電子級砷化氫標(biāo)準(zhǔn)修訂立項(xiàng)報(bào)告：目的意義、范圍與主要技EnglishTitle:AnalysisonContentoftheRevisionProjectforElectronicArsineGasStandard摘要隨著我國集成電路與泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向高精度、微型化方向快速發(fā)展，高純電子氣體作為關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，其質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)亟需與技術(shù)演進(jìn)和市場應(yīng)用相匹配。本報(bào)告圍繞電子級砷化氫(Arsine,AsH?)國家標(biāo)準(zhǔn)的修訂立項(xiàng)，系統(tǒng)闡述了其目的意義、適用范圍及主要技術(shù)修訂內(nèi)容。砷化氫廣泛用于半導(dǎo)體摻雜、外延生長等核心工藝環(huán)節(jié)，其純度直接影響到集成電路的性能與良率?，F(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T14699-2010已實(shí)施超過十年，在氣體純度指標(biāo)、雜質(zhì)檢測方法、安全規(guī)范等方面已難以滿足當(dāng)前7nm及以下先進(jìn)制程工藝的要求。本次修訂旨在通過提升技術(shù)指標(biāo)、完善檢測方法和強(qiáng)化安全規(guī)范，為我國電子氣體行業(yè)提供技術(shù)依據(jù)，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量自主發(fā)展，增強(qiáng)國際競爭力，服務(wù)國家半導(dǎo)體戰(zhàn)略安全。關(guān)鍵詞電子氣體；砷化氫；標(biāo)準(zhǔn)修訂；高純氣體；半導(dǎo)體材料；雜質(zhì)檢測；技術(shù)規(guī)范Keywords:ElectronicGas;Arsine;StandardRevisSemiconductorMaterial;ImpurityDetection;Techn電子級砷化氫是一種在集成電路制造、化合物半導(dǎo)體外延和光電材料生長中不可或缺的高純特種氣體。隨著半導(dǎo)體器件尺寸不斷縮小、集成密度持續(xù)提高，對氣體純度、雜質(zhì)控制及分析精度提出了前所未有的高要求。我國正在積極推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主化進(jìn)程，高純電子氣體作為“卡脖子”關(guān)鍵材料之一，其標(biāo)準(zhǔn)體系的完善對產(chǎn)業(yè)鏈安全具有重大意義。本次對《電子級砷化氫》國家標(biāo)準(zhǔn)(GB/T14699)的修訂，正是在這一背景下提出的重要標(biāo)準(zhǔn)化工作。二、立項(xiàng)目的與意義砷化氫在集成電路制造中主要用于n型摻雜和金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)工藝中，其純度水平直接影響器件電學(xué)性能和可靠性。作為國家鼓勵(lì)發(fā)展的高技術(shù)產(chǎn)品，砷化氫被列入《“十四五”推動(dòng)高質(zhì)量發(fā)展的國家標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)規(guī)劃》與《重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄(2019年版)》,屬于重點(diǎn)支持的“電子化工新材料”中的特種氣體。近年來，我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)迭代顯著加速，晶圓尺寸從8英寸邁向12英寸，制程節(jié)點(diǎn)由14nm推進(jìn)到7nm、5nm甚至更小尺寸。這一趨勢對砷化氫氣體的雜質(zhì)含量、配氣精度和分析方法提出了更為苛刻的要求。然而，現(xiàn)行國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T14699-2010已發(fā)布實(shí)施12年，其技術(shù)指標(biāo)和試驗(yàn)方法明顯滯后，無法適應(yīng)當(dāng)前高1.提升氣體產(chǎn)品的技術(shù)指標(biāo)，滿足先進(jìn)集成電路制造對超高純度氣體的需求；2.完善雜質(zhì)檢測體系，增加對乙烷、乙烯、鍺烷等關(guān)鍵雜質(zhì)的定量分析方法；3.規(guī)范安全生產(chǎn)與運(yùn)輸要求，強(qiáng)化全生命周期管理；4.增強(qiáng)我國在高純電子氣體領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)話語權(quán)，支持國產(chǎn)材料替代進(jìn)口，提升自三、范圍與主要技術(shù)內(nèi)容本標(biāo)準(zhǔn)適用于以粗制砷化氫為原料經(jīng)純化處理后獲得的電子級砷化氫產(chǎn)品，規(guī)定其技術(shù)要求、檢驗(yàn)規(guī)則、試驗(yàn)方法以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存等全流程要求。本標(biāo)準(zhǔn)主要面向半導(dǎo)體制造、氣體生產(chǎn)與檢測單位使用。2.主要技術(shù)修訂內(nèi)容本次修訂是對GB/T14699-2010的全面升級，主要變更包括：一標(biāo)準(zhǔn)名稱與結(jié)構(gòu)優(yōu)化：更新標(biāo)準(zhǔn)名稱，結(jié)構(gòu)調(diào)整更契合現(xiàn)代標(biāo)準(zhǔn)體系；-更新規(guī)范性引用文件：援引最新版本的國家標(biāo)準(zhǔn)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，確保技術(shù)協(xié)調(diào)性；一新增“術(shù)語和定義”章節(jié)：明確關(guān)鍵概念，避免執(zhí)行歧義；-提高技術(shù)指標(biāo)：調(diào)整氣體純度、雜質(zhì)限值等核心指標(biāo)，適應(yīng)先進(jìn)制程需要；一修訂采樣與純度計(jì)算方法：提升樣本代表性和結(jié)果準(zhǔn)確性；-更新氧+氬、氮、一氧化碳、二氧化碳、甲烷、磷化氫的測定方法；一新增乙烷、乙烯、鍺烷、硅烷、硫化氫的含量測定方法；-改進(jìn)金屬雜質(zhì)檢測方法，刪除不再適用的顆粒物檢測條款；-完善檢驗(yàn)規(guī)則：明確抽樣方案、判定規(guī)則與質(zhì)量一致性要求；-強(qiáng)化安全信息：補(bǔ)充砷化氫的毒理學(xué)性質(zhì)、泄漏處理、應(yīng)急措施等安全附錄(附一刪除陳舊附錄：去除2010版中已不適用的附錄A和B,新增參考文獻(xiàn)列表，體現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)制定的科學(xué)性與透明度。四、主要參與單位介紹本次標(biāo)準(zhǔn)修訂工作由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203)主導(dǎo)，并聯(lián)合中國電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)、國內(nèi)領(lǐng)先電子氣體生產(chǎn)企業(yè)(如中船重工第七一八研究所、廣東華特氣體股份有限公司等)、集成電路制造企業(yè)及檢測機(jī)構(gòu)共同完成。該標(biāo)委會(huì)長期致力于我國半導(dǎo)體領(lǐng)域材料與設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)的制修訂工作，具有較強(qiáng)的行業(yè)代表性和技術(shù)權(quán)威性，能夠確保標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容的先進(jìn)性、實(shí)用性和可操作性。五、結(jié)論與展望電子級砷化氫標(biāo)準(zhǔn)的修訂是我國半導(dǎo)體材料標(biāo)準(zhǔn)體系完善過程中的重要一環(huán)。通過本次修訂，不僅能夠顯著提升砷化氫產(chǎn)品的質(zhì)量水平，更將推動(dòng)國產(chǎn)高純氣體在國際市場上的競爭力，助力實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體關(guān)鍵材料的自主可控。未來，隨著第三代半導(dǎo)體、微顯示、光伏等泛半導(dǎo)體領(lǐng)