行業(yè)研究行業(yè)研究/行業(yè)深度2025年12月22日電子電子——愛建電子專題報(bào)告強(qiáng)于大市投資要點(diǎn)：一年內(nèi)行業(yè)指數(shù)與滬深300指數(shù)對(duì)比走勢(shì)：一年內(nèi)行業(yè)指數(shù)與滬深300指數(shù)對(duì)比走勢(shì)：資料來源：聚源數(shù)據(jù)，愛建證券研究所《電子行業(yè)周報(bào)：TPU需求上漲帶動(dòng)Google產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展》2025-12-21《人工智能月度跟蹤：摩爾線程、沐曦股份IPO首發(fā)成功》2025-12-19《電子行業(yè)周報(bào)：NVIDIAH200芯片放松出口限制》2025-12-16《愛建電子專題報(bào)告：iPhone折疊屏有望帶來產(chǎn)業(yè)發(fā)展拐點(diǎn)》2025-12-15《電子行業(yè)周報(bào)：字節(jié)跳動(dòng)發(fā)布豆包手機(jī)助手》2025-12-08nDRAM資料來源：聚源數(shù)據(jù)，愛建證券研究所《電子行業(yè)周報(bào)：TPU需求上漲帶動(dòng)Google產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展》2025-12-21《人工智能月度跟蹤：摩爾線程、沐曦股份IPO首發(fā)成功》2025-12-19《電子行業(yè)周報(bào)：NVIDIAH200芯片放松出口限制》2025-12-16《愛建電子專題報(bào)告：iPhone折疊屏有望帶來產(chǎn)業(yè)發(fā)展拐點(diǎn)》2025-12-15《電子行業(yè)周報(bào)：字節(jié)跳動(dòng)發(fā)布豆包手機(jī)助手》2025-12-08其具備存儲(chǔ)容量大、單位成本相對(duì)較低等核心優(yōu)勢(shì)。據(jù)TrendForce統(tǒng)計(jì)，2023年全球NANDFlash份額排名前五的企業(yè)依次為Samsung（35.7%）、SKGroup（21.3%）、證券分析師聯(lián)系人n全球存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)“美國(guó)-日本-韓國(guó)-中國(guó)”的區(qū)域轉(zhuǎn)移脈絡(luò)。美國(guó)作為存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)源地，英特爾等企業(yè)率先引領(lǐng)早期存儲(chǔ)芯片的技后因日美貿(mào)易摩擦加劇，其存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)份額逐步下滑；韓國(guó)Samsung、SKHynix等企業(yè)順勢(shì)崛起，1996年Samsung推出全球首款1GBDR域優(yōu)勢(shì)；SK證券分析師聯(lián)系人請(qǐng)仔細(xì)閱讀在本報(bào)告尾部的重要法律聲明2 5 5 6 8 4.全球存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移 4.1存儲(chǔ)芯片轉(zhuǎn)移路線：美國(guó)-日本-韓國(guó)-中國(guó) 22 25 33請(qǐng)仔細(xì)閱讀在本報(bào)告尾部的重要法律聲明3圖表目錄 5 5 6 7 7 8 9 9 9 13 圖表22：英偉達(dá)與AMD人工智能芯 請(qǐng)仔細(xì)閱讀在本報(bào)告尾部的重要法律聲明4 23 23 26 28 請(qǐng)仔細(xì)閱讀在本報(bào)告尾部的重要法律聲明51.存儲(chǔ)芯片進(jìn)入新一輪漲價(jià)周期2025年9月14日，Micron宣布上調(diào)存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格20%-30%，其中DRAM品類下的DDR4、DDR5及移動(dòng)DRAM（LPDDR4、LPDDR5）等產(chǎn)品同步暫停報(bào)價(jià)。緊接其后9月22日，Newdaily報(bào)道Samsung宣布上調(diào)LPDDR4X、LPDDR5/5X等移動(dòng)DRAM產(chǎn)品合約價(jià)15%-30%，同時(shí)將NANDFlash合約價(jià)上調(diào)5%-10%。之后10月23日，SKHynix官宣2025Q4DRAM與NANDFlash合約價(jià)最高上調(diào)30%。圖表1：2025Q4主流存儲(chǔ)廠商存儲(chǔ)產(chǎn)品合約價(jià)上漲情況16GB)、DRAM(DDR48GB)、DRAM(DDR34GB)、價(jià)格分別為26.27美元美元、14.38美元、3.59美元。圖表2：2025年DRAM現(xiàn)貨平均價(jià)據(jù)DRAMexchange數(shù)據(jù)，截至12月15日，F(xiàn)lash（MLC256GB）、Flash（MLC128GB）、Flash（SLC16GB）、Flash（SLC8GB）價(jià)格分別為14.35美元、10.63請(qǐng)仔細(xì)閱讀在本報(bào)告尾部的重要法律聲明6美元、11.50美元、5.11美元。圖表3：2025年NANDFlash現(xiàn)貨平均價(jià)伴隨DRAM與NANDFlash現(xiàn)貨平均價(jià)全面持續(xù)上揚(yáng)，全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)已正式開啟新一輪成長(zhǎng)周期。我們梳理了2016-2025年全球芯片市場(chǎng)的周期表現(xiàn)，對(duì)過往的漲價(jià)與跌價(jià)進(jìn)行了復(fù)盤分析。請(qǐng)仔細(xì)閱讀在本報(bào)告尾部的重要法律聲明7圖表4：存儲(chǔ)行業(yè)歷史周期梳理2016-2018年經(jīng)歷了一輪漲價(jià)周期，主要原因來自于智能手機(jī)的升級(jí)換代。2015年上市的iPhone6S，標(biāo)配2GB運(yùn)行內(nèi)存與16GB存儲(chǔ)容量；至2018年發(fā)布的iPhoneXS，運(yùn)行內(nèi)存已提升至4GB，存儲(chǔ)容量逐步迭代至64GB，帶動(dòng)智能手機(jī)端存儲(chǔ)芯片需求大幅增長(zhǎng)。2018-2019年，隨著智能手機(jī)出貨量下滑，同時(shí)手機(jī)升級(jí)周期結(jié)束，存儲(chǔ)芯片需求下降；存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)供過于求，行業(yè)轉(zhuǎn)入下行調(diào)整。圖表5：全球智能手機(jī)出貨量及同比請(qǐng)仔細(xì)閱讀在本報(bào)告尾部的重要法律聲明82020-2023年，線上經(jīng)濟(jì)、居家辦公等場(chǎng)景拉動(dòng)了PC等終端出貨量提升。由于疫情導(dǎo)致供應(yīng)鏈的不確定性，各個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈增加冗余性的囤貨，拉動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)需求進(jìn)入上行周期。由于疫情影響消退，線上辦公需求逐步回落、回歸常態(tài)；終端出貨量趨于平穩(wěn)，產(chǎn)業(yè)鏈囤貨減少，市場(chǎng)供需格局轉(zhuǎn)向供過于求，存儲(chǔ)芯片行業(yè)進(jìn)入降價(jià)周期。圖表6：全球PC出貨量及同比與此前存儲(chǔ)周期依賴單一驅(qū)動(dòng)邏輯（前兩輪分別由消費(fèi)電子需求主導(dǎo)、疫情期間線上經(jīng)濟(jì)拉動(dòng)PC需求）不同，2024年開啟的第三輪存儲(chǔ)周期，呈現(xiàn)出云廠商資本開支加碼催生AI服務(wù)器需求爆發(fā)、智能手機(jī)配置持續(xù)升級(jí)等多因素共振驅(qū)動(dòng)的多元特征。2024年，DRAM與NANDFlash的下游需求主要由服務(wù)器、智能手機(jī)及個(gè)人電腦（PC）三類終端構(gòu)成，三者合計(jì)貢獻(xiàn)比例分別達(dá)80%和75%。具體來看，DRAM領(lǐng)域中服務(wù)器、智能手機(jī)、PC的占比依次為34%、32%、14%；NANDFlash領(lǐng)域?qū)?yīng)占比則為30%、31%、14%。在2022年之前存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)最主要的應(yīng)用場(chǎng)景是智能手機(jī)，但在2023年之后由于AI的快速發(fā)展，服務(wù)器也成為拉動(dòng)需求的促進(jìn)因素，智能手機(jī)和服務(wù)器兩者目前貢獻(xiàn)權(quán)重基本接近。請(qǐng)仔細(xì)閱讀在本報(bào)告尾部的重要法律聲明9圖表7：DRAM下游應(yīng)用占比圖表8：NANDFlash下游應(yīng)用占比1.3.1智能手機(jī)主導(dǎo)的芯片市場(chǎng)周期主流智能手機(jī)內(nèi)存、存儲(chǔ)容量的持續(xù)升級(jí)，不斷推動(dòng)存儲(chǔ)芯片需求快速增長(zhǎng)。作為全球智能手機(jī)龍頭，蘋果的產(chǎn)品配置升級(jí)對(duì)行業(yè)具有較強(qiáng)的引領(lǐng)作用。通過梳理2015-2025年10年間iPhone系列機(jī)型的運(yùn)行內(nèi)存容量及存儲(chǔ)容量配置數(shù)據(jù)，我們發(fā)現(xiàn)：1）2016-2018年iPhone存儲(chǔ)芯片的密集升級(jí)與同期的存儲(chǔ)市場(chǎng)周期吻合。運(yùn)行內(nèi)存從2015年iPhone6S的2GB逐步提升至2017年iPhoneX的3GB，2018年iPhoneXS進(jìn)一步提升至4GB。2）2024-2025年，iPhone開啟了新一輪存儲(chǔ)芯片升級(jí)。2024年發(fā)布的iPhone16存儲(chǔ)容量為128GB，2025年的iPhone17則提升至256GB。圖表9：2015-2025iPhone標(biāo)準(zhǔn)款內(nèi)存容量與存儲(chǔ)容量信息梳理-----總結(jié)以上，我們發(fā)現(xiàn)iPhone內(nèi)存容量平均2-4年完成一次迭代升級(jí)；存儲(chǔ)容量每隔請(qǐng)仔細(xì)閱讀在本報(bào)告尾部的重要法律聲明4年完成一次升級(jí)。iPhone在2025年完成存儲(chǔ)容量升級(jí)后，我們判斷其內(nèi)存容量有望迎來再次升級(jí)。如此密集的持續(xù)升級(jí)，有望助推全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)漲價(jià)周期在2026年延續(xù)。1.3.2服務(wù)器和智能手機(jī)主導(dǎo)的芯片市場(chǎng)周期除了智能手機(jī)帶來的市場(chǎng)需求，AI產(chǎn)業(yè)的發(fā)展讓服務(wù)器對(duì)存儲(chǔ)芯片的需求與日俱增。2023年起AI技術(shù)持續(xù)迭代，服務(wù)器等高端計(jì)算設(shè)備對(duì)存儲(chǔ)的容量、帶寬及延遲性能提出更高要求。HBM3E、DDR5等先進(jìn)存儲(chǔ)技術(shù)加速迭代，成為匹配這一需求的核心方案：其中HBM3E憑借超高帶寬，且散熱與能效較前代實(shí)現(xiàn)明顯提升，有效突破AI大模型訓(xùn)練的I/O瓶頸；DDR5則憑借低延遲優(yōu)勢(shì)，精準(zhǔn)適配推理場(chǎng)景的高性能需求。TrendForce數(shù)據(jù)顯示，Google、AWS、Meta、Microsoft、Oracle、騰訊、阿里巴巴、百度這八大云服務(wù)廠商的資本開支從2021年的1451.0億美元增長(zhǎng)至2024年的2609.0億美元，2021-2024年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)21.6%；該機(jī)構(gòu)進(jìn)一步預(yù)測(cè)，2026年全球八大云服務(wù)廠商資本開支有望達(dá)到6020億美元，2024-2026年復(fù)合增長(zhǎng)率或?qū)⑦_(dá)到51.9%。圖表10：2021-2026全球八大云廠商資本開支國(guó)內(nèi)外八大云廠商積極布局服務(wù)器及相關(guān)領(lǐng)域，通過技術(shù)迭代夯實(shí)底層基礎(chǔ)設(shè)施支撐。2025年Google在CloudNext大會(huì)官宣TPUIronwood全面商用，這款第七代TPU液冷集群總算力達(dá)42.5EFLOPS，大幅降低大模型推理延遲；AWS于re:Invent2025大會(huì)發(fā)布Graviton5自研CPU，其3nm先進(jìn)制程、192核設(shè)計(jì)使通用計(jì)算性能較前代提升25%，為AI訓(xùn)練提供高擴(kuò)展算力。國(guó)內(nèi)廠商騰訊、阿里巴巴、百度也陸續(xù)推出核心產(chǎn)品，憑借技術(shù)迭代優(yōu)化算力與提高能效，夯實(shí)云與AI場(chǎng)景的底層基礎(chǔ)設(shè)施支撐。請(qǐng)仔細(xì)閱讀在本報(bào)告尾部的重要法律聲明圖表11：國(guó)內(nèi)外云服務(wù)廠商紛紛布局服務(wù)器及其相關(guān)領(lǐng)域務(wù)器已在Azure數(shù)據(jù)中心上線，更廣泛的部署與客戶可用服務(wù)將于云廠商在服務(wù)器領(lǐng)域的開拓創(chuàng)新，有望推動(dòng)AI服務(wù)器市場(chǎng)持續(xù)向好。弗若斯特沙利文數(shù)據(jù)顯示，全球服務(wù)器市場(chǎng)規(guī)模從2020年的1360萬臺(tái)增長(zhǎng)至2024年的1600萬臺(tái)（AI服務(wù)器占服務(wù)器的12.5%2020-2024年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)4.2%；該機(jī)構(gòu)進(jìn)一步預(yù)測(cè)，2030年全球服務(wù)器市場(chǎng)規(guī)?；?qū)⒃鲩L(zhǎng)至1950萬臺(tái)（AI服務(wù)器占服務(wù)器的33.3%2025-2030年復(fù)合增長(zhǎng)率為3.7%。圖表12：全球服務(wù)器市場(chǎng)規(guī)模（按服務(wù)器類別）2.內(nèi)存：DRAMDRAM是一種易失性存儲(chǔ)器，可與CPU、GPU等計(jì)算芯片直接交互，用于快速存請(qǐng)仔細(xì)閱讀在本報(bào)告尾部的重要法律聲明儲(chǔ)每秒數(shù)十億次計(jì)算過程中產(chǎn)生的臨時(shí)信息。DRAM芯片主要由存儲(chǔ)單元、外圍邏輯電路、周邊線路三部分組成。1）存儲(chǔ)單元（Cell）是DRAM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的最小單元，每個(gè)單元僅存儲(chǔ)1bit二進(jìn)制數(shù)據(jù)；單顆芯片的容量拓展，主要通過增加存儲(chǔ)單元數(shù)量、提升單位面積存儲(chǔ)密度實(shí)現(xiàn)。存儲(chǔ)單元陣列占據(jù)芯片55%-60%的面積。2）外圍邏輯電路（Core）負(fù)責(zé)控制數(shù)據(jù)的讀取、寫入及刷新等操作，保障數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性與存儲(chǔ)單元的正常運(yùn)行，這部分占據(jù)芯片25%-30%的面積。3）周邊線路（Peripheral）由控制線路與輸入/輸出線路組成：控制線路根據(jù)外部指令與地址協(xié)調(diào)芯片內(nèi)部工作，輸入/輸出線路負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)的寫入與讀取。圖表13：DRAM結(jié)構(gòu)圖DRAMeXchange，TrendForce數(shù)據(jù)顯示，2024年全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模達(dá)958.63億美元（同比+84.83%）。圖表14：全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模請(qǐng)仔細(xì)閱讀在本報(bào)告尾部的重要法律聲明全球DRAM市場(chǎng)呈現(xiàn)寡頭壟斷格局。DRAMeXchange，TrendForce數(shù)據(jù)顯示，2024年SKHynix、Samsung、Micron合計(jì)擁有97.49%的市場(chǎng)份額。圖表15：2024年全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模全球存儲(chǔ)廠商深耕DRAM領(lǐng)域，加速推進(jìn)技術(shù)迭代。Samsung量產(chǎn)第六代10nm級(jí)1cDRAM，HBM4樣品已交付并計(jì)劃2026年量產(chǎn)；Micron推出全球首款1γ節(jié)點(diǎn)LPDDR5X內(nèi)存樣品，賦能旗艦機(jī)AI應(yīng)用；國(guó)內(nèi)方面，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)發(fā)布通過JEDEC認(rèn)證的DDR5內(nèi)存（最高8000Mbps）及LP助力消費(fèi)電子與服務(wù)器市場(chǎng)的技術(shù)升級(jí)與成本優(yōu)化；華邦電子推出16nm制程8GbDDR4DRAM，適配工業(yè)與嵌入式領(lǐng)域的嚴(yán)苛使用需求。圖表16：全球存儲(chǔ)廠商持續(xù)推進(jìn)DRAM領(lǐng)域技術(shù)迭代固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)（JEDEC）已明確定義并開發(fā)出DDR、LPDDR及GDDR三類DRAM標(biāo)準(zhǔn)。這三類標(biāo)準(zhǔn)各有側(cè)重，但能夠幫助設(shè)計(jì)人員精準(zhǔn)滿足不同目標(biāo)應(yīng)用在功耗控制、性能表現(xiàn)及規(guī)格適配方面的核心需求。請(qǐng)仔細(xì)閱讀在本報(bào)告尾部的重要法律聲明圖表17：JEDEC定義了三種DRAM標(biāo)準(zhǔn)類別標(biāo)準(zhǔn)DDR主要面向服務(wù)器、云計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、筆記本電腦、臺(tái)式機(jī)及消費(fèi)類應(yīng)用，支持更寬通道寬度、更高存儲(chǔ)密度與多樣化形狀尺寸，其性能提升核心路徑為優(yōu)化核心頻率。從DDR1到DDR5的技術(shù)演進(jìn)中，產(chǎn)品呈現(xiàn)“能耗持續(xù)降低、傳輸速度穩(wěn)步提升、存儲(chǔ)容量不斷擴(kuò)容”的趨勢(shì)。作為當(dāng)前最新的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，DDR5采用14-10nm的制程節(jié)點(diǎn)；數(shù)據(jù)傳輸速率也從DDR4的2133-3200MT/s，提升至3200-6400MT/s；同時(shí)其工作電壓下降至1.1V，在降低功耗的同時(shí)進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了性能的提升。圖表18：DDR1-5性能梳理24884相較于主要應(yīng)用于PC端的DDRDRAM模組，LPDDR憑借顯著的低功耗優(yōu)勢(shì)，成為兼具高性能的優(yōu)選方案，契合平板電腦、超薄筆記本、智能手機(jī)及車載設(shè)備等移動(dòng)終端對(duì)低功耗的核心需求。從技術(shù)演進(jìn)來看，LPDDR的數(shù)據(jù)傳輸速度持續(xù)迭代升級(jí)，請(qǐng)仔細(xì)閱讀在本報(bào)告尾部的重要法律聲明自2009年第一代產(chǎn)品的400Mb/s（兆比特/秒）起，逐步提升至2025年7月JEDEC正式發(fā)布的LPDDR6標(biāo)準(zhǔn)，其速率已高達(dá)14400Mbps。圖表19：LPDDR性能持續(xù)迭代升級(jí)GDDR是一類適用于高端顯卡的高性能DDR存儲(chǔ)器，主要面向圖形相關(guān)程序、數(shù)據(jù)中心加速、AI等對(duì)吞吐量要求極高的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用場(chǎng)景。它以SDRAM為技術(shù)基礎(chǔ)發(fā)展而來，歷經(jīng)二十余年的演進(jìn)逐步走向成熟。目前市面上的GDDR6、GDDR6X傳輸速率分別達(dá)14.0-20.0GT/s、19.0-23.0GT/s，其中GDDR6X型的傳輸帶寬則為760-1104GB/S。伴隨AI大模型、4K/8K超高清渲染等場(chǎng)景的持續(xù)升級(jí)，GDDR7的性能升級(jí)將進(jìn)一步鞏固其在高端顯卡、AI加速硬件中的主流配置地位。圖表20：GDDR技術(shù)演進(jìn)路線人工智能的發(fā)展帶動(dòng)芯片行業(yè)成長(zhǎng)，伴隨大模型計(jì)算量持續(xù)增長(zhǎng)，傳統(tǒng)帶寬難以支撐AI高計(jì)算量場(chǎng)景需求，制約了GPU性能的充分釋放。其中，占芯片面積約60%的緩存，以及存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)與工藝，成為進(jìn)一步挖掘GPU潛力的關(guān)鍵制約因素。而新引入的HBM（高帶寬存儲(chǔ)通過高帶寬、低延遲的特性減少數(shù)據(jù)傳輸損耗，有望破解請(qǐng)仔細(xì)閱讀在本報(bào)告尾部的重要法律聲明芯片性能提升的瓶頸，助力AI高效執(zhí)行深度學(xué)習(xí)任務(wù)。圖表21：人工智能持續(xù)發(fā)展HBM（HighBandwidthMemory，高帶寬內(nèi)存）是一種基于3D堆疊技術(shù)的高性能DRAM。它通過垂直堆疊多個(gè)DRAM芯片，并利用硅通孔（TSV）技術(shù)實(shí)現(xiàn)芯片之間的高速連接，從而大幅提高數(shù)據(jù)帶寬。TrendForce數(shù)據(jù)顯示，英偉達(dá)與AMDAI芯片的HBM技術(shù)路線呈現(xiàn)同步迭代、分層競(jìng)爭(zhēng)特征。2022-2025年周期內(nèi)，雙方HBM規(guī)格從HBM2e/HBM3（8hi）升級(jí)至HBM3e（8hi/12hi單芯片HBM容量從80-128GB提升至288GB+。圖表22：英偉達(dá)與AMD人工智能芯片的高帶寬內(nèi)存規(guī)格發(fā)展時(shí)間線及其對(duì)比自2015年第一代HBM1發(fā)布以來，HBM技術(shù)已逐步迭代至第六代產(chǎn)品——HBM4?？v觀這六代HBM產(chǎn)品的性能演變，我們可以發(fā)現(xiàn)其在帶寬、單芯片容量、堆疊層數(shù)等關(guān)鍵維度均實(shí)現(xiàn)了較大突破：其中，帶寬從初代HBM的128GB/s提升至HBM4的2.56TB/s（2621GB/s單芯片容量從1GB增加至64GB；堆疊層數(shù)則從4Hi升級(jí)至16Hi。請(qǐng)仔細(xì)閱讀在本報(bào)告尾部的重要法律聲明圖表23：各代HBM技術(shù)性能參數(shù)對(duì)比全球HBM市場(chǎng)持續(xù)向好。MarketResearchFuture數(shù)據(jù)顯示，2024年全球HBM市場(chǎng)規(guī)模達(dá)56.1億美元，2034年預(yù)計(jì)增長(zhǎng)至570.9億美元，2024-2034年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)26.1%。由于技術(shù)門檻較高，目前市面上僅SKhynix、Samsung、Micron三家企業(yè)具備HBM穩(wěn)定量產(chǎn)及供應(yīng)能力。其中SKhynix技術(shù)優(yōu)勢(shì)顯著，于2023年8月率先推出HBM3E產(chǎn)品，并計(jì)劃推進(jìn)HBM4研發(fā)；據(jù)Counterpoin數(shù)據(jù)，2025Q2全球HBM市場(chǎng)份額中，SKhynix、Micron、Samsung分別占比62%、21%、17%。圖表24：全球HBM市場(chǎng)規(guī)模圖表25：2025Q2全球HBM市場(chǎng)格局TrendForce數(shù)據(jù)顯示，2023-2025年HBM在DRAM市場(chǎng)的滲透加速：2023年，HBM產(chǎn)量、營(yíng)收占DRAM總規(guī)模比重為2%、8%；2025年預(yù)計(jì)達(dá)10%、30%。請(qǐng)仔細(xì)閱讀在本報(bào)告尾部的重要法律聲明圖表26：HBM產(chǎn)量與營(yíng)收占DRAM的比例3.存儲(chǔ)：NANDFlashNANDFlash是一種非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，主要用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。它通過電荷的存儲(chǔ)與釋放來實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，與傳統(tǒng)的DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）不同，NANDFlash在斷電后仍能保存數(shù)據(jù)，且容量極大、成本相對(duì)較低。圖表27：各類存儲(chǔ)器性能對(duì)比快大低高按單個(gè)Cell單元的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)位數(shù)劃分，NANDFlash可分為SLC（單層式儲(chǔ)存）、MLC（雙層式儲(chǔ)存）、TLC（三層式儲(chǔ)存）及QLC（四層式儲(chǔ)存）四種類型。當(dāng)前市場(chǎng)中TLC已成為主流選擇，而QLC憑借技術(shù)迭代方向明確被定位為未來發(fā)展趨勢(shì)。四種閃存顆粒場(chǎng)景定位差異顯著。SLC性能最優(yōu)、可靠性最強(qiáng)但成本最高，應(yīng)用于工業(yè)控制、航天軍工等企業(yè)級(jí)高可靠場(chǎng)景；MLC性能中高端、穩(wěn)定性均衡且成本適中，請(qǐng)仔細(xì)閱讀在本報(bào)告尾部的重要法律聲明為工業(yè)級(jí)與車規(guī)級(jí)SSD主流選型；TLC原生性能較弱，但憑借低成本+主控算法優(yōu)化，成為消費(fèi)級(jí)SSD主流；QLC以高容量密度、低單位成本為核心,推動(dòng)NANDFlash持續(xù)迭代。圖表28：NANDFlash可以劃分為SLC、MLC、TLC和QLCNAND四種據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，2023-2024年市場(chǎng)規(guī)模分別達(dá)387.3億美元、656.4億美元；2024全球NANDFlash市場(chǎng)份額前五的企業(yè)依次為Samsung（35.7%）、SKGroup（21.3%）、Kioxia（14.4%）、Micron（12.9%）、SanDisk（11.0%）。圖表29：NANDFlash市場(chǎng)規(guī)模圖表30：2024年全球NANDFlash市場(chǎng)份額國(guó)內(nèi)外企業(yè)正加速布局NANDFlash領(lǐng)域，技術(shù)迭代與產(chǎn)品創(chuàng)新持續(xù)突破。國(guó)外方面，Samsung于2024年成功量產(chǎn)全球首款1TbV-NANDFlash，并在同年12月完成400層NANDFlash開發(fā)，計(jì)劃2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；SKHynix則在2025年達(dá)成321層2TbQLCNANDFlash量產(chǎn)，該產(chǎn)品不僅容量領(lǐng)先，更是實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)傳輸速度翻倍、寫入性能最多提升56%、讀取性能提升18%及數(shù)據(jù)寫入能效提高23%以上的綜合突破。國(guó)產(chǎn)廠商中，長(zhǎng)江存儲(chǔ)、江波龍、佰維存儲(chǔ)依托技術(shù)架構(gòu)創(chuàng)新、細(xì)分場(chǎng)景深耕與核心環(huán)節(jié)攻堅(jiān)，加速國(guó)產(chǎn)NANDFlash領(lǐng)域突破。請(qǐng)仔細(xì)閱讀在本報(bào)告尾部的重要法律聲明20圖表31：國(guó)內(nèi)外企業(yè)紛紛加碼NANDFlash隨著2DNANDFlash的容量提升觸及物理極限，3DNAND技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。NANDFlash工藝的持續(xù)演進(jìn)，其等效制程已邁入1x/1ynm級(jí)別，部分頭部廠商實(shí)現(xiàn)了1znm級(jí)別的量產(chǎn)。但工藝的進(jìn)步在擴(kuò)大容量和降低成本的同時(shí)，可靠性及性能都在下降。3D工藝的出現(xiàn)，打破了傳統(tǒng)NANDFlash依賴晶圓平面微縮來提升容量的發(fā)展路徑，成功突破了行業(yè)發(fā)展的核心瓶頸。相較于2DNANDFlash，3DNANDFlash具備容量更大、壽命更長(zhǎng)、能耗更低的核心優(yōu)勢(shì)。不同于2DNANDFlash的平面結(jié)構(gòu)，3DNANDFlash采用立體設(shè)計(jì)，可在單Die（裸片）內(nèi)堆疊更多存儲(chǔ)單元，無需依賴制程微縮即可顯著提升存儲(chǔ)密度與數(shù)據(jù)容量，同時(shí)還能實(shí)現(xiàn)性能優(yōu)化與功耗的大幅下降。圖表32：NANDFlash經(jīng)歷從2D轉(zhuǎn)向3D技術(shù)演進(jìn)模塊容量128GB（最高）模塊容量128GB（最高）設(shè)計(jì)浮柵浮柵或電荷捕獲型結(jié)構(gòu)請(qǐng)仔細(xì)閱讀在本報(bào)告尾部的重要法律聲明21性能慢快能量消耗高4.全球存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移4.1存儲(chǔ)芯片轉(zhuǎn)移路線：美國(guó)-日本-韓國(guó)-中國(guó)全球存儲(chǔ)技術(shù)起源于美國(guó)，此后經(jīng)歷了兩次區(qū)域轉(zhuǎn)移。1969年，美國(guó)加州AdvancedMemorySystem公司成功生產(chǎn)出世界上首款DRAM芯片，容量達(dá)1KB；此后，英特爾（Intel）、德州儀器（Tl）、莫斯泰克（Mostek）等存儲(chǔ)廠商持續(xù)發(fā)展。1970年，英特爾推出首款DRAM芯片C1103，成為全球暢銷的半導(dǎo)體內(nèi)存產(chǎn)品之一；1971年和1973年，德州儀器分別推出2KDRAM、4KDRAM，成為后續(xù)存儲(chǔ)行業(yè)技術(shù)迭代與產(chǎn)業(yè)擴(kuò)張的關(guān)鍵；1976年，莫斯泰克推出16K容量的DRAM芯片MK4116，將DRAM市場(chǎng)占有率提升至75%。圖表33：存儲(chǔ)芯片誕生于美國(guó)第一次區(qū)域轉(zhuǎn)移：1976年，日本以舉國(guó)體制成立超大規(guī)模集成電路（VLSI）聯(lián)合研發(fā)體，集中資源突破半導(dǎo)體技術(shù)瓶頸；1977年，在該研發(fā)體技術(shù)支持下，日本成功研制出64KDRAM，追平美國(guó)公司的研發(fā)進(jìn)度；1980年代初期，富士通、日立等廠商憑借穩(wěn)定質(zhì)量和價(jià)格優(yōu)勢(shì)持續(xù)發(fā)力，逐步反超美國(guó)企業(yè)；1986年，日本存儲(chǔ)器產(chǎn)品全球市場(chǎng)占有率攀升至65%，超過美國(guó)的30%；伴隨日美貿(mào)易摩擦加劇，美國(guó)通過《廣場(chǎng)協(xié)議》逼迫日元升值、發(fā)起半導(dǎo)體反傾銷訴訟等手段持續(xù)施壓，最終導(dǎo)致日本存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)份額逐步下降。請(qǐng)仔細(xì)閱讀在本報(bào)告尾部的重要法律聲明22圖表34：存儲(chǔ)芯片從美國(guó)到日本第一次區(qū)域轉(zhuǎn)移第二次區(qū)域轉(zhuǎn)移：韓國(guó)Samsung電子等企業(yè)利用美日半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)的契機(jī)，通過持續(xù)技術(shù)迭代升級(jí)脫穎而出，逐漸趕超日本。1978年，Samsung集團(tuán)布局半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，旗下Samsung電子開啟存儲(chǔ)芯片自主研發(fā)征程；1983年，Samsung電子完成16KDRAM的研發(fā)，向技術(shù)前沿邁進(jìn)；1986年10月，Samsung參與韓國(guó)政府推出的“VLSI共同開發(fā)技術(shù)計(jì)劃”，聯(lián)合LG、現(xiàn)代兩大集團(tuán)及韓國(guó)六所大學(xué)攻關(guān)DRAM核心技術(shù)；1988年，完成4MDRAM研發(fā)，技術(shù)層面追平日本；1990年8月，公司研發(fā)出世界第三款64MDRAM；至1996年，Samsung成功研發(fā)出世界首款1GBDRAM，自此正式成為存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的世界級(jí)領(lǐng)跑者。圖表35：存儲(chǔ)芯片從日本到韓國(guó)第二次區(qū)域轉(zhuǎn)移隨著中國(guó)企業(yè)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的技術(shù)突破、產(chǎn)能擴(kuò)張與國(guó)產(chǎn)替代加速，全球存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)正呈現(xiàn)出逐步向中國(guó)轉(zhuǎn)移的明確趨勢(shì)。Micron（美光）是全球重要的存儲(chǔ)芯片制造商。公司自1978年成立于美國(guó)以來，高度聚焦存儲(chǔ)賽道，主要產(chǎn)品涵蓋DRAM、NANDFlash、NOR內(nèi)存，被廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、客戶端設(shè)備、消費(fèi)電子、工業(yè)、圖形、汽車及網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域。2025年，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入373.78億美元（同比+48.85%2020-2025年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)11.76%。2025年Micron毛利率為39.79%，相較于上一年增加17.44PCT。請(qǐng)仔細(xì)閱讀在本報(bào)告尾部的重要法律聲明23圖表36：Micron營(yíng)業(yè)收入及同比圖表37：Micron毛利率分產(chǎn)品看，2024年Micron核心業(yè)務(wù)聚焦于計(jì)算機(jī)和互聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)、移動(dòng)業(yè)務(wù)，營(yíng)業(yè)收入分別為95.1億美元（占比37.9%）、63.5億美元（占比25.3%）。2025年，公司進(jìn)一步推進(jìn)業(yè)務(wù)向存儲(chǔ)核心場(chǎng)景聚焦，云存儲(chǔ)業(yè)務(wù)成為新的營(yíng)收主力，實(shí)現(xiàn)營(yíng)收約135.2億美元（占比36.2%移動(dòng)和客戶端業(yè)務(wù)營(yíng)收約118.6億美元（占比31.7%核心數(shù)據(jù)中心、汽車及嵌入式等存儲(chǔ)關(guān)聯(lián)業(yè)務(wù)亦同步實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)，占比分別達(dá)19.3%、12.7%。圖表38：2024年Micron營(yíng)業(yè)收入（按產(chǎn)品）圖表39：2025年Micron營(yíng)業(yè)收入（按產(chǎn)品）分地區(qū)看，公司積極拓展全球市場(chǎng)，核心客戶覆蓋美國(guó)、中國(guó)等主要區(qū)域。2025年按國(guó)家及地區(qū)劃分，Micron營(yíng)收占比前三的分別為美國(guó)（64.5%）、中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)（15.2%）、中國(guó)內(nèi)地（7.1%）。此外，公司加碼日本廣島的AI存儲(chǔ)工廠投資（96億美元該基地將重點(diǎn)服務(wù)亞太及歐洲的AI客戶；同時(shí)持續(xù)維持中國(guó)西安封測(cè)基地的運(yùn)營(yíng)，同步引入全新產(chǎn)線，可輸出涵蓋移動(dòng)DRAM、NANDFlash及SSD在內(nèi)的更豐富產(chǎn)品及解決方案，進(jìn)一步強(qiáng)化其現(xiàn)有的封裝與測(cè)試能力。請(qǐng)仔細(xì)閱讀在本報(bào)告尾部的重要法律聲明24圖表40：2025年Micron營(yíng)業(yè)收入（按地區(qū)）Micron8層堆疊24GBHBM3E已開始隨NVIDIAH200TensorCoreGPU出貨，量產(chǎn)型12層堆疊36GBHBM3E也已上市供應(yīng)。該12層堆疊HBM3E內(nèi)存立方體的帶寬超1.2TB/s，相較于8層堆疊版本，容量提升50%。圖表41：Micron12層堆疊HBM3E示意圖2025年7月30日，Micron宣布其第九代3DTLCNANDFlash正式量產(chǎn)出貨。這款G9NAND擁有業(yè)界最高的3.6GB/sI/O傳輸速率，相較于前代產(chǎn)品（2.4GB/s性能提升達(dá)50%；同時(shí)，其在讀取、寫入表現(xiàn)上分別實(shí)現(xiàn)99%、88%的優(yōu)化提升，還具備“全球密度最高NANDFlash”的特性——NANDFlash密度提升73%、空請(qǐng)仔細(xì)閱讀在本報(bào)告尾部的重要法律聲明25間效率優(yōu)化28%，目前該NAND已搭載于Micron2650SSD產(chǎn)品中。圖表42：Micron第九代3DTLCNANDFlash產(chǎn)品示意圖公司積極綁定AI行業(yè)巨頭，構(gòu)建定制化供應(yīng)鏈。MicronHBM3E全面適配NVIDIAHopper、Blackwell系列GPU；與此同時(shí)，公司聯(lián)合NVIDIA推出全球首款SOCAMM內(nèi)存模組，這是一款模塊化LPDDR5X內(nèi)存解決方案，專為支持NVIDIAGB300GraceBlackwellUltra超級(jí)芯片量身打造。圖表43：Micron聯(lián)合NVIDIA共同推出全球首款SOCAMM內(nèi)存模組此外，Micron宣布終止Crucial（英睿達(dá)）品牌相關(guān)業(yè)務(wù)，計(jì)劃于2026年2月底前全面停止消費(fèi)級(jí)內(nèi)存及SSD產(chǎn)品的零售業(yè)務(wù)，將釋放的產(chǎn)能與資源全面聚焦于AI數(shù)據(jù)中心、企業(yè)級(jí)市場(chǎng)等高利潤(rùn)領(lǐng)域，進(jìn)一步強(qiáng)化高端存儲(chǔ)賽道的布局力度。Kioxia（鎧俠）為全球存儲(chǔ)器解決方案領(lǐng)導(dǎo)者，總部位于日本東京，專注于閃存及SSD的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售。其創(chuàng)新3D閃存BiCSFLASH?,定義高端手機(jī)、PC、汽車、數(shù)據(jù)中心等高密度應(yīng)用的存儲(chǔ)未來；零售產(chǎn)品線含存儲(chǔ)卡、閃存盤等，滿足終端用戶隨時(shí)隨地的數(shù)字存儲(chǔ)需求。請(qǐng)仔細(xì)閱讀在本報(bào)告尾部的重要法律聲明262025年，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入114.95億美元（同比+58.51%2023-2025年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)9.17%；2025年Kioxia毛利率為33.37%，相較于上一年增加45.38PCT。圖表44：Kioxia營(yíng)業(yè)收入及同比圖表45：Kioxia毛利率息息2024年7月3日，Kioxia宣布基于第八代BiCSFLASH?3D閃存技術(shù)的2TbQLC存儲(chǔ)器啟動(dòng)送樣。該產(chǎn)品采用新一代CBA架構(gòu)，相比前代BiCSFLASH實(shí)現(xiàn)了50%的存儲(chǔ)密度提升，這一優(yōu)化讓它成為業(yè)界容量最大的2TbQLC閃存，既能助力AI數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器實(shí)現(xiàn)小空間大容量部署，也能升級(jí)終端存儲(chǔ)，支撐數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用落地。圖表46：Kioxia第八代BiCSFLASH?3D閃存相較于上一代實(shí)現(xiàn)50%存儲(chǔ)密度提升SKHynix（SK海力士）是全球頂尖的半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商，核心產(chǎn)品覆蓋DRAM、NANDFlash及HBM等關(guān)鍵存儲(chǔ)品類。公司不僅掌握領(lǐng)先的3DNAND堆疊工藝，旗下高帶寬內(nèi)存（如HBM3e）更成為AI芯片（GPU）的核心配套存儲(chǔ)，可直接支撐生成式AI的高算力數(shù)據(jù)吞吐需求，相關(guān)解決方案已廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、汽車電子等領(lǐng)域。2024年，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入454.71億美元（同比+102.02%2020-2024年復(fù)請(qǐng)仔細(xì)閱讀在本報(bào)告尾部的重要法律聲明27合增長(zhǎng)率達(dá)11.59%。2024年SKHynix毛利率為48.08%，相較于上一年增加49.71圖表47：SKHynix營(yíng)業(yè)收入及同比圖表48：SKHynix毛利率2025年11月4日，SKHynixCEOKwakNoh-Jung在韓國(guó)首爾舉辦的“SKAISummit2025”峰會(huì)上，正式公布2026-2031年產(chǎn)品落地規(guī)劃：明確分階段推出HBM系列（Standard與Custom雙線并行同步推進(jìn)AI專用存儲(chǔ)（AI-D、AI-N系列并推動(dòng)通用DRAM及StandardNAND的規(guī)?；涞亍D表49：SKHynix2026-2031產(chǎn)品路線圖在HBM系列領(lǐng)域，公司預(yù)計(jì)2026-2028年推出HBM416層堆疊產(chǎn)品，并從HBM4E開始供應(yīng)定制化HBM解決方案。定制化HBM是將GPU和ASIC芯片特定功能整合到HBM基礎(chǔ)裸片的產(chǎn)品，可最大限度釋放GPU和ASIC性能，同時(shí)減少數(shù)據(jù)傳輸功耗；2029-2031年，SKHynix將全面進(jìn)入HBM5世代。SKHynix的12層HBM4樣品已實(shí)現(xiàn)2TB/s帶寬，較前代提升60%以上，計(jì)劃2025下半年完成量產(chǎn)準(zhǔn)備。目前，公司占據(jù)全球HBM市場(chǎng)50%以上份額，是NVIDIAAIGPU的HBM3/HBM3E獨(dú)家供應(yīng)商。請(qǐng)仔細(xì)閱讀在本報(bào)告尾部的重要法律聲明28圖表50：SKHynixStandard與CustomHBM結(jié)構(gòu)對(duì)比圖為應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求，SKHynix進(jìn)一步細(xì)分AIDRAM（AI-D）產(chǎn)品線，推出三大核心解決方案，協(xié)同覆蓋性能優(yōu)化、技術(shù)突破與場(chǎng)景拓展。（小型外形壓縮附著內(nèi)存模塊，適用于AI服務(wù)器的低功耗DRAM內(nèi)存模塊）及LPDDR5R（用于移動(dòng)產(chǎn)品，具備可靠性、可用性、可服務(wù)性（RAS）特性的低電壓DRAM）。2）AI-DBreakthrough的突破得益于超高容量?jī)?nèi)存與靈活內(nèi)存分配特性，解決方案包含CMM（下一代高效連接CPU、GPU、內(nèi)存及其他元件的界面技術(shù)）與PIM（解決AI與大數(shù)據(jù)處理數(shù)據(jù)移動(dòng)瓶頸的技術(shù)）。3）AI-DExpansion旨在拓展DRAM應(yīng)用場(chǎng)景，從數(shù)據(jù)中心延伸至機(jī)器人、移動(dòng)性（mobility）及工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域。圖表51：SKHynix針對(duì)AIDRAM進(jìn)一步細(xì)分請(qǐng)仔細(xì)閱讀在本報(bào)告尾部的重要法律聲明29在AINAND（AI-N）方面，SKhynix也在布局三種下一代存儲(chǔ)解決方案。1）AI-NPerformance聚焦超高性能提升，專為高效處理大規(guī)模AI推理任務(wù)產(chǎn)生的海量數(shù)據(jù)打造。通過突破存儲(chǔ)與AI運(yùn)算瓶頸，顯著提升處理速度與能效，SKhynix計(jì)劃推出新結(jié)構(gòu)NAND及控制器，2026年底前出樣。2）AI-NBandwidth通過半導(dǎo)體晶粒垂直堆疊擴(kuò)大帶寬，用于彌補(bǔ)HBM容量增長(zhǎng)瓶頸，核心是結(jié)合HBM堆疊結(jié)構(gòu)與高密度低成本NAND閃存。3）AI-DDensity著力于密度提升，以超高容量強(qiáng)化成本競(jìng)爭(zhēng)力，是低功耗、低成本存儲(chǔ)海量AI數(shù)據(jù)的高密度解決方案。圖表52：SKHynix公布AINAND下一代儲(chǔ)存解決方案長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司是一家集芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造、封裝測(cè)試及系統(tǒng)解決方案于一體的存儲(chǔ)器IDM企業(yè)。公司為全球合作伙伴提供3DNAND閃存晶圓及顆粒、嵌入式存儲(chǔ)芯片、消費(fèi)級(jí)與企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤等產(chǎn)品及解決方案，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信、消費(fèi)數(shù)碼、計(jì)算機(jī)、服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心等核心領(lǐng)域。2018年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)首次推出晶棧?Xtacking全新架構(gòu)。該架構(gòu)憑借CMOS-Array混合鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)不同工藝的解耦設(shè)計(jì)，有效釋放3DNANDFlash的技術(shù)潛力，具備更快的IO速度、更高的存儲(chǔ)密度及更優(yōu)的品質(zhì)可靠性與數(shù)據(jù)耐久度。請(qǐng)仔細(xì)閱讀在本報(bào)告尾部的重要法律聲明30圖表53：長(zhǎng)江存儲(chǔ)晶棧?Xtacking?架構(gòu)圖作為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)龍頭，長(zhǎng)江存儲(chǔ)雖成立時(shí)間晚于Samsung、SKhynix、KIOXIA、Micron等國(guó)際存儲(chǔ)巨頭，但依托Xtacking堆疊架構(gòu)這一自主研發(fā)的核心技術(shù)突破，成功實(shí)現(xiàn)3DNANDFlash工藝的快速迭代，同時(shí)達(dá)成產(chǎn)能規(guī)模的持續(xù)突破。2025年9月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)三期項(xiàng)目主體正式成立，注冊(cè)資本達(dá)207.2億元，為公司進(jìn)一步擴(kuò)大產(chǎn)能規(guī)模、深化核心技術(shù)布局奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。圖表54：長(zhǎng)江存儲(chǔ)3DNANDFlash堆疊層數(shù)達(dá)到200層以上長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的一體化存儲(chǔ)器制造企業(yè)，專注于DRAM領(lǐng)域，業(yè)務(wù)覆蓋芯片設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)及銷售全鏈條。公司憑借技術(shù)團(tuán)隊(duì)的豐富研發(fā)經(jīng)驗(yàn)與核心創(chuàng)新能力，推出多款商用DRAM產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、個(gè)人電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)及物聯(lián)網(wǎng)等多元應(yīng)用場(chǎng)景。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)產(chǎn)能從2019年2萬片/月提升至2024年20萬片/月（CAGR達(dá)58.5%核心得益于發(fā)展階段的戰(zhàn)略布局支撐：2020-2024年，公司持續(xù)推進(jìn)北京、合肥等生產(chǎn)基地的設(shè)備投入與產(chǎn)線擴(kuò)建，為產(chǎn)能爬坡提供了堅(jiān)實(shí)支撐；同時(shí)，產(chǎn)品從DDR4向LPDDR5、DDR5迭代升級(jí)，精準(zhǔn)適配了更大范圍的市場(chǎng)需求，推動(dòng)了產(chǎn)能的快速增長(zhǎng)。請(qǐng)仔細(xì)閱讀在本報(bào)告尾部的重要法律聲明31圖表55：長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)產(chǎn)能梳理長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已在國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)DDR5及LPDDR5X存儲(chǔ)芯片的技術(shù)突破，成為國(guó)內(nèi)少數(shù)具備該代際產(chǎn)品研發(fā)與量產(chǎn)能力的企業(yè)。DDR5是第五代雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的DDR5顆粒最高速率突破8000Mbps，顆粒容量覆蓋16Gb/24Gb，產(chǎn)品功耗較DDR4降低20%。該內(nèi)存芯片融入片內(nèi)錯(cuò)誤檢查與自糾錯(cuò)機(jī)制，搭配更強(qiáng)抗干擾設(shè)計(jì)，有效保障工作穩(wěn)定性與數(shù)據(jù)完整性。圖表56：長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DDR5示意圖圖表57：長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5X示意圖資料來源：長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)公司官網(wǎng)，愛建證券研究所LPDDR5X是第五代超低功耗雙倍速率動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。通過創(chuàng)新的封裝技術(shù)和優(yōu)化的內(nèi)存設(shè)計(jì)，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5X在容量、速率、功耗上都有顯著提升，目前提供12Gb和16Gb兩種單顆粒容量，最高速率達(dá)到10667Mbps，達(dá)到國(guó)際主流水平，較上一代LPDDR5提升了66%，同時(shí)可以兼容LPDDR5，功耗則比LPDDR5降低了30%。江波龍是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲(chǔ)企業(yè)，專注于半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)品的研發(fā)、設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試與銷售。公司核心產(chǎn)品囊括嵌入式存儲(chǔ)、固態(tài)硬盤、移動(dòng)存儲(chǔ)、內(nèi)存條。這些產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于主流消費(fèi)類智能終端（如智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備、電腦等）、數(shù)據(jù)中心、請(qǐng)仔細(xì)閱讀在本報(bào)告尾部的重要法律聲明