ICS

CCS

團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

T/CESAXXXX—202X

汽車(chē)用集成電路應(yīng)力測(cè)試規(guī)范

Automotiveintegratedcircuits–Stresstestspecification

征求意見(jiàn)稿

在提交反饋意見(jiàn)時(shí)，請(qǐng)將您知道的相關(guān)專(zhuān)利連同支持性文件一并附上。

已授權(quán)的專(zhuān)利證明材料為專(zhuān)利證書(shū)復(fù)印件或扉頁(yè)，已公開(kāi)但尚未授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)

證明材料為專(zhuān)利公開(kāi)通知書(shū)復(fù)印件或扉頁(yè)，未公開(kāi)的專(zhuān)利申請(qǐng)的證明材料為專(zhuān)利申請(qǐng)

號(hào)和申請(qǐng)日期。

202X-XX-XX發(fā)布202X-XX-XX實(shí)施

中國(guó)電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì)發(fā)布

T/CESAXXXX—202X

汽車(chē)用集成電路應(yīng)力測(cè)試規(guī)范

1范圍

本文件規(guī)定了汽車(chē)用集成電路加速環(huán)境應(yīng)力試驗(yàn)、加速壽命模擬試驗(yàn)、封裝完整性試驗(yàn)、晶圓可靠

性試驗(yàn)、電氣特性試驗(yàn)、缺陷篩選監(jiān)測(cè)、氣密性封裝完整性試驗(yàn)要求，以及為保證汽車(chē)用集成電路滿足

預(yù)定用途所要求的質(zhì)量和可靠性而必須的控制措施和限制條件。

本文件適用于汽車(chē)用集成電路可靠性試驗(yàn)和質(zhì)量要求。

注：本文中“用戶”是指使用那些通過(guò)鑒定器件的所有客戶。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅所注日期的版本適用于本文

件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注明日期的引用文件，僅所注日期的版本適用于本

文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的更改單）適用于本文件。

GB/T4937半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法

GB/T9178集成電路術(shù)語(yǔ)

GB/T14113半導(dǎo)體集成電路封裝術(shù)語(yǔ)

GB/T35005集成電路倒裝焊試驗(yàn)方法

GJB548微電子器件試驗(yàn)方法和程序

GJB7677球柵陣列(BGA)試驗(yàn)方法

SJ21147.2集成電路電磁發(fā)射測(cè)量方法第2部分輻射發(fā)射測(cè)量—TEM小室和寬帶TEM小室法

3術(shù)語(yǔ)和縮略語(yǔ)

下列術(shù)語(yǔ)和縮略語(yǔ)適用于本文件。

3.1術(shù)語(yǔ)和定義

3.1.1

鑒定qualification

產(chǎn)品按規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)、程序和條件下所作的全部測(cè)試試驗(yàn)，來(lái)評(píng)估是否滿足質(zhì)量可靠性要求。

3.1.2

封裝形式packagetype

具有特定的外殼外形、結(jié)構(gòu)、材料及組裝工藝的封裝類(lèi)型。

3.1.3

1

T/CESAXXXX—202X

供應(yīng)商supplier

集器件設(shè)計(jì)、制造和封裝等環(huán)節(jié)于一身的廠商或只負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)與銷(xiāo)售的廠商。

3.1.4

靜電放電敏感度分級(jí)electrostaticdischarge/ESD

指一個(gè)器件易受靜電損傷的程度。

3.1.5

任務(wù)剖面missionprofile

任務(wù)剖面是器件在汽車(chē)某一應(yīng)用的全生命周期，完成某個(gè)特定任務(wù)時(shí)，基于時(shí)間所經(jīng)歷的事件和環(huán)

境。

3.1.6

過(guò)程能力指數(shù)processcapabilityindex

過(guò)程能力指數(shù)表示過(guò)程能力滿足技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)（例如規(guī)格、公差）的程度，一般記為CPK。

3.1.7

晶粒die

晶粒是指從硅晶圓上切割而成，還未封裝前具有獨(dú)立功能的一小塊集成電路本體。

3.2縮略語(yǔ)

ADC（Analog-to-DigitalConverter）模數(shù)轉(zhuǎn)換器

CMOS（ComplementaryMetalOxideSemiconductor）互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體

DRAM（DynamicRandomAccessMemory）動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

FIT（FailureInTime）時(shí)間故障率

NMOS（N-Metal-Oxide-Semiconductor）N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體

SRAM（StaticRandom-AccessMemory）靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

UBM（UnderBumpMetallurgy）凸點(diǎn)下金屬層

4要求

4.1總則

汽車(chē)用集成電路通過(guò)本文件規(guī)定的應(yīng)力測(cè)試能夠指示在應(yīng)用中能夠提供一定水平的質(zhì)量可靠性，用

戶也有責(zé)任核實(shí)所有的測(cè)試試驗(yàn)數(shù)據(jù)與本文件相一致。供應(yīng)商應(yīng)在產(chǎn)品規(guī)格說(shuō)明書(shū)中盡量采用本文件所

規(guī)定的工作溫度等級(jí)。不同工作溫度等級(jí)的集成電路應(yīng)滿足本文件所規(guī)定的各項(xiàng)應(yīng)力測(cè)試的最低要求。

為實(shí)現(xiàn)器件零缺陷的目標(biāo)，汽車(chē)用集成電路產(chǎn)品工藝設(shè)計(jì)、產(chǎn)品設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造、和產(chǎn)品改進(jìn)階段，應(yīng)

該按零缺陷的策略。只有當(dāng)通過(guò)本文件規(guī)定的全部測(cè)試試驗(yàn)項(xiàng)目后，供應(yīng)商方可聲明集成電路產(chǎn)品滿足

本文件規(guī)定的要求。供應(yīng)商可以根據(jù)用戶的要求，遵循本文件進(jìn)行測(cè)試試驗(yàn)，可結(jié)合產(chǎn)線管控等系統(tǒng)級(jí)

可靠性措施，向用戶提供試驗(yàn)數(shù)據(jù)證明集成電路產(chǎn)品滿足系統(tǒng)級(jí)可靠性要求。對(duì)于器件通過(guò)ESDHBM和

ESDCDM，強(qiáng)烈推薦供應(yīng)商將通過(guò)ESD電壓級(jí)別在數(shù)據(jù)手冊(cè)中標(biāo)注，并將未通過(guò)的個(gè)別管腳列出，對(duì)于先

2

T/CESAXXXX—202X

進(jìn)CMOS工藝節(jié)點(diǎn)（28nm及以下）和射頻器件，尤其是ESDHBM水平低于2kV和ESDCDM水平低于750/500V

的情況應(yīng)予以標(biāo)注。

為確保能夠有效激發(fā)和加速器件的失效，試驗(yàn)條件選擇應(yīng)充分考慮以下因素：

a)各類(lèi)失效機(jī)理；

b)實(shí)際使用無(wú)法暴露，但在某些應(yīng)力試驗(yàn)條件下可能會(huì)誘發(fā)的失效；

c)任何超出常規(guī)的應(yīng)用或使用條件，會(huì)對(duì)加速失效造成不利影響。

4.2工作溫度等級(jí)

工作溫度等級(jí)的規(guī)定如表1所示：

表1工作溫度等級(jí)

等級(jí)工作環(huán)境溫度范圍

0-40℃至+150℃

1-40℃至+125℃

2-40℃至+105℃

3-40℃至+85℃

如果應(yīng)力試驗(yàn)前后要求進(jìn)行高低溫終點(diǎn)測(cè)試，其溫度應(yīng)等于工作溫度等級(jí)規(guī)定的溫度范圍的最高或

最低值。

由于加電測(cè)試時(shí)器件結(jié)點(diǎn)存在加熱效應(yīng)，高溫測(cè)試時(shí)的溫度可能會(huì)高于工作溫度等級(jí)的規(guī)定。例如

加速壽命模擬試驗(yàn)（B組試驗(yàn)），包括：高溫工作壽命、壽命早期失效率和非易失性存儲(chǔ)器的耐久性（NVM）、

數(shù)據(jù)保持工作壽命，試驗(yàn)過(guò)程中的器件結(jié)點(diǎn)溫度會(huì)等于或高于工作溫度等級(jí)的最高溫度上限。

4.3文件適用優(yōu)先順序

當(dāng)本文件中的要求與其他文件規(guī)定有沖突時(shí)，適用以下優(yōu)先順序：

a）用戶采購(gòu)訂單（或者主要采購(gòu)協(xié)議條款與條件）；

b）集成電路（IC）技術(shù)規(guī)范（經(jīng)用研雙方商定的）；

c）本文件；

d）本文件第6章中的引用文件；

e）供應(yīng)商提供的數(shù)據(jù)手冊(cè)。

供應(yīng)商即使聲明其產(chǎn)品符合本文件要求，也不能免除實(shí)際執(zhí)行時(shí)應(yīng)至少滿足采購(gòu)訂單以及技術(shù)規(guī)范

的有關(guān)規(guī)定。

4.4用戶指定的壽命要求（任務(wù)剖面）

如果用戶要求的鑒定覆蓋指定任務(wù)剖面，可以使用附錄G中的流程圖來(lái)確定鑒定策略，使用表2的標(biāo)

準(zhǔn)測(cè)試計(jì)劃或修改的測(cè)試計(jì)劃。附錄G的使用是基于知識(shí)的測(cè)試方法（KBTM），并且哪些元素應(yīng)該被使

用提供了指導(dǎo)。當(dāng)供應(yīng)商和用戶充分溝通后，可以在某些項(xiàng)目上使用KBTM。

4.5通用數(shù)據(jù)的采用

4.5.1通用數(shù)據(jù)的定義

鼓勵(lì)采用合適的通用數(shù)據(jù)供用戶參考，以便簡(jiǎn)化鑒定過(guò)程。為慎重起見(jiàn)，應(yīng)采用如附錄A與表3中示

例表格，清楚地說(shuō)明每個(gè)集成電路參數(shù)與其制造過(guò)程的工藝要求。如果發(fā)現(xiàn)通用數(shù)據(jù)中包含任何失效，

則該數(shù)據(jù)就不能作為通用數(shù)據(jù)，除非供應(yīng)商已經(jīng)證明和針對(duì)用戶可接受的失效條件進(jìn)行了糾正措施。

3

T/CESAXXXX—202X

附錄A定義了相似性的系列產(chǎn)品的鑒定要求。表3描述了技術(shù)狀態(tài)變更時(shí)的重新鑒定要求，其中的矩

陣圖描述了與技術(shù)變更相關(guān)的新工藝制造過(guò)程及其對(duì)應(yīng)的重新鑒定要求和鑒定項(xiàng)目，若裁剪需說(shuō)明理

由。

4.5.2通用數(shù)據(jù)的有效期

通用數(shù)據(jù)的可接受性不存在時(shí)間上的限制。下圖給出了可使用的可靠性數(shù)據(jù)的合適來(lái)源。此數(shù)據(jù)必

須取自按照附錄A定義的特殊器件或同系列鑒定的器件。潛在數(shù)據(jù)來(lái)源還可以包括任何用戶特殊數(shù)據(jù)（注

明用戶名稱(chēng)）、工藝更改時(shí)鑒定或周期可靠性監(jiān)控?cái)?shù)據(jù)。

注:一些工藝變更(如制程縮減)將會(huì)影響通用數(shù)據(jù)的使用，以至于這些改變之前得到的數(shù)據(jù)就不能作為通用數(shù)據(jù)接

受使用。

圖1通用數(shù)據(jù)來(lái)源的歷程

4.6被測(cè)樣品

4.6.1批次要求

被測(cè)樣品應(yīng)該由同系列中有代表性的器件構(gòu)成，若缺少通用數(shù)據(jù)則需要選擇多批次器件進(jìn)行鑒定，

表2中列出的被測(cè)樣品必須是由非連續(xù)晶圓批次中近似均等的數(shù)量組成，并在非連續(xù)的裝配批次中封裝。

即樣品必須是均勻隨機(jī)抽取的，或者裝配加工線至少有一個(gè)非鑒定批次。若不能滿足以上技術(shù)要求需說(shuō)

明。

4.6.2生產(chǎn)要求

所有器件都應(yīng)在制造廠量產(chǎn)生產(chǎn)線上加工生產(chǎn)，電測(cè)試可以在具備能力的其他場(chǎng)所進(jìn)行。

4.6.3被測(cè)樣品的再利用

非破壞性試驗(yàn)后的樣品可以用于其他試驗(yàn)，破壞性試驗(yàn)后的樣品則僅可用于工程分析。

4.6.4樣品數(shù)量要求

用于鑒定的樣品數(shù)量與（或）提交的通用數(shù)據(jù)必須與表2中指定的最小樣品數(shù)量和接受數(shù)的要求一

致。如果供應(yīng)商選擇提供通用數(shù)據(jù)來(lái)進(jìn)行試驗(yàn)，除了應(yīng)滿足以上要求外，其他指定試驗(yàn)條件和試驗(yàn)結(jié)果

必須記錄并提供給用戶（記錄格式可見(jiàn)附錄D）。如果通用數(shù)據(jù)不能滿足以上要求，則應(yīng)進(jìn)行指定試驗(yàn)。

4

T/CESAXXXX—202X

4.6.5試驗(yàn)后測(cè)試要求

按表2中規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)前后終點(diǎn)室溫測(cè)試、高溫和低溫測(cè)試。

4.7應(yīng)力試驗(yàn)后的失效定義

測(cè)試結(jié)果不符合技術(shù)規(guī)范或供應(yīng)商的數(shù)據(jù)手冊(cè)的，判為失效，其嚴(yán)重程度按4.3中順序判定。由于

環(huán)境試驗(yàn)導(dǎo)致的任何外部物理?yè)p壞也要被判定為失效。如果失效原因被確認(rèn)是由于環(huán)境試驗(yàn)、電氣過(guò)應(yīng)

力試驗(yàn)或靜電放電敏感度測(cè)試的操作錯(cuò)誤所導(dǎo)致的，或由于一些其它與集成電路可靠性無(wú)關(guān)的原因?qū)е?/p>

的，則不判定為失效，但必須將該測(cè)試數(shù)據(jù)和試驗(yàn)情況一并上報(bào)。必要時(shí)，對(duì)失效器件進(jìn)行失效分析。

5鑒定和重新鑒定

5.1新產(chǎn)品的鑒定

新產(chǎn)品的鑒定流程如圖2所示，表2中給出了相關(guān)的應(yīng)力試驗(yàn)條件。對(duì)于每個(gè)新產(chǎn)品的鑒定，供應(yīng)商

須提供包括鑒定產(chǎn)品的應(yīng)力試驗(yàn)結(jié)果或可接受的足夠通用數(shù)據(jù)。鑒定資格復(fù)審時(shí)則應(yīng)由同系列的集成電

路構(gòu)成，以確保該系列中沒(méi)有存在共性的失效機(jī)理。只有在通過(guò)了供應(yīng)商論證和用戶同意的情況下，才

能采用通用數(shù)據(jù)替代鑒定。

對(duì)于每個(gè)新產(chǎn)品的鑒定，供應(yīng)商必須提供附錄B及以下資料：

?產(chǎn)品相關(guān)信息（見(jiàn)附錄B）；

?應(yīng)力試驗(yàn)數(shù)據(jù)（見(jiàn)表2和附錄D）；

?如用戶要求，能提供用于鑒定的測(cè)試軟件覆蓋率水平評(píng)測(cè)數(shù)據(jù)。

5.2產(chǎn)品更改后的重新鑒定

當(dāng)供應(yīng)商對(duì)器件或（和）工藝進(jìn)行更改，以致影響（或潛在影響）器件的外形、安裝、功能、質(zhì)量

和（或）可靠性時(shí)，該器件需要重新鑒定。

5.2.1工藝更改通知

供應(yīng)商對(duì)產(chǎn)品工藝進(jìn)行更改時(shí)，應(yīng)滿足用戶關(guān)于產(chǎn)品/工藝變更的要求。

5.2.2需要重新鑒定的變更

產(chǎn)品上任何變更，都需要根據(jù)附錄A、表2和表3來(lái)確定是否需要重新鑒定，以及重新鑒定的試驗(yàn)項(xiàng)

目和計(jì)劃。表3給出了重新鑒定時(shí)的試驗(yàn)項(xiàng)目選擇指南或是否可采用通用數(shù)據(jù)來(lái)替代。

5.3通過(guò)鑒定和重新鑒定的要求

重新鑒定出現(xiàn)不合格時(shí)，應(yīng)分析其根本原因，只有當(dāng)糾正和預(yù)防措施驗(yàn)證后，被證明對(duì)特定失效是

有效的，并且完成8D解決法，產(chǎn)品通才能重新鑒定。供應(yīng)商負(fù)責(zé)證明8D的有效性。

5.4無(wú)鉛工藝產(chǎn)品的鑒定

當(dāng)無(wú)鉛工藝的使用會(huì)導(dǎo)致特殊的質(zhì)量和可靠性問(wèn)題時(shí)，需要按照無(wú)鉛要求增加相應(yīng)的鑒定試驗(yàn)。無(wú)

鉛工藝使用的材料包括電鍍層和電路板焊劑。為了達(dá)到可接受的焊接點(diǎn)質(zhì)量和可靠性，這些新材料往往

要求更高的電路板焊接溫度，這將可能對(duì)塑封集成電路由于水汽產(chǎn)生的不利影響。因此，可能需要使用

新的或具有更高強(qiáng)度的的集成電路封裝材料。如果為了滿足無(wú)鉛工藝的強(qiáng)化要求，需要更改集成電路的

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T/CESAXXXX—202X

封裝材料時(shí)，供應(yīng)商需要參考本文件有關(guān)工藝變更的鑒定要求進(jìn)行考核。在進(jìn)行環(huán)境試驗(yàn)之前，應(yīng)參考

GB/T4937.20中規(guī)定預(yù)先進(jìn)行無(wú)鉛回流溫度分類(lèi)。

5.5對(duì)器件使用銅線互聯(lián)的鑒定

器件使用銅線互聯(lián)，參照附錄P要求進(jìn)行鑒定，并提供相應(yīng)數(shù)據(jù)做支撐。

6鑒定試驗(yàn)

6.1通用試驗(yàn)

通用的鑒定試驗(yàn)流程如圖2所示，鑒定試驗(yàn)項(xiàng)目及方法如表2和附錄D所示。表2的備注欄中規(guī)定了鑒

定適用的特殊集成電路類(lèi)型，如陶瓷封裝集成電路、非易失性存儲(chǔ)器等。6.4部分給出了試驗(yàn)項(xiàng)目的重

點(diǎn)要求。

任何用戶要求的而未列入本文件的特別測(cè)試和試驗(yàn)項(xiàng)目及條件，由供應(yīng)商與用戶協(xié)商。

6.2器件的特定試驗(yàn)

特定試驗(yàn)是對(duì)所有塑料封裝和密封器件都必須進(jìn)行的試驗(yàn)。通用的鑒定試驗(yàn)數(shù)據(jù)對(duì)于這些特定試驗(yàn)

不適用。器件若已開(kāi)展了特定試驗(yàn)的數(shù)據(jù)可以采用。

a）靜電放電敏感度的分級(jí)，適用所有集成電路；

b）閂鎖試驗(yàn)，適用所有集成電路；

c）電氣分布，適用所有集成電路；由供應(yīng)商提供報(bào)告以證明在工作溫度等級(jí)、電壓和頻率范圍內(nèi)，

電參數(shù)能夠滿足其規(guī)格說(shuō)明的參數(shù)范圍。測(cè)試數(shù)據(jù)必須來(lái)自至少三個(gè)生產(chǎn)批次，或矩陣式（或斜式）生

產(chǎn)批次，且必須保證有足夠的樣品進(jìn)行有效的統(tǒng)計(jì)。

6.3損耗可靠性試驗(yàn)

一般來(lái)說(shuō)，一個(gè)產(chǎn)品按照本文件考核不足以說(shuō)明一個(gè)使用新技術(shù)的汽車(chē)電子產(chǎn)品生產(chǎn)可以被發(fā)布。

強(qiáng)烈推薦使用基于知識(shí)的考核方法作為產(chǎn)品考核的先決條件。

在損耗失效機(jī)理相關(guān)的新技術(shù)和新材料進(jìn)行鑒定時(shí)，必須進(jìn)行下列的失效機(jī)理相關(guān)試驗(yàn)。如用戶要

求，應(yīng)能提供每種新器件的鑒定試驗(yàn)數(shù)據(jù)、試驗(yàn)方法、計(jì)算方法和內(nèi)控標(biāo)準(zhǔn)：

a）電遷移；

b）柵介質(zhì)層經(jīng)時(shí)擊穿，針對(duì)所有金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)；

c）熱載流子注入效應(yīng)，針對(duì)1微米以下所有MOS技術(shù)；

d）偏壓溫度不穩(wěn)定性，對(duì)于所有CMOS低于1微米以下產(chǎn)品，NBTI和PBTI如適用；

e）應(yīng)力遷移。

6

T/CESAXXXX—202X

圖2鑒定試驗(yàn)流程

表2鑒定試驗(yàn)

A組—加速環(huán)境應(yīng)力試驗(yàn)

單批抽樣數(shù)

項(xiàng)目名稱(chēng)簡(jiǎn)寫(xiě)分組批數(shù)備注

（允許失效數(shù)）

預(yù)處理PCA1組別A2、A3、A4和A5樣品P，B，S，G，C，F(xiàn)

THB或

穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命或強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)A277（0）3P，B，D，G，C，F(xiàn)

HAST

AC或

加速耐濕-無(wú)偏置高壓蒸煮或加速耐濕-無(wú)偏

UHSTA377（0）3P，B，D，G，F(xiàn)

置強(qiáng)加速應(yīng)力試驗(yàn)或溫度和濕度貯存試驗(yàn)

或TH

7

T/CESAXXXX—202X

H，P，B，D，G，C，

溫度循環(huán)TCA477（0）3

F

H，P，B，D，G，C，

功率溫度循環(huán)PTCA545（0）1

F

H，P，B，D，G，K，

高溫貯存壽命HTSLA645（0）1

C，F(xiàn)

B組—加速壽命模擬試驗(yàn)

單批抽樣數(shù)

項(xiàng)目名稱(chēng)簡(jiǎn)寫(xiě)分組批數(shù)備注

（允許失效數(shù)）

H，P，B，D，G，K，

高溫工作壽命HTOLB177（0）3

F

早期壽命失效率ELFRB2800（0）3H，P，B，N，G，F(xiàn)

非易失性存儲(chǔ)器耐久性、數(shù)據(jù)保持和工作壽H，P，B，D，G，K，

EDRB3參見(jiàn)附錄H

命F

C組—封裝完整性試驗(yàn)

單批抽樣數(shù)

項(xiàng)目名稱(chēng)簡(jiǎn)寫(xiě)分組批數(shù)備注

（允許失效數(shù)）

內(nèi)引線鍵合剪切WBSC1H，P，B，D，G，C

最少5個(gè)器件的30個(gè)鍵合絲

內(nèi)引線鍵合拉力WBPC2H，P，B，D，G，C

可焊性SDC315（0）1H，P，B，D，G，F(xiàn)

物理尺寸PDC410（0）3H，P，B，G，F(xiàn)

10（0）個(gè)器件，每個(gè)器

焊球剪切SBSC53B，D，G，F(xiàn)

件至少5個(gè)焊球

5（0）個(gè)器件，每個(gè)器

引線完整性LIC61H，P，D，G

件至少2個(gè)個(gè)引腳

至少5個(gè)器件的20個(gè)凸

凸點(diǎn)剪切BSC75D，F(xiàn)

點(diǎn)/銅柱

D組—晶圓可靠性試驗(yàn)

單批抽樣數(shù)

項(xiàng)目名稱(chēng)簡(jiǎn)寫(xiě)分組批數(shù)備注

（允許失效數(shù)）

電遷移EMD1———

絕緣層經(jīng)時(shí)擊穿TDDBD2———

熱載流子注入效應(yīng)HCID3———

偏壓溫度不穩(wěn)定性NBTID4———

應(yīng)力遷移SMD5———

E組—電氣特性試驗(yàn)

單批抽樣數(shù)

項(xiàng)目名稱(chēng)簡(jiǎn)寫(xiě)分組批數(shù)備注

（允許失效數(shù)）

參數(shù)/功能測(cè)試TESTE1全部（0）全部H，P，B，N，G，F(xiàn)

靜電放電-人體模型HBME2按產(chǎn)品要求（0）1H，P，B，D，F(xiàn)

靜電放電-帶電器件模型CDME3按產(chǎn)品要求（0）1H，P，B，D，F(xiàn)

閂鎖試驗(yàn)LUE46（0）1H，P，B，D，F(xiàn)

電氣分布EDE530（0）3H，P，B，F(xiàn)

故障等級(jí)FGE6———

特性描述CHARE7———

電磁兼容EMCE91（0）1—

短路特性SERE1010（0）3D，G

軟錯(cuò)誤率LFE113（0）1H，P，D，G

無(wú)鉛FGE12參見(jiàn)附錄LL

F組—缺陷篩選監(jiān)測(cè)

單批抽樣數(shù)

項(xiàng)目名稱(chēng)簡(jiǎn)寫(xiě)分組批數(shù)備注

（允許失效數(shù)）

參數(shù)分布測(cè)試PATF1———

良率統(tǒng)計(jì)分析SBAF2———

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T/CESAXXXX—202X

G組—?dú)饷苄苑庋b完整性試驗(yàn)

單批抽樣數(shù)

項(xiàng)目名稱(chēng)簡(jiǎn)寫(xiě)分組批數(shù)備注

（允許失效數(shù)）

機(jī)械沖擊MSG115（0）1H，D，G，W

掃頻振動(dòng)VFVG215（0）1H，D，G，W

恒定加速度CAG315（0）1H，D，G，W

粗/細(xì)檢漏GFLG415（0）1H，D，G

跌落DROPG55（0）1H，D，G，W

蓋板扭矩LTG65（0）1H，D，G

芯片剪切DSG75（0）1H，D，G，W

內(nèi)部水汽含量IWVG85（0）1H，D，G

注：B-針對(duì)焊球表面貼裝集成電路，C-對(duì)于使用銅線互聯(lián)的器件測(cè)試條件和樣品數(shù)量應(yīng)按照銅線互聯(lián)鑒定要求，D-

破壞性試驗(yàn)，試驗(yàn)后集成電路不能重新用于鑒定和生產(chǎn)，F(xiàn)-對(duì)于球柵陣列倒裝焊（基于基板的）封裝器件有要求，

G-認(rèn)可的通用數(shù)據(jù)，H-針對(duì)密封集成電路，K-使用附錄方法來(lái)對(duì)獨(dú)立非易失性存儲(chǔ)器集成電路或帶有非易失性存儲(chǔ)

器單元的集成電路進(jìn)行預(yù)處理，L-針對(duì)無(wú)鉛器件，N-非破壞性試驗(yàn)，試驗(yàn)后集成電路可以用于其它鑒定試驗(yàn)或者生

產(chǎn)中，P-針對(duì)塑封集成電路，S-針對(duì)表面貼裝塑封集成電路，W-對(duì)于使用鍵合工藝，且沒(méi)有對(duì)鍵合線有注塑覆蓋的

封裝。。

#特殊試驗(yàn)的參考數(shù)據(jù)。鑒定試驗(yàn)前后的所有電測(cè)試應(yīng)在溫度等級(jí)限定范圍內(nèi)進(jìn)行。

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T/CESAXXXX—202X

表3工藝變更鑒定的試驗(yàn)項(xiàng)目選擇要求

鑒定項(xiàng)目A2A3A4A5A6B1B2B3C1C2C3C4C5C6C7D1D2

設(shè)計(jì)

有源元件設(shè)計(jì)●M●●DJDD

電路設(shè)計(jì)變更AM

晶圓尺寸/厚度EM●●EE

晶圓制造

光刻●●M●G●●

芯片縮小化●●M●●DJ●●

離子注入/摻雜M●G

多晶硅●M●DJ

金屬化/通孔/接觸●●●M●●●●

鈍化/氧化物/夾層電介質(zhì)KK●M●GNDJK●●

背面工藝●M●

制造場(chǎng)所轉(zhuǎn)移●●●M●●J●●●●

晶圓凸點(diǎn)

再分布層●●●M●●

凸點(diǎn)下金屬●●●M●●

凸點(diǎn)材料●●●M●●

凸點(diǎn)地點(diǎn)轉(zhuǎn)移●●●M●●

封裝

芯片模套/底部填充膠●●●M●●

引線框電鍍●●●M●C●●

凹凸材質(zhì)/金屬化系統(tǒng)●●●M●●●●

引線框材料●●M●●●●●

引線框尺寸●●M●●●

鍵合絲●●Q●●●

芯片劃片/分離●●●M

芯片清潔準(zhǔn)備●●M●●●

封裝打碼●B

固晶●●●M●

塑封料●●●M●●●●●●

塑封工藝●●●M●●●●●

氣密封裝HHHHH

新式封裝●●●M●●●●●●●T●

基板/中介層●●●M●●●●T

封裝場(chǎng)所轉(zhuǎn)移●●●M●●●●●●T●

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T/CESAXXXX—202X

表3（續(xù)）

鑒定項(xiàng)目D3D4D5E2E3E4E5E7E9E10E11E12G1-4G5G6G7G8

設(shè)計(jì)

有源元件設(shè)計(jì)DDD●●●●●●●●F

電路設(shè)計(jì)變更●●●●●●●

晶圓尺寸/厚度●EEE●

晶圓制造

光刻●

芯片縮小化●●●●●●●●●●●

離子注入/摻雜●●●●●●

多晶硅●●●●●●

金屬化/通孔/接觸●●●●

鈍化/氧化物/夾層電介

●●●●●●●●

質(zhì)

背面工藝●●HH

制造場(chǎng)所轉(zhuǎn)移●●●●●●●HH

晶圓凸點(diǎn)

再分布層

凸點(diǎn)下金屬

凸點(diǎn)材料

凸點(diǎn)地點(diǎn)轉(zhuǎn)移

封裝

芯片模套/底部填充膠●H

引線框電鍍LH

凹凸材質(zhì)/金屬化系統(tǒng)●L

引線框材料●LHH

引線框尺寸●LH

鍵合絲M●H

芯片劃片/分離

芯片清潔準(zhǔn)備H

封裝打碼

固晶●LHHH

塑封料●L

塑封工藝L

氣密封裝HHH

新式封裝●●●●LHHH

基板/中介層LHHH

封裝場(chǎng)所轉(zhuǎn)移●LHHH

注：一個(gè)字母或“●”表明對(duì)于適當(dāng)?shù)墓に囎兏?，其測(cè)試試驗(yàn)方面的性能應(yīng)受到考慮。A：僅適用于外圍布線更改；

B：打標(biāo)返工、新的處理時(shí)間或溫度；C：如果引線鍵合到引腿；D：設(shè)計(jì)規(guī)則改變；E：僅適用于厚度改變；F：僅

適用于MEMS的單元改變；G：僅適用于來(lái)自非100%老化的器件；H：僅適用于陶瓷材料；J：EPROM或E2PROM；K：僅

適用于鈍化；L：僅適用于無(wú)鉛器件；M：需要進(jìn)行功率溫度循環(huán)的器件；N：鈍化或柵氧；Q：引線直徑變??；T：

僅適用于表面貼裝焊球。

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T/CESAXXXX—202X

6.4試驗(yàn)方法

6.4.1預(yù)處理

試驗(yàn)方法采用GB/T4937.20和GB/T4937.30。

預(yù)處理僅適用于表面貼裝器件。預(yù)處理在A2、A3、A4和A5項(xiàng)之前進(jìn)行，最低可接受的潮濕敏感度等

級(jí)為MSL3。對(duì)于部分使用先進(jìn)封裝，潮濕敏感度無(wú)法達(dá)到MSL3的汽車(chē)用集成電路產(chǎn)品，應(yīng)在產(chǎn)品數(shù)據(jù)手

冊(cè)中予以說(shuō)明，提前征得用戶同意。當(dāng)實(shí)施預(yù)處理和（或）潮濕敏感度等級(jí)時(shí)，潮濕敏感度等級(jí)和回流

焊峰值溫度必須提供報(bào)告。預(yù)處理試驗(yàn)后，3個(gè)批次，每個(gè)批次取3只，通過(guò)超聲掃描檢查是否有分層，

芯片結(jié)合面積有超過(guò)50%分層或鍵合線表面的分層必須在報(bào)告中體現(xiàn)。如果預(yù)處理后的樣品均能通過(guò)后

續(xù)的應(yīng)力試驗(yàn)，芯片表面的分層是允許的。任何樣品的替換應(yīng)在報(bào)告中體現(xiàn)。試驗(yàn)前后的電測(cè)試在室溫

下進(jìn)行。

6.4.2穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗(yàn)或強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)

試驗(yàn)方法采用GB/T4937.4或GB/T4937.5。

對(duì)于表面貼裝器件，應(yīng)在本試驗(yàn)前進(jìn)行A1項(xiàng)預(yù)處理。穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗(yàn)條件為85℃/85%RH，

試驗(yàn)時(shí)間1000小時(shí)。強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)試驗(yàn)條件為130℃/85%RH，試驗(yàn)時(shí)間96小時(shí)；或110℃/85%RH，

試驗(yàn)時(shí)間264小時(shí)。THB和HAST，