2025校招：工藝整合試題及答案

單項選擇題（每題2分，共20分）1.以下哪種工藝不屬于前端工藝？A.光刻B.刻蝕C.封裝D.離子注入2.光刻工藝中，最重要的參數(shù)是？A.溫度B.壓力C.曝光劑量D.濕度3.刻蝕工藝的主要目的是？A.去除多余材料B.增加材料厚度C.改變材料顏色D.提高材料硬度4.離子注入的作用是？A.改變材料導電性B.提高材料韌性C.降低材料密度D.增加材料透明度5.化學機械拋光（CMP）的主要作用是？A.表面平坦化B.表面粗糙化C.表面著色D.表面硬化6.以下哪種氣體常用于等離子體刻蝕？A.氧氣B.氮氣C.氯氣D.氫氣7.光刻膠的主要成分是？A.樹脂B.溶劑C.感光劑D.以上都是8.擴散工藝是在什么環(huán)境下進行？A.高溫B.低溫C.常溫D.超低溫9.工藝整合的核心目標是？A.提高生產效率B.降低成本C.保證產品性能和良率D.減少設備損耗10.薄膜沉積工藝中，物理氣相沉積（PVD）不包括？A.濺射B.蒸發(fā)C.化學氣相沉積D.離子鍍多項選擇題（每題2分，共20分）1.前端工藝主要包括以下哪些？A.光刻B.刻蝕C.離子注入D.封裝2.光刻工藝涉及的關鍵步驟有？A.涂膠B.曝光C.顯影D.刻蝕3.刻蝕工藝可分為？A.干法刻蝕B.濕法刻蝕C.化學刻蝕D.物理刻蝕4.離子注入工藝的優(yōu)點有？A.精確控制雜質濃度B.低溫工藝C.可實現(xiàn)選擇性摻雜D.提高材料硬度5.化學機械拋光（CMP）的影響因素有？A.壓力B.轉速C.拋光液成分D.溫度6.常用于等離子體刻蝕的氣體有？A.氟化物氣體B.氯化物氣體C.氧氣D.氮氣7.光刻膠的性能指標包括？A.分辨率B.靈敏度C.對比度D.粘附性8.擴散工藝的擴散機制有？A.間隙擴散B.替位擴散C.表面擴散D.晶界擴散9.工藝整合需要考慮的因素有？A.工藝兼容性B.設備利用率C.成本控制D.產品性能和良率10.薄膜沉積工藝包括？A.物理氣相沉積（PVD）B.化學氣相沉積（CVD）C.原子層沉積（ALD）D.電鍍判斷題（每題2分，共20分）1.光刻工藝是將掩膜版上的圖形轉移到晶圓表面的光刻膠上。（）2.刻蝕工藝只能采用干法刻蝕。（）3.離子注入會改變材料的晶體結構。（）4.化學機械拋光（CMP）可以完全消除表面的粗糙度。（）5.等離子體刻蝕中，氣體的選擇只取決于刻蝕速率。（）6.光刻膠的分辨率越高，越能實現(xiàn)精細圖形的轉移。（）7.擴散工藝是在常溫下進行的。（）8.工藝整合只需要考慮工藝的先進性，不需要考慮成本。（）9.物理氣相沉積（PVD）和化學氣相沉積（CVD）的原理相同。（）10.封裝工藝屬于后端工藝。（）簡答題（每題5分，共20分）1.簡述光刻工藝的基本流程。2.干法刻蝕和濕法刻蝕各有什么優(yōu)缺點？3.離子注入工藝后為什么需要進行退火處理？4.工藝整合在半導體制造中有什么重要作用？討論題（每題5分，共20分）1.討論光刻工藝中曝光劑量對圖形轉移質量的影響。2.分析化學機械拋光（CMP）工藝在提高芯片性能方面的作用和挑戰(zhàn)。3.探討工藝整合中如何平衡成本和產品性能。4.談談你對未來工藝整合技術發(fā)展趨勢的看法。答案單項選擇題1.C2.C3.A4.A5.A6.C7.D8.A9.C10.C多項選擇題1.ABC2.ABC3.AB4.ABC5.ABCD6.ABC7.ABCD8.AB9.ABCD10.ABCD判斷題1.√2.×3.√4.×5.×6.√7.×8.×9.×10.√簡答題1.基本流程為涂膠、前烘、曝光、后烘、顯影、堅膜。先在晶圓涂光刻膠，前烘去除溶劑，曝光使光刻膠感光，后烘穩(wěn)定圖形，顯影去除部分光刻膠，堅膜增強光刻膠粘附性。2.干法刻蝕優(yōu)點是精度高、可實現(xiàn)各向異性刻蝕；缺點是設備貴、成本高。濕法刻蝕優(yōu)點是成本低、設備簡單；缺點是各向同性、精度低。3.離子注入會損傷材料晶體結構，退火可修復損傷，使注入離子激活，恢復材料電學性能，提高材料穩(wěn)定性和可靠性。4.作用是將各工藝有機結合，保證產品性能和良率，提高生產效率，降低成本，使半導體制造流程順暢、高效。討論題1.曝光劑量不足，光刻膠感光不充分，圖形邊緣模糊、尺寸偏差大；劑量過大，光刻膠過度感光，圖形變形、分辨率下降。需精確控制劑量保證圖形質量。2.作用是實現(xiàn)芯片表面平坦化，提高芯片性能和集成度。挑戰(zhàn)是工藝參數(shù)難控制，易產生劃痕、腐蝕等缺陷，影響芯片良率和可靠性。3.可通過優(yōu)化工藝路線、提高設備利用率、合