場效應(yīng)晶體管直流交流參數(shù)的測量V1.0.9實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)備

iecube.online數(shù)智化平臺(tái)登錄01儀器軟件登錄設(shè)備介紹0203V1.0.9設(shè)備介紹>iecube.online數(shù)智化平臺(tái)登錄>儀器軟件登陸

IECUBE-3835是一體化半導(dǎo)體測試平臺(tái)，平臺(tái)集成多種儀器，提供數(shù)智化教輔資源和實(shí)驗(yàn)裝置，平臺(tái)外形和儀器功能如左圖所示。V1.0.9設(shè)備介紹>iecube.online數(shù)智化平臺(tái)登錄>儀器軟件登陸

平臺(tái)收納抽屜中放置了實(shí)驗(yàn)裝置和線纜，實(shí)驗(yàn)裝置里有器件，如左圖所示。V1.0.9經(jīng)典半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)裝置運(yùn)算放大器綜合實(shí)驗(yàn)裝置iecube.online數(shù)智化平臺(tái)主要功能是記錄實(shí)驗(yàn)過程中的測量數(shù)據(jù)，學(xué)生的儀器操作行為，智能化分析學(xué)生實(shí)驗(yàn)成績和實(shí)驗(yàn)掌握程度。 說明：實(shí)驗(yàn)過程中需要記錄數(shù)據(jù)時(shí)，都會(huì)提示在iecube.online數(shù)智化平臺(tái)相對應(yīng)實(shí)驗(yàn)頁面填寫并提交數(shù)據(jù)。此外，如果實(shí)驗(yàn)過程中不需要此功能或者沒有登錄賬號(hào)，可忽略此步驟。1、打開IECUBE-3835儀器電源開關(guān)和內(nèi)置電腦電源開關(guān)。2、內(nèi)置電腦連接至Internet。設(shè)備介紹>iecube.online數(shù)智化平臺(tái)登錄>儀器軟件登陸V1.0.9設(shè)備介紹>iecube.online數(shù)智化平臺(tái)登錄>儀器軟件登陸

3、內(nèi)置電腦中，使用瀏覽器中訪問“student.iecube.online”（可點(diǎn)擊桌面快捷方式）并使用賬號(hào)和密碼登錄數(shù)智化平臺(tái)（如：賬號(hào)為“學(xué)生學(xué)號(hào)@”，密碼默認(rèn)為111111），登錄界面如左圖所示。V1.0.9設(shè)備介紹>iecube.online數(shù)智化平臺(tái)登錄>儀器軟件登陸

4、登錄成功后頁面如左圖所示，可以看到相應(yīng)的實(shí)驗(yàn)課程，點(diǎn)擊選擇實(shí)驗(yàn)課程。V1.0.9設(shè)備介紹>iecube.online數(shù)智化平臺(tái)登錄>儀器軟件登陸

5、選擇實(shí)驗(yàn)課程后，頁面如左圖所示。如遇到分組實(shí)驗(yàn)，團(tuán)隊(duì)需要指定一名隊(duì)員創(chuàng)建小組，其余隊(duì)員加入小組即可（團(tuán)隊(duì)成員不能大于5人）。V1.0.9設(shè)備介紹>iecube.online數(shù)智化平臺(tái)登錄>儀器軟件登陸

6、點(diǎn)擊“創(chuàng)建小組”，彈出左圖所示的對話框，輸入小組名稱并點(diǎn)擊提交。V1.0.9設(shè)備介紹>iecube.online數(shù)智化平臺(tái)登錄>儀器軟件登陸

7、創(chuàng)建成功后的頁面如左圖所示，頁面紅框中顯示組名、成員、邀請碼等信息，將邀請碼告知團(tuán)隊(duì)其他成員，加入小組時(shí)需要填寫。V1.0.9設(shè)備介紹>iecube.online數(shù)智化平臺(tái)登錄>儀器軟件登陸

8、其余成員加入小組時(shí)，首先使用個(gè)人賬號(hào)密碼登錄數(shù)智化平臺(tái)，選擇實(shí)驗(yàn)課程，然后點(diǎn)擊“加入小組”，如左圖所示。V1.0.9設(shè)備介紹>iecube.online數(shù)智化平臺(tái)登錄>儀器軟件登陸

9、點(diǎn)擊“加入小組”后，彈出加入小組的對話框，如左圖所示，隊(duì)員輸入小組的邀請碼（創(chuàng)建小組時(shí)已經(jīng)生成）并點(diǎn)擊提交。V1.0.9設(shè)備介紹>iecube.online數(shù)智化平臺(tái)登錄>儀器軟件登陸

10、小組加入成功后如左圖所示，紅框處顯示組名、成員名稱、邀請碼等信息。V1.0.9設(shè)備介紹>iecube.online數(shù)智化平臺(tái)登錄>儀器軟件登陸

11、創(chuàng)建小組或者加入小組成功后，選擇實(shí)驗(yàn)內(nèi)容。選擇方法如左圖所示，點(diǎn)擊相應(yīng)的數(shù)字即可。V1.0.9設(shè)備介紹>iecube.online數(shù)智化平臺(tái)登錄>儀器軟件登陸

12、實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)填寫。實(shí)驗(yàn)過程中需要將測量的數(shù)據(jù)、問題等填入相應(yīng)位置，實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)填寫頁面如左圖所示。

實(shí)驗(yàn)結(jié)束后，需點(diǎn)擊頁面底部的提交按鈕，保證數(shù)據(jù)的正確存儲(chǔ)。V1.0.9設(shè)備介紹>iecube.online數(shù)智化平臺(tái)登錄>儀器軟件登陸

1、點(diǎn)擊桌面“IECUBE儀器軟件面板”，使用個(gè)人賬號(hào)密碼（賬號(hào)密碼與數(shù)智化平臺(tái)相同）登錄IECUBE-3835儀器軟件面板，儀器軟件登錄界面如左圖所示。如果不需要數(shù)智化功能或者無賬號(hào)，可以選擇無賬號(hào)進(jìn)入，無賬號(hào)進(jìn)入不影響儀器功能的使用。V1.0.9設(shè)備介紹>iecube.online數(shù)智化平臺(tái)登錄>儀器軟件登陸

2、使用賬號(hào)登錄成功后，儀器面板如左圖所示。如果無賬號(hào)時(shí)選擇“無賬號(hào)進(jìn)入”，儀器面板如下圖左所示，無賬號(hào)不影響儀器功能的使用。

重要提示：實(shí)驗(yàn)結(jié)束后，務(wù)必點(diǎn)擊左圖所示的“提交”按鈕，保證實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的正確記錄。V1.0.9設(shè)備介紹>iecube.online數(shù)智化平臺(tái)登錄>儀器軟件登陸

3、如果無賬號(hào)時(shí)選擇“無賬號(hào)進(jìn)入”，儀器面板如左圖所示，無賬號(hào)不影響儀器功能的使用。V1.0.9實(shí)驗(yàn)?zāi)夸泴?shí)驗(yàn)?zāi)康?1實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)設(shè)備及器材實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)注意事項(xiàng)實(shí)驗(yàn)步驟思考題實(shí)驗(yàn)背景02030405060708V1.0.9場效應(yīng)晶體管(FieldEffectTransistor,FET)直流交流參數(shù)的測量，就是通過測量場效應(yīng)晶體管的輸出特性曲線、轉(zhuǎn)移特性曲線和跨導(dǎo)特性曲線，進(jìn)而確定飽和漏電流IDSS、閾值電壓VTH、跨導(dǎo)gm等參數(shù)。場效應(yīng)晶體管是一類電壓控制電流的半導(dǎo)體器件，具有很高的輸入阻抗、非常低的噪聲系數(shù)和很強(qiáng)的抗輻射能力，由于其工藝簡單，便于大規(guī)模集成，它是現(xiàn)代集成電路產(chǎn)業(yè)內(nèi)一種重要的半導(dǎo)體器件，有著極為廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。通過對場效應(yīng)晶體管直流交流參數(shù)的測定，可以準(zhǔn)確理解各個(gè)參數(shù)的含義及其與晶體管工作模式之間的關(guān)系，為設(shè)計(jì)場效應(yīng)晶體管與集成電路奠定基礎(chǔ)。實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題V1.0.91.了解結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵型場效應(yīng)管（MOSFET）的功能和直流交流參數(shù)的測試原理。2．通過使用IECUBE-3835一體化半導(dǎo)體測試平臺(tái)，掌握場效應(yīng)管的直流交流特性曲線和參數(shù)的測試方法和技術(shù)。實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題V1.0.9場效應(yīng)晶體管直流交流特性的測量就是要測定結(jié)型場效應(yīng)晶體管和MOS型場效應(yīng)晶體管的輸出特性曲線、轉(zhuǎn)移特性曲線和跨導(dǎo)特性曲線；進(jìn)而確定結(jié)型場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管的飽和漏電、確定微小幅度漏源電流偏置條件下的溝道開啟或夾斷電壓?？鐚?dǎo)參數(shù)的測量通常有交流注入法和直流掃描法，本實(shí)驗(yàn)采用直流掃描法。

通過改變晶體管的偏置條件，使晶體管處于不同的工作模式下，測定晶體管的直流和交流參數(shù)。實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題V1.0.9場效應(yīng)晶體管中結(jié)型場效應(yīng)管和MOS場效應(yīng)管的應(yīng)用范圍極為廣泛，結(jié)型場效應(yīng)管和耗盡型MOS場效應(yīng)管都具有零柵壓條件下存在溝道的特點(diǎn)，而增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管則在零柵壓條件下不存在溝道，需要在柵上施加直流偏置才能開啟溝道。實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題V1.0.9實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題

結(jié)型場效應(yīng)晶體管依賴PN結(jié)電容實(shí)現(xiàn)調(diào)整溝道寬度進(jìn)而改變溝道電流大小；MOS場效應(yīng)晶體管是通過改變柵-襯底之間的平行板電容（即柵-氧化層電容，COX）柵極極板存儲(chǔ)的電荷，使得襯底極板感應(yīng)出相反種類的電荷，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)溝道寬度和溝道電流的大小。P型襯底N阱CMOS工藝條件下器件縱向剖面結(jié)構(gòu)示意圖V1.0.9實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題

輸出特性曲線

場效應(yīng)晶體管的輸出特性(IDS~VDS|VGS=C)，是指在固定輸入電壓VGS偏置條件時(shí)，輸出電壓VDS與輸出電流IDS之間的關(guān)系。參數(shù)飽和漏電流IDSS，是指場效應(yīng)晶體管進(jìn)入恒流區(qū)工作時(shí)，輸出電流基本不變時(shí)的漏源電流，測試時(shí)需要明確具體工作點(diǎn)。V1.0.9實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題

場效應(yīng)晶體管的轉(zhuǎn)移特性(IDS~VDS|VGS=C)，是指在固定輸出電壓VDS偏置條件時(shí)，輸入電壓VGS與輸出電流IDS之間的關(guān)系。參數(shù)閾值電壓VTH，依據(jù)器件不同類型分別稱為開啟電壓和夾斷電壓，其定義為：當(dāng)固定VDS時(shí)，溝道開啟或消失所需的最小VGS電壓稱為開啟電壓或夾斷電壓。耗盡型器件轉(zhuǎn)移特性增強(qiáng)型器件轉(zhuǎn)移特性V1.0.9

實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題V1.0.9實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題測試平臺(tái)測試裝置測試器件IECUBE-3835一體化半導(dǎo)體測試平臺(tái)IECUBE-3835經(jīng)典半導(dǎo)體器件實(shí)驗(yàn)裝置3DG、IRF620、IRF9530NV1.0.9實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題輔屏：教輔資源智能平板儀器區(qū)域收納抽屜主屏：內(nèi)置電腦測試平臺(tái)V1.0.91、N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管（1）測量N溝場效應(yīng)晶體管的輸出特性曲線，確定VDS=5V、VGS=0V時(shí)飽和漏電流IDSS。（2）測量N溝場效應(yīng)晶體管的轉(zhuǎn)移特性曲線，確定VDS=5V、IDS≤50μA時(shí)閾值電壓VTH。（3）測量N溝場效應(yīng)晶體管的跨導(dǎo)特性曲線，確定VDS=5V、IDS=1mA時(shí)跨導(dǎo)gm。（4）繪制N溝場效應(yīng)晶體管輸出特性曲線、轉(zhuǎn)移特性曲線和跨導(dǎo)特性曲線，并在圖中標(biāo)出對應(yīng)參數(shù)位置、名稱及其測試條件等。實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題V1.0.91、N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管（1）測量N溝場效應(yīng)晶體管的輸出特性曲線，確定VDS=5V、VGS=0V時(shí)飽和漏電流IDSS。（2）測量N溝場效應(yīng)晶體管的轉(zhuǎn)移特性曲線，確定VDS=5V、IDS≤50μA時(shí)閾值電壓VTH。（3）測量N溝場效應(yīng)晶體管的跨導(dǎo)特性曲線，確定VDS=5V、IDS=1mA時(shí)跨導(dǎo)gm。（4）繪制N溝場效應(yīng)晶體管輸出特性曲線、轉(zhuǎn)移特性曲線和跨導(dǎo)特性曲線，并在圖中標(biāo)出對應(yīng)參數(shù)位置、名稱及其測試條件等。實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題V1.0.93、N溝道結(jié)型場效應(yīng)管（1）測量N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的輸出特性曲線。（2）測量N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線，確定VDS=5V、IDS≤50μA時(shí)柵源截止電壓VGS(off)。（3）測量N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的跨導(dǎo)特性曲線，確定VDS=5V、IDS=0.1mA時(shí)跨導(dǎo)gm。（4）繪制N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的輸出特性曲線、轉(zhuǎn)移特性曲線和跨導(dǎo)特性曲線，并在圖中標(biāo)出對應(yīng)參數(shù)位置、名稱及其測試條件等。實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題V1.0.91、準(zhǔn)確認(rèn)知各種場效應(yīng)晶體管的管腳排列方式，以免測試接入時(shí)由于極性連接錯(cuò)誤造成器件燒毀。2、準(zhǔn)確把握不同類型場效應(yīng)晶體管的漏源偏置電壓VDS極性，避免導(dǎo)致器件接入時(shí)出現(xiàn)過流現(xiàn)象引起器件損壞，造成儀器損傷。3、設(shè)置合適的電壓和最佳電流量程，以獲得最優(yōu)測試曲線。實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題V1.0.9實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題

一、硬件連接

1、將NMOS器件IRF620插入場效應(yīng)管特性測試實(shí)驗(yàn)裝置，器件管腳必須與裝置上所標(biāo)管腳相對應(yīng)。器件插入裝置前，請仔細(xì)閱讀器件手冊，確保器件管腳與裝置對應(yīng)。放置器件1、N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管器件和管座V1.0.9實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題2、用線纜將柵極輸入Vg_in與儀器中的SMU1相連，將漏極輸入Vd_in與儀器中的SMU2相連，如左圖所示。連接示意圖V1.0.9二、轉(zhuǎn)移特性和開啟電壓VTH測試1、單點(diǎn)測試（1）在儀器軟件面板上選擇測量單元（SMU），點(diǎn)擊進(jìn)入。（2）進(jìn)入后點(diǎn)擊左上角開始按鈕方可設(shè)置參數(shù)。

實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題V1.0.9實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題（3）SMU1提供柵源電壓??????，SMU2提供漏源電壓并測量漏極電流????。將SMU2電壓設(shè)置為10V，改變??????，回讀SMU2的電流值，將結(jié)果填入左表，并根據(jù)表格數(shù)據(jù)繪制轉(zhuǎn)移特性曲線。轉(zhuǎn)移特性曲線數(shù)據(jù)V1.0.9

實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題V1.0.92、自動(dòng)測試（1）在儀器軟件面板上選擇I-V測試儀（SMU），點(diǎn)擊進(jìn)入。（2）進(jìn)入后點(diǎn)擊左上角開始按鈕方可設(shè)置參數(shù)。

（3）掃描通道選擇SMU1，結(jié)束電壓設(shè)置為4.5V（電壓設(shè)置值需大于開啟電壓且iD電流不能超過200mA的最大量程）。參考通道自動(dòng)選擇SMU2，需要選擇啟用，電壓設(shè)置為10V，與單點(diǎn)測試一致。曲線查看選擇I（參考通道）-V（掃描通道）曲線模式，即SMU2的電流隨SMU1的電壓變化的iD~UGS曲線。3、分析測試結(jié)果

實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題V1.0.9三、輸出特性曲線測試1、單點(diǎn)測試（1）在儀器軟件面板上選擇源測量單元（SMU），點(diǎn)擊進(jìn)入。（2）進(jìn)入后點(diǎn)擊左上角開始按鈕方可設(shè)置參數(shù)。

實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題V1.0.9實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題（3）SMU1提供柵源電壓??????，電壓設(shè)置為4.5V，保證MOS管為開啟狀態(tài)，SMU2提供漏源電壓，并回讀漏極電壓和漏極電流，改變??????，回讀SMU2的電流值，將結(jié)果填入左表，并根據(jù)表格數(shù)據(jù)繪制輸出特性曲線。輸出特性曲線數(shù)據(jù)V1.0.92、自動(dòng)測試（1）在儀器軟件面板上選擇I-V測試儀（SMU），點(diǎn)擊進(jìn)入。（2）進(jìn)入后點(diǎn)擊左上角開始按鈕方可設(shè)置參數(shù)。（3）掃描通道中通道選擇SMU2，結(jié)束電壓設(shè)置為10V。參考通道自動(dòng)選擇SMU1，需要選擇啟用，電壓設(shè)置為2.2V。曲線查看選擇掃描同I-V曲線模式，即SMU2的電流隨SMU2的電壓變化的iD~UDS曲線。（4）設(shè)置完成后，點(diǎn)擊掃描，繪制輸出特性曲線。3、分析測試結(jié)果

實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題V1.0.9實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題四、跨導(dǎo)特性曲線與低頻跨導(dǎo)參數(shù)gm測試根據(jù)轉(zhuǎn)移特性曲線數(shù)據(jù)計(jì)算相鄰兩個(gè)值的差，將結(jié)果填入左表。根據(jù)左表繪制跨導(dǎo)特性曲線?？鐚?dǎo)數(shù)據(jù)表V1.0.9實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題

一、硬件連接

1、將PMOS器件IRF9530N插入場效應(yīng)管特性測試實(shí)驗(yàn)裝置，器件管腳必須與裝置上所標(biāo)管腳相對應(yīng)。器件插入裝置前，請仔細(xì)閱讀器件手冊，確保器件管腳與裝置對應(yīng)。放置器件2、P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管器件和管座V1.0.9實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題2、用線纜將柵極輸入Vg_in與儀器中的SMU1相連，將漏極輸入Vd_in與儀器中的SMU2相連，如左圖所示。連接示意圖V1.0.9二、轉(zhuǎn)移特性和開啟電壓VTH測試1、單點(diǎn)測試（1）在儀器軟件面板上選擇源測量單元（SMU），點(diǎn)擊進(jìn)入。（2）進(jìn)入后點(diǎn)擊左上角開始按鈕方可設(shè)置參數(shù)。

實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題V1.0.9實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題（3）SMU1提供柵源電壓??????，SMU2提供漏源電壓并測量漏極電流????。將SMU2電壓設(shè)置為-4V，改變??????，回讀SMU2的電流值，將結(jié)果填入左表，并根據(jù)表格數(shù)據(jù)繪制轉(zhuǎn)移特性曲線。轉(zhuǎn)移特性曲線數(shù)據(jù)V1.0.9

實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題V1.0.92、自動(dòng)測試（1）在儀器軟件面板上選擇I-V測試儀（SMU），點(diǎn)擊進(jìn)入。（2）進(jìn)入后點(diǎn)擊左上角開始按鈕方可設(shè)置參數(shù)。（3）掃描通道中通道選擇SMU1，結(jié)束電壓設(shè)置為-2V。參考通道自動(dòng)選擇SMU2，需要選擇啟用，電壓設(shè)置為-4V。曲線查看選擇I（參考通道）-V（掃描通道）曲線模式，即SMU2的電流隨SMU1的電壓變化的iD~UGS曲線。（4）設(shè)置完成后，點(diǎn)擊掃描，繪制轉(zhuǎn)移特性曲線。3、分析測試結(jié)果

實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題V1.0.9三、輸出特性曲線測試1、單點(diǎn)測試（1）在儀器軟件面板上選擇源測量單元（SMU），點(diǎn)擊進(jìn)入。（2）進(jìn)入后點(diǎn)擊左上角開始按鈕方可設(shè)置參數(shù)。

實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題V1.0.9實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題（3）SMU1提供柵源電壓??????，電壓設(shè)置為-2V，保證MOS管為開啟狀態(tài)，SMU2提供漏源電壓，并回讀漏極電流????和漏源電壓??????，改變??????，回讀SMU2的電流值，將結(jié)果填入左表，并根據(jù)表格數(shù)據(jù)繪制輸出特性曲線。輸出特性曲線數(shù)據(jù)V1.0.92、自動(dòng)測試（1）在儀器軟件面板上選擇I-V測試儀（SMU），點(diǎn)擊進(jìn)入。（2）進(jìn)入后點(diǎn)擊左上角開始按鈕方可設(shè)置參數(shù)。（3）掃描通道中通道選擇SMU2，結(jié)束電壓設(shè)置為-5V。參考通道自動(dòng)選擇SMU1，需要選擇啟用，電壓設(shè)置為-2V。曲線查看選擇掃描同I-V曲線，即SMU2的電流隨SMU2的電壓變化的ID-UDS曲線。（4）設(shè)置完成后，點(diǎn)擊掃描，繪制輸出特性曲線。3、分析測試結(jié)果

實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題V1.0.9實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題四、跨導(dǎo)特性曲線與低頻跨導(dǎo)參數(shù)gm測試根據(jù)轉(zhuǎn)移特性曲線數(shù)據(jù)計(jì)算相鄰兩個(gè)值的差，將結(jié)果填入左表。根據(jù)左表繪制跨導(dǎo)特性曲線?？鐚?dǎo)數(shù)據(jù)表V1.0.9實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題

一、硬件連接

1、將N溝道JFET器件3DJ6F插入場效應(yīng)管特性測試實(shí)驗(yàn)裝置，器件管腳必須與裝置上所標(biāo)管腳相對應(yīng)。器件插入裝置前，請仔細(xì)閱讀器件手冊，確保器件管腳與裝置對應(yīng)。放置器件3、N溝道結(jié)型場效應(yīng)管器件和管座V1.0.9實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題2、用線纜將柵極輸入Vg_in與儀器中的SMU1相連，將漏極輸入Vd_in與儀器中的SMU2相連，如左圖所示。連接示意圖V1.0.9二、轉(zhuǎn)移特性和開啟源漏截止電壓VGS(off)測試1、單點(diǎn)測試（1）在儀器軟件面板上選擇源測量單元（SMU），點(diǎn)擊進(jìn)入。（2）進(jìn)入后點(diǎn)擊左上角開始按鈕方可設(shè)置參數(shù)。

實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題V1.0.9實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題（3）SMU1提供柵源電壓??????，SMU2提供漏源電壓并測量漏極電流????。將SMU2電壓設(shè)置為5V，改變??????，回讀SMU2的電流值，將結(jié)果填入左表，并根據(jù)表格數(shù)據(jù)繪制轉(zhuǎn)移特性曲線。轉(zhuǎn)移特性曲線數(shù)據(jù)V1.0.9

實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思考題V1.0.92、自動(dòng)測試（1）在儀器軟件面板上選擇I-V測試儀（SMU），點(diǎn)擊進(jìn)入。（2）進(jìn)入后點(diǎn)擊左上角開始按鈕方可設(shè)置參數(shù)。（3）掃描通道中通道選擇SMU1，結(jié)束電壓設(shè)置為-2.5V。參考通道自動(dòng)選擇SMU2,需要選擇啟用，電壓設(shè)置為5V。曲線查看選擇I（參考通道）-V（掃描通道）曲線模式，即SMU2的電流隨SMU1的電壓變化的iD~UGS曲線。（4）設(shè)置完成后，點(diǎn)擊掃描，繪制轉(zhuǎn)移特性曲線。3、分析測試結(jié)果

實(shí)驗(yàn)背景>實(shí)驗(yàn)?zāi)康?gt;實(shí)驗(yàn)原理>設(shè)備及器材>實(shí)驗(yàn)內(nèi)容>注意事項(xiàng)>實(shí)驗(yàn)步驟>思