ICS29.045CCSH82NXCLIT/NXCL30—2024本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。本文件由寧夏材料研究學(xué)會提出。本文件由寧夏材料研究學(xué)會歸口。本文件起草單位：寧夏中欣晶圓半導(dǎo)體科技有限公司、北方民族大學(xué)、杭州中欣晶圓半導(dǎo)體股份有本文件主要起草人：芮陽、商潤龍、王黎光、楊少林、陳亞、趙澤慧、白圓、馬成、曹啟剛、王忠保、熊歡、李聰、王云峰、李長蘇、顧燕濱、盛之林、黃柳青、盛旺。T/NXCL30—20241300mm低氧含量直拉硅單晶本文件規(guī)定了300mm低氧含量直拉硅單晶的技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)格以及標(biāo)志、包裝、運輸、貯存、質(zhì)量證明書和質(zhì)量承諾等方面的內(nèi)容。本文件適用于以電子級多晶硅為主要原材料，采用直拉法制備的直徑為300mm的低氧含量硅單晶。產(chǎn)品主要用于絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等功率器件的襯底。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T1550非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法GB/T1551硅單晶電阻率測定方法GB/T1554硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗方法GB/T1555半導(dǎo)體單晶晶向測定方法GB/T1557硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法GB/T1558硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法GB/T11073硅片徑向電阻率變化的測量方法GB/T12963—2022電子級多晶硅GB/T14140硅片直徑測量法方法GB/T14144硅晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法GB/T14264半導(dǎo)體材料術(shù)語GB/T29504300mm硅單晶GB/T37049電子級多晶硅中基體金屬雜質(zhì)含量的測定電感耦合等離子體質(zhì)譜法YS/T769非本征半導(dǎo)體中少數(shù)載流子擴散長度的穩(wěn)態(tài)表面光電壓測試方法3術(shù)語和定義GB/T14264界定的術(shù)語及定義適用于本文件。4技術(shù)要求原材料電子多晶硅應(yīng)滿足GB/T12963—2022第5.1條中多晶硅電子1級要求，具體指標(biāo)見表1。表1多晶硅主要性能要求），），），），4.2直徑及允許偏差硅單晶直徑及直徑允許偏差符合GB/T29504的規(guī)定。T/NXCL30—202424.3電學(xué)參數(shù)硅單晶的導(dǎo)電類型、摻雜元素、電阻率及其徑向變化應(yīng)符合表2的規(guī)定。表2硅單晶電學(xué)參數(shù)N磷4,4晶向及偏離度4.4.1硅單晶的晶向為<100>。4.4.2硅單晶的晶向偏離度應(yīng)不大于0.5°。4.5化學(xué)成分4.5.1氧含量硅單晶的間隙氧含量應(yīng)不大于2.5×1017原子數(shù)/cm3，氧含量的徑向變化具體指標(biāo)應(yīng)不大于10%，或由供需雙方商定。4.5.2碳含量硅單晶的碳含量應(yīng)不大于5×1016原子數(shù)/cm3，或由供需雙方商定。4.5.3體金屬含量硅單晶的體鐵含量應(yīng)不大于5×1013原子數(shù)/cm3，其他體金屬每種元素含量應(yīng)不大于5×1011原子數(shù)/cm3，或由供需雙方商定。4.6完整性4.6.1硅單晶無孔洞、裂紋、劃傷、蝕坑等。4.6.2硅單晶位錯密度不大于10個/cm2，位錯尺寸不大于20μm。4.6.3硅單晶的其他允許缺陷由供需雙方協(xié)定。4.7頭尾區(qū)分硅單晶應(yīng)有明確的頭尾標(biāo)記，一般以H代表頭部，T代表尾部，如有特殊要求，由供需雙方協(xié)定標(biāo)記。4.8其他硅單晶的激光刻號等其他要求，由供需雙方協(xié)商確定。5試驗方法5.1硅單晶的直徑的測量按照GB/T14140進(jìn)行。5.2硅單晶的導(dǎo)電類型測量按照GB/T1550進(jìn)行。5.3硅單晶的電阻率測量按照GB/T1151進(jìn)行。5.4硅單晶的徑向電阻率變化的測量按照GB/T11073進(jìn)行。5.5硅單晶的晶向及偏離度的測量按照GB/T1555進(jìn)行。5.6硅單晶的間隙氧含量測量按照GB/T1557進(jìn)行。5.7硅單晶的徑向氧含量變化的測量按照GB/T14144進(jìn)行。5.8硅單晶的碳含量測量按GB/T1558進(jìn)行。T/NXCL30—202435.9硅單晶體的體鐵含量測量按YS/T679進(jìn)行，其他體金屬含量測量按GB/T37049進(jìn)行，或按供需雙方協(xié)商的方法進(jìn)行。5.10硅單晶的晶體完整性按照GB/T1554進(jìn)行5.11硅單晶的頭尾標(biāo)記按照目視進(jìn)行檢測。6檢驗規(guī)則6.1.1產(chǎn)品應(yīng)由供方的品質(zhì)部門進(jìn)行檢驗，保證產(chǎn)品符合本文件規(guī)定，并向需方提供產(chǎn)品質(zhì)量證明書及檢驗結(jié)果。6.1.2需方可在收到產(chǎn)品后按照本文件規(guī)定進(jìn)行檢測，若檢測結(jié)果與本文件（或訂貨合同）不符，可立即向供方反饋，并由供需雙方協(xié)定解決問題。6.2組批硅單晶以呈批的形式提交驗收，每批應(yīng)由需方要求的同一規(guī)格的硅單晶錠組成。6.3檢驗項目關(guān)于硅單晶的取樣位置及數(shù)量的規(guī)定見表3。表3硅單晶的取樣規(guī)定6.4檢驗結(jié)果的判定6.4.1直徑、晶向、導(dǎo)電類型、頭尾標(biāo)記中某一項不合格，則該硅單晶判定為不合格。6.4.2電阻率、電阻率徑向變化、氧含量、氧含量徑向變化、碳含量、體金屬含量、晶體完整性中有一項不合格，則該批產(chǎn)品判定為不合格。7標(biāo)志、包裝、運輸與貯存硅單晶包裝箱內(nèi)應(yīng)有裝箱單，外側(cè)應(yīng)有“小心輕放”、“防潮”、“易碎”、“防腐”等標(biāo)識，并a)供方名稱；b)產(chǎn)品名稱；d)產(chǎn)品件數(shù)或數(shù)量。7.2包裝T/NXCL30—20244硅單晶使用聚苯烯逐根包裝，包裝后放入裝滿填充物的包裝箱內(nèi)，防止運輸過程中晶棒晃動。7.3運輸與貯存產(chǎn)品在運輸過程中應(yīng)輕裝輕卸，勿壓勿擠，并采取防震、防潮措施，產(chǎn)品應(yīng)貯存在清潔、干燥的環(huán)境中。需方對硅單晶的標(biāo)志、包裝、運輸與貯存有特殊要求時，由供需雙方商定。8質(zhì)量證明書每批產(chǎn)品出廠時應(yīng)附質(zhì)量證明書，其上注明：a)供方名稱；b)產(chǎn)品名稱；d)產(chǎn)品批號；e)產(chǎn)品數(shù)量；f)各項參數(shù)檢驗結(jié)果和檢驗部門的印記；9質(zhì)量承諾9.1在本文件的包裝方式條件，以及在上述要求的儲存環(huán)境條件下，