標準解讀

《GB/Z 122-2025 表面化學分析 輝光放電質(zhì)譜 操作程序》是一份指導性技術文件,主要針對利用輝光放電質(zhì)譜(Glow Discharge Mass Spectrometry, 簡稱GDMS)進行材料表面及近表面區(qū)域元素組成的定性和定量分析時的操作步驟和技術要求。該標準適用于多種固體材料的表面化學成分分析,包括但不限于金屬、合金、半導體材料等。

在使用輝光放電質(zhì)譜進行樣品分析之前,需要準備符合實驗要求的樣品,并確保其表面清潔無污染。對于不同類型的樣品,可能還需要采取特定的預處理措施以提高檢測準確性。標準中詳細描述了從樣品制備到數(shù)據(jù)分析整個過程中的關鍵環(huán)節(jié),比如如何正確安裝和調(diào)整儀器參數(shù)來獲得最佳的信號響應;如何設置合適的放電條件以便于不同元素的有效激發(fā)與離子化;以及如何通過校準曲線或其他方法實現(xiàn)對目標元素濃度的準確測定。


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....

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文檔簡介

ICS7104040

CCSG.04.

中華人民共和國國家標準化指導性技術文件

GB/Z122—2025/ISO/TS153382020

:

表面化學分析輝光放電質(zhì)譜操作程序

Surfacechemicalanalysis—Glowdischargemassspectrometry—

Operatingprocedures

ISO/TS153382020IDT

(:,)

2025-12-03發(fā)布

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/Z122—2025/ISO/TS153382020

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

原理

4………………………1

儀器

5………………………1

常規(guī)操作

6…………………5

校準

7………………………6

數(shù)據(jù)采集

8…………………8

定量

9………………………9

參考文獻

……………………12

GB/Z122—2025/ISO/TS153382020

:

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件等同采用表面化學分析輝光放電質(zhì)譜操作程序文件類型由

ISO/TS15338:2020《》,

的技術規(guī)范調(diào)整為我國的標準化指導性技術文件

ISO。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國表面化學分析標準化技術委員會提出并歸口

(SAC/TC608)。

本文件起草單位中國科學院上海硅酸鹽研究所西北核技術研究院北方工業(yè)大學寧波新材料測

:、、、

試評價中心有限公司

。

本文件主要起草人卓尚軍錢榮盛成李志明陳吉文曾旺李飛騰趙迎劉安琦高捷申如香

:、、、、、、、、、、、

周紫馨李建亭楊秋時曉露孔維濤

、、、、。

GB/Z122—2025/ISO/TS153382020

:

表面化學分析輝光放電質(zhì)譜操作程序

1范圍

本文件給出了輝光放電質(zhì)譜的操作和使用程序目前在用的幾種系統(tǒng)來自不同

(GD-MS)。GD-MS

的制造商本文件描述了所適用操作程序的差異

,。

注本文件旨在配合儀器制造商的操作手冊和推薦內(nèi)容使用

:。

2規(guī)范性引用文件

本文件沒有規(guī)范性引用文件

。

3術語和定義

本文件沒有術語和定義

。

4原理

在輝光放電源中在陰極待測樣品和陽極之間施加一個電位差通過導入一種惰性氣體通常為

,(),(

氬氣就可以形成等離子體這種電位差可以是直流的或射頻的的優(yōu)點是可以直接分

)。(DC)(RF),RF

析電絕緣材料等離子體中形成的惰性氣體離子和快速中性粒子被引入到樣品表面它們的碰撞引起

。,

樣品表面的濺射而產(chǎn)生中性粒子這些中性粒子擴散到等離子體中隨后在等離子體的等電位區(qū)域內(nèi)

。,

被電離然后可以導入質(zhì)譜儀進行分析磁質(zhì)譜和飛行時間質(zhì)譜都可用于分析

,。。

5儀器

51離子源

.

使用的離子源有兩種基本類型一種是低流速或靜態(tài)離子源另一種是快流速離子源

GD-MS,“”;。

這兩種類型的離子源都可以接受針狀或片狀試樣典型的針狀試樣長度為直徑為而典

。20mm、3mm,

型的片狀試樣直徑為有關試樣大小的更多詳細信息稍后提供

20mm~40mm。。

在低流速離子源中等離子體樣品池實際上是一個密封單元固定在高真空室內(nèi)并有一個狹縫或

,,,

小孔為出口以允許離子離開樣品池而進入質(zhì)譜儀樣品池的本體保持陽極電位即質(zhì)譜儀的加速電

,。,

位而樣品則保持在陰極電位通常比陽極電位低在這種類型的離子源中氬氣流速通常為

,,1kV。,

標準狀況下體積流速3或更小所使用的氣體通常是氬氣宜具有非常高的純度

1sccm(,cm/min),(),

或更高等離子的功率相對比較低一般為或電位差通常為電流為

99.99995%

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