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硅探測(cè)器物理報(bào)告

ReportforSiliconDetectorPhysics15Jul20xxI-V：漏電流、噪聲C-V：臨界電壓、摻雜分布調(diào)研了部分實(shí)驗(yàn)，其中有較早研究LGAD的。調(diào)研結(jié)果信號(hào)電荷帶隙越大，信號(hào)電荷越小需要小靜態(tài)電流的強(qiáng)場(chǎng)，高電阻，帶隙增加，影響信號(hào)電荷SensorVolume：PN結(jié)電流：理論和實(shí)驗(yàn)互相印證了特殊曲線。pnjunction內(nèi)建電壓探測(cè)器邊緣損壞增大漏電流摻雜濃度物理原理電荷收集信號(hào)收集的效率與靈敏度收集時(shí)間：偏壓越大，收集越快物理原理耗盡電壓一般的N型P型能量分辨信號(hào)量子N，能量分辨即信號(hào)量子分辨物理原理

物理原理SCIPPAlblock——散熱、導(dǎo)電2.4μm扎針，probe接地全封閉盒子，避光編程，自動(dòng)化記錄部分實(shí)驗(yàn)——I-VCurve哥廷根的HPK實(shí)驗(yàn)——LGAD“開窗”是為了照射激光，模擬粒子輻射對(duì)sensor的損傷物理原理哥廷根的HPK實(shí)驗(yàn)——LGADI-V測(cè)量電路：大體一致，我們掌握更多細(xì)節(jié)物理原理輸入與輸出的函數(shù)，即多少輸入會(huì)有多少輸出和多少噪聲，查閱或計(jì)算其閾值。例如：e-hpai

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