè)計指標根據(jù)需求選低壓、高速或高精度結(jié)構(gòu)。選擇電路拓撲通過理論計算優(yōu)化增益、帶寬和噪聲。晶體管尺寸計算性能評估評估放大器信號放大能力及響應(yīng)頻率范圍。增益與帶寬分析噪聲系數(shù)與相位裕度，確保信號質(zhì)量及系統(tǒng)穩(wěn)定。噪聲與穩(wěn)定性CMOS模擬集成電路第四章集成電路分類模擬、數(shù)字及混合按功能分類體硅與SOICMOS按制造工藝分關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)典型值低于0.1μW靜態(tài)功耗達邏輯擺幅35%噪聲容限電源電壓范圍寬范圍3-18V設(shè)計與仿真設(shè)計流程系統(tǒng)至版圖實現(xiàn)仿真驗證前至后仿真調(diào)整CMOS電路的制造工藝第五章制造流程概述奠定CMOS器件基礎(chǔ)雙阱制備工藝實現(xiàn)器件間電隔離淺槽隔離技術(shù)確保器件性能一致閾值電壓調(diào)控關(guān)鍵工藝步驟01雙阱制備工藝奠定CMOS器件基礎(chǔ)。02淺槽隔離技術(shù)實現(xiàn)器件間電隔離。03金屬互連工藝構(gòu)建電路導(dǎo)線網(wǎng)絡(luò)。工藝優(yōu)化策略采用差分放大等結(jié)構(gòu)，優(yōu)化CMOS電平性能。改進電路結(jié)構(gòu)01減少寄生效應(yīng)，提高信號完整性，降低成本。優(yōu)化版圖設(shè)計02CMOS電路的測試與分析第六章測試方法診斷邏輯錯誤，確保電路功能正常。功能測試檢測靜態(tài)電流異常，發(fā)現(xiàn)潛在物理缺陷。IDDQ測試測試設(shè)備針對特定電路設(shè)計的測試設(shè)備，如存儲器、微處理器測試儀。專用測試儀適用于多種電路測試，用于特性測量、功能檢驗和結(jié)果分析。通用測試儀數(shù)據(jù)分析與故障診斷通過模擬數(shù)據(jù)與實際測試數(shù)據(jù)對比，分析CMOS電路性能差異。數(shù)據(jù)對比分