Microchipfabrication----DryetchingDepartment：MicroelectronicsDepartmentInJiangsuCollegeofInformationTechnology集成電路制造工藝

--干法刻蝕單位：江蘇信息職業(yè)技術(shù)學院微電子教研室濕法刻蝕第四章刻蝕干法刻蝕去膠刻蝕的基本概念本章要點濕法刻蝕第四章刻蝕干法刻蝕去膠本章要點刻蝕的基本概念濕法刻蝕：目前主要用在漂去氧化硅、表層剝離及大尺寸圖形（3

m以上)腐蝕應(yīng)用方面；

干法刻蝕：是亞微米和深亞微米尺寸下刻蝕器件的主要方法?？涛g濕法刻蝕干法刻蝕純物理性刻蝕：濺射刻蝕純化學性刻蝕：等離子體刻蝕上述兩者特性結(jié)合：反應(yīng)離子刻蝕、高密度等離子體刻蝕以等離子體輔助來進行薄膜刻蝕的一種技術(shù)?！?.3干法刻蝕1.定義：2.種類：干法刻蝕的基本概念Thebasicconceptofdryetching1)濺射刻蝕：利用氣體（如氬）電離成帶正電的離子，再利用偏壓將離子加速，濺射在被刻蝕物的表面，當能量足夠大時，將被刻蝕表面的原子撞擊出來。2)等離子體刻蝕：利用等離子體中的活性基與腐蝕膜發(fā)生化學反應(yīng)，生成可揮發(fā)性的氣體而被帶走。介于濺射刻蝕和等離子體刻蝕之間的干法刻蝕技術(shù)，同時用物理和化學兩種作用來去除薄膜的方法，因此可以兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點，又有可接受的選擇比。3)反應(yīng)離子刻蝕

RIE增大自由基的密度，以改善工作能力，特別是提高刻蝕速率。磁場增強型反應(yīng)離子刻蝕(MERIE)電感耦合等離子體刻蝕(ICP)電子回旋共振等離子體刻蝕(ECR)4)高密度等離子體刻蝕HDP工作氣體刻蝕原理含硅化合物CF4金屬鋁BCl3+Cl2金屬鎢CF4/O2C+F*CF4等離子體SiO2+F*SiF4+O2BCl3等離子體B+Cl*Al+Cl*AlCl3C+F*CF4等離子體W+F*WF6幾種薄膜的等離子體刻蝕Plasmaetchingofcommonfilms每種原子都有自己的光波，不同的薄膜刻蝕時等離子體發(fā)出不同的顏色?？涛g最后階段，等離子體的化學成分將發(fā)生改變，從而引起等離子體發(fā)光的顏色和強度改變，利用光譜儀監(jiān)測光的特定波長并檢測信號的改變，光學系統(tǒng)就傳送一個電信號到電腦以控制刻蝕系統(tǒng)終止刻蝕工藝。發(fā)射光譜分析法（OpticalEmissionSpectroscopy,OES）干涉測量法(InterferometryEndPoint,IEP)質(zhì)譜分析法干法刻蝕的終點檢測Endpointdetectionofdryetching刻蝕剖面是各向異性，具有較好的側(cè)壁控制最小的光刻膠脫落或粘附問題好的片內(nèi)、片間、批次間的刻蝕均勻性較低的化學品使用和處理費用膠膜襯底各向異性干法刻蝕干法刻蝕的特點CharacteristicsofdryetchingETCH三大設(shè)備供應(yīng)商應(yīng)用材料（Applied）LamRe