ICS1704030

CCSL.85.

中華人民共和國國家標準

GB/T24468—2025

代替GB/T24468—2009

半導體設備可靠性可用性和

、

維修性RAM測量方法

()

Testmethodforsemiconductoreuimentreliabilit

qpy,

availabilitandmaintainabilitRAM

yy()

2025-10-05發(fā)布2026-05-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T24468—2025

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

縮略語

4……………………4

總則

5………………………4

設備所經(jīng)歷時間的分類

6…………………4

概述

6.1…………………4

生產(chǎn)時間

6.2……………5

待機時間

6.3……………6

工程時間

6.4……………6

計劃停機時間

6.5………………………6

非計劃停機時間

6.6……………………7

非計劃時間

6.7…………………………9

指標的計算

7RAM………………………9

概述

7.1…………………9

設備可靠性

7.2…………………………10

設備可用性

7.3…………………………11

設備維修性

7.4…………………………12

設備利用率

7.5…………………………13

指標的測試步驟

8RAM…………………13

不確定度測量

9……………14

概述

9.1…………………14

置信下限的計算

9.2MTBFp…………14

置信上限的計算

9.3MTBFp…………14

置信區(qū)間的計算

9.4MTBFp…………15

零失效時置信下限的計算

9.5MTBFp………………15

證明在給定置信水平下的符合要求的測試

9.6MTBFp……………15

可靠性增長或退化的測量

10……………15

附錄規(guī)范性多制程集群設備的設備整體的測試

A()…………………16

模塊跟蹤的要求

A.1…………………16

總失效率和集群設備平均維修時間

A.2……………16

時間映射

A.3…………………………17

Ⅰ

GB/T24468—2025

對預定工藝流程建模

A.4……………17

由模塊的時間確定的時間

A.5IPF…………………22

確定多制程集群設備的時間

A.6……………………22

和多制程集群設備的指標

A.7IPF……………………24

附錄規(guī)范性置信限系數(shù)

B()……………25

附錄規(guī)范性可靠性增長或退化的測量

C()……………27

簡介

C.1…………………27

準確記錄失效時間

C.2…………………27

趨勢檢驗

C.3……………27

可靠性增長模型

C.4……………………28

可靠性分析的流程

C.5…………………29

Ⅱ

GB/T24468—2025

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結(jié)構和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替半導體設備可靠性可用性和維修性的定義和測量規(guī)范

GB/T24468—2009《、(RAM)》。

與相比除結(jié)構調(diào)整和編輯性改動外主要技術變化如下

GB/T24468—2009,,:

將目的更改為范圍并更改了范圍的表述見第章年版的第章

a)“”“”,(1,20091);

更改了單路集群設備多路集群設備保障工具非工作時間工作時間能工作時間

b)“”“”“”“”“”“”

不能工作時間不能工作事件關啟開啟切斷等術語見第章年版的第章

“”“”“”“”“”(3,20094);

增加了縮略語一章見第章

c)“”(4);

將范圍更改為總則并更改了對總則的規(guī)定見第章年版的第章

d)“”“”,(5,20092);

更改了對時間的定義見第章年版的第章

e)(6,20095);

更改了和的公式見和年版的和

f)E-Uptime(%)S-Uptime(%)(7.3.17.3.2,20096.3.16.3.2);

增加了對指標測試步驟的規(guī)定見第章

g)RAM(8);

更改了可靠性增長或退化的測量見第章年版的第章

h)(10,20098);

刪除了未被正文使用的置信限系數(shù)年版的附錄

i)(2009A)。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國半導體設備與材料標準化技術委員會提出并歸口

(SAC/TC203)。

本文件起草單位中國電子技術標準化研究院北方華創(chuàng)科技集團股份有限公司中芯國際集成電

:、、

路制造上海有限公司青島思銳智能科技股份有限公司北京京儀自動化裝備技術股份有限公司

()、、、

星奇上海半導體有限公司常熟市兆恒眾力精密機械有限公司上海隱冠半導體技術有限公司上海

()、、、

卡貝尼先進材料科技有限公司致真精密儀器青島有限公司上海賽西科技發(fā)展有限責任公司深圳

、()、、

格芯集成電路裝備有限公司北京和崎精密科技有限公司杭州昆泰磁懸浮技術有限公司上海普達特

、、、

半導體設備有限公司蘇州智程半導體科技股份有限公司深圳市軸心自控技術有限公司成川科技蘇

、、、(

州有限公司中國電子科技集團公司第十三研究所深圳市埃芯半導體科技有限公司瑤光半導體浙

)、、、(

江有限公司無錫邑文微電子科技股份有限公司無錫格瑞斯精密機械有限公司北京北方華創(chuàng)微電子

)、、、

裝備有限公司常州銘賽機器人科技股份有限公司珠海市奧德維科技有限公司深圳市豐源升科技有

、、、

限公司東莞市臺進精密科技有限公司上海贏朔電子科技股份有限公司廣東全芯半導體有限公司

、、、、

蘇州鎂伽科技有限公司

。

本文件主要起草人南江任翔紀安寬菅端端蘭立廣倪昊聶翔張叢卓祖亮于浩周亮

:、、、、、、、、、、、

齊英楊紹輝劉吉軍羅中平李鵬摶溫烈陽江旭初王振華湯成燕陶近翁王向榮陳穎祥

、、、、、、、、、、、、

張學瑩魏家琦曹志強張星星劉飛鐘華鄭瑜謙王成鑫張寅錢文方楊仕品李高勇顧曉勇

、、、、、、、、、、、、、

趙英偉商超王濤孫文彬秦春李長峰龔博賀一亮黃美林呂微周添喜喬志新

、、、、、、、、、、、。

本文件及其所代替文件的歷次版本發(fā)布情況為

:

年首次發(fā)布為

———2009GB/T24468—2009;

本次為第一次修訂

———。

Ⅲ

GB/T24468—2025

半導體設備可靠性可用性和

、

維修性RAM測量方法

()

1范圍

本文件描述了半導體設備可靠性可用性和維修性的測量方法

、(RAM)。

本文件適用于半導體設備的可靠性可用性和維修性測試

、(RAM)。

2規(guī)范性引用文件

本文件沒有規(guī)范性引用文件