（14）3.2.2分子晶體與共價(jià)晶體——高二化學(xué)人教版（2019）選擇性必修二同步課時作業(yè)1.2021年5月，我國首輛火星車“祝融號”成功著陸?！白Ｈ谔枴被鹦擒嚨能嚿磉x用高強(qiáng)韌性的新型鋁基碳化硅復(fù)合材料。碳化硅（SiC）屬于()A.共價(jià)晶體 B.分子晶體 C.離子晶體 D.金屬晶體2.下列有關(guān)共價(jià)晶體的敘述，錯誤的是()A.共價(jià)晶體中，原子不遵循緊密堆積原則B.共價(jià)晶體中不存在獨(dú)立的分子C.共價(jià)晶體的熔點(diǎn)和硬度較高D.共價(jià)晶體熔化時不破壞化學(xué)鍵3.單質(zhì)硅的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示。下列關(guān)于單質(zhì)硅晶體的說法不正確的是()A.是一種立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的晶體 B.晶體中每個硅原子與4個硅原子相連C.晶體中最小環(huán)上的原子數(shù)目為8 D.屬于共價(jià)晶體4.根據(jù)下列性質(zhì)判斷，一定屬于共價(jià)晶體的是()A.熔點(diǎn)為2700℃，能導(dǎo)電，具有良好的延展性B.熔點(diǎn)為3550℃，不導(dǎo)電，質(zhì)硬，難溶于水和有機(jī)溶劑C.能溶于水，質(zhì)硬而脆，熔點(diǎn)為800℃，熔融時能導(dǎo)電D.熔點(diǎn)為-56.6℃，微溶于水，硬度小，固態(tài)或液態(tài)時不導(dǎo)電5.結(jié)合下列各物質(zhì)的性質(zhì)，判斷其固態(tài)屬于共價(jià)晶體的是()A.碳化鋁，黃色晶體，熔點(diǎn)為2200℃，熔融態(tài)不導(dǎo)電B.溴化鋁，無色晶體，熔點(diǎn)為98℃，熔融態(tài)不導(dǎo)電C.五氟化釩，無色晶體，熔點(diǎn)為19.5℃，易溶于乙醇、氯仿、丙酮中D.溴化鉀，無色晶體，熔融態(tài)時或溶于水中都能導(dǎo)電6.在40GPa高壓下，用激光器加熱到1800K，人們成功制得了類似結(jié)構(gòu)的共價(jià)晶體干冰。下列推斷錯誤的是()A.共價(jià)晶體干冰的熔、沸點(diǎn)很高B.共價(jià)晶體干冰易升華，可用作制冷材料C.共價(jià)晶體干冰的硬度大，可用作耐磨材料D.1mol共價(jià)晶體干冰中含4molC—O鍵7.氮化硅（）可通過反應(yīng)制備。下列說法正確的是()A.1mol中含有2molSi—O鍵B.的電子式為C.CO是極性分子D.晶體屬于分子晶體8.利用可實(shí)現(xiàn)人工合成金剛石。下列關(guān)于該反應(yīng)的說法錯誤的是()A．C(金剛石)屬于共價(jià)晶體B．該反應(yīng)利用了的強(qiáng)還原性C．晶體硅和金剛石中的、C的雜化方式都是D．晶體中每個周圍與它最接近且距離相等的有12個9.前四周期主族元素X、Y、Z、W的原子序數(shù)依次增大，X是地殼中含量最多的元素，Y原子最外層只有1個電子，基態(tài)Z原子的和軌道上電子數(shù)相同，Y與W同主族。下列說法錯誤的是()A.原子半徑：B.X的第一電離能比同周期相鄰元素的小C.Y的最高價(jià)氧化物對應(yīng)水化物的堿性比W的強(qiáng)D.Z單質(zhì)形成的晶體屬于共價(jià)晶體10.二氧化硅晶體是立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，其晶體模型如圖所示。下列有關(guān)二氧化硅晶體的說法正確的是()A.二氧化硅晶體最小環(huán)上含有12個原子B.每個硅原子為4個最小環(huán)所共有C.從晶體結(jié)構(gòu)可知，1mol擁有2molSi-O鍵D.晶體是由極性共價(jià)鍵與非極性共價(jià)鍵共同構(gòu)成的11.下列關(guān)于共價(jià)晶體、分子晶體的敘述中，不正確的是()A.在晶體中，1個硅原子和4個氧原子形成4個共價(jià)鍵B.混合晶體石墨的熔點(diǎn)高于金剛石C.的相對分子質(zhì)量大于，所以的沸點(diǎn)高于D.金剛石為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，由共價(jià)鍵形成的碳原子環(huán)中，最小環(huán)上最多4個碳原子共面12.CrSi、Ge-GaAs、和碳化硅都是重要的半導(dǎo)體化合物，下列說法錯誤的是()A.基態(tài)鉻原子的價(jià)電子排布式為B.Ge-GaAs中元素Ge、Ga、As的第一電離能由大到小的順序?yàn)锳s>Ga>GeC.中元素Zn、Ge、As的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)锳s>Ge>ZnD.碳化硅屬于共價(jià)晶體，其熔、沸點(diǎn)均大于晶體硅13.被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵（GaN）硬度大、熔點(diǎn)高，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用前景廣闊。一定條件下由反應(yīng)：制得GaN，下列敘述不正確的是()A.GaN為共價(jià)晶體B.分子的VSEPR模型是三角錐形C.基態(tài)Ga原子的價(jià)層電子排布式為D.已知GaN和AlN的晶體類型相同，則熔點(diǎn)：GaN<AlN14.原子序數(shù)小于等于36的Q、W、X、Y、Z五種元素，其中Q是原子半徑最小的元素，W和Y的基態(tài)原子2p能級所含成單電子數(shù)均為2，Z的基態(tài)原子核外含有13種運(yùn)動狀態(tài)不同的電子?；卮鹣铝袉栴}（涉及元素時用對應(yīng)的元素符號表示）：（1）X、Y、Z三種元素的第一電離能由大到小的順序是_______。（2）與所含σ鍵的比值為_______。（3）一種由X和Z兩種元素形成化合物的晶胞如圖所示，該晶胞的化學(xué)式為_______。（4）實(shí)驗(yàn)室合成一種由W和X兩種元素形成的化合物，該化合物具有空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，其中每個W原子與4個X原子形成共價(jià)鍵，每個X原子與3個W原子形成共價(jià)鍵。①該化合物的化學(xué)式為：_______。②預(yù)測該化合物熔點(diǎn)應(yīng)_______金剛石（填“高于”或“低于”）。15.下表是某些共價(jià)晶體的熔點(diǎn)和硬度。分析表中的數(shù)據(jù)，判斷下列敘述正確的是()共價(jià)晶體金剛石氮化硼碳化硅硅鍺熔點(diǎn)/℃3350300026001415938.4硬度109.59.07.06.0A.構(gòu)成共價(jià)晶體的原子種類越多，晶體的熔點(diǎn)越高B.構(gòu)成共價(jià)晶體的原子間的共價(jià)鍵的鍵能越大，晶體的熔點(diǎn)越低C.構(gòu)成共價(jià)晶體的原子的半徑越大，晶體的硬度越大D.構(gòu)成共價(jià)晶體的原子的半徑越大，晶體的硬度越小

答案以及解析1.答案：A解析：SiC中的Si和C以共價(jià)鍵結(jié)合形成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，和金剛石結(jié)構(gòu)相似，SiC屬于共價(jià)晶體，故選A。2.答案：D解析：共價(jià)晶體中原子之間通過共價(jià)鍵相連，而共價(jià)鍵具有方向性和飽和性，所以共價(jià)晶體中，原子不遵循緊密堆積原則。共價(jià)晶體在熔化時破壞共價(jià)鍵。3.答案：C解析：單質(zhì)硅是一種具有立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的共價(jià)晶體，A、D正確；晶體中每個硅原子與4個硅原子相連，B正確；根據(jù)單質(zhì)硅的晶體結(jié)構(gòu)可判斷晶體中最小環(huán)上的原子數(shù)目為6，C錯誤。4.答案：B解析：A項(xiàng)中延展性好，不是共價(jià)晶體的特征，因?yàn)楣矁r(jià)晶體中原子與原子之間以共價(jià)鍵結(jié)合，而共價(jià)鍵有一定的方向性，使共價(jià)晶體質(zhì)硬而脆；B項(xiàng)符合共價(jià)晶體的特征；C項(xiàng)符合離子晶體的特征；D項(xiàng)不符合共價(jià)晶體的特征。5.答案：A解析：碳化鋁，熔點(diǎn)為2200℃，熔融態(tài)不導(dǎo)電，則其為共價(jià)晶體，A符合題意；溴化鋁，熔點(diǎn)為98℃，熔融態(tài)不導(dǎo)電，則其為分子晶體，B不符合題意；五氟化釩，熔點(diǎn)為19.5℃，易溶于乙醇、氯仿、丙酮中，則其為分子晶體，C不符合題意；溴化鉀，熔融態(tài)時或溶于水中都能導(dǎo)電，則其為離子晶體，D不符合題意。6.答案：B解析：由于共價(jià)晶體的熔、沸點(diǎn)高，硬度大，故共價(jià)晶體干冰不易升華；類比的結(jié)構(gòu)可知，1mol共價(jià)晶體干冰中含4molC-O鍵。故選B。7.答案：C解析：A.晶體中1個Si原子和4個O原子形成4個共價(jià)鍵，每個Si周圍結(jié)合4個O，同時每個O與2個Si相結(jié)合，所以1mol中含有4molSi—O鍵，A錯誤；B.分子中，2個N原子之間形成共價(jià)三鍵，另外，每個N原子的最外層還有1個孤電子對，則其電子式為，B錯誤；C.CO是雙原子化合物分子，共用電子對偏向O原子、偏離C原子，O原子帶部分負(fù)電荷，C原子帶部分正電荷，正負(fù)電中心不重合，屬于極性分子，C正確；D.是由硅原子和氮原子通過Si－N鍵構(gòu)成共價(jià)晶體，不是分子晶體，D錯誤；故選C。8.答案：D解析：A，金剛石是由C原子通過共價(jià)鍵聚集而成的共價(jià)晶體，A正確；B.該反應(yīng)中Na元素的化合物升高，作氧化劑，利用的強(qiáng)還原性將中的C還原為金剛石，B正確；C晶體硅中的原子、金剛石中的C原子均形成4個鍵，價(jià)層電子對數(shù)為4，為雜化，C正確；D.的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，以體心為例，晶體中每個周圍與它最接近且距離相等的有6個，D錯誤；綜上所述答案為D。9.答案：C解析：A.電子層數(shù)相同原子序數(shù)越大半徑越小，電子層數(shù)不同電子層數(shù)越多半徑越大，原子半徑K>Na>Si>O，故A正確；B.第一電離能大型一般情況電負(fù)性有關(guān)，電負(fù)性越大第一電離能越大，但是原子軌道半充滿有個反常，氮原子的2p軌道半充滿，第一電離能比氧原子大，所以與氧原子的第一電離能比同周期相鄰元素的小，故B正確；C.金屬性越強(qiáng)，元素最高價(jià)氧化物對應(yīng)的水化物堿性越強(qiáng)，同主族元素從上往下金屬性逐漸增強(qiáng)，K的金屬性強(qiáng)于Na的，所以Na的最高價(jià)氧化物對應(yīng)水化物的堿性比K的弱，故C錯誤；D.Si單質(zhì)形成的晶體屬于共價(jià)晶體，故D正確；故選：C。10.答案：A解析：A.二氧化硅晶體最小環(huán)上含有6個硅原子6個氧原子，共12個原子，故A正確；B.二氧化硅晶體和金剛石晶體的結(jié)構(gòu)類似，每個硅原子為12個最小環(huán)共有，故B錯誤；C.1個Si與4個O形成Si-O鍵，則1molSi擁有4molSi-O鍵，故C錯誤；D.SiO2晶體中只含極性共價(jià)鍵，不含非極性共價(jià)鍵，故D項(xiàng)錯誤。故答案選：A。11.答案：C解析：A.在晶體中，1個硅原子和4個氧原子形成4個共價(jià)鍵，A項(xiàng)正確；B.石墨中的碳碳鍵的鍵長小于金剛石中的碳碳鍵的鍵長，且石墨融化時不僅要克服共價(jià)鍵，還要破壞分子間作用力，故熔點(diǎn)大于金剛石，B項(xiàng)正確；C.雖然的相對分子質(zhì)量大于，但是由于分子之間可以形成氫鍵，所以的沸點(diǎn)高于，C項(xiàng)錯誤；D.金剛石為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，由共價(jià)鍵形成的碳原子環(huán)中，最小環(huán)上有6個碳原子，最多4個碳原子共面，D項(xiàng)正確；答案選C。12.答案：B解析：鉻元素的原子序數(shù)為24，基態(tài)鉻原子的價(jià)電子排布式為，A正確；同周期元素，從左到右第一電離能呈增大趨勢，則第一電離能：As>Ge>Ga，B錯誤；非金屬元素的電負(fù)性大于金屬元素，金屬元素的金屬性越強(qiáng)，電負(fù)性越小，砷為非金屬元素，鋅的金屬性強(qiáng)于鍺元素，則電負(fù)性由大到小的順序?yàn)锳s>Ge>Zn，C正確；共價(jià)晶體的熔、沸點(diǎn)取決于共價(jià)鍵的強(qiáng)弱，碳化硅、晶體硅均屬于共價(jià)晶體，鍵長；C—Si鍵<Si—Si鍵、鍵能：C—Si鍵>Si—Si鍵，則熔、沸點(diǎn)：碳化硅均大于晶體硅，D正確。13.答案：B解析：A.GaN具有硬度大、熔點(diǎn)高的特點(diǎn)，為半導(dǎo)體材料，GaN屬于共價(jià)晶體，A項(xiàng)正確；B.分子中N的價(jià)層電子對數(shù)為3+×（5-3×1）=4，分子的VSEPR模型為四面體形，B項(xiàng)錯誤；C.Ga原子核外有31個電子，基態(tài)Ga原子核外電子排布式為，基態(tài)Ga原子的價(jià)層電子排布式為，C項(xiàng)正確；D.GaN和AlN都屬于共價(jià)晶體，原子半徑：Ga>Al，共價(jià)鍵鍵長：Ga-N鍵>Al-N鍵，鍵能：Ga-N鍵<Al-N鍵，熔點(diǎn)：GaN<AlN，D項(xiàng)正確；答案選B。14.答案：（1）N、O、Al（2）2:3（3）AlN（4）；高于解析：（1）同周期從左往右，第一電離能呈增大趨勢，且N的2p半滿為穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，其第一電離能大于O，從上到下，第一電離能減小，則X、Y、Z三種元素的第一電離能由大到小的順序是N、O、Al；（2）HCN含有1個單鍵、1個三鍵，其含有2個σ鍵，HCHO含有2個單鍵和1個雙鍵，其含有3個σ鍵，則1molHCN與1mol所含σ鍵的比值為2:3；（3）由圖可知，N位于棱上和體內(nèi)，個數(shù)為，Al位于頂點(diǎn)和體內(nèi)，個數(shù)為