硅拋光片表面質(zhì)量檢測(cè)主講教師：目錄CONTENTS01.查詢(xún)國(guó)家檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)02.檢測(cè)原理及方案03.檢測(cè)組織實(shí)施04.檢測(cè)結(jié)果分析05.課堂總結(jié)查詢(xún)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)PART01一、查詢(xún)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)原理及方案PART02二、檢測(cè)原理及方案（一）檢驗(yàn)方法描述硅拋光片表面缺陷在一定光照條件下可產(chǎn)生光的漫反射，且能目測(cè)觀(guān)察，據(jù)此可目測(cè)檢驗(yàn)其表面質(zhì)量。二、檢測(cè)原理及方案（二）檢驗(yàn)裝置01.檢驗(yàn)凈化臺(tái)檢驗(yàn)凈化臺(tái)至少為100級(jí)，即1立方英尺空氣中，≥0.5μm的粒子總數(shù)不得超過(guò)100個(gè)。離凈化臺(tái)正面邊緣230mm處背景照度為50～650lx。二、檢測(cè)原理及方案（二）檢驗(yàn)裝置02.光源高強(qiáng)度狹束光源離光源100mm處光照度≥16Klx。大面積散射光源可調(diào)節(jié)光強(qiáng)度的熒光燈或乳白燈，檢測(cè)面上光照度為430～650lx。二、檢測(cè)原理及方案（二）檢驗(yàn)裝置03.真空吸筆真空吸筆用于在檢驗(yàn)時(shí)夾持硅片，要求拋光片與其接觸后不留有痕跡，不引入污染，筆頭可拆下清洗。二、檢測(cè)原理及方案（二）檢驗(yàn)裝置04.光照度計(jì)光照度計(jì)用于對(duì)檢驗(yàn)光源照度的測(cè)量。在檢驗(yàn)凈化臺(tái)內(nèi)，用真空吸筆吸住拋光片背面，使拋光面（或背面）向上，正對(duì)光源。適當(dāng)晃動(dòng)硅片，改變?nèi)肷涔饨嵌?，目測(cè)觀(guān)察其表面狀況并作出合格與否的相應(yīng)判斷。光源距被測(cè)拋光片距離約（50～100）mm，α角為45°±10°，β角為90°±10°。二、檢測(cè)原理及方案（三）檢測(cè)原理光源、被測(cè)硅片與檢驗(yàn)人員的位置關(guān)系圖光源觀(guān)察者硅片真空吸筆正面檢測(cè)組織實(shí)施PART03三、檢測(cè)組織實(shí)施（一）拋光片正面檢測(cè)用真空吸筆吸住硅片背面，使高強(qiáng)度狹束光源光束斑直射拋光片表面。適當(dāng)晃動(dòng)硅片，改變?nèi)肷涔饨嵌?，目測(cè)觀(guān)察整個(gè)表面的缺陷，主要有劃痕、沾污、顆粒及霧狀。（1）將光源換成大面積散射光源，目測(cè)檢驗(yàn)硅片正面的其他缺陷，如崩邊、裂紋、溝槽、桔皮、鴉爪、波紋、淺坑、小丘、刀痕和條紋等。（2）三、檢測(cè)組織實(shí)施（二）拋光片背面檢測(cè)用真空吸筆吸住硅片背面，使背面向上，在大面積散射光源下目測(cè)檢驗(yàn)硅片背面缺陷，如邊緣碎裂崩缺、沾污、裂紋、劃道和刀痕等。檢測(cè)結(jié)果分析PART04四、檢測(cè)結(jié)果分析撰寫(xiě)檢測(cè)報(bào)告書(shū)課堂總結(jié)PART05小結(jié)SUMMARY01硅片表面質(zhì)量檢測(cè)的基本原理；02硅片表面質(zhì)量檢測(cè)設(shè)備裝置；最后，我們來(lái)回顧一下本小節(jié)的內(nèi)容：思考THINKING課后，請(qǐng)同學(xué)試著