2025北京高三二模化學(xué)匯編

晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)章節(jié)綜合

一、單選題

1.(2025北京昌平高三二模)學(xué)習(xí)小組為探究Co(II)、Co(III)能否催化H?。？的分解及相關(guān)性質(zhì)，室溫下

進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。下列說法不正確的是

實(shí)驗(yàn)i實(shí)驗(yàn)ii實(shí)驗(yàn)iii

?

—1mL30%HO一實(shí)驗(yàn)i所得溶液

22Jk6mL1mol/LC0SQ4

―16mL4moi/LCOHCO3奉—16mL4mol/LCoHC0

二一"6mLlmol/LCoSO13

41

J

粉紅色溶液，無明顯變化溶液變?yōu)榧t色，伴有氣泡產(chǎn)生溶液變?yōu)槟G色，并持續(xù)產(chǎn)生氣體

資料:

①[Co(CC>3)3『可催化H?。？的分解。

②

[CO(HO)]2+[CO(HO)]3+了

2626[Cog)[Co(CO3)j"

溶液顏色粉紅色藍(lán)色紅色墨綠色

A.實(shí)驗(yàn)i表明[co(Hq)6「不能催化H202的分解。

B.實(shí)驗(yàn)適中，可能是仁。(凡0)6『與發(fā)生氧化還原反應(yīng)

C.實(shí)驗(yàn)ii、適中的氣體成分相同

D.以上實(shí)驗(yàn)證明，配體的種類影響Co(II)的還原性

2.(2025北京昌平高三二模)下列化學(xué)用語或表述正確的是

A.中子數(shù)為20的氯原子：尚ClB.硫原子的原子結(jié)構(gòu)示意圖：《項(xiàng)》8

C.凡的共價(jià)鍵類型：s-sb鍵D.金屬鎂的晶體類型：離子晶體

3.(2025北京昌平高三二模)下列關(guān)于物質(zhì)性質(zhì)比較或事實(shí)分析正確的是

選項(xiàng)物質(zhì)性質(zhì)比較或事實(shí)原因分析

A2C+SiO2=Si+2COf非金屬性：C>Si

B熔沸點(diǎn)：鄰羥基苯甲醛〈對羥基苯甲醛鄰羥基苯甲醛能形成氫鍵

c在水中溶解度：CO?〈乙醇CO?相對分子質(zhì)量較小

D硬度：金剛石〉晶體硅原子半徑：C<Si,因此共價(jià)鍵鍵能：C-C>Si-Si

A.AB.BC.CD.D

4.（2025北京昌平高三二模）六方氮化硼晶體俗稱“白石墨”，與石墨具有類似的結(jié)構(gòu)，部分結(jié)構(gòu)如圖所

示。下列說法不正確的是

2s2p

B.基態(tài)B原子的價(jià)層電子的軌道表示式:|T||t|t

C.六方氮化硼中硼原子為sp2雜化

D.六方氮化硼晶體中存在范德華力

5.（2025北京東城高三二模）已知X、Y、Z、W是原子序數(shù)依次增大的前四周期元素，其基態(tài)原子的結(jié)

構(gòu)信息如下。

元素XYZW

結(jié)構(gòu)價(jià)層電子排布2p能級有3有16個(gè)不同運(yùn)最外層有1個(gè)電子，內(nèi)層原

信息為nsnnpn個(gè)單電子動狀態(tài)的電子子軌道全部排滿電子

下列說法正確的是

A.電負(fù)性：X>YB.第一電離能：Y>Z

C.X和Z的所有單質(zhì)均為分子晶體D.W的最高價(jià)氧化物對應(yīng)的水化物為強(qiáng)堿

6.（2025北京海淀高三二模）SiO?氣凝膠材料疏松多孔，具有三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，可用于航天器、新能源汽車

電池的隔熱和阻燃。SiO2氣凝膠的結(jié)構(gòu)示意圖如下。

XzO-Sk

E%

…表示鏈延長

下列說法不正確的是

A.Si。?晶體屬于共價(jià)晶體B.Si。?晶體具有較高的硬度和熔點(diǎn)

c.SiOz氣凝膠材料的密度大于SiOz晶體的D.兩種物質(zhì)中均有Si、。原子間的b鍵

7.(2025北京海淀高三二模)下列依據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)作出的推斷中，正確的是

A.依據(jù)離子半徑：Br-<j-,可推斷結(jié)構(gòu)相似的晶體的熔點(diǎn)：NaBr>NaI

B.依據(jù)元素的電負(fù)性：C<N<F,可推斷分子極性：CF,>NF3

C.依據(jù)分子中羥基的數(shù)目，可推斷HC^CHjCH。在水中的溶解度大于葡萄糖的

D.依據(jù)元素的第一電離能：Mg>Al,可推斷單質(zhì)的還原性：Mg>Al

8.(2025北京西城高三二模)中國科學(xué)家成功合成了一種非線性光學(xué)晶體氟硼鋁酸鈉(CSAIBJOGF),其在

精密測量領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用價(jià)值。下列說法不IE卿的是

A.元素的電負(fù)性：B<O<F

B.基態(tài)氧原子的核外電子有8種運(yùn)動狀態(tài)

C.Cs是第六周期中原子半徑最小的主族元素

D.X射線衍射實(shí)驗(yàn)可測定氟硼鋁酸飽晶體的結(jié)構(gòu)

二、解答題

9.(2025北京豐臺高三二模)氮元素及其化合物在各領(lǐng)域中應(yīng)用廣泛。

(1)基態(tài)N原子核外電子軌道表示式是。

(2)丁二酮月虧可用于檢驗(yàn)溶液中的Ni?+,原理如圖。

cH

CH,—C—C—CH,3

.

IIIIC

I

2NNC

/\CH

HO0H3

丁二酮的二(丁二酮胎)合鎮(zhèn)

①丁二酮月虧中N原子的雜化軌道類型是0

②二(丁二酮月虧)合保為非極性分子，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，含有共價(jià)鍵、配位鍵、氫鍵等作用力，請?jiān)趫D中方框內(nèi)補(bǔ)

全其結(jié)構(gòu)o

(3)乙二胺(用“en”表示)可用于電鍍銀工藝。向NiSO,電解液中加入乙二胺，可將Ni?+轉(zhuǎn)化為[NKen%]”，

使得電解時(shí)Ni?+放電速率緩慢且平穩(wěn)，得到的鍍層更加致密、細(xì)膩，原因是。

(4)氮化鈦(TiN)是一種優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)材料，晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。

?Ti

ON

①與每個(gè)Ti原子等距且緊鄰的Ti原子數(shù)目是o

②已知，晶體密度為pg-cm-3,阿伏加德羅常數(shù)為NA。該晶胞邊長為cm（列出計(jì)算式）。

③碳化鈦（TiC）與TiN晶胞結(jié)構(gòu)類似，且均為過渡晶體，其中所含離子鍵百分?jǐn)?shù)更大的是（填“TiC”

或“TiN”）。

10.（2025北京朝陽高三二模）氮及其化合物在能源領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。

（1）電非常穩(wěn)定，通常只能與電離能小的Li、Mg等金屬元素形成離子型化合物。

①基態(tài)N原子價(jià)層電子排布式為。

②NN、MgsM在水中均能產(chǎn)生N&。NH3分子的空間結(jié)構(gòu)為三角錐形，解釋原因：o

（2）我國科學(xué)家成功合成五氮陰離子鹽：（2）6（凡0）3（q4）4。（%可表示為點(diǎn)&）》），局部結(jié)構(gòu)示意圖如

下所示。

H

尸奴H

z/N'H

I一\---H號-H

N%出

H

+/

H#、H

①H3O+中O和NH；中N均為sp3雜化，比較H3O+中H-O-H鍵角和NH：中H-N-H鍵角大小并解釋原

因：。

②NH：對于的穩(wěn)定存在有重要作用。NH：與N：的作用力類型有o

⑶通過MgsN?、MgO與Mg的循環(huán)轉(zhuǎn)化，可實(shí)現(xiàn)由N”凡0與CH&合成NH,、CO與HZ。合成過程與

Mg、MgO的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如下。

Mg的晶胞MgO的晶胞

①若Mg和MgO的晶胞體積分別為Vjim?和v2nm3,則Mg和MgO的密度之比為

②合成NH3、CO與H2的總反應(yīng)方程式是。

11.（2025北京東城高三二模）硼氫化鈉（NaBHQ具有高理論氫含量，是優(yōu)秀的儲氫材料。

⑴制取NaBH4的反應(yīng)為4NaH+BF,=NaBH4+3NaFo該反應(yīng)不是氧化還原反應(yīng)。

①從原子結(jié)構(gòu)角度解釋B耳中B顯正價(jià)的原因：o

②比較BR中鍵角F-B-F和NaBH,中鍵角H—B-H的大小并解釋原因：

③下列說法正確的是(填序號)。

a.NaH的電子式：Na+［：H］-

b.離子半徑：Na+>H

c.BF,為極性分子

(2)NaBH4晶體的一種晶胞形狀為立方體，結(jié)構(gòu)如圖所示。

①與Na+最近且距離相等的BH］有________個(gè)。

②已知該晶胞的體積為。cm3,治為阿伏加德羅常數(shù)的值。則len?晶體中，氫元素的質(zhì)量為g

(用含NA的代數(shù)式表示)。

(3)科學(xué)家設(shè)計(jì)如下圖所示裝置，實(shí)現(xiàn)發(fā)電和制氫一體化，總反應(yīng)為：NaBH4+2H2O=NaBO2+4H2To

已知：在電場作用下，雙極膜可將H?。解離為H+和OH」，H+和OIT分別向兩極遷移。

①H2只在電極a產(chǎn)生，則b極的電極反應(yīng)式是o

②當(dāng)電極產(chǎn)生Imol比時(shí)，雙極膜解離水的物質(zhì)的量為mob

12.(2025北京海淀高三二模)我國科學(xué)家在中國空間站首次實(shí)現(xiàn)了錮硒半導(dǎo)體的微重力培養(yǎng)，錮(In)

和硒(Se)的單質(zhì)是制備錮硒半導(dǎo)體的重要原料。

(1)主族元素In原子序數(shù)為49,其位于元素周期表的________區(qū)。

(2)粗硒中主要含貓(Te)單質(zhì)等雜質(zhì)。硒與確同主族，可用氣態(tài)氫化物熱解法制備少量的高純硒，流程如

下圖。

結(jié)合元素周期律解釋該法能分離硒和不帝的原因：。

(3)氧化揮發(fā)法是制備高純硒的另一種方法。粗硒經(jīng)高溫氧化后產(chǎn)生Se。?蒸氣，Se。。冷凝后溶于水形成

H2SeO3溶液，除雜后向溶液中通入SO2可獲得高純硒。

①已知H^SeOj分子中含兩個(gè)羥基，qSeOs中Se的雜化方式為。

②向H2SeO3溶液中通入SO?時(shí)，發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為。

(4)一種錮硒半導(dǎo)體晶體的晶胞如圖，晶胞底面邊長為apm,高為cpm。

①該晶體的化學(xué)式為o

A3

②阿伏加德羅常數(shù)為N，該晶體的密度為g-cm-o(已知：1pm=10一°cm)

13.(2025北京西城高三二模)硅及其化合物在很多領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。

(1)硅原子

①基態(tài)硅原子的價(jià)層電子軌道表示式是O

②Si、P、S原子的第一電離能由小到大的順序?yàn)?/p>

(2)晶體硅

①晶體硅的熔點(diǎn)和硬度均低于金剛石，其原因是O

②一定溫度下，某體積為ven?,質(zhì)量為mg的晶體硅，其晶胞為立方體，如圖1所示，邊長為

anm(lnm=10-7cm),Si的摩爾質(zhì)量為Mg.moL,則阿伏加德羅常數(shù)"人=。

圖1

③下列能說明硅的晶體類型略向金屬晶體過渡的是。

a.硅原子之間的相互作用具有方向性和飽和性

b.硅有導(dǎo)電性，導(dǎo)電能力大于金剛石

(3)硅的含氧化合物

①二氧化硅中的硅氧四面體基本結(jié)構(gòu)單元如圖2所示，其中硅原子的雜化方式為

A?氧原子

由冷。硅原子

圖2

②自然界中的云母由片狀的硅酸根離子和片間的金屬離子構(gòu)成層狀結(jié)構(gòu)。

i.如圖3所示，每個(gè)硅氧四面體通過共用3個(gè)氧原子分別與相鄰的硅氧四面體連接，形成無限伸展的片狀

的硅酸根離子，其中硅原子和氧原子的個(gè)數(shù)比為。

14.(2025北京昌平高三二模)CoSe2因其固有的電催化活性和豐富的化學(xué)相組成成為理想的電解水催化

劑。

(1)基態(tài)C/+的價(jià)電子排布式是一。

(2)Se元素的價(jià)電子排布式是4s24P4,它在周期表中的位置是—。

(3)CoSe2的一種晶體為立方黃鐵礦型結(jié)構(gòu)，邊長為anm,晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。

(4)MOF衍生CoSe?的制備

步驟I：將含?。2+的鹽海液?。3。3『6旦0］和1,3,5-苯三炭酸(H3BTC)海解在乙二醇中，并放入反

應(yīng)釜內(nèi)加熱得到中空的Co-MOF前驅(qū)體。

步驟II：進(jìn)一步在惰性氣氛下高溫燃燒硒化，制得中空微球狀的CoSe?。

①中空的Co-MOF前驅(qū)體中Co?+與1,3,5-苯三竣酸根(BTC'」，結(jié)構(gòu)如圖所示)之間形成配位鍵，理由

是。

②在堿性條件下，2-甲基咪嗖(結(jié)構(gòu)如圖所示)優(yōu)于H3BTC制備Co-MOF前驅(qū)體；而在酸性條件下，2-甲基

咪陛的優(yōu)勢將會大大降低，降低的原因可能是一。

H3GH

2-甲兒味砰

15.(2025北京海淀高三二模)小組同學(xué)用實(shí)驗(yàn)1所示方法制備銅配合物，并探究其組成。

【實(shí)驗(yàn)1】

加入少繼續(xù)加口加入「

Q.瞥水4空水4增—

CuSC)4溶液藍(lán)色沉淀深藍(lán)色溶液藍(lán)色針狀晶體

(l)i中生成了Cu(OH)2沉淀，發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為。

2+

⑵小組同學(xué)推測ii中發(fā)生反應(yīng)：CU(OHX+4NH3H2O［CU(NH3)4］+4H2O+2OH-,藍(lán)色針狀晶體可

能含［CU(NH3)/S04或［CU(NH3)19HL

①實(shí)驗(yàn)證明藍(lán)色針狀晶體中含SO：,補(bǔ)全實(shí)驗(yàn)操作及現(xiàn)象：將洗凈后的藍(lán)色針狀晶體置于試管中，用蒸儲

水溶解,。

②將洗凈后的藍(lán)色針狀晶體溶于蒸儲水，測得溶液呈堿性。該現(xiàn)象不能說明藍(lán)色針狀晶體中含OHL原因

是。

③甲同學(xué)查閱資料發(fā)現(xiàn)，加熱時(shí)配合物中作配體的NW會逸出。他據(jù)此設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)2檢驗(yàn)藍(lán)色針狀晶體的組

成。

這樣推測的理由是O

b.實(shí)驗(yàn)后試管底部未產(chǎn)生預(yù)期的黑色固體，甲同學(xué)推斷藍(lán)色針狀晶體中不含［CU(NH3)/(OH)2。小組同

學(xué)認(rèn)為甲的推斷不嚴(yán)謹(jǐn)，從物質(zhì)性質(zhì)角度說明理由：o

(3)乙同學(xué)通過實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，按實(shí)驗(yàn)1的方案制備銅配合物時(shí)，若僅將i中的氨水換成適量NaOH溶液，只有

少量藍(lán)色沉淀溶解。實(shí)驗(yàn)1中藍(lán)色沉淀能全部溶解的原因是。

(4)結(jié)合乙的實(shí)驗(yàn)，小組同學(xué)推測藍(lán)色針狀晶體中幾乎不含［CU(NH3)/(OH)2,結(jié)合離子方程式說明理

由:。

16.(2025北京西城高三二模)以銅礦粉(主要含CuS、CuO、FeO等)和軟鎰礦粉(主要含MnO?)為原料聯(lián)

合制備CuCl和MnCO3的一種工藝流程如下。

3+

資料：i.酸性條件下，氧化性：MnO2>Feo

ii.潮濕條件下，CuCl容易被氧氣氧化。

iii.金屬離子沉淀的pH。

Fe2+Fe3+Mn2+Cu2+

開始沉淀時(shí)6.31.58.24.7

完全沉淀時(shí)8.32.810.26.7

(1)“浸取"由酸浸、中和兩步組成。

①稀硫酸酸浸所得浸取渣中含有硫單質(zhì)，CuS酸浸時(shí)反應(yīng)的離子方程式是0

②用氨水中和時(shí)，調(diào)節(jié)溶液的pH范圍約為o

(2)“沉錦”時(shí)，NH4HCO3作沉銃劑，通入NH-保持溶液的pH約為9.

①用離子方程式表示沉錦時(shí)Cu?+未形成沉淀的原因：。

②"沉鑄”時(shí)用NHRCC%而不用NaHCC)3作沉錦齊IJ,原因是。

(3)“熱分解”所得分解液可獲得(NHJ2SO4，“分解氣”中可循環(huán)利用的有CO?和。

(4)“轉(zhuǎn)化”時(shí)，向CuS。,溶液中加入適量的NaCl和Na2SO3,獲得CuCl。

①轉(zhuǎn)化反應(yīng)的離子方程式是o

②室溫時(shí)，CuCl的產(chǎn)率隨時(shí)間的變化如圖所示。60分鐘后CuCl的產(chǎn)率減小，原因是

87

%

86_

<、

85/

忙_

g

84_

o1

n83

o_

82

2060100140180220260300

時(shí)間/min

H

(5)CuCl和苯并三氮嗖1、2)按物質(zhì)的量之比i：i在一定條件下反應(yīng)形成一種線型聚合物。反應(yīng)

3

時(shí)苯并三氮嗖1位和3位的N原子與Cu+形成化學(xué)鍵，同時(shí)生成HCL該聚合物的結(jié)構(gòu)簡式

是O

17.(2025北京朝陽高三二模)采用不同的腐蝕液將覆銅板上不需要的銅腐蝕，制作印刷電路板。多次重

復(fù)后再利用腐蝕廢液制備硫酸銅，過程如下圖所示。

覆銅板

CuSO4

(1)腐蝕液a的成分主要為CuCl?與鹽酸

①稀鹽酸不能直接腐蝕銅，二者不能發(fā)生反應(yīng)的原因是。

②“蝕刻”過程中，首先生成CuCl沉淀，反應(yīng)的離子方程式是oCuCl繼而形成［。1。3廣，脫離覆

銅板的表面，蝕刻連續(xù)進(jìn)行。

③為保持比較穩(wěn)定的蝕刻速率，需適時(shí)通入Cl2,然后補(bǔ)加Hq。Cl?、H2。的作用分別是。

(2)腐蝕液b的主要成分為［CU(NHJ/C12。再生腐蝕液b的離子方程式是o

(3)沉銅

將多次循環(huán)使用的腐蝕液a和腐蝕液b按一定比例混合，調(diào)節(jié)混合液的pH,待反應(yīng)完全后，過濾。濾液

中Cu(II)的濃度與pH的關(guān)系，如下圖所示：

(

一j

@

/

虺

燒

(

n

)

n

o

a

理

舞

已知：Cu(II)表示可溶的+2價(jià)銅的物種。

①“沉銅”最適宜的pH范圍是。

a.2~3b.6~7c.1011

②pH從11降至2,濾液中Cu(II)的濃度先減小再增大，結(jié)合化學(xué)平衡移動原理解釋原因：.

18.(2025北京東城高三二模)某小組同學(xué)探究氯化鋁和強(qiáng)堿弱酸鹽的反應(yīng)。

【理論分析】從鹽類水解規(guī)律分析，A1CL溶液顯酸性，強(qiáng)堿弱酸鹽溶液顯堿性，者混合會發(fā)生反應(yīng)。

⑴用離子方程式表示A1C13溶液顯酸性的原因；。

【實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證】

試管

滴管中試劑(2mL)實(shí)駿現(xiàn)象

t編號

-11

Y?2mL0.33mobUA1C1ImolLNaHCO3I.迅速產(chǎn)生大量氣泡

3a

溶液和白色沉淀

1mol-L-1

溶液(pH-3)bII.無明顯現(xiàn)象

CH3COONa溶液

⑵現(xiàn)象I中的白色沉淀是AI(OH)3,氣體是o

(3)針對現(xiàn)象II,同學(xué)們提出猜想如下。

猜想1：c(OlT)小，未生成Al(OH)3沉淀；

猜想2：其他反應(yīng)導(dǎo)致｛A1")減小，未生成Al(OH)3沉淀。

為了驗(yàn)證猜想，補(bǔ)充實(shí)驗(yàn)，測得b中混合溶液pH=5.

①甲同學(xué)結(jié)合常溫下K，P(A1(OH)3)=1.3x10-33,證明猜想2成立。其推理過程是o

②經(jīng)檢驗(yàn)，b中含有配合物Al(CH3cOOI。從結(jié)構(gòu)角度解釋A13+和CHsCOCT可結(jié)合生成配合物的原

因：O

(4)乙同學(xué)將b中混合溶液加熱，觀察到有白色沉淀［A1OH(CH3coO)J生成。

①寫出生成白色沉淀的化學(xué)方程式：。

②設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)證明白色沉淀不是AI(OH)3,補(bǔ)全實(shí)驗(yàn)操作和現(xiàn)象：分別取洗凈后的白色沉淀和AI(OH)3固體

于兩支試管中，o

(5)常溫下，在溶液中要實(shí)現(xiàn)AlCk向Al(OH)3沉淀的轉(zhuǎn)化，加入的鹽應(yīng)具有的性質(zhì)是(寫出兩

點(diǎn))。

參考答案

1.C

【分析】本題探究Co(II)、Co(III)能否催化H2O2的分解及相關(guān)性質(zhì)。實(shí)驗(yàn)i中無明顯變化，證明

仁。(凡0)6「不能催化過氧化氫的分解；實(shí)驗(yàn)ii中溶液變?yōu)榧t色，證明仁。(凡0)6「易轉(zhuǎn)化為

2-=+

[CO(CO3)2]：[CO(H2O)6]+4HCO3=[Co(CO3)2+2CO2T+8H2O；實(shí)驗(yàn)iii中溶液變?yōu)槟G色，說明

[Co(CC)3)2『更易被過氧化氫氧化為[Co(CC?3)3丁，并且初步證明[CO(HQ)6『在HCO]的作用下易被過

氧化氫氧化為[Co(CC)3)3廣，該過程中的離子反應(yīng)方程式：2[CO(HQ)6『+1°HCCG+H2O2=2

COC3

[CO(CO3)3]^+4CO2T+18H2O>2H2Q2[^°^2H2O+O2To

【詳解】A.實(shí)驗(yàn)i中，CoSCU溶液中因含仁0(比0)6「而呈粉紅色，加入30%的Hz。2溶液，溶液中無明

顯變化，表明[Co(HQ)6『不能催化H?02的分解，A正確；

B.溶液變?yōu)槟G色，說明溶液中生成了[Co(CC)3)3丁，即C。元素化合價(jià)由+2價(jià)被氧化為+3價(jià)，結(jié)合分

2+

析知，反應(yīng)的離子方程式為2[Co(H2O)6]+10HCO；+H2O2=2[CO(CO3)3+4CO2T+18H2O,B正確；

C.實(shí)驗(yàn)ii中的氣體成分是二氧化碳，iii中的氣體成分是二氧化碳、氧氣，C錯誤；

D.以上實(shí)驗(yàn)證明，[co(cc)3)2『比[co(Hq)6「更易被氧化，即配體的種類影響Co(n)的還原性，D正

確；

故選C。

2.C

【詳解】A.質(zhì)量數(shù)=質(zhì)子數(shù)+中子數(shù)，C1為17號元素，質(zhì)子數(shù)為17,中子數(shù)為20的氯原子的質(zhì)量數(shù)為

37,該原子正確的表示方法為;;Cl,A錯誤；

B.S為16號元素，其原子核外有16個(gè)電子，第一層為2個(gè)、第二層為8個(gè)、第三層為6個(gè)，所給原子

結(jié)構(gòu)示意圖的最外層電子數(shù)應(yīng)為6,B錯誤；

C.凡中所含的H-H鍵是由2個(gè)H的s軌道頭碰頭重疊形成，則共價(jià)鍵類型：s-s。鍵,C正確；

D.金屬鎂為金屬晶體，由Mg原子通過金屬鍵結(jié)合而成，D錯誤；

故選C。

3.D

【詳解】A.元素的非金屬性強(qiáng)弱指的是元素原子得電子能力的強(qiáng)弱。C置換出Si,但C是還原劑，所以

不能說明得電子能力：C>Si,也不能說明非金屬性：OSi,A錯誤；

B.鄰位因分子內(nèi)氫鍵削弱分子間作用力，而對位因分子間氫鍵增強(qiáng)分子間作用力，則熔沸點(diǎn)：鄰羥基苯

甲醛〈對羥基苯甲醛，B錯誤；

C.乙醇與水可以形成氫鍵，且CO2為非極性分子，根據(jù)相似相溶原理，在水中溶解度：CO2V乙醇，c錯

誤；

D.金剛石和晶體硅都是共價(jià)晶體，C原子半徑<Si,C-C鍵能>Si-Si鍵，導(dǎo)致金剛石共價(jià)鍵更強(qiáng)，硬度

更大，D正確；

故選D。

4.B

【詳解】A.N是第VA族元素，位于元素周期表的p區(qū)，A正確；

2s2p

B.B是5號元素，價(jià)層電子排布式為2s22pi,價(jià)層電子的軌道表示式：同|□，B錯誤；

C.六方氮化硼晶體俗稱“白石墨”，與石墨具有類似的結(jié)構(gòu)，為層狀結(jié)構(gòu)，硼原子為sp2雜化，C正確；

D.六方氮化硼晶體俗稱“白石墨”，與石墨具有類似的結(jié)構(gòu)，層狀結(jié)構(gòu)之間存在范德華力，D正確；

故選B。

5.B

【分析】根據(jù)已知，X的價(jià)層電子排布為ns/pn,滿足條件的n=2,則為C；Y的2P能級有3個(gè)單電子，即

核外電子排布為Is22s22P3,則為N；Z有16個(gè)不同運(yùn)動狀態(tài)的電子，即核外有16個(gè)電子，則為S；根據(jù)

已知：W最外層有1個(gè)電子，內(nèi)層原子軌道全部排滿電子，則W為第四周期元素，電子數(shù)為

2+8+18+1=29,則為Cu。

【詳解】A.同周期元素，原子序數(shù)越大，電負(fù)性越大，即電負(fù)性N>C,故A錯誤；

B.同一周期，從左到右，第一電離能呈增大趨勢，但N元素2P能級電子半滿更穩(wěn)定，第一電離能大于相

鄰元素，故N>0,同一主族，從上到下，第一電離能減小，所以0>S,因此第一電離能：N>S,故B正

確；

c.C單質(zhì)中金剛石為共價(jià)晶體，石墨屬于混合型晶體，S單質(zhì)為分子晶體，故c錯誤；

D.W的最高價(jià)氧化物對應(yīng)的水化物為CU(OH)2,是弱堿，故D錯誤；

故答案為B。

6.C

【詳解】A.Si。?是原子間通過共價(jià)鍵形成的晶體，屬于共價(jià)晶體，A正確；

B.Si。?屬于共價(jià)晶體，具有較高的硬度和熔點(diǎn)，B正確；

C.Si。?氣凝膠材料疏松多孔，密度小于Si。?晶體的，C錯誤；

D.兩種物質(zhì)中Si、0原子間均存在Si—0鍵，均有。鍵，D正確；

答案選C。

7.A

【詳解】A.8尸的離子半徑小于F，離子半徑越小，離子間靜電作用(庫侖力)越強(qiáng)，晶格能越大，熔

點(diǎn)越高。NaBr與Nai同為離子晶體且結(jié)構(gòu)相似，因此NaBr的熔點(diǎn)應(yīng)高于Nai；推斷正確，A正確；

B.CF4是正四面體結(jié)構(gòu)，極性鍵的矢量疊加后完全抵消，為非極性分子；NF3為三角錐形結(jié)構(gòu)，極性未完

全抵消，為極性分子。因此CF4的極性應(yīng)小于NF3,推斷錯誤，B錯誤；

C.葡萄糖分子含5個(gè)羥基，HO（CH2）5CHO僅含1個(gè)羥基。羥基數(shù)目越多，與水形成氫鍵的能力越強(qiáng)，

溶解度越高。因此HO（CH2）5CHO的溶解度應(yīng)小于葡萄糖，推斷錯誤，C錯誤；

D.第一電離能Mg>Al,但金屬單質(zhì)的還原性Mg>Al（金屬活動性順序）。Mg的第一電離能大于A1是

因?yàn)殒V的價(jià)電子排布式為3s2不易失去電子，而A1的價(jià)電子排布式為3s23Pl容易失去3P能級電子，因此

不能直接通過第一電離能推斷單質(zhì)還原性，推斷錯誤，D錯誤；

故選Ao

8.C

【詳解】A.同周期元素從左到右電負(fù)性逐漸增大，B、0、F位于同一周期，原子序數(shù)B<O<F,所以電

負(fù)性B<O<F,A正確;

B.基態(tài)氧原子的核外電子數(shù)為8,每個(gè)電子的運(yùn)動狀態(tài)都不同，所以核外電子有8種運(yùn)動狀態(tài)，B正確；

C.同周期主族元素從左到右原子半徑逐漸減小，Cs是第六周期第IA族元素，是第六周期中原子半徑最

大的主族元素，C錯誤；

D.X射線衍射實(shí)驗(yàn)可用于測定晶體的結(jié)構(gòu)，通過分析X射線衍射圖譜能得到晶體中原子的排列等信息，

所以可測定氟硼鋁酸艷晶體的結(jié)構(gòu)，D正確；

故選Co

Is2s2p

⑵SR?

⑶通過反應(yīng)Ni2++3en.[Ni（en）3「降低c（Ni?+）,使得Ni?+放電速率減緩，同時(shí)通過平衡移動補(bǔ)充放電消

耗的NP+,使其濃度保持穩(wěn)定，達(dá)到放電速率平穩(wěn)的作用。

'4x(48+14)

(4)12TiN

PNA-

【詳解】（1）

一Is2s2p

N為7號元素，基態(tài)N原子核外電子軌道表示式是正引ry--|--y。

（2）①丁二酮月虧中N原子的◎鍵電子對數(shù)為2,孤電子對數(shù)為1,則價(jià)層電子對數(shù)為3,故N的雜化軌道

類型是sp2。

!o，H、。i

二t/CH3

②丁二酮月虧中兩個(gè)羥基間形成氫鍵，故其結(jié)構(gòu)為|Ni

H3c-LCH3

oo

、H???

（3）通過反應(yīng)Ni?++3en[Ni（en%「降低c（Ni?+）,使得Ni”放電速率減緩，同時(shí)通過平衡移動補(bǔ)充放電

消耗的Ni?+,使其濃度保持穩(wěn)定，達(dá)到放電速率平穩(wěn)的作用，得到的鍍層更加致密、細(xì)膩。

（4）①由晶胞結(jié)構(gòu)圖可知，與體心的Ti等距且緊鄰的Ti位于棱心，原子數(shù)目是12,故與每個(gè)Ti原子等

距且緊鄰的Ti原子數(shù)目是12。

②一個(gè)晶胞中Ti的個(gè)數(shù)為12x：+l=4,NW^?8X-+6X-=4,則晶胞的質(zhì)量為」^^Zg,故晶胞

482/

的體積為4x（4：+1"?m3,則該晶胞邊長為Jx（弋+1，cmo

PNXVPNA

③N的電負(fù)性比C的電負(fù)性更大，與Ti的電負(fù)性差值更大，故所含離子鍵百分?jǐn)?shù)更大的是TiNo

10.（l）2s22P3NH3的VSEPR模型為四面體形，含一個(gè)孤電子對，略去孤電子對，NH3的空間結(jié)構(gòu)為

三角錐形（NH,中N采取sp'雜化，其中一個(gè)sp3雜化軌道被一個(gè)孤電子對占據(jù)）

⑵H3O+有孤電子對，NH：無孤電子對。孤電子對有較大斥力，使H-O-H鍵角小于H-N-H離子

鍵、氫鍵

（3）3%：1。匕3cH4+N2+3H2O=3CO+2NH,+6H2

【詳解】（1）①N是7號元素，基態(tài)N原子價(jià)層電子排布式為2s22P、

5-1x3

②NH3中N原子價(jià)電子對數(shù)為3+空■上=4,VSEPR模型為四面體形，含一個(gè)孤電子對，所以NH3的空

間結(jié)構(gòu)為三角錐形。

（2）①H3O+中O原子有1個(gè)孤電子對，NH：中N原子無孤電子對。孤電子對有較大斥力，使H-O-H

鍵角小于H—N—H。

②NH；對于N"勺穩(wěn)定存在有重要作用。NH；與N:存在離子間的靜電作用，即NH；與N?存在離子鍵，

NH；中存在N-H鍵，NH；與N：可以形成氫鍵，所以作用力類型有離子鍵、氫鍵。

（3）①根據(jù)Mg的晶胞結(jié)構(gòu)，鎂位于晶胞的頂角和體心，1個(gè)晶胞中含有2個(gè)Mg原子，根據(jù)MgO的晶

胞結(jié)構(gòu)，鎂位于晶胞的棱邊和體心，。位于晶胞的頂角和面心，1個(gè)晶胞中含有4個(gè)Mg、4個(gè)O,若Mg

2x244x40

和Mg。的晶胞體積分別為hnm3和v2nm3,Mg的密度為：口乂，Mg。的密度為，

V]xj.uxivAv2x1UX2VA

則Mg和MgO的密度之比為36:10匕。

②根據(jù)圖示，甲烷、氮?dú)狻⑺铣蒒Hj、CO與H?,總反應(yīng)方程式是

3CH4+N2+3H2O=3CO+2NH3+6H2o

11.(1)B、F電子層數(shù)相同，核電荷數(shù)B<F,原子半徑B>F,吸引電子能力B<F前者大，BF3中B為

sp?雜化，鍵角為120。；NaBH,中B為sp3雜化，鍵角為109。28'a

16

(2)6—r~

叫

-

⑶BH；+8OH-8e一=BO"+6H2O2

【詳解】(1)①B、F電子層數(shù)相同，核電荷數(shù)B<F,原子半徑B>F,吸引電子能力B<F，使得BF,中B

顯正價(jià)、F顯負(fù)價(jià)。

②B耳中B為sp2雜化，鍵角為120。；NaBH”中B為sp3雜化，鍵角為109。28',故BF,中鍵角F—B—F大

于NaBH4中鍵角H-B-H；

③a.NaH為鈉離子和氫負(fù)離子形成的，電子式：Na+［：H］--正確；

b.電子層數(shù)越多半徑越大，電子層數(shù)相同時(shí)，核電荷數(shù)越大，半徑越小；離子半徑：Na+<F1錯誤；

c.BF,為平面三角形結(jié)構(gòu)，分子中正負(fù)電荷重心重合，為非極性分子，錯誤；

故選a；

(2)①與Na+最近且距離相等的BH］同層有4個(gè)，上下層各1個(gè)，共有6個(gè)。

②根據(jù)“均攤法”，晶胞中含12x；+l=4個(gè)BH；,已知該晶胞的體積為acn?,則len?晶體中，氫元素的質(zhì)

1cm3

里為“cmx4x4x1g/mol=———g；

A^AmolaNA

+

(3)①H?只在電極a產(chǎn)生，由圖，a極氫離子發(fā)生還原反應(yīng)：2H+2e=H2T,為正極，則b為負(fù)極，結(jié)

合總反應(yīng)，正極BH］在堿性條件下，失去電子發(fā)生氧化反應(yīng)生成BO：和水，反應(yīng)為

BH4+8OH-8e=BO；+6H2O；

②在電場作用下，雙極膜可將Hq解離為H+和OH1H+和OH一分別向兩極遷移，當(dāng)電極產(chǎn)生ImolH2

時(shí)，電路中轉(zhuǎn)移2moi電子，消耗2moi氫離子，則雙極膜解離水的物質(zhì)的量為2mol。

12.(Dp

⑵Se與Te同主族，非金屬性Se>Te,Se更易與H?生成氣態(tài)氫化物，從而與Te分離

3

(3)spH2O+H2SeO3+2SO2=Se+2H2SO4

2x(115+79x2)

(4)InSe

2xa2cxl030

【詳解】(1)主族元素In原子序數(shù)為49,電子排布式：［Kr］5s25p,其位于元素周期表的p區(qū);

(2)硒與石帝同主族，可用氣態(tài)氫化物熱解法制備少量的高純硒，Se與Te同主族，非金屬性Se>Te,Se更

易與H2生成氣態(tài)氫化物，轉(zhuǎn)化為氣態(tài)物質(zhì)，從而與Te分離；

(3)①氏①03中心Se原子的價(jià)層電子對數(shù)為3+6+2；3x2=4,中心原子雜化類型是sp3雜化;

②HzSeOs溶液除雜后向溶液中通入SO?可獲得高純硒和硫酸，發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為

H2O+H2SeO3+2SO2=Se+2H2SO4；

(4)①根據(jù)結(jié)構(gòu)得到該晶胞中，In有4x〈=2個(gè)，Se有8x：+6x〈=4,因此該化合物的化學(xué)式為InSe?；

282

2x(115+79x2)

②晶體的密度為_m__2X(115+79X2)。

P--lolo10230

VaxlOxaxlOxcxlO-NAxacxlO

13.(1)E3--------Si<S<P

3s3p

(2)晶體硅和金剛石都屬于共價(jià)晶體，原子半徑：C<Si,鍵長：C-C鍵<Si-Si鍵，鍵能：C-C鍵

>Si-Si鍵，鍵能越大，熔點(diǎn)越高、硬度越大SMvxlO-'moi_!b

ma

(3)sp3雜化2：5片內(nèi)的共價(jià)鍵的強(qiáng)度大于片間的離子鍵等相互作用的強(qiáng)度

【詳解】(1)①基態(tài)硅原子的價(jià)層電子排布為3s23P2,價(jià)層電子軌道表示式是回11111

3s3p

②同周期元素從左到右第一電離能增大，但由于P的3P軌道處于半充滿穩(wěn)定狀態(tài)，因此第一電離能大于

相鄰元素，則由小到大的順序?yàn)镾i<S<Po

(2)①晶體硅的熔點(diǎn)和硬度均低于金剛石，其原因是晶體硅和金剛石都屬于共價(jià)晶體，原子半徑：

C<Si,鍵長：C-C鍵<Si-Si鍵，鍵能：C-C鍵〉Si-Si鍵，鍵能越大，熔點(diǎn)越高、硬度越大；

②根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)，含有硅原子個(gè)數(shù)為：x8+：x6+lx4=8,根據(jù)密度公式

o2

x

mg8xMgTmol~8MvxlO21

Nmo/-1x(axlO-7)3cm3可得Nmol'mol'

vcnr)AA/Jia3xlO-21ma3

③硅晶體中硅原子之間具有方向性和飽和性，金屬晶體中金屬鍵沒有方向性和飽和性，故a不選；金剛石

是共價(jià)晶體，若硅有導(dǎo)電性，且導(dǎo)電能力大于金剛石，則可說明硅的晶體類型略向金屬晶體過渡，故答案

為b?

(3)①二氧化硅中的硅為四面體構(gòu)型，則雜化方式為sp3；

②i.根據(jù)均攤法，一個(gè)硅氧四面體中，有3個(gè)氧原子被2個(gè)相鄰Si原子共用、1個(gè)氧原子只與1個(gè)硅原子

結(jié)合，則夕：O=1：［3X；+,=2:5；

ii.云母由片狀的硅酸根離子和片間的金屬離子構(gòu)成層狀結(jié)構(gòu)，片內(nèi)為由共價(jià)鍵構(gòu)成的硅酸根陰離子，片

間為金屬陽離子，硅酸根離子和金屬離子通過離子鍵構(gòu)成云母多層結(jié)構(gòu)，離子鍵強(qiáng)度較低，而共價(jià)鍵強(qiáng)度

較高，因此云母易被從片間撕開形成單層結(jié)構(gòu)，故答案為：片內(nèi)的共價(jià)鍵的強(qiáng)度大于片間的離子鍵等相互

作用的強(qiáng)度。

14.(l)3d7

(2)第四周期VIA族

(4)G?+提供空軌道，1,3,5-苯三酸酸根(BTC3一)中的O提供孤對電子，形成配位鍵酸性條件

下，H+與N原子配位，減少了Co2+與N原子配位

【詳解】(1)C。是27號元素，核外含有27個(gè)電子，則基態(tài)Co"的價(jià)電子排布式是3d7°

(2)Se元素的價(jià)電子排布式是4s24P",位于第四周期且最外層有6個(gè)電子，它在周期表中的位置是第四

周期VIA族。

(3)①由晶胞結(jié)構(gòu)可知，以位于頂點(diǎn)的C(?+為研究對象，Co?+周圍距離最近的陰離子Se；有6個(gè)；

②由晶胞結(jié)構(gòu)可知，C02+的個(gè)數(shù)為8X(+6X==4,Se；的個(gè)數(shù)為1+12XJ=4,CoSe2的摩爾質(zhì)量為217

824

4x21734x217x1()21

g-mo廣，阿伏加德羅常數(shù)為"人，該晶體的密度為Nx(axl()7)3=g,cm'=g<m,

(4)①Co-MOF前驅(qū)體中Co?+與1,3,5-苯三竣酸根(BTC3-,結(jié)構(gòu)如圖所示)之間形成配位鍵，理由是：

C6+提供空軌道，1,3,5-苯三較酸根(BTC-)中的O提供孤對電子，形成配位鍵；

②在堿性條件下，2-甲基咪陛(結(jié)構(gòu)如圖所示)優(yōu)于H3BTC制備Co-MOF前驅(qū)體；氨基具有堿性，在酸性條

件下，2-甲基咪噗的優(yōu)勢將會大大降低，降低的原因可能是：酸性條件下，H+與N原子配位，減少了

Co?*與N原子配位。

2+

15.(1)Cu+2NH3-H2O=Cu(OH)2+2NH*

(2)加入(鹽酸酸化的)Ba.溶液，有白色沉淀生成[CU(NH3)]中的NH3進(jìn)入溶液并形成

NH3H2O,電離出OH-使溶液呈堿性加熱[CU(NH3)/(OH)2使NH3逸出后產(chǎn)生CU(OH)2，

CU(OH)2受熱繼續(xù)分解為CuONH3具有還原性，即使[CU(NH3)/(OH)2分解生成CuO也可能被還

原為Cu或C—O

(3)用氨水制備Cu(OH)2時(shí)，溶液c(NH：)較高，可與OH-反應(yīng)并產(chǎn)生NJVHO均可促進(jìn)反應(yīng)

CU(OH)2+4NH3-H2O[CU(NH3)J"+4H2O+2OIT的發(fā)生

2+

(4)i中反應(yīng)Cu+2NH3.H2O=CU(OH)2J+2NH：產(chǎn)生的NH：正好能與ii中Cu(OH)2+4NH3.

H2O[CU(NH3)4『+4H2O+2OH-產(chǎn)生的OH-完全反應(yīng)，溶液中c(0JT)很低

2+

【詳解】(1)生成藍(lán)色沉淀的離子方程式為：Cu+2NH3.H2O=Cu(OH)2+2NH：；

(2)①檢驗(yàn)上述深藍(lán)色晶體中存在SO：的操作及現(xiàn)象是：取少量晶體溶于水中形成溶液，先向其中加入

鹽酸酸化，再加入BaCl2溶液，若出現(xiàn)白色沉淀，則說明該晶體中存在SO：；

②[CU(NH3)4「中的NW進(jìn)入溶液并形成NH?田。，電離出0H-使溶液呈堿性，不能說明藍(lán)色針狀晶體

中含OH'

③[CU(NH3)/(OH)2在加熱條件下穩(wěn)定性降低，使[CU(NH3)/(OH)2分解出NHs并逸出，與CM+產(chǎn)生

CU(OH)2,Cu(OH)2受熱繼續(xù)分解為黑色固體CuO；NH3具有還原性，即使[。1(陽3)1(011)2分解生成

CuO也可能被NH3還原為Cu或Cu2O；

(3)用氨水制備Cu(OH)2時(shí)，溶液c(NH；)較高，可與OH—反應(yīng)并產(chǎn)生NHs-HQ