2025全球及中國(guó)半導(dǎo)體制造行業(yè)市場(chǎng)預(yù)測(cè)和產(chǎn)業(yè)分析報(bào)告_第1頁(yè)
2025全球及中國(guó)半導(dǎo)體制造行業(yè)市場(chǎng)預(yù)測(cè)和產(chǎn)業(yè)分析報(bào)告_第2頁(yè)
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2025全球及中國(guó)半導(dǎo)體制造市場(chǎng)預(yù)測(cè)和產(chǎn)業(yè)分析主要內(nèi)容?

全球半導(dǎo)體???半導(dǎo)體市場(chǎng):芯片、存儲(chǔ)器、GPU晶圓代工市場(chǎng):Foundry2.0、2nm工藝、先進(jìn)封裝半導(dǎo)體設(shè)備/材料市場(chǎng):晶圓廠資本支出、WFE、材料?

中國(guó)半導(dǎo)體???臺(tái)灣晶圓和先進(jìn)封裝產(chǎn)能大陸晶圓和先進(jìn)封裝產(chǎn)能化合物半導(dǎo)體產(chǎn)線?

新的增長(zhǎng)點(diǎn)???AI芯片新的晶圓投資項(xiàng)目新的先進(jìn)封裝投資項(xiàng)目2025全球半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)預(yù)測(cè)-WSTS2025全球半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)預(yù)測(cè)-Gartner?

預(yù)計(jì)增長(zhǎng)14%,達(dá)到7170億美元?

存儲(chǔ)器市場(chǎng)增長(zhǎng)20.5%,達(dá)到1963億美元,其中NANDflash為755億美元,DRAM為1156億美元?

GPGPU芯片增長(zhǎng)27%,達(dá)到510億美元,其中HBM將增至210億美元;AI市場(chǎng)逐漸轉(zhuǎn)向推理?

汽車、工業(yè)和消費(fèi)電子市場(chǎng)仍然增長(zhǎng)乏力全球晶圓代工市場(chǎng)增長(zhǎng)預(yù)測(cè)-IDC?

預(yù)計(jì)增長(zhǎng)約20%,達(dá)到1700億美元?

從Foundry1.0到Foundry2.0,TSMC繼續(xù)主導(dǎo)全球晶圓代工市場(chǎng)?

晶圓產(chǎn)能增長(zhǎng)7%,其中先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)產(chǎn)能增長(zhǎng)12%,平均產(chǎn)能利用率將超過(guò)90%;成熟制程產(chǎn)能利用率將超過(guò)75%?

2nm節(jié)點(diǎn)進(jìn)入關(guān)鍵期:TSMC、三星、intel18A,主要應(yīng)用驅(qū)動(dòng)在于手機(jī)AP、AI芯片?

整體封測(cè)市場(chǎng)預(yù)計(jì)增長(zhǎng)9%,中國(guó)大陸成熟制程和先進(jìn)封裝齊頭并進(jìn),而臺(tái)灣廠商則占據(jù)先進(jìn)封裝高端市場(chǎng)(AI加速芯片如GPU和ASIC)?

先進(jìn)封裝:臺(tái)積電CoWoS產(chǎn)能將翻倍至66萬(wàn)片;面板級(jí)封裝FOPLP將進(jìn)入AI芯片市場(chǎng)。Foundry2.0包括:晶圓代工+先進(jìn)封裝+非存儲(chǔ)IDM+掩膜板制造全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)增長(zhǎng)預(yù)測(cè)-YOLE?

從2023-2029,全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)增長(zhǎng)率為11%,到2029年將達(dá)到695億美元?

先進(jìn)封裝類型主要包括:Flip-Chip、SiP、FO、WLCSP、ED,以及2.5D/3D封裝等?

臺(tái)積電、三星和英特爾等先進(jìn)工藝晶圓制造廠商借助Chiplet與異構(gòu)集成技術(shù)趨勢(shì)大舉進(jìn)軍先進(jìn)封裝市場(chǎng)?

全球Top5:ASE、Amkor、TSMC、Intel和JCET(長(zhǎng)電)?

2.5D/3D封裝的增長(zhǎng)速度最快,面向AI數(shù)據(jù)中心處理器的出貨量預(yù)計(jì)增長(zhǎng)率高達(dá)23%?

扇出型面板級(jí)封裝和玻璃基板封裝正成為先進(jìn)封裝的另外兩個(gè)很具潛力的方向。全球半導(dǎo)體制造設(shè)備市場(chǎng)增長(zhǎng)預(yù)測(cè)-SEMI?

預(yù)計(jì)今年達(dá)1210億美元,2026年達(dá)到1390億美元?

晶圓加工設(shè)備(WFE)于2024年超過(guò)1000億美元,今年預(yù)計(jì)增長(zhǎng)6.8%,2026年達(dá)到1230億美元?

封裝與測(cè)試設(shè)備也有明顯增長(zhǎng),主要?dú)w功于先進(jìn)封裝產(chǎn)線的擴(kuò)增?

WFE銷售額按應(yīng)用劃分:代工/邏輯芯片市場(chǎng)今年基本持平,2026年將增至693億美元;主要增長(zhǎng)來(lái)自存儲(chǔ)器生產(chǎn)?

中國(guó)大陸、臺(tái)灣、韓國(guó)仍然全球半導(dǎo)體設(shè)備的TOP3市場(chǎng)。2024年銷往中國(guó)大陸市場(chǎng)的設(shè)備金額高達(dá)490億美元,今年預(yù)計(jì)略有收縮。全球300mm晶圓廠設(shè)備支出預(yù)測(cè)-SEMI?

從2025年到2027年,全球300mm晶圓廠設(shè)備支出預(yù)計(jì)將達(dá)到4000億美元?

2025年將首次突破1000億美元,達(dá)到1232億美元;?

預(yù)計(jì)2026年支出將增長(zhǎng)11%,達(dá)到1362億美元,2027年將增長(zhǎng)3%,達(dá)到1408億美元。SEMI《300mm晶圓廠2027年展望報(bào)告》全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)預(yù)測(cè)?

2025年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)預(yù)計(jì)為677億美元?

2034年將突破1000億美元,CAGR為4.52%?

亞太區(qū)域占比為40%?

封裝材料占比最大。全球300mm晶圓廠擴(kuò)建預(yù)期?

全球2027年預(yù)計(jì)共有239座300mm晶圓廠,中國(guó)大陸占比為29.71%;?

2024年-2027年預(yù)計(jì)中國(guó)大陸從2024年的29座300mm晶圓廠增長(zhǎng)至2027年的71座;?

中國(guó)臺(tái)灣從2024年的10座增長(zhǎng)至2027年的51座;日本從2024年的8座增長(zhǎng)至2027年的26座。:SEMIWorldfabForecastReport,光大證券研究所TSMC臺(tái)灣晶圓廠分布?

在中國(guó)臺(tái)灣新建七個(gè)工廠,涵蓋先進(jìn)制程晶圓廠和先進(jìn)封裝廠,新竹和高雄將作為2納米量產(chǎn)的基地,兩地各有兩座工廠,共計(jì)四個(gè)。?

先進(jìn)封裝方面,包括從群創(chuàng)南科廠購(gòu)買的AP8廠區(qū)、中科持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)的CoWoS,以及嘉義先進(jìn)封裝CoWoS與SoIC投資,合計(jì)三個(gè)廠。SEMI

VISIONTSMC全球晶圓廠布局?

臺(tái)積電正加速海外布局,預(yù)計(jì)2025年包含在建與新建廠在內(nèi),海內(nèi)外將建設(shè)十個(gè)新工廠,還不包括最近才宣布的在美國(guó)投資1000億美元計(jì)劃?

中國(guó)大陸:上海Fab10、南京Fab16?

美國(guó):除現(xiàn)有亞利桑那州二座晶圓廠外,再新建2座晶圓廠、3座先進(jìn)封裝廠,還有一個(gè)研發(fā)中心?

日本:熊本二廠興建工程計(jì)劃于2025年第1季開始,目標(biāo)2027年量產(chǎn)?

歐洲:德國(guó)德勒斯頓特殊制程新廠持續(xù)推進(jìn)建設(shè)?

新加坡:SSMC200mm晶圓廠TSMC3D系統(tǒng)集成方案和CoWoS產(chǎn)能預(yù)測(cè)SEMI

VISIONTSMC先進(jìn)封裝產(chǎn)線SEMI

VISION日月光ASE先進(jìn)封裝技術(shù)和產(chǎn)能預(yù)測(cè)?

VIPack封裝平臺(tái):高密度FOPoP、FOCoS、FOCoS-硅橋、FOSiP、TSV-based2.5/3D、光電共封CPO;?

2025年產(chǎn)能預(yù)計(jì)翻倍,CoWoS產(chǎn)能達(dá)7萬(wàn)片/月;?

封測(cè)廠布局:?馬來(lái)西亞檳城廠區(qū):6座工廠,主要生產(chǎn)銅片橋接、影像傳感器封裝及WLCSP等,同時(shí)布局CoWoS,預(yù)計(jì)今年?duì)I收達(dá)到7.5億美元;?臺(tái)灣高雄廠區(qū):占總營(yíng)收約20%,涉及Fan-out、SiP,擴(kuò)增K27-K28廠,以CoWoS為主,主要面向AI芯片;投資2億美元在高雄建FOPLP生產(chǎn)線;矽品精密:3個(gè)廠,以CoWoS為主;??其它:美國(guó)、歐洲、日本、墨西哥?

成為臺(tái)積電CoW和WoS前后段制程合作伙伴。中國(guó)大陸晶圓廠匯總清單(一)企業(yè)地區(qū)上海/北京/深圳/天津上海/無(wú)錫技術(shù)節(jié)點(diǎn)14nm-28nm/28nm+28nm-90nm核心產(chǎn)品邏輯芯片、CIS、射頻嵌入式存儲(chǔ)、功率器件電源管理芯片、汽車電子控制芯片、CIS華虹集團(tuán)臺(tái)積電上海

南京/0.35/0.25μm

16nm

28nm、、CIS工藝類型格科微上海0.7μm-1μm鼎泰匠芯積塔半導(dǎo)體新微半導(dǎo)體新進(jìn)半導(dǎo)體粵芯半導(dǎo)體增芯上海0.18/0.11um車規(guī)級(jí)芯片及分立器件?

邏輯芯片:5家?

存儲(chǔ)器:11家?

MEMS:4家上海0.35-0.11um/0.5-2.5um模擬、功率器件、BCD、數(shù)模混合上海-化合物上海-模擬電路、功率器件廣州55nm-180nm模擬芯片、功率器件廣州65納米+MEMS芯粵能廣州-碳化硅?

模擬/MCU/CIS/PMIC:12家?

BCD/功率器件/IGBT:21家?

射頻/模數(shù)混合:5家?

SiC:8家奧松電子昇維旭廣州0.5um-0.18umMEMSDRAM深圳-方正微深圳350-500nmBCD,HV,IGBT,TVS,GaN,SiC邏輯電路、電源/模擬、混合信號(hào)/射頻、圖像傳感器等邏輯工藝鵬芯微深圳28nm/20nm鵬新旭深圳40nm/28nm深愛半導(dǎo)體英諾賽科華潤(rùn)微深圳-,,,,,,BJT

VDMOS

IGBT

FTD

TVS

GaN

SiC珠海-氮化鎵PowerIC、Mixed-Signal/RF等DRAM無(wú)錫/深圳/重慶無(wú)錫/大連無(wú)錫0.1μm及以上/40nm及以上SK海力士江蘇東晨芯聯(lián)集成榮芯半導(dǎo)體華芯杰創(chuàng)揚(yáng)杰科技士蘭微?

GaN:2家0.8-0.35um0.25μm及以上/55nm及以上90-40nmVDMOS,IGBT紹興IGBT、SJ等功率芯片,HVIC(BCD)等功率驅(qū)動(dòng)芯片?

車規(guī):4家淮安、、、、、CIS

PMIC

TDD

MOSFET/IGBT

NORFLASH

OLEDDDIC淮安90nm及以上DDIC、PMIC以及高可靠存儲(chǔ)芯片和RF芯片等分立器件芯片、MOSFET、IGBT&功率模塊、SiCBIPOLAR、CMOS、BICMOS、VDMOS、BCD揚(yáng)州-杭州0.18μm及以上/90nm及以上中國(guó)大陸晶圓廠匯總清單(二)富芯半導(dǎo)體積海半導(dǎo)體立昂微杭州杭州90-65nm模擬芯片MRAM14nm杭州-SBD,MOSFET,TVSeMRAM地域分布?

上海:9家馳拓科技瞻芯電子旺榮半導(dǎo)體同冠微杭州90/40/28nm金華-SICSBD,SICMOSFETFRD、IGBT、MOSFETFRD,SBD,MOSFET,IGBTGaN麗水0.18-0.35um蘇州0.5um?

北京:4家?

深圳:7家?

杭州:5家能華半導(dǎo)體捷捷微電三安光電聯(lián)電張家港南通--MOSFET廈門/重慶廈門/蘇州襄陽(yáng)-化合物22nm-40nm/0.5μm至110nm顯示驅(qū)動(dòng)、物聯(lián)網(wǎng)芯片IGBT臺(tái)基股份長(zhǎng)江存儲(chǔ)武漢新芯長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)晶合集成德州儀器重慶萬(wàn)國(guó)中車時(shí)代派瑞股份三星-武漢-3DNANDFLASH?蘇州:3家武漢65-40nm,

,NORFlash

CIS

Logic合肥/北京合肥-DRAM面板驅(qū)動(dòng)芯片、MCU、CIS、PMIC、AIoT等Analog55nm、150nm-90nm?

無(wú)錫:2家?

合肥:2家?

武漢:2家?

重慶:2家?

其它:20家成都-重慶-功率半導(dǎo)體芯片株洲0.35μm及以上IGBT西安-功率半導(dǎo)體分立器件西安-3DNANDFLASH燕東微北京/遂寧北京90nm及以上0.25um-1um-MOSFET、IGBT、CMOS、MEMS、硅基光電子MEMSBAW賽微電子美泰公司青島芯恩青島惠科比亞迪半導(dǎo)體昕原半導(dǎo)體石家莊青島MEMS40-28nm超低功耗邏輯與嵌入式以及

RF-SOI先進(jìn)芯片SBD、MOSFET、IGBT、SiCMOSFET、IGBT、SICReRAM新型存儲(chǔ)青島濟(jì)南/寧波上海--中國(guó)大陸化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目項(xiàng)目名稱地點(diǎn)投資金額生產(chǎn)線類型產(chǎn)能進(jìn)展情況6英寸砷化鎵微波射頻芯片、氮化鎵(GaNHEMT)以及垂直腔面激光器年產(chǎn)

36萬(wàn)片

6英寸微波射頻芯立昂東芯

6英寸微波射頻芯片及器件項(xiàng)目海寧50億元2024年

12月

23日通線片及器件唐晶量子化合物半導(dǎo)體外延片項(xiàng)目西安未提及砷化鎵和磷化銦化合物半導(dǎo)體外延片未提及2024年

12月投產(chǎn)縱慧芯光半導(dǎo)體

“3英寸化合物半導(dǎo)體芯片制造項(xiàng)目”常州珠海5.5億元3英寸砷化鎵芯片和

3英寸磷化銦芯片6英寸砷化鎵晶圓合計(jì)約

5000萬(wàn)顆

/年2024年

10月封頂,預(yù)計(jì)

2025年

1月投產(chǎn)2024年調(diào)通,預(yù)計(jì)

2025年上半年大規(guī)模量產(chǎn)華芯微電子砷化鎵晶圓生產(chǎn)線未提及未提及2025年

2月

27日通線,預(yù)計(jì)

2025年四季度批量三安意法重慶

8英寸碳化硅晶圓廠重慶武漢230億元

8英寸碳化硅晶圓年產(chǎn)約

48萬(wàn)片生產(chǎn)砷化鎵襯底、磷化銦襯底、鍺片、可調(diào)先導(dǎo)化合物半導(dǎo)體研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目120億元年產(chǎn)

8英寸襯底材料

50萬(wàn)片2025年年底投產(chǎn)運(yùn)營(yíng)諧激光器鑫威源電子氮化鎵激光器芯片生產(chǎn)線武漢南昌未提及氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片未提及未提及2024年9月完成通線試產(chǎn)兆馳股份化合物半導(dǎo)體激光晶圓制造生產(chǎn)線(一期)不超過(guò)

5億元

砷化鎵、磷化銦化合物半導(dǎo)體激光晶圓2024年

12月

21日公告擬投資建設(shè)香港微電子研發(fā)院杰立方香港香港蘇州26.4億元

碳化硅及氮化鎵64.86億元

碳化硅晶圓兩條8英寸第三代半導(dǎo)體中試線年產(chǎn)24萬(wàn)片晶圓2025年內(nèi)完成安裝及調(diào)試2026年正式投產(chǎn)博世70億元10億元碳化硅功率模塊未提及2025年1月成功下線長(zhǎng)光華芯先進(jìn)化合物半導(dǎo)體光電子平臺(tái)建設(shè)項(xiàng)目士蘭集宏蘇州廈門化合物半導(dǎo)體光電芯片、器件年產(chǎn)

1億顆芯片、500萬(wàn)器件2025年建成并全面投產(chǎn)2026年一季度開始試生產(chǎn)一期項(xiàng)目總投資70億元碳化硅功率器件芯片未提及芯粵能廣州上海75億元6英寸/8英寸碳化硅年產(chǎn)24萬(wàn)片(一期)2024年12月底一期產(chǎn)線投產(chǎn)2024年啟動(dòng)產(chǎn)線調(diào)試中航紅外新一代化合物半導(dǎo)體研制基地項(xiàng)目11.6億元

銻化物晶片、探測(cè)器成像組件未提及年產(chǎn)20萬(wàn)片碳化硅襯底將包含N型碳化硅單晶襯底、2.5萬(wàn)片高純襯底及1.3噸莫桑晶體爍科晶體二期項(xiàng)目山西5.2億元碳化硅襯底2025年全面投產(chǎn)中國(guó)大陸先進(jìn)封裝產(chǎn)線項(xiàng)目名稱/企業(yè)地點(diǎn)投資額封裝類型產(chǎn)能規(guī)劃投產(chǎn)時(shí)間/計(jì)劃2024年10月投產(chǎn)2024年12月1日投產(chǎn)應(yīng)用領(lǐng)域年產(chǎn)18萬(wàn)片先進(jìn)端晶圓級(jí)集成電路封裝項(xiàng)目(二期)上海市寶山區(qū)

1.46億元晶圓級(jí)封裝年產(chǎn)12萬(wàn)片12英寸晶圓年產(chǎn)芯片10億顆先進(jìn)封裝上海易卜半導(dǎo)體扇出式異構(gòu)集成先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目山東元瓷華芯儲(chǔ)能系統(tǒng)、新能源車輛、智能設(shè)備山東省聊城市

1.1億元東莞松山湖

12.92億元湖北天門市

10.98億元扇出式異構(gòu)集成封裝晶圓級(jí)封測(cè)晶圓級(jí)先進(jìn)封測(cè)制造項(xiàng)目佰維存儲(chǔ)第一階段月產(chǎn)能2萬(wàn)片12寸晶圓

2024年進(jìn)入實(shí)施階段

移動(dòng)消費(fèi)電子、AI、物聯(lián)網(wǎng)年產(chǎn)100萬(wàn)平米芯片板級(jí)封裝基板項(xiàng)目-沃格光電板級(jí)封裝基板年產(chǎn)100萬(wàn)平米月產(chǎn)200萬(wàn)顆2024年下半年量產(chǎn)2022年12月試產(chǎn)2025年1月已投產(chǎn)2021年已投產(chǎn)MicroLED、半導(dǎo)體封測(cè)服務(wù)器、AI芯片、智能駕駛CPU、GPU、云計(jì)算FCBGA封裝基板項(xiàng)目興森科技通富超威蘇州FCBGA新基地項(xiàng)目華天科技昆山晶圓級(jí)先進(jìn)封裝項(xiàng)目珠海市江蘇蘇州江蘇昆山12億元FCBGA高階封裝基板FCBGA高端封測(cè)34.5億元一期晶圓測(cè)試2.8萬(wàn)片/月未公開未公開

晶圓級(jí)封裝(全自動(dòng)化產(chǎn)線)汽車電子、AI芯片晶圓廠布局?

目前在上海、北京、天津、深圳建有三座8英寸晶圓廠和四座12英寸晶圓廠。8英寸晶圓月產(chǎn)能為45萬(wàn)片,12英寸晶圓月產(chǎn)能為25萬(wàn)片;?

中芯京城:計(jì)劃投資76億美元,建設(shè)新的12英寸晶圓廠,28納米及以上;?

中芯深圳:計(jì)劃每月約4萬(wàn)片12英寸晶圓的產(chǎn)能,重點(diǎn)生產(chǎn)28納米及以上;?

中芯西青:計(jì)劃投資75億美元,建設(shè)月產(chǎn)能為10萬(wàn)片的12英寸晶圓生產(chǎn)線;?

中芯東方:計(jì)劃投資約88.7億美元,建設(shè)10萬(wàn)片/月的12英寸晶圓產(chǎn)線。?

2024年?duì)I收達(dá)到80億美元,2025/2026年的資本支出約為56億美元;?

預(yù)計(jì)2026年,產(chǎn)能有望提升至117萬(wàn)片/月。長(zhǎng)電科技封裝產(chǎn)能和擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃長(zhǎng)電科技的封測(cè)生產(chǎn)基地分布在中國(guó)、韓國(guó)及新加坡,具體包括:?

江陰和紹興:主要是先進(jìn)封裝產(chǎn)線,2024年預(yù)計(jì)投資60億元,主要用于先進(jìn)封裝領(lǐng)域,產(chǎn)能每年可達(dá)2.4萬(wàn)片;XDFOIChiplet高密度多維異構(gòu)集成系列工藝已進(jìn)入穩(wěn)定量產(chǎn)階段,涵蓋2D、2.5D、3D集成技術(shù);?

滁州和宿遷:主要負(fù)責(zé)功率器件的封裝測(cè)試;?

新加坡工廠:主要負(fù)責(zé)Fan-outWLP封裝;?

上海工廠:主要生產(chǎn)fcCSP、Bumping;?

長(zhǎng)電韓國(guó):在韓國(guó)建設(shè)新工廠及研發(fā)中心,主要負(fù)責(zé)高端SiP產(chǎn)品生產(chǎn);?

長(zhǎng)電汽車電子:在上海臨港建設(shè)工廠,主營(yíng)車載芯片等各類型封裝產(chǎn)品。晶圓級(jí)微系統(tǒng)集成高端制造項(xiàng)目?

總投資100億元,一期已于2024年竣工投產(chǎn),聚焦2.5D/3D晶圓級(jí)封裝技術(shù),達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)能達(dá)60億顆高端芯片,主要服務(wù)于高性能計(jì)算和AI領(lǐng)域。通富微電封裝產(chǎn)能和擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃?

AMD深度綁定:承接AMD約70%-80%的封測(cè)訂單,2024年合作范圍擴(kuò)展至“bumping+CP+封裝+測(cè)試”全流程,支持5nm工藝研發(fā)。?

聚焦于HPC、AI、5G通信、存儲(chǔ)器等領(lǐng)域,核心先進(jìn)封裝技術(shù)包括:????多層堆疊封裝:如2.5D/3D晶圓級(jí)封裝,支持AI芯片的高密度集成;面板級(jí)封裝(FOPLP):通過(guò)方形基板提升芯片封裝效率,降低成本,適用于大尺寸芯片;Chiplet封裝:開發(fā)Cornerfill、CPB等工藝,增強(qiáng)芯片可靠性,16層堆疊產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn);FCBGA/FCCSP:用于服務(wù)器和客戶端大尺寸高算力產(chǎn)品。?

2024-2025年擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃????南通蘇錫通先進(jìn)封測(cè)項(xiàng)目:總投資35.2億元,2024年10月開工,覆蓋高性能計(jì)算、AI、網(wǎng)絡(luò)通信等領(lǐng)域。通富通達(dá)先進(jìn)封測(cè)基地(南通):總投資75億元,2024年9月開工,聚焦多層堆疊、倒裝、圓片級(jí)和面板級(jí)封裝。通富通科Memory二期項(xiàng)目:月產(chǎn)能提升15萬(wàn)片晶圓,投資1.6億元用于嵌入式FCCSP、uPOP等高端存儲(chǔ)器產(chǎn)品。其他區(qū)域布局:馬來(lái)西亞檳城工廠擴(kuò)產(chǎn),配合AMD等客戶需求,提升AI芯片封測(cè)產(chǎn)能;滁州廣泰股權(quán)收購(gòu),間接持股全球前五的引線框架供應(yīng)商AAMI,增強(qiáng)供應(yīng)鏈穩(wěn)定性。華天科技封裝產(chǎn)能和擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃?

在全球擁有9座工廠,分別位于天水、西安、江蘇、南京、昆山、上海、韶關(guān)、成都、馬來(lái)西亞,其中最近投資項(xiàng)目包括:???南京浦口先進(jìn)封測(cè)基地:一期于2020年7月投產(chǎn),2024年9月啟動(dòng)的二期項(xiàng)目計(jì)劃投資100億元,2028年全面建成,重點(diǎn)布局存儲(chǔ)、射頻、算力及AI芯片的先進(jìn)封裝。盤古半導(dǎo)體封測(cè)項(xiàng)目:總投資30億元,預(yù)計(jì)2026年全面投產(chǎn),聚焦板級(jí)封裝技術(shù)(如FOPLP)開發(fā),目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域包括高性能計(jì)算和汽車電子。汽車電子產(chǎn)品線:2024年10月投資48億元啟動(dòng)汽車電子產(chǎn)品生產(chǎn)線升級(jí)項(xiàng)目,建成后QFP封裝產(chǎn)能可達(dá)10KK/天,目標(biāo)服務(wù)新能源汽車及智能駕駛領(lǐng)域。?

eSinC2.5D封裝技術(shù)平臺(tái)???硅轉(zhuǎn)接板芯粒系統(tǒng)SiCS扇出芯粒系統(tǒng)FoCS橋聯(lián)芯粒系統(tǒng)BiCS。近五年大陸主要晶圓廠項(xiàng)目及其進(jìn)展項(xiàng)目/企業(yè)深圳地點(diǎn)深圳深圳深圳投資額23.5億美元一期220億元未披露制程/技術(shù)節(jié)點(diǎn)28nm及以上產(chǎn)能規(guī)劃月產(chǎn)能4萬(wàn)片投產(chǎn)/進(jìn)展時(shí)間2022年啟動(dòng),2024年投產(chǎn)2024年12月通線2024年Q1試產(chǎn)應(yīng)用領(lǐng)域顯示驅(qū)動(dòng)、電源管理芯片汽車電子、新能源、工業(yè)控制DRAM存儲(chǔ)芯片潤(rùn)鵬半導(dǎo)體40nm以上模擬特色工藝28nm切入年產(chǎn)48萬(wàn)片12英寸晶圓(滿產(chǎn))總規(guī)劃14萬(wàn)片/月昇維旭廣州增芯科技

廣州增城一期70億元75億元55-130nm月產(chǎn)能2萬(wàn)片(2025年底目標(biāo))年產(chǎn)24萬(wàn)片(一期)新增月產(chǎn)能4萬(wàn)片,總達(dá)8萬(wàn)片/月總產(chǎn)能5萬(wàn)片/月2024年6月通線2024年底達(dá)產(chǎn)MEMS傳感器、模擬芯片、ASIC車規(guī)級(jí)碳化硅芯片芯粵能粵芯半導(dǎo)體三期北電集成廣州廣州北京北京天津上海無(wú)錫溫州6英寸/8英寸碳化硅180-90nm162.5億元總投資330億元一期76億美元500億元2024年12月通線計(jì)劃2026年底量產(chǎn)2024年完工工業(yè)級(jí)和車規(guī)級(jí)模擬芯片顯示驅(qū)動(dòng)、數(shù)?;旌?、嵌入式MCU邏輯IC、高性能計(jì)算模擬、

功率芯片28-55nmHV/MS/RF等28nm及以上中芯京城月產(chǎn)能10萬(wàn)片(一期)產(chǎn)能10萬(wàn)片/月中芯西青28納米

-180納米28納米及以上/中芯東方576億元規(guī)劃產(chǎn)能10萬(wàn)片/月月產(chǎn)能8.3萬(wàn)片2023年投產(chǎn),2027年底達(dá)產(chǎn)2024年12月投片2024年12月投片/華虹無(wú)錫二期星曜半導(dǎo)體67億美元7.5億元65/55-40nm車規(guī)級(jí)芯片、電源管理、功率器件消費(fèi)電子高性能射頻濾波器晶圓片年產(chǎn)

12萬(wàn)片大陸先進(jìn)封裝計(jì)劃項(xiàng)目(一)項(xiàng)目名稱/企業(yè)地點(diǎn)江蘇江陰投資額100億元30億元34.5億元未公開封裝類型2.5D/3D晶圓級(jí)封裝產(chǎn)能規(guī)劃投產(chǎn)時(shí)間/計(jì)劃2025年即將竣工投產(chǎn)計(jì)劃2026年全面投產(chǎn)一期2025年1月投產(chǎn)2024年6月產(chǎn)線通線2024年8月主體封頂計(jì)劃2025年全面投產(chǎn)預(yù)計(jì)2025年上半年投產(chǎn)前期推進(jìn)中應(yīng)用領(lǐng)域長(zhǎng)電微電子晶圓級(jí)微系統(tǒng)集成高端制造項(xiàng)目一期年產(chǎn)60億顆高端芯片世界首條全自動(dòng)板級(jí)封裝線一期晶圓測(cè)試2.8萬(wàn)片/年小批量多品種產(chǎn)線5G、人工智能、汽車電子高性能計(jì)算、通信盤古半導(dǎo)體先進(jìn)封測(cè)項(xiàng)目(華天科技)通富超威蘇州新基地項(xiàng)目南京浦口板級(jí)封裝(FOPLP)FCBGA高端封測(cè)蘇州工業(yè)園區(qū)無(wú)錫CPU、GPU、云計(jì)算紫光國(guó)微無(wú)錫高可靠性芯片封裝項(xiàng)目芯德科技揚(yáng)州晶圓級(jí)芯粒封裝基地松山湖佰維存儲(chǔ)晶圓級(jí)封測(cè)項(xiàng)目芯植微電晶圓級(jí)先進(jìn)封裝項(xiàng)目鄭州新密市半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園2.5D/3D封裝、塑料/陶瓷封裝2.5D/3D、FCBGA等晶圓級(jí)封裝(Bumping/RDL)Bumping、RDL、TSV第三代半導(dǎo)體碳化硅封裝Chiplet異構(gòu)集成高可靠性芯片、軍工/航天5G、射頻前端、高性能運(yùn)算高帶寬存儲(chǔ)、AI芯片三期目標(biāo)2025年一季度規(guī)模生揚(yáng)州江都未公開產(chǎn)一期8萬(wàn)片/年,二期2025年全東莞松山湖嘉興南湖30.9億元15億元150億元30億元10億元未公開面投產(chǎn)一期12萬(wàn)片/年,二期72萬(wàn)片/年全產(chǎn)業(yè)鏈布局(材料到封測(cè))一期200萬(wàn)顆/年,二期擴(kuò)展年產(chǎn)3600萬(wàn)顆基板未公開顯示驅(qū)動(dòng)芯片、AI/車規(guī)芯片功率芯片、新能源汽車鄭州新密AI芯片(GPU/CPU)、汽車電齊力半導(dǎo)體Chiplet封裝項(xiàng)目紹興柯橋一期2025年啟用子奧芯半導(dǎo)體FC-BGA基板項(xiàng)目江蘇太倉(cāng)FC-BGA高階封裝基板車規(guī)級(jí)封裝(碳化硅模塊)板級(jí)封裝(FOPLP)車規(guī)級(jí)封裝2025年2月首條產(chǎn)線開通計(jì)劃2026年投入使用計(jì)劃2026年全面投產(chǎn)預(yù)計(jì)2026年高性能計(jì)算、服務(wù)器汽車電子、智能駕駛長(zhǎng)電科技上海臨港車規(guī)級(jí)芯片封測(cè)基地華天科技盤古半導(dǎo)體FOPLP項(xiàng)目長(zhǎng)電科技

車規(guī)級(jí)芯片先進(jìn)封裝旗艦工廠通富微電

通富超威蘇州新基地項(xiàng)目上海臨港南京浦口30億元未明確世界首條全自動(dòng)產(chǎn)線未明確高性能計(jì)算、通信上海臨港汽車電子(ADAS、電驅(qū)等)CPU、GPU、云計(jì)算江蘇蘇州工業(yè)園區(qū)75億元FCBGA高端先進(jìn)封裝未明確2025年1月大陸先進(jìn)封裝計(jì)劃項(xiàng)目(二)高性能計(jì)算、AI等領(lǐng)域先進(jìn)封通富微電

南通先進(jìn)封測(cè)項(xiàng)目華天科技

盤古半導(dǎo)體先進(jìn)封測(cè)項(xiàng)目華天科技

南京新項(xiàng)目江蘇南通蘇錫通科技產(chǎn)業(yè)園江蘇南京浦口開發(fā)區(qū)江蘇南京35.2億元30億元未明確未明確2024年10月開工2026年高性能計(jì)算、AIAI、5G、高性能計(jì)算未明確裝FOPLP(扇出型面板級(jí)封裝)計(jì)劃投資50億元1.25億元(中央財(cái)政支持)未明確未明確未明確未明確晶方科技

MEMS傳感器芯片先進(jìn)封裝江蘇蘇州晶圓級(jí)TSV、扇出型封裝晶圓級(jí)TSV技術(shù)未明確未明確影像傳感器、汽車電子高性能計(jì)算、AI測(cè)試平臺(tái)項(xiàng)目晶方科技

Chiplet技術(shù)研發(fā)未明確未明確未明確深科技(沛頓科技)

合肥沛頓存儲(chǔ)芯片封測(cè)項(xiàng)目安徽合肥100億元FlipChip、TSV未明確2024年部分投產(chǎn)2025年下半年未明確存儲(chǔ)芯片(DRAM、NAND)高性能計(jì)算、AI、汽車電子甬矽電子

多維異構(gòu)先進(jìn)封裝技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目浙江寧波14.6億元2.5D/3D封裝、Fan-OutBGA、Flip-Chip、SiP覆晶封裝(COG/COF)年產(chǎn)9萬(wàn)片晶圓未明確氣派科技

先進(jìn)封裝技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目汽車電子、5G、第三代半導(dǎo)廣東東莞2億元(研發(fā)階段)12億元體匯成股份12寸顯示驅(qū)動(dòng)芯片封測(cè)擴(kuò)能項(xiàng)目安徽合肥、江蘇揚(yáng)州江蘇無(wú)錫、南京未明確2024年部分投產(chǎn)未明確AMOLED、硅基OLEDAI、車規(guī)級(jí)芯片偉測(cè)科技

無(wú)錫/南京集成電路測(cè)試基高端芯片測(cè)試、高可靠性測(cè)試11.75億元(可轉(zhuǎn)債募資)未明確地項(xiàng)目先進(jìn)封裝(復(fù)雜芯片封裝方銳杰微

銳杰微科技集團(tuán)總部基地(蘇州)未明確(覆蓋200+科研院所江蘇蘇州高新區(qū)18億元11億元案設(shè)計(jì)、規(guī)?;庋b加工制

年產(chǎn)1080萬(wàn)只大顆高端芯片2025年開業(yè)及高端客戶)造)江蘇芯德

南京芯德科技封裝產(chǎn)線升級(jí)項(xiàng)目未明確(聚焦高性能計(jì)算、AI江蘇南京浦口區(qū)廣東珠海高新區(qū)江蘇無(wú)錫高新區(qū)浙江海寧經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)江蘇江陰高新區(qū)年產(chǎn)值8億元2025年部分投產(chǎn)未明確(服務(wù)超200家客戶)等領(lǐng)域)珠海天成

12英寸晶圓級(jí)TSV立體集未明確(一期總投資約10億

TSV立體集成(2.5D/3D多芯

一期年產(chǎn)24萬(wàn)片,二期擴(kuò)至人工智能、自動(dòng)駕駛、高性能計(jì)算2024年12月一期投產(chǎn)成生產(chǎn)線元)片集成)60萬(wàn)片/年華進(jìn)半導(dǎo)體

無(wú)錫華進(jìn)半導(dǎo)體三維異質(zhì)異構(gòu)系統(tǒng)集成(三期)項(xiàng)目未明確(2025年江蘇省重大

國(guó)家集成電路特色工藝及封未明確(新增用地105畝)三維異質(zhì)異構(gòu)系統(tǒng)集成年產(chǎn)值近30億元項(xiàng)目清單)裝測(cè)試創(chuàng)新中心技術(shù)支持芯盟科技

芯盟高等級(jí)功率半導(dǎo)體廠房項(xiàng)目人工智能芯片(全球首款異構(gòu)集成單芯片已研發(fā)成功)5100萬(wàn)元未明確(聚焦AI芯片研發(fā))未明確預(yù)計(jì)2025年1月竣工盛合晶微

超高密度三維多芯片互聯(lián)集成加工項(xiàng)目三維多芯片集成(亞微米級(jí)

月產(chǎn)4000片(12英寸)三維

未明確(2024年12月融資交TSV技術(shù))

封裝產(chǎn)品

割)7億美元(新增定向融資)高性能計(jì)算、AI、汽車電子TGV和玻璃基板封裝產(chǎn)線項(xiàng)目項(xiàng)目名稱/企業(yè)地點(diǎn)投資額封裝類型產(chǎn)能規(guī)劃投產(chǎn)時(shí)間/計(jì)劃應(yīng)用領(lǐng)域2027年:深寬比20:1,封裝尺寸110×110mm,細(xì)微間距8/8μm;<br>2029年:封裝尺寸120×120mm以上,間距5/5μm以內(nèi)。江西新余、湖北天門、重慶玻璃基板封裝(高深寬比TGV、RDL異構(gòu)集成)京東方(BOE)約50億元(天門項(xiàng)目)2026年啟動(dòng)量產(chǎn)AI芯片、CPU/GPU、高端智能終端一期:年產(chǎn)10萬(wàn)平米芯片板級(jí)12.16億元(一期投資52023年小批量試產(chǎn),2024年

Mini/MicroLED顯示、CPO光模塊、射頻前沃格光電湖北天門安徽合肥TGV玻璃通孔技術(shù)(多層線路設(shè)計(jì))

封裝載板;<br>最終目標(biāo):年產(chǎn)100萬(wàn)平米玻璃基板。億元)量產(chǎn)端激光誘導(dǎo)刻蝕工藝,孔徑<20μm;<br>高真空晶圓級(jí)封裝,漏率低至10?12mbar·L/s。玻璃通孔(TGV)技術(shù),支持2.5D/3D集成2023年啟動(dòng)(潔凈室及設(shè)備合肥中科島晶未公開未公開射頻芯片、MEMS傳感器、毫米波已建成)研發(fā)高深寬比TGV晶圓,性能對(duì)標(biāo)國(guó)際廠商(如肖特、康

研發(fā)階段(與合肥中科島晶合中科院微電子所/合肥研究院北京、合肥玻璃中介層(Interposer)高性能計(jì)算、存算一體芯片寧);<br>支持5G/6G高頻芯片3D封裝需求。作中試)云天半導(dǎo)體五方光電福建廈門湖北天門珠海未公開未公開10玻璃通孔(TGV)封裝TGV玻璃通孔項(xiàng)目玻璃基板級(jí)封裝載板TGV工藝裝備月產(chǎn)能超1萬(wàn)片(12英寸晶圓)持續(xù)送樣及量產(chǎn)線調(diào)試規(guī)劃月產(chǎn)能10000㎡+年產(chǎn)150套2022年量產(chǎn)未明確射頻前端模組、濾波器未明確京東方2025年計(jì)劃量產(chǎn)2025年計(jì)劃AI芯片及數(shù)據(jù)中心江西沃格光電南潯12MicroLED顯示、半導(dǎo)體先進(jìn)封裝載板晶圓級(jí)三維封裝(WLP)、2.5D/3D廈門云天半導(dǎo)體廈門未明確未明確未明確生物醫(yī)學(xué)、AI芯片轉(zhuǎn)接板湖北通格微奕成科技深光谷科技通富微電扇芯集成湖北天門上海未明確未明確未明確未明確未明確TGV玻璃基多層精密線路板板級(jí)高密FOMCM平臺(tái)月產(chǎn)8萬(wàn)片金屬凸塊未明確未明確2024年10月未明確三維封裝高性能計(jì)算、AI深圳晶圓級(jí)TGV光電Interposer工藝玻璃基板封裝技術(shù)儲(chǔ)備未明確硅光、鈮酸鋰光模塊封裝高性能計(jì)算、AI芯片MiniLED南通未明確未明確上海FOPLP玻璃基板封裝工藝未明確未明確晶洲長(zhǎng)三角TGV項(xiàng)目蘇州晶洲裝備南潯12TGV工藝裝備年產(chǎn)150套2025年簽約N/A玻璃基板PVD鍍膜項(xiàng)目安徽越好電子南潯廣東3PVD玻璃基板鍍膜設(shè)備TGV3.0技術(shù)未明確未明確未明確未明確玻璃基板制造三疊紀(jì)

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