26/32SiC功率集成電路研究第一部分SiC功率集成電路概述 2第二部分SiC材料特性與性能 5第三部分SiC功率器件設計方法 9第四部分SiC集成電路結構與工藝 12第五部分SiC功率集成電路應用領域 16第六部分功率集成電路熱管理策略 19第七部分SiC功率集成電路可靠性研究 22第八部分SiC功率集成電路發(fā)展趨勢 26

第一部分SiC功率集成電路概述

SiC功率集成電路概述

隨著電力電子技術的不斷發(fā)展，新型寬禁帶半導體材料SiC（碳化硅）在功率集成電路領域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。SiC功率集成電路具有高導通電阻、高擊穿電壓、高耐壓、高開關頻率、低損耗等優(yōu)點，是推動電力電子技術向高效、高性能方向發(fā)展的關鍵材料。本文將對SiC功率集成電路進行概述，包括其發(fā)展背景、關鍵技術、應用領域及未來發(fā)展趨勢。

一、發(fā)展背景

1.能源需求增長：隨著全球能源需求的不斷增長，對能源利用效率的要求越來越高。SiC功率集成電路以其優(yōu)異的性能，有望提高能源利用效率，降低能源消耗。

2.環(huán)保要求提高：在環(huán)保政策日益嚴格的背景下，降低CO2排放和環(huán)保污染成為電力電子技術發(fā)展的關鍵。SiC功率集成電路的低損耗特性使其在環(huán)保方面具有顯著優(yōu)勢。

3.電力電子技術發(fā)展趨勢：隨著電力電子技術的發(fā)展，對功率器件的要求越來越高。SiC功率集成電路具有高耐壓、高開關頻率、低損耗等特點，能夠滿足電力電子技術向高頻、高功率密度、高可靠性方向發(fā)展的需求。

二、關鍵技術

1.SiC材料制備技術：SiC材料的制備技術是SiC功率集成電路發(fā)展的基礎。目前，SiC單晶制備技術主要包括化學氣相沉積（CVD）和物理氣相沉積（PVD）兩種。CVD技術在制備大尺寸、高質量SiC單晶方面具有顯著優(yōu)勢。

2.SiC器件制造技術：SiC器件制造技術主要包括外延生長、晶圓切割、摻雜、芯片制備、封裝等環(huán)節(jié)。其中，外延生長技術是實現(xiàn)高性能SiC器件的關鍵。

3.SiC功率集成電路設計技術：SiC功率集成電路設計需要考慮器件的電氣特性、熱特性、可靠性等因素。設計過程中，需要運用電路仿真、布局布線、散熱設計等關鍵技術。

4.封裝技術：SiC功率集成電路的封裝技術對其性能和可靠性具有至關重要的影響。目前，SiC功率集成電路封裝技術主要包括芯片級封裝（WLP）和模塊級封裝（MCP）。

三、應用領域

1.高壓、高頻功率變換器：SiC功率集成電路在高電壓、高頻功率變換器領域具有廣泛應用，如電動汽車、風力發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領域。

2.電力電子裝置：SiC功率集成電路在電力電子裝置領域具有廣闊的應用前景，如變頻器、不間斷電源（UPS）、牽引逆變器等。

3.消費電子：SiC功率集成電路在消費電子領域具有較高應用價值，如手機、平板電腦等電子設備的電源管理。

4.工業(yè)控制：SiC功率集成電路在工業(yè)控制領域具有廣泛應用，如電機驅動、變頻調速等。

四、未來發(fā)展趨勢

1.SiC材料性能提升：未來，SiC材料制備技術將不斷提高，實現(xiàn)更高性能的SiC單晶材料，以滿足功率集成電路的需求。

2.SiC器件性能優(yōu)化：通過器件結構優(yōu)化、材料創(chuàng)新等手段，進一步提高SiC器件的性能和可靠性。

3.SiC功率集成電路封裝技術改進：不斷優(yōu)化封裝技術，提高SiC功率集成電路的散熱性能和可靠性。

4.SiC功率集成電路應用拓展：隨著SiC功率集成電路性能的不斷提高，其應用領域將不斷拓展，為電力電子技術發(fā)展注入新的活力。

總之，SiC功率集成電路作為一種具有廣泛應用前景的新型功率器件，在推動電力電子技術發(fā)展方面具有重要意義。隨著相關技術的不斷進步，SiC功率集成電路將在未來電力電子領域發(fā)揮越來越重要的作用。第二部分SiC材料特性與性能

SiC功率集成電路研究

硅碳化物（SiC）作為一種新型的寬禁帶半導體材料，近年來在功率集成電路領域受到廣泛關注。SiC材料具有優(yōu)異的特性與性能，使其在高溫、高頻、高壓等條件下具有顯著優(yōu)勢。本文將詳細介紹SiC材料的特性與性能。

一、SiC材料特性

1.高擊穿電場

SiC的擊穿電場約為3.0MV/cm，遠高于硅材料的1.5MV/cm。這意味著SiC器件在高壓應用中具有更高的可靠性。

2.高熱導率

SiC的熱導率約為300W/m·K，約為硅材料的5倍。這使得SiC器件在高溫環(huán)境下具有更好的散熱性能。

3.高熱穩(wěn)定性

SiC在高溫下的穩(wěn)定性良好，能夠在1500℃以上的溫度下長期工作。

4.高電子飽和漂移速度

SiC的電子飽和漂移速度約為3.0×10^5cm/s，比硅材料的1.5×10^5cm/s高出一倍。這使得SiC器件具有更高的開關速度。

5.高抗氧化性

SiC在空氣中具有良好的抗氧化性能，可在氧化氣氛下長期工作。

6.高熱膨脹系數(shù)

SiC的熱膨脹系數(shù)約為4.0×10^-6/K，略高于硅材料。這可能導致SiC器件在高溫環(huán)境下產生一定的應力。

二、SiC材料性能

1.高耐壓性能

SiC二極管的耐壓值可達2000V，三極管的耐壓值可達1200V，遠高于硅器件。

2.高頻率性能

SiC器件的開關頻率遠高于硅器件，可達數(shù)十MHz。這使得SiC器件在通信、電力電子等領域具有廣泛應用前景。

3.高效率性能

SiC器件在開關過程中損耗較低，效率較高。例如，SiCMOSFET的導通電阻約為0.05Ω，遠低于硅器件。

4.高可靠性

SiC器件在高溫、高壓等惡劣環(huán)境下具有更高的可靠性，可在長期運行中保持良好的性能。

5.良好的熱匹配性能

SiC與硅材料的熱匹配性能良好，有利于減小器件在高溫下的熱應力，提高器件的可靠性。

6.優(yōu)異的機械性能

SiC具有較高的機械強度和硬度，可承受較大的機械應力。

三、總結

SiC材料具有優(yōu)異的特性與性能，為功率集成電路的研究與發(fā)展提供了廣闊的前景。在高溫、高頻、高壓等條件下，SiC器件具有顯著優(yōu)勢。隨著SiC材料制備工藝的不斷完善和器件性能的持續(xù)提升，SiC功率集成電路在電力電子、新能源、航空航天等領域將得到廣泛應用。第三部分SiC功率器件設計方法

SiC功率集成電路研究中的SiC功率器件設計方法主要包括以下幾個方面：

1.SiC功率器件結構設計

SiC功率器件的結構設計是器件性能優(yōu)化和提高的關鍵。目前，SiC功率器件主要有四種結構：SiC肖特基二極管、SiCMOSFET、SiCJFET和SiC二極管。在設計過程中，需考慮以下因素：

（1）器件結構：根據(jù)實際應用需求，選擇合適的器件結構，如SiC肖特基二極管適用于高頻應用，SiCMOSFET適用于低頻大功率應用。

（2）器件尺寸：器件尺寸對器件性能有較大影響，需要進行優(yōu)化設計，以滿足特定應用需求。

（3）器件封裝：封裝設計應考慮散熱性能、電氣性能和機械強度等因素。

2.SiC功率器件材料設計

SiC功率器件的材料設計是器件性能提升的基礎。以下為SiC材料設計的關鍵點：

（1）SiC襯底材料：SiC襯底材料的選取對器件性能有很大影響。目前常用的SiC襯底材料有SiC單晶、SiC多晶和SiC化合物等。

（2）SiC外延層：外延層是影響器件性能的關鍵因素。通過優(yōu)化外延層生長工藝，可以降低器件的熱阻，提高器件的性能。

（3）摻雜工藝：摻雜工藝對器件性能有較大影響。通過合理選擇摻雜元素和摻雜濃度，可以降低器件的導通電阻，提高器件的開關速度。

3.SiC功率器件電路設計

SiC功率器件電路設計主要包括以下內容：

（1）電路拓撲：根據(jù)應用需求，選擇合適的電路拓撲，如半橋、全橋、三相橋等。

（2）電路參數(shù)：設計電路時需考慮電路參數(shù)，如開關頻率、負載電流、額定功率等。

（3）電路保護和控制策略：為提高器件的可靠性和穩(wěn)定性，需設計相應的電路保護和控制策略。

4.SiC功率器件仿真與優(yōu)化

SiC功率器件仿真與優(yōu)化是提高器件性能的重要手段。以下為仿真與優(yōu)化方法：

（1）仿真工具：利用專業(yè)仿真軟件對SiC功率器件進行仿真，如SPICE、PSIM等。

（2）仿真參數(shù)：根據(jù)實際應用需求，設置仿真參數(shù)，如溫度、電壓、電流等。

（3）優(yōu)化方法：通過調整仿真參數(shù)，優(yōu)化器件性能。例如，通過優(yōu)化器件結構、材料和電路參數(shù)，降低器件的導通電阻和開關損耗。

5.SiC功率器件封裝與測試

SiC功率器件封裝與測試是保障器件性能和可靠性的重要環(huán)節(jié)。以下為封裝與測試方法：

（1）封裝材料：選擇合適的封裝材料，如陶瓷、塑料等，以滿足器件的散熱、電氣和機械要求。

（2）封裝工藝：采用先進的封裝工藝，如倒裝芯片、SOT-223等，以提高器件的可靠性。

（3）測試方法：對封裝后的器件進行嚴格測試，如電學測試、熱測試、機械測試等，以確保器件性能滿足應用需求。

總之，SiC功率器件設計方法涉及器件結構、材料、電路、仿真、封裝和測試等多個方面。通過合理設計，可以優(yōu)化器件性能，提高器件的可靠性和穩(wěn)定性，為SiC功率集成電路的應用提供有力保障。第四部分SiC集成電路結構與工藝

SiC功率集成電路研究

一、引言

碳化硅（SiC）作為寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和漂移速度等優(yōu)異性能，在功率集成電路領域具有巨大的應用潛力。SiC功率集成電路的研究主要集中在SiC集成電路結構與工藝上。本文將對SiC集成電路結構及工藝進行詳細介紹。

二、SiC集成電路結構

1.SiC晶體結構

SiC晶體具有立方晶體結構，其晶格常數(shù)為a=b=c=3.096?，空間群為F-43m。SiC晶體可生長成單晶和多晶兩種形式，其中單晶SiC具有較高的電性能。

2.SiC集成電路芯片結構

SiC集成電路芯片結構主要包括襯底、外延層、隔離層、復合層和電極層等部分。

（1）襯底：襯底是SiC集成電路的支撐結構，通常采用高純度SiC單晶或氮化硅（Si3N4）等材料。襯底的質量直接影響器件的性能和可靠性。

（2）外延層：外延層是SiC集成電路的核心部分，主要包括N型外延層和P型外延層。N型外延層通過離子注入或化學氣相沉積（CVD）等方法制備，具有較高的電子遷移率；P型外延層通過摻雜或CVD等方法制備，具有較高的電導率。

（3）隔離層：隔離層用于隔離芯片上不同功能區(qū)域，通常采用SiO2或氮化硅等材料。隔離層能有效提高器件的可靠性，降低漏電流。

（4）復合層：復合層是SiC集成電路的關鍵技術之一，用于連接不同半導體材料，提高器件的功率密度和效率。復合層通常采用金屬化工藝，如真空蒸發(fā)、磁控濺射等。

（5）電極層：電極層用于連接芯片與外部電路，通常采用金屬化工藝制備。

三、SiC集成電路工藝

1.基礎工藝

（1）襯底制備：襯底制備主要包括SiC單晶生長和氮化硅制備。SiC單晶生長通常采用化學氣相沉積（CVD）法；氮化硅制備可采用CVD、物理氣相沉積（PVD）等方法。

（2）外延層制備：外延層制備主要包括離子注入、化學氣相沉積（CVD）等方法。離子注入法可實現(xiàn)高摻雜濃度，提高電子遷移率；CVD法可實現(xiàn)均勻外延層生長。

（3）隔離工藝：隔離工藝主要包括氧化和離子注入。氧化法可實現(xiàn)SiO2隔離層制備；離子注入法可實現(xiàn)氮化硅隔離層制備。

2.高端工藝

（1）復合層制備：復合層制備主要包括金屬化工藝，如真空蒸發(fā)、磁控濺射等。金屬化工藝可實現(xiàn)高導電極和復合層制備，提高器件的功率密度和效率。

（2）電極制備：電極制備主要包括金屬化工藝，如真空蒸發(fā)、磁控濺射等。電極制備需確保良好的導電性和機械強度。

（3）封裝工藝：封裝工藝包括芯片封裝和模塊封裝。芯片封裝可采用瓷封、塑料封裝等方法；模塊封裝可采用陶瓷封裝、金屬殼封裝等方法。

四、總結

SiC功率集成電路的結構與工藝是SiC功率器件研究的關鍵技術。隨著SiC產業(yè)的不斷發(fā)展，SiC集成電路在高效、高可靠、高功率密度等領域具有廣闊的應用前景。本文對SiC集成電路結構及工藝進行了詳細介紹，為我國SiC功率集成電路的研究與發(fā)展提供了理論依據(jù)。第五部分SiC功率集成電路應用領域

SiC功率集成電路作為一種新型的功率電子器件，由于其優(yōu)異的性能，在眾多應用領域展現(xiàn)出巨大的潛力。以下是對其應用領域的簡要介紹：

一、交通運輸領域

1.軌道交通：SiC功率集成電路在高速列車、地鐵等軌道交通領域具有廣泛的應用前景。據(jù)相關數(shù)據(jù)顯示，采用SiC功率器件的軌道交通系統(tǒng)，相比傳統(tǒng)硅基器件，可降低約30%的能量損耗，提高系統(tǒng)效率。

2.汽車工業(yè)：SiC功率集成電路在電動汽車、混合動力汽車等領域具有顯著優(yōu)勢。與傳統(tǒng)硅基器件相比，SiC器件具有更高的耐壓、耐溫性能，可降低系統(tǒng)體積和重量，提高整車性能。

二、新能源領域

1.太陽能光伏發(fā)電：SiC功率集成電路在太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)中，可大幅降低逆變器的體積和重量，提高發(fā)電效率。相關研究表明，采用SiC功率器件的光伏逆變器，相較于硅基器件，效率可提高約5%。

2.風力發(fā)電：在風力發(fā)電領域，SiC功率集成電路可提高風力發(fā)電機的發(fā)電效率，降低系統(tǒng)成本。據(jù)統(tǒng)計，使用SiC器件的風力發(fā)電機，其發(fā)電效率比傳統(tǒng)硅基器件高出約2%。

三、電力電子領域

1.變流器：SiC功率集成電路在高壓、大功率的變流器中具有顯著優(yōu)勢。例如，在高壓直流輸電（HVDC）系統(tǒng)中，采用SiC器件的變流器可降低系統(tǒng)損耗，提高輸電效率。

2.電源模塊：SiC功率集成電路在電源模塊中的應用，可降低系統(tǒng)體積和重量，提高電源效率。據(jù)統(tǒng)計，使用SiC器件的電源模塊，其效率比傳統(tǒng)硅基器件高出約5%。

四、工業(yè)控制領域

1.電機驅動：SiC功率集成電路在電機驅動領域具有廣泛應用，如變頻調速、伺服控制等。與傳統(tǒng)硅基器件相比，SiC器件具有更高的開關頻率和更低的開關損耗，有利于提高電機驅動系統(tǒng)的性能和可靠性。

2.傳感器接口電路：SiC功率集成電路在傳感器接口電路中，可降低噪聲干擾，提高信號傳輸質量。例如，在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，采用SiC器件的傳感器接口電路，可提高數(shù)據(jù)采集精度。

五、消費電子領域

1.移動設備充電：SiC功率集成電路在移動設備充電領域具有廣泛的應用前景。與傳統(tǒng)硅基器件相比，SiC器件具有更快的充電速度和更高的充電效率。

2.家用電器：SiC功率集成電路在家用電器中的應用，如空調、冰箱等，可降低能耗，提高設備壽命。

綜上所述，SiC功率集成電路在交通運輸、新能源、電力電子、工業(yè)控制及消費電子等領域具有廣泛的應用前景。隨著技術的不斷發(fā)展和應用需求的增加，SiC功率集成電路的應用領域將進一步擴大。第六部分功率集成電路熱管理策略

功率集成電路熱管理策略在SiC功率集成電路研究中占據(jù)著至關重要的地位。隨著SiC功率集成電路在新能源汽車、軌道交通、數(shù)據(jù)中心等領域的廣泛應用，其高性能、高可靠性要求使得熱管理成為關鍵技術之一。以下是對SiC功率集成電路熱管理策略的詳細介紹。

一、熱管理的重要性

SiC功率集成電路具有開關頻率高、功率密度大、導熱系數(shù)高的特點，但同時其熱阻也較高，容易產生熱積累。若不能有效地進行熱管理，會導致器件溫度升高，降低其性能和可靠性。因此，合理的熱管理策略是確保SiC功率集成電路長期穩(wěn)定運行的關鍵。

二、熱管理策略

1.優(yōu)化電路設計

（1）降低器件功率密度：通過合理的設計，降低器件的功率密度，從而降低熱產生。例如，采用多顆電力電子器件并聯(lián)使用，可以有效降低每個器件的功率密度。

（2）優(yōu)化器件布局：合理布局器件，減少熱阻，提高散熱效率。例如，采用“熱島”技術，將發(fā)熱器件集中放置，形成局部高溫區(qū)域，便于集中散熱。

2.熱沉設計

（1）熱沉材料：選擇具有高導熱系數(shù)、高熱穩(wěn)定性和低熱阻的熱沉材料。目前，常用的熱沉材料有銅、鋁、鋁合金等。

（2）熱沉結構：優(yōu)化熱沉結構，提高散熱效率。例如，采用翅片式熱沉，增大散熱面積；采用多通道熱沉，提高散熱速度。

3.熱傳導路徑優(yōu)化

（1）熱阻降低：通過減少熱傳導路徑中的熱阻，提高散熱效率。例如，采用熱管技術，縮短熱傳導路徑；采用熱橋技術，降低熱阻。

（2）熱流分配：優(yōu)化熱流分配，使熱量均勻分布在器件表面。例如，采用散熱片技術，使熱量均勻傳遞。

4.熱管理系統(tǒng)設計

（1）熱管理系統(tǒng)架構：根據(jù)實際應用需求，設計合適的熱管理系統(tǒng)架構。例如，采用主動式、半主動式和被動式熱管理系統(tǒng)。

（2）熱交換器設計：優(yōu)化熱交換器設計，提高散熱效率。例如，采用多級熱交換器，提高散熱能力。

5.熱仿真與優(yōu)化

（1）熱仿真：利用有限元分析（FEA）、計算流體動力學（CFD）等仿真方法，對SiC功率集成電路進行熱仿真，分析熱分布和熱流密度。

（2）熱優(yōu)化：根據(jù)仿真結果，優(yōu)化熱管理策略，降低器件溫度，提高可靠性。

三、結論

SiC功率集成電路的熱管理策略是確保器件高性能、高可靠性的關鍵。通過優(yōu)化電路設計、熱沉設計、熱傳導路徑優(yōu)化、熱管理系統(tǒng)設計和熱仿真與優(yōu)化等方面，可以有效降低器件溫度，提高可靠性。隨著SiC功率集成電路技術的不斷發(fā)展，熱管理策略也將不斷完善，為SiC功率集成電路在更廣泛領域的應用提供有力保障。第七部分SiC功率集成電路可靠性研究

SiC功率集成電路作為一種新型的功率器件，具有高效率、高耐壓、高頻率和良好的熱性能，在電力電子領域具有廣闊的應用前景。然而，SiC功率集成電路的可靠性研究是保障其在實際應用中穩(wěn)定運行的關鍵。本文將對SiC功率集成電路可靠性研究的相關內容進行介紹。

一、SiC功率集成電路可靠性概述

1.1SiC功率集成電路可靠性概念

SiC功率集成電路可靠性是指SiC功率器件在規(guī)定的條件下，保持正常工作和性能的能力。它包括器件的電氣性能、機械性能、熱性能和環(huán)境性能等方面。

1.2SiC功率集成電路可靠性影響因素

SiC功率集成電路的可靠性受到多種因素的影響，主要包括：

（1）器件材料：SiC材料本身具有良好的熱穩(wěn)定性和耐壓性能，但其在高溫、高頻、高壓等極端條件下仍可能發(fā)生退化。

（2）器件設計：器件的幾何結構、封裝形式、散熱設計等都會對器件的可靠性產生影響。

（3）制造工藝：制造過程中的工藝控制、缺陷控制等對器件的可靠性具有重要意義。

（4）應用環(huán)境：器件在實際應用中所處的環(huán)境，如溫度、濕度、振動等，也會對器件的可靠性產生影響。

二、SiC功率集成電路可靠性評估方法

2.1理論分析

理論分析是通過理論推導和計算，對SiC功率集成電路的可靠性進行預測。主要包括以下內容：

（1）器件失效機理分析：分析器件在高溫、高頻、高壓等條件下的失效機理，如擊穿、熱退化、電遷移等。

（2）壽命預測：根據(jù)器件的物理和化學特性，預測器件的壽命。

2.2實驗驗證

實驗驗證是通過在實際應用條件下對SiC功率集成電路進行測試，以驗證其可靠性。主要包括以下內容：

（1）高溫、高壓、高頻率等極端條件下的性能測試。

（2）器件壽命測試：通過長時間運行，觀察器件的性能變化。

（3）失效分析：對失效器件進行解剖，分析失效原因。

2.3仿真模擬

仿真模擬是利用計算機模擬器件在實際應用中的工作狀態(tài)，以預測器件的可靠性。主要包括以下內容：

（1）器件的物理場仿真：模擬器件在高溫、高頻、高壓等條件下的電場、磁場和熱場分布。

（2）器件的壽命仿真：模擬器件在長時間運行中的性能變化。

三、SiC功率集成電路可靠性提升措施

3.1優(yōu)化器件設計

優(yōu)化器件設計，如減小器件的尺寸、提高器件的散熱性能、降低器件的漏電流等，可以有效提高器件的可靠性。

3.2優(yōu)化制造工藝

提高制造工藝水平，如嚴格控制工藝參數(shù)、減少缺陷產生等，可以有效提高器件的可靠性。

3.3優(yōu)化封裝設計

優(yōu)化封裝設計，如采用散熱性能好的材料、提高封裝結構的強度等，可以有效提高器件的可靠性。

3.4優(yōu)化應用環(huán)境

優(yōu)化器件在實際應用中所處的環(huán)境，如控制溫度、濕度、振動等，可以有效提高器件的可靠性。

四、結論

SiC功率集成電路可靠性研究對于其在實際應用中的穩(wěn)定運行具有重要意義。本文從SiC功率集成電路可靠性概述、評估方法、提升措施等方面進行了介紹，為SiC功率集成電路的可靠性研究提供了參考。隨著技術的不斷發(fā)展和應用需求的不斷提高，SiC功率集成電路的可靠性研究將更加深入和全面。第八部分SiC功率集成電路發(fā)展趨勢

SiC功率集成電路作為一種新型高效、高性能的電力電子器件，近年來在電力系統(tǒng)、電動汽車、工業(yè)控制等領域得到了廣泛的應用。隨著SiC材料性能的不斷提升以及制備工藝的不斷完善，SiC功率集成電路的研究與發(fā)展呈現(xiàn)出以下發(fā)展趨勢：

一、SiC功率集成電路性能不斷提升

1.高耐壓、高導通特性：SiC材料的擊穿電壓和導通電阻遠高于硅基材料，使得SiC功率器件在高壓、高頻、大電流條件下仍能保持良好的性能。

2.高效率、低損耗：SiC功率器件具有更高的開關頻率和更低的導通電阻，使得整個電路的損耗降低，效率提高。

3.高可靠性：SiC材料具有較低的輻射敏感性，抗輻射性能優(yōu)于硅基材料，有利于提高電路的可靠性。

二、SiC功率集成電路制備工藝不斷完善

1.制備技術：SiC功率器件的制備技術主要包括Czochralski法、化學氣相沉積