光圖定向檢測主講教師：目錄CONTENTS01.光圖定向儀原理分析02.晶向與光象的關(guān)系03.硅單晶光點(diǎn)定向測試作業(yè)指導(dǎo)書光圖定向儀原理分析PART01一、光圖定向儀原理分析基本原理硅單晶面經(jīng)過研磨、擇優(yōu)腐蝕等一系列恰當(dāng)?shù)奶幚砗?，表面出現(xiàn)許許多多的小腐蝕坑。不同晶向生長的硅單晶，這些原子密排面有不同的宏觀對(duì)稱性。當(dāng)一束平行光入射到小坑上時(shí)，就會(huì)被這些小平面反射到不同的方向上去。如果在反射光路上放置一個(gè)光屏，就能在光屏上現(xiàn)出晶體的光像。這種光像具有與腐蝕坑相應(yīng)的宏觀對(duì)稱性。根據(jù)晶體反射光像的對(duì)稱性以及光圖中心的偏離角，可以確定晶體的生長方向和晶體的晶向偏離角度。一、光圖定向儀原理分析光圖定向設(shè)備入射光束經(jīng)樣品表面反射后，在光屏上形成特征光象。調(diào)節(jié)樣品臺(tái)的測角裝置，使光圖中心與小孔重合，根據(jù)測角裝置上的讀數(shù)即可計(jì)算出晶體的晶向偏離角大小。晶向與光象的關(guān)系PART02二、晶向與光象的關(guān)系(a)硅（111），晶體尾端(b)硅（111），籽晶端朝籽晶端晶面光瓣背向晶棱，朝尾端[即（111）晶面光瓣指向晶棱。晶棱的位置與[-111]、[1-11]、[11-1]的晶向一致。二、晶向與光象的關(guān)系[100]方向生長的單晶，朝籽晶端[即（-100）晶面]和朝尾端[即（100）晶面]兩者的光象圖中光瓣的方位與單晶外觀四條棱線的位置是一致的。但是解理坑的四個(gè)角的方位與棱線的方位是錯(cuò)開的，相互成45o角。(a)硅（100），晶體尾端(b)硅（100），籽晶端二、晶向與光象的關(guān)系(a)硅（110）(b)硅（110）[110]方向生長的單晶，光瓣的位置與晶棱的位置是一致的。二、晶向與光象的關(guān)系光源光屏β讀數(shù)α讀數(shù)晶向偏離度Φ的計(jì)算晶向偏離度就是指晶體生長方向偏離晶軸（晶向）的角度?！鰽PP′得知

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硅單晶光點(diǎn)定向測試作業(yè)指導(dǎo)書PART0301.樣品制備三、硅單晶光點(diǎn)定向測試作業(yè)指導(dǎo)書（一）晶向測定方法一對(duì)<111>晶向的單晶，用5~10%的NaOH水溶液（重量比）煮沸5~6分鐘，到反射出的光圖清楚為止。方法二對(duì)<100>晶向的單晶，用25%~50%NaOH水溶液（重量比）煮沸2～3分鐘，到光圖清楚為止。01.樣品制備三、硅單晶光點(diǎn)定向測試作業(yè)指導(dǎo)書（一）晶向測定<111>晶向生長的晶體腐蝕表面呈許多三角形坑，這些坑的頂角與晶體外觀棱線的位置一致或相反。<100>晶向生長的晶體腐蝕面呈現(xiàn)很多嵌有黑邊的四方形小坑，這些小坑的四個(gè)角與晶體的四條晶棱相應(yīng)錯(cuò)開45o角。<110>晶向生長的晶體的腐蝕面呈現(xiàn)出許多矩形小坑。三、硅單晶光點(diǎn)定向測試作業(yè)指導(dǎo)書（二）晶向偏離度的測定1首先調(diào)整光源的入射平行光束與光屏和樣品載物臺(tái)前端面垂直。2旋轉(zhuǎn)樣品架上的水平、垂直兩個(gè)方向轉(zhuǎn)軸，使樣品繞X′軸（調(diào)節(jié)α）角和Y′軸（調(diào)β角）旋轉(zhuǎn)，直到反射光象中心點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)光屏中心孔，記下角坐標(biāo)。分別求出兩個(gè)方向上角坐標(biāo)之差，即為α角和β角。三、硅單晶光點(diǎn)定向測試作業(yè)指導(dǎo)書（二）晶向偏離度的測定3由測得的垂直和水平方向上的偏離角度α、β求出晶向偏離角Φ：

當(dāng)晶向偏離角度Φ小于5o時(shí)，可應(yīng)用下面近似式，求出晶向偏離角Φ：

光點(diǎn)定向法在偏向角不超過10o時(shí)測量精度可達(dá)30′。三、硅單晶光點(diǎn)定向測試作業(yè)指導(dǎo)書撰寫檢測報(bào)告書小結(jié)SUMMARY01光圖定向設(shè)備的原理分析；02晶向與光象的