ICS27.160

CCSF12

團體標準

xxxx—xxxx

反式結(jié)構(gòu)鈣鈦礦太陽能電池生產(chǎn)工藝

Specificationforproductionprocessoftrans-structure

perovskitesolarcells

xxxx-xx-xx發(fā)布xxxx-xx-xx實施

??發(fā)布

反式結(jié)構(gòu)鈣鈦礦太陽能電池生產(chǎn)工藝

1范圍

本標準規(guī)定了反式結(jié)構(gòu)鈣鈦礦太陽能電池術(shù)語和定義、原料要求、儀器設(shè)備、生產(chǎn)流程、儲存、運

輸和生產(chǎn)記錄。

本標準適應于反式結(jié)構(gòu)鈣鈦礦太陽能電池生產(chǎn)工藝。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期

對應的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。

GB/T1958產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范（GPS)幾何公差檢測與驗證

GB2894-2008安全標志及其使用導則

GB/T4728-2018電氣簡圖用圖形符號第1部分:一般要求

GB5226.1-2008機械電氣安全機械電氣設(shè)備第1部分:通用技術(shù)條件

GB/T9969-2008工業(yè)產(chǎn)品使用說明書一總則

GB/T12265.3-1997機械安全避免人體各部位擠壓的最小間距

GB/T3768-2017聲學聲壓法測定噪聲源聲功率級和聲能量級

GB/T23821-2009機械安全防止上下肢觸及危險區(qū)的安全距離

GB/T41515-2022涂布機術(shù)語

GB/T25915.1潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境第1部分：空氣潔凈度等級

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件。

3.1清洗單元

采用機械、物理、化學或電化學方法，去除玻璃基片表面附著的油脂和其他污物的工藝段。

3.2濺射單元

采用磁控濺射設(shè)備在玻璃基片表面沉積薄膜的工藝段。

3.3涂布單元

采用狹縫涂布機在玻璃基片表面涂布膜層的工藝段。

3.4蒸鍍單元

采用真空蒸鍍技術(shù)在玻璃基片表面沉積膜層的工藝段。

3.5激光單元

采用激光刻劃設(shè)備在鍍膜的玻璃基片上先后刻劃P1、P2、P3和P4實現(xiàn)各子電池內(nèi)聯(lián)的工藝段。

3.6封裝單元

采用裁切、貼敷、合片、層壓、焊接、灌封等設(shè)備實現(xiàn)發(fā)電芯片封裝保護的工藝段。

2

3.7測試單元

采用IV、絕緣耐壓等測試設(shè)備測試芯片和或組件IV、絕緣耐壓等性能的工藝段；

4原料要求

4.1鈣鈦礦溶液

具備ABX3分子結(jié)構(gòu)，漿料粘度在0.7-2000cps的鈣鈦礦漿料，根據(jù)配方配置要求xxxx

4.2靶材

采用金屬氧化物、金屬或合金等靶材，純度≥3N，靶材尺寸根據(jù)產(chǎn)品和設(shè)備規(guī)格確定；

4.3電極

采用導電漿料、金屬、合金、透明導電氧化物或前者復合層材料；

4.4工作環(huán)境

反式結(jié)構(gòu)鈣鈦礦太陽能電池組件的推薦工作環(huán)境條件為：

——室內(nèi)溫度：20~28℃

——室內(nèi)相對濕度：20%~50%

——室內(nèi)潔凈度：萬級

5儀器和設(shè)備

反式結(jié)構(gòu)鈣鈦礦太陽能電池生產(chǎn)工藝需要的儀器設(shè)備如下：

a）水清洗機；

b）等離子清洗機；

c）激光劃線機；

d）磁控濺射設(shè)備；

e）鈣鈦礦狹縫涂布機；

f）真空蒸鍍機；

g）真空加熱層壓機；

h）I-V測試儀；

i）導電膠帶、匯流焊帶、絕緣膠帶貼敷機；

g）膠膜裁切機；

k）合片機；

l）絕緣耐壓測試機；

3

6生產(chǎn)流程

6.1生產(chǎn)前準備

6.1.1設(shè)備維護保養(yǎng)；

6.1.2產(chǎn)品信息確認；

6.1.3生產(chǎn)物料準備；

6.2生產(chǎn)過程

組件生產(chǎn)分前道芯片和后道封裝測試，各準備工作結(jié)束后，各設(shè)備開始按下圖工序流程運行生產(chǎn)。

6.3生產(chǎn)檢查

生產(chǎn)開始后，生產(chǎn)過程定期進行設(shè)備和工藝點檢，確認設(shè)備和工藝運行正常。

7產(chǎn)品檢查

7.1性能檢測

利用在線設(shè)備對每片芯片的每條激光刻線P1的絕緣電阻進行測量，或離線首檢和過程定期抽檢，絕緣電

阻要求達到MΩ級別；

空穴傳輸層厚度均勻性要求≤±5%；

電子傳輸層厚度均勻性要求≤±5%；

吸收層厚度厚度均勻性要求≤±5%；

電極層厚度均勻性要求≤±5%；

電極層方塊電阻均勻性要求≤±8%；

4

導電膠帶貼敷位置精度要求≤±0.5mm；

絕緣膠帶貼敷位置精度要求≤±0.5mm；

匯流焊帶貼敷位置精度要求≤±0.5mm；

丁基膠貼敷位置精度要求≤±0.5mm；

7.2效率測試

對每片組件進行IV測試，篩選出合格產(chǎn)品。

7.3外觀檢查

對每片芯片和組件進行外觀檢查，確認芯片或組件無崩邊、裂痕、劃傷、孔洞、脫膜、氣泡、色差

等不良。

8完成品入庫

在流程單上使用時間打印機打印完成時間，將產(chǎn)品流程單號錄入生產(chǎn)庫。

9廢棄物的管理

9.1廢棄物用分類并裝入廢棄物容器。

9.2廢棄物容器應不透水、易清洗消毒、加蓋或密封，并有明顯標識。

9.3廢棄物應接班次及時清除，運輸?shù)街付ǖ攸c加以處理。

9.4廢棄物容器、運送車輛和廢棄物臨時存放場所應及時進行清理。

10儲存、運輸

10.1所生產(chǎn)的組件產(chǎn)品應在溫濕度受控的環(huán)境下進行儲