2026年電磁兼容性測(cè)試技術(shù)培訓(xùn)教材一、單選題（每題2分，共20題）1.在進(jìn)行輻射發(fā)射測(cè)試時(shí)，屏蔽室的作用主要是（）。A.減少外部電磁干擾B.提供標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試場(chǎng)地C.消除設(shè)備自身干擾D.保護(hù)測(cè)試人員安全2.根據(jù)CISPR22標(biāo)準(zhǔn)，輻射發(fā)射測(cè)試的頻率范圍通常是（）。A.150kHz–30MHzB.30MHz–1GHzC.1GHz–6GHzD.150kHz–1GHz3.在進(jìn)行傳導(dǎo)騷擾測(cè)試時(shí)，被測(cè)設(shè)備（EUT）的接地方式應(yīng)為（）。A.懸空接地B.單點(diǎn)接地C.多點(diǎn)接地D.混合接地4.根據(jù)IEC61000-4-6標(biāo)準(zhǔn)，抗擾度測(cè)試中，浪涌測(cè)試的電壓等級(jí)通常分為（）。A.1kV、2.5kV、5kVB.500V、1kV、2kVC.1kV、3kV、5kVD.500V、1.5kV、3kV5.在進(jìn)行靜電放電抗擾度測(cè)試時(shí)，推薦使用的人體模型是（）。A.100pF/150Ω電容模型B.150pF/50Ω電容模型C.300pF/100Ω電容模型D.200pF/50Ω電容模型6.根據(jù)GB/T17626系列標(biāo)準(zhǔn)，抗擾度測(cè)試中，電壓跌落測(cè)試的持續(xù)時(shí)間通常為（）。A.100msB.200msC.500msD.1s7.在進(jìn)行輻射抗擾度測(cè)試時(shí)，場(chǎng)強(qiáng)探頭的高度通常設(shè)置為（）。A.1mB.1.5mC.2mD.2.5m8.根據(jù)FCCPart15標(biāo)準(zhǔn)，ClassB設(shè)備的輻射發(fā)射限值通常比ClassA設(shè)備（）。A.更嚴(yán)格B.更寬松C.相同D.視具體情況而定9.在進(jìn)行傳導(dǎo)騷擾測(cè)試時(shí)，使用的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)（CDN）主要作用是（）。A.提供接地參考B.濾除高頻噪聲C.放大騷擾信號(hào)D.減少測(cè)量誤差10.根據(jù)EN55014標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)于醫(yī)療設(shè)備的輻射發(fā)射測(cè)試，限值通常要求（）。A.比普通設(shè)備更嚴(yán)格B.比普通設(shè)備更寬松C.與普通設(shè)備相同D.視設(shè)備類型而定二、多選題（每題3分，共10題）1.電磁兼容性（EMC）測(cè)試的主要目的是（）。A.確保設(shè)備符合標(biāo)準(zhǔn)限值B.評(píng)估設(shè)備對(duì)外部干擾的抵抗能力C.提高設(shè)備的可靠性D.降低生產(chǎn)成本2.在進(jìn)行輻射發(fā)射測(cè)試時(shí)，需要使用的設(shè)備包括（）。A.短波天線B.頻譜分析儀C.示波器D.屏蔽室3.根據(jù)IEC61000-4-3標(biāo)準(zhǔn)，射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度測(cè)試中，頻率范圍通常為（）。A.150kHz–30MHzB.30MHz–1GHzC.1GHz–6GHzD.30MHz–1000MHz4.在進(jìn)行靜電放電抗擾度測(cè)試時(shí)，常見(jiàn)的測(cè)試方法包括（）。A.人體模型（HBM）放電B.設(shè)備模型（EUTM）放電C.接線端子放電D.金屬物體放電5.根據(jù)CISPR32標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)于信息技術(shù)設(shè)備的傳導(dǎo)騷擾測(cè)試，限值通常分為（）。A.A級(jí)（住宅環(huán)境）B.B級(jí)（輕工業(yè)環(huán)境）C.C級(jí)（工業(yè)環(huán)境）D.D級(jí)（嚴(yán)重工業(yè)環(huán)境）6.在進(jìn)行浪涌抗擾度測(cè)試時(shí)，常見(jiàn)的測(cè)試點(diǎn)包括（）。A.電源線輸入端B.信號(hào)線輸入端C.接地線D.以太網(wǎng)接口7.根據(jù)GB/T17626-2標(biāo)準(zhǔn)，電壓暫降/中斷測(cè)試的持續(xù)時(shí)間通常為（）。A.10msB.100msC.1sD.10s8.在進(jìn)行輻射抗擾度測(cè)試時(shí)，需要注意的事項(xiàng)包括（）。A.測(cè)試場(chǎng)強(qiáng)的均勻性B.被測(cè)設(shè)備的天線方向C.測(cè)試距離的準(zhǔn)確性D.天線的極化方向9.根據(jù)EN55032標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)于無(wú)線設(shè)備的傳導(dǎo)騷擾測(cè)試，限值通常要求（）。A.比CISPR22更嚴(yán)格B.比CISPR32更寬松C.與CISPR32相同D.視頻設(shè)備類型而定10.在進(jìn)行EMC測(cè)試時(shí)，常見(jiàn)的測(cè)試環(huán)境包括（）。A.室內(nèi)屏蔽室B.開(kāi)放場(chǎng)地C.半野外場(chǎng)地D.模擬實(shí)際使用環(huán)境三、判斷題（每題1分，共20題）1.輻射發(fā)射測(cè)試需要在屏蔽室中進(jìn)行。（√）2.傳導(dǎo)騷擾測(cè)試時(shí)，被測(cè)設(shè)備必須按照實(shí)際使用方式連接。（√）3.靜電放電抗擾度測(cè)試只需要模擬人體放電。（×）4.浪涌抗擾度測(cè)試通常使用8/20μs的電流波形。（√）5.電壓跌落測(cè)試的目的是評(píng)估設(shè)備在電源不穩(wěn)定時(shí)的性能。（√）6.輻射抗擾度測(cè)試時(shí)，被測(cè)設(shè)備的天線距離為3米。（√）7.ClassB設(shè)備的輻射發(fā)射限值通常比ClassA設(shè)備更寬松。（√）8.耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)（CDN）在傳導(dǎo)騷擾測(cè)試中是必須的。（√）9.醫(yī)療設(shè)備的EMC測(cè)試限值通常比普通設(shè)備更嚴(yán)格。（√）10.EN55014標(biāo)準(zhǔn)適用于所有類型的醫(yī)療設(shè)備。（×）11.輻射發(fā)射測(cè)試的頻率范圍通常為30MHz–1GHz。（×）12.靜電放電抗擾度測(cè)試時(shí)，推薦使用人體模型（HBM）。（√）13.電壓暫降/中斷測(cè)試的持續(xù)時(shí)間通常為1秒。（×）14.輻射抗擾度測(cè)試時(shí)，場(chǎng)強(qiáng)探頭的高度必須為1.5米。（×）15.FCCPart15標(biāo)準(zhǔn)適用于所有類型的無(wú)線設(shè)備。（×）16.EN55032標(biāo)準(zhǔn)適用于無(wú)線設(shè)備，但不適用于有線設(shè)備。（×）17.EMC測(cè)試可以在任何環(huán)境下進(jìn)行，只要滿足標(biāo)準(zhǔn)要求。（×）18.浪涌抗擾度測(cè)試時(shí)，測(cè)試電壓的上升時(shí)間為8/20μs。（√）19.傳導(dǎo)騷擾測(cè)試時(shí)，被測(cè)設(shè)備必須接地。（√）20.半野外場(chǎng)地適用于輻射發(fā)射測(cè)試，但不適用于傳導(dǎo)騷擾測(cè)試。（×）四、簡(jiǎn)答題（每題5分，共5題）1.簡(jiǎn)述輻射發(fā)射測(cè)試的步驟及其關(guān)鍵注意事項(xiàng)。2.解釋靜電放電抗擾度測(cè)試中，人體模型（HBM）和設(shè)備模型（EUTM）的區(qū)別。3.闡述浪涌抗擾度測(cè)試的目的及其常見(jiàn)的測(cè)試場(chǎng)景。4.比較CISPR22和FCCPart15標(biāo)準(zhǔn)的輻射發(fā)射限值差異。5.說(shuō)明在進(jìn)行EMC測(cè)試時(shí)，如何確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。五、計(jì)算題（每題10分，共2題）1.某設(shè)備的輻射發(fā)射在900MHz頻率處測(cè)量值為30dBμV/m，根據(jù)CISPR22標(biāo)準(zhǔn)，該頻率的限值為-60dBμV/m。問(wèn)該設(shè)備是否符合標(biāo)準(zhǔn)要求？2.在進(jìn)行電壓暫降測(cè)試時(shí)，輸入電壓為230V，測(cè)試期間電壓下降至100V，持續(xù)時(shí)間為200ms。求該電壓暫降的深度和持續(xù)時(shí)間是否符合GB/T17626-2標(biāo)準(zhǔn)的要求（限值：深度≥10%，持續(xù)時(shí)間≤200ms）？答案與解析一、單選題答案與解析1.A-屏蔽室的主要作用是減少外部電磁干擾，確保測(cè)試環(huán)境的純凈性。2.D-CISPR22標(biāo)準(zhǔn)的輻射發(fā)射測(cè)試頻率范圍為150kHz–1GHz，其中30MHz–1GHz是主要測(cè)試范圍。3.B-被測(cè)設(shè)備（EUT）應(yīng)采用單點(diǎn)接地，以避免接地環(huán)路干擾。4.A-IEC61000-4-6標(biāo)準(zhǔn)的浪涌測(cè)試電壓等級(jí)通常為1kV、2.5kV、5kV。5.A-靜電放電抗擾度測(cè)試中，人體模型（HBM）通常使用100pF/150Ω電容模型。6.C-電壓跌落測(cè)試的持續(xù)時(shí)間通常為500ms。7.B-輻射抗擾度測(cè)試時(shí)，場(chǎng)強(qiáng)探頭的高度通常設(shè)置為1.5m。8.A-ClassB設(shè)備的輻射發(fā)射限值通常比ClassA設(shè)備更嚴(yán)格，以適應(yīng)住宅環(huán)境。9.B-耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)（CDN）的主要作用是濾除高頻噪聲，確保傳導(dǎo)騷擾測(cè)量的準(zhǔn)確性。10.A-醫(yī)療設(shè)備的EMC測(cè)試限值通常比普通設(shè)備更嚴(yán)格，以確?；颊甙踩?。二、多選題答案與解析1.A、B、C-EMC測(cè)試的主要目的是確保設(shè)備符合標(biāo)準(zhǔn)限值、評(píng)估設(shè)備對(duì)外部干擾的抵抗能力，以及提高設(shè)備的可靠性。2.A、B-輻射發(fā)射測(cè)試需要使用短波天線和頻譜分析儀。3.A、B、D-IEC61000-4-3標(biāo)準(zhǔn)的射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度測(cè)試頻率范圍為150kHz–30MHz、30MHz–1GHz、30MHz–1000MHz。4.A、B、C、D-靜電放電抗擾度測(cè)試方法包括人體模型（HBM）放電、設(shè)備模型（EUTM）放電、接線端子放電和金屬物體放電。5.A、B、C、D-CISPR32標(biāo)準(zhǔn)的傳導(dǎo)騷擾測(cè)試限值分為A級(jí)（住宅環(huán)境）、B級(jí)（輕工業(yè)環(huán)境）、C級(jí)（工業(yè)環(huán)境）、D級(jí)（嚴(yán)重工業(yè)環(huán)境）。6.A、B、C、D-浪涌抗擾度測(cè)試點(diǎn)包括電源線輸入端、信號(hào)線輸入端、接地線和以太網(wǎng)接口。7.A、B、C-電壓暫降/中斷測(cè)試的持續(xù)時(shí)間通常為10ms、100ms、1s。8.A、B、C、D-輻射抗擾度測(cè)試需要注意測(cè)試場(chǎng)強(qiáng)的均勻性、被測(cè)設(shè)備的天線方向、測(cè)試距離的準(zhǔn)確性和天線的極化方向。9.A、D-EN55032標(biāo)準(zhǔn)的傳導(dǎo)騷擾測(cè)試限值通常比CISPR22更嚴(yán)格，且視視頻設(shè)備類型而定。10.A、B、C-EMC測(cè)試環(huán)境包括室內(nèi)屏蔽室、開(kāi)放場(chǎng)地和半野外場(chǎng)地。三、判斷題答案與解析1.√-輻射發(fā)射測(cè)試需要在屏蔽室中進(jìn)行，以避免外部干擾。2.√-被測(cè)設(shè)備必須按照實(shí)際使用方式連接，以模擬真實(shí)場(chǎng)景。3.×-靜電放電抗擾度測(cè)試不僅模擬人體放電，還包括設(shè)備模型（EUTM）放電等。4.√-浪涌抗擾度測(cè)試通常使用8/20μs的電流波形。5.√-電壓跌落測(cè)試的目的是評(píng)估設(shè)備在電源不穩(wěn)定時(shí)的性能。6.√-輻射抗擾度測(cè)試時(shí)，被測(cè)設(shè)備的天線距離為3米。7.√-ClassB設(shè)備的輻射發(fā)射限值通常比ClassA設(shè)備更寬松。8.√-耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)（CDN）在傳導(dǎo)騷擾測(cè)試中是必須的，以確保測(cè)量準(zhǔn)確性。9.√-醫(yī)療設(shè)備的EMC測(cè)試限值通常比普通設(shè)備更嚴(yán)格。10.×-EN55014標(biāo)準(zhǔn)僅適用于醫(yī)療設(shè)備的一部分，并非所有類型。11.×-輻射發(fā)射測(cè)試的頻率范圍通常為30MHz–1GHz，但150kHz–30MHz是次要范圍。12.√-靜電放電抗擾度測(cè)試中，推薦使用人體模型（HBM）。13.×-電壓暫降/中斷測(cè)試的持續(xù)時(shí)間通常為200ms。14.×-輻射抗擾度測(cè)試時(shí)，場(chǎng)強(qiáng)探頭的高度通常為1.5米，但非強(qiáng)制要求。15.×-FCCPart15標(biāo)準(zhǔn)僅適用于部分無(wú)線設(shè)備，并非所有類型。16.×-EN55032標(biāo)準(zhǔn)適用于無(wú)線設(shè)備，也可用于部分有線設(shè)備。17.×-EMC測(cè)試必須在符合標(biāo)準(zhǔn)的環(huán)境下進(jìn)行，如屏蔽室或開(kāi)放場(chǎng)地。18.√-浪涌抗擾度測(cè)試時(shí)，測(cè)試電壓的上升時(shí)間為8/20μs。19.√-傳導(dǎo)騷擾測(cè)試時(shí)，被測(cè)設(shè)備必須接地。20.×-半野外場(chǎng)地適用于輻射發(fā)射測(cè)試，也可用于傳導(dǎo)騷擾測(cè)試。四、簡(jiǎn)答題答案與解析1.輻射發(fā)射測(cè)試的步驟及其關(guān)鍵注意事項(xiàng)-步驟：1.準(zhǔn)備測(cè)試設(shè)備（頻譜分析儀、天線、屏蔽室）；2.連接被測(cè)設(shè)備（EUT）和天線；3.在指定頻率范圍內(nèi)進(jìn)行掃描；4.記錄超標(biāo)頻率和幅度；5.分析結(jié)果并判斷是否符合標(biāo)準(zhǔn)。-關(guān)鍵注意事項(xiàng)：-天線高度和極化方向需正確；-測(cè)試環(huán)境需符合標(biāo)準(zhǔn)要求；-被測(cè)設(shè)備需按實(shí)際使用方式連接。2.靜電放電抗擾度測(cè)試中，人體模型（HBM）和設(shè)備模型（EUTM）的區(qū)別-HBM：模擬人體接觸設(shè)備時(shí)的靜電放電，通常使用100pF/150Ω電容模型。-EUTM：模擬設(shè)備內(nèi)部組件的靜電放電，通常使用200pF/50Ω電容模型。3.浪涌抗擾度測(cè)試的目的及其常見(jiàn)的測(cè)試場(chǎng)景-目的：評(píng)估設(shè)備對(duì)電源線或信號(hào)線上的瞬態(tài)電壓的抵抗能力。-常見(jiàn)測(cè)試場(chǎng)景：雷擊、開(kāi)關(guān)操作、電力系統(tǒng)故障等。4.比較CISPR22和FCCPart15標(biāo)準(zhǔn)的輻射發(fā)射限值差異-CISPR22：適用于消費(fèi)類設(shè)備，限值較寬松；-FCCPart15：適用于美國(guó)市場(chǎng)，ClassB（住宅環(huán)境）限值更嚴(yán)格。5.在進(jìn)行EMC測(cè)試時(shí)，如何確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性-使用標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)的測(cè)試設(shè)備；-確保測(cè)試環(huán)境符合標(biāo)準(zhǔn)要求；-被測(cè)設(shè)備按實(shí)際使用方式連接；-多次測(cè)量取平均值。五、計(jì)算題答案與解析1.輻射發(fā)射計(jì)算-測(cè)量值：30dBμV/m=10^(30/10)μV/