鈮酸鋰晶體制取工安全防護(hù)知識(shí)考核試卷含答案鈮酸鋰晶體制取工安全防護(hù)知識(shí)考核試卷含答案考生姓名：答題日期：判卷人：得分：題型單項(xiàng)選擇題多選題填空題判斷題主觀題案例題得分本次考核旨在檢驗(yàn)學(xué)員對(duì)鈮酸鋰晶體制取工藝安全防護(hù)知識(shí)的掌握程度，確保其在實(shí)際操作中能夠遵守安全規(guī)程，預(yù)防事故發(fā)生，保障人身和財(cái)產(chǎn)安全。

一、單項(xiàng)選擇題（本題共30小題，每小題0.5分，共15分，在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中，只有一項(xiàng)是符合題目要求的）

1.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，以下哪種設(shè)備用于提供溫度梯度？（）

A.冷卻器

B.加熱器

C.真空系統(tǒng)

D.流體循環(huán)系統(tǒng)

2.在進(jìn)行鈮酸鋰晶體提拉過程中，為防止晶體表面污染，通常使用哪種保護(hù)氣體？（）

A.氮?dú)?/p>

B.氬氣

C.氦氣

D.氧氣

3.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，以下哪種情況可能導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)速度降低？（）

A.溫度升高

B.流體流速增加

C.晶體表面清潔

D.晶體生長(zhǎng)方向調(diào)整

4.下列哪種因素不會(huì)對(duì)鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程產(chǎn)生負(fù)面影響？（）

A.晶體攪拌速度

B.晶體提拉速度

C.生長(zhǎng)容器清潔度

D.生長(zhǎng)環(huán)境濕度

5.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，以下哪種操作可能導(dǎo)致晶體結(jié)構(gòu)缺陷增加？（）

A.優(yōu)化生長(zhǎng)參數(shù)

B.減少生長(zhǎng)過程中的震動(dòng)

C.提高生長(zhǎng)容器密封性

D.使用高純度原料

6.在鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，以下哪種現(xiàn)象表明晶體生長(zhǎng)穩(wěn)定？（）

A.晶體表面出現(xiàn)裂紋

B.晶體生長(zhǎng)速度突然變化

C.晶體表面出現(xiàn)均勻的晶體生長(zhǎng)層

D.晶體表面出現(xiàn)黑色斑點(diǎn)

7.下列哪種晶體生長(zhǎng)方法適合生產(chǎn)高質(zhì)量鈮酸鋰晶體？（）

A.垂直梯度凝固法

B.水平梯度凝固法

C.熔體生長(zhǎng)法

D.水冷銅套法

8.在鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，為防止晶體表面污染，以下哪種方法最為有效？（）

A.使用高純度原料

B.保持生長(zhǎng)環(huán)境清潔

C.控制生長(zhǎng)速度

D.減少生長(zhǎng)過程中的震動(dòng)

9.下列哪種氣體對(duì)鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)具有保護(hù)作用？（）

A.氮?dú)?/p>

B.氬氣

C.氦氣

D.氧氣

10.在鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，以下哪種因素可能導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)速度不均勻？（）

A.生長(zhǎng)容器溫度分布

B.晶體攪拌速度

C.生長(zhǎng)環(huán)境濕度

D.晶體提拉速度

11.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，以下哪種操作可以減少晶體生長(zhǎng)過程中的應(yīng)力？（）

A.降低生長(zhǎng)速度

B.減少晶體攪拌速度

C.優(yōu)化生長(zhǎng)參數(shù)

D.提高生長(zhǎng)環(huán)境溫度

12.下列哪種現(xiàn)象表明鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中存在雜質(zhì)？（）

A.晶體表面出現(xiàn)裂紋

B.晶體生長(zhǎng)速度突然變化

C.晶體表面出現(xiàn)均勻的晶體生長(zhǎng)層

D.晶體表面出現(xiàn)黑色斑點(diǎn)

13.在鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，以下哪種方法可以減少晶體生長(zhǎng)過程中的熱應(yīng)力？（）

A.使用高純度原料

B.保持生長(zhǎng)環(huán)境清潔

C.控制生長(zhǎng)速度

D.提高生長(zhǎng)環(huán)境溫度

14.下列哪種因素對(duì)鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)質(zhì)量影響最大？（）

A.生長(zhǎng)容器溫度分布

B.晶體攪拌速度

C.生長(zhǎng)環(huán)境濕度

D.晶體提拉速度

15.在鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，以下哪種操作可能導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)中斷？（）

A.優(yōu)化生長(zhǎng)參數(shù)

B.減少生長(zhǎng)過程中的震動(dòng)

C.提高生長(zhǎng)容器密封性

D.使用高純度原料

16.下列哪種氣體對(duì)鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)具有保護(hù)作用？（）

A.氮?dú)?/p>

B.氬氣

C.氦氣

D.氧氣

17.在鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，以下哪種因素可能導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)速度不均勻？（）

A.生長(zhǎng)容器溫度分布

B.晶體攪拌速度

C.生長(zhǎng)環(huán)境濕度

D.晶體提拉速度

18.下列哪種現(xiàn)象表明鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中存在雜質(zhì)？（）

A.晶體表面出現(xiàn)裂紋

B.晶體生長(zhǎng)速度突然變化

C.晶體表面出現(xiàn)均勻的晶體生長(zhǎng)層

D.晶體表面出現(xiàn)黑色斑點(diǎn)

19.在鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，以下哪種方法可以減少晶體生長(zhǎng)過程中的熱應(yīng)力？（）

A.使用高純度原料

B.保持生長(zhǎng)環(huán)境清潔

C.控制生長(zhǎng)速度

D.提高生長(zhǎng)環(huán)境溫度

20.下列哪種因素對(duì)鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)質(zhì)量影響最大？（）

A.生長(zhǎng)容器溫度分布

B.晶體攪拌速度

C.生長(zhǎng)環(huán)境濕度

D.晶體提拉速度

21.在鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，以下哪種操作可能導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)中斷？（）

A.優(yōu)化生長(zhǎng)參數(shù)

B.減少生長(zhǎng)過程中的震動(dòng)

C.提高生長(zhǎng)容器密封性

D.使用高純度原料

22.下列哪種氣體對(duì)鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)具有保護(hù)作用？（）

A.氮?dú)?/p>

B.氬氣

C.氦氣

D.氧氣

23.在鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，以下哪種因素可能導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)速度不均勻？（）

A.生長(zhǎng)容器溫度分布

B.晶體攪拌速度

C.生長(zhǎng)環(huán)境濕度

D.晶體提拉速度

24.下列哪種現(xiàn)象表明鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中存在雜質(zhì)？（）

A.晶體表面出現(xiàn)裂紋

B.晶體生長(zhǎng)速度突然變化

C.晶體表面出現(xiàn)均勻的晶體生長(zhǎng)層

D.晶體表面出現(xiàn)黑色斑點(diǎn)

25.在鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，以下哪種方法可以減少晶體生長(zhǎng)過程中的熱應(yīng)力？（）

A.使用高純度原料

B.保持生長(zhǎng)環(huán)境清潔

C.控制生長(zhǎng)速度

D.提高生長(zhǎng)環(huán)境溫度

26.下列哪種因素對(duì)鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)質(zhì)量影響最大？（）

A.生長(zhǎng)容器溫度分布

B.晶體攪拌速度

C.生長(zhǎng)環(huán)境濕度

D.晶體提拉速度

27.在鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，以下哪種操作可能導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)中斷？（）

A.優(yōu)化生長(zhǎng)參數(shù)

B.減少生長(zhǎng)過程中的震動(dòng)

C.提高生長(zhǎng)容器密封性

D.使用高純度原料

28.下列哪種氣體對(duì)鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)具有保護(hù)作用？（）

A.氮?dú)?/p>

B.氬氣

C.氦氣

D.氧氣

29.在鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，以下哪種因素可能導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)速度不均勻？（）

A.生長(zhǎng)容器溫度分布

B.晶體攪拌速度

C.生長(zhǎng)環(huán)境濕度

D.晶體提拉速度

30.下列哪種現(xiàn)象表明鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中存在雜質(zhì)？（）

A.晶體表面出現(xiàn)裂紋

B.晶體生長(zhǎng)速度突然變化

C.晶體表面出現(xiàn)均勻的晶體生長(zhǎng)層

D.晶體表面出現(xiàn)黑色斑點(diǎn)

二、多選題（本題共20小題，每小題1分，共20分，在每小題給出的選項(xiàng)中，至少有一項(xiàng)是符合題目要求的）

1.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，以下哪些因素會(huì)影響晶體的生長(zhǎng)質(zhì)量？（）

A.原料純度

B.生長(zhǎng)溫度

C.晶體提拉速度

D.攪拌速度

E.生長(zhǎng)環(huán)境濕度

2.在進(jìn)行鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)時(shí)，為了確保操作安全，以下哪些措施是必要的？（）

A.使用個(gè)人防護(hù)裝備

B.遵守實(shí)驗(yàn)室安全規(guī)程

C.保持工作區(qū)域通風(fēng)

D.定期檢查設(shè)備狀態(tài)

E.使用適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)品處理方法

3.下列哪些是鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中常見的缺陷類型？（）

A.裂紋

B.雜質(zhì)析出

C.生長(zhǎng)不均勻

D.晶體取向不良

E.表面粗糙

4.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，以下哪些操作可能會(huì)導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)中斷？（）

A.溫度控制不當(dāng)

B.液體循環(huán)系統(tǒng)故障

C.晶體攪拌速度過快

D.晶體提拉速度過慢

E.原料純度低

5.為了提高鈮酸鋰晶體的光學(xué)質(zhì)量，以下哪些方法可以采用？（）

A.優(yōu)化生長(zhǎng)參數(shù)

B.使用高純度原料

C.減少生長(zhǎng)過程中的震動(dòng)

D.采用先進(jìn)的晶體生長(zhǎng)技術(shù)

E.提高生長(zhǎng)環(huán)境溫度

6.在鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，以下哪些因素可能會(huì)導(dǎo)致晶體內(nèi)部應(yīng)力增加？（）

A.生長(zhǎng)溫度過高

B.晶體提拉速度過快

C.原料純度低

D.晶體攪拌速度過慢

E.生長(zhǎng)容器密封性差

7.以下哪些是鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中可能使用的保護(hù)氣體？（）

A.氬氣

B.氮?dú)?/p>

C.氦氣

D.氧氣

E.二氧化碳

8.在鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，以下哪些因素可能影響晶體的生長(zhǎng)速度？（）

A.生長(zhǎng)溫度

B.晶體提拉速度

C.攪拌速度

D.液體循環(huán)系統(tǒng)壓力

E.原料純度

9.為了提高鈮酸鋰晶體的電學(xué)性能，以下哪些措施是必要的？（）

A.使用高純度原料

B.優(yōu)化生長(zhǎng)參數(shù)

C.控制晶體生長(zhǎng)過程中的雜質(zhì)含量

D.減少晶體生長(zhǎng)過程中的應(yīng)力

E.采用特殊的晶體生長(zhǎng)技術(shù)

10.在鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，以下哪些操作可能導(dǎo)致晶體表面出現(xiàn)裂紋？（）

A.溫度變化過快

B.晶體提拉速度過快

C.攪拌速度過慢

D.原料純度低

E.生長(zhǎng)環(huán)境濕度高

11.以下哪些是鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中可能出現(xiàn)的物理現(xiàn)象？（）

A.晶體生長(zhǎng)

B.液態(tài)金屬流動(dòng)

C.晶體冷卻

D.雜質(zhì)擴(kuò)散

E.晶體斷裂

12.在鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，以下哪些因素可能會(huì)影響晶體的生長(zhǎng)方向？（）

A.生長(zhǎng)溫度

B.晶體提拉速度

C.攪拌速度

D.液體循環(huán)系統(tǒng)壓力

E.晶體原始取向

13.以下哪些是鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中可能使用的設(shè)備？（）

A.真空系統(tǒng)

B.加熱器

C.冷卻器

D.攪拌器

E.光學(xué)顯微鏡

14.在鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，以下哪些因素可能會(huì)影響晶體的生長(zhǎng)質(zhì)量？（）

A.原料純度

B.生長(zhǎng)溫度

C.攪拌速度

D.生長(zhǎng)環(huán)境濕度

E.晶體提拉速度

15.為了減少鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中的應(yīng)力，以下哪些措施可以采??？（）

A.優(yōu)化生長(zhǎng)參數(shù)

B.使用高純度原料

C.控制晶體生長(zhǎng)過程中的雜質(zhì)含量

D.減少晶體生長(zhǎng)過程中的震動(dòng)

E.提高生長(zhǎng)環(huán)境溫度

16.在鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，以下哪些因素可能會(huì)影響晶體的光學(xué)性能？（）

A.晶體生長(zhǎng)速度

B.晶體提拉速度

C.攪拌速度

D.液體循環(huán)系統(tǒng)壓力

E.原料純度

17.以下哪些是鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中可能使用的檢測(cè)方法？（）

A.X射線衍射

B.光學(xué)顯微鏡

C.紅外光譜

D.掃描電鏡

E.磁控濺射

18.在鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，以下哪些因素可能會(huì)影響晶體的電學(xué)性能？（）

A.晶體生長(zhǎng)速度

B.晶體提拉速度

C.攪拌速度

D.液體循環(huán)系統(tǒng)壓力

E.晶體原始取向

19.以下哪些是鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中可能遇到的挑戰(zhàn)？（）

A.晶體生長(zhǎng)速度控制

B.晶體表面質(zhì)量保證

C.雜質(zhì)控制

D.晶體取向控制

E.生長(zhǎng)環(huán)境控制

20.在鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，以下哪些措施有助于提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量？（）

A.優(yōu)化生長(zhǎng)參數(shù)

B.使用高純度原料

C.減少生長(zhǎng)過程中的震動(dòng)

D.采用先進(jìn)的晶體生長(zhǎng)技術(shù)

E.定期維護(hù)和校準(zhǔn)設(shè)備

三、填空題（本題共25小題，每小題1分，共25分，請(qǐng)將正確答案填到題目空白處）

1.鈮酸鋰晶體的主要用途是_________。

2.鈮酸鋰晶體的化學(xué)式為_________。

3.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，常用的提拉速度范圍是_________。

4.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，生長(zhǎng)溫度通常控制在_________。

5.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)所需的原料純度通常要求達(dá)到_________。

6.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，保護(hù)氣體通常使用_________。

7.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)設(shè)備中的冷卻系統(tǒng)主要用于_________。

8.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，攪拌速度的調(diào)節(jié)是為了_________。

9.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中的晶體攪拌器通常采用_________。

10.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，為了防止晶體表面污染，通常會(huì)使用_________。

11.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中的生長(zhǎng)容器材料通常選擇_________。

12.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，為了提高晶體質(zhì)量，通常會(huì)采用_________。

13.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中的晶體生長(zhǎng)速度可以通過_________來控制。

14.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中的生長(zhǎng)溫度梯度可以通過_________來控制。

15.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中的生長(zhǎng)容器密封性對(duì)于_________至關(guān)重要。

16.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中的生長(zhǎng)環(huán)境濕度對(duì)于_________有重要影響。

17.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中的晶體生長(zhǎng)方向可以通過_________來控制。

18.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中的晶體生長(zhǎng)速度不均勻可能是由于_________引起的。

19.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中的晶體表面裂紋可能是由于_________引起的。

20.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中的雜質(zhì)析出可能是由于_________引起的。

21.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中的晶體取向不良可能是由于_________引起的。

22.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中的晶體生長(zhǎng)中斷可能是由于_________引起的。

23.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中的晶體生長(zhǎng)質(zhì)量可以通過_________來檢測(cè)。

24.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中的晶體生長(zhǎng)效率可以通過_________來提高。

25.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中的晶體生長(zhǎng)成本可以通過_________來降低。

四、判斷題（本題共20小題，每題0.5分，共10分，正確的請(qǐng)?jiān)诖痤}括號(hào)中畫√，錯(cuò)誤的畫×）

1.鈮酸鋰晶體的生長(zhǎng)過程中，溫度梯度越大，晶體生長(zhǎng)速度越快。（）

2.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)時(shí)，原料的純度對(duì)晶體質(zhì)量沒有影響。（）

3.在鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，攪拌速度的增加可以減少晶體生長(zhǎng)過程中的應(yīng)力。（）

4.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)時(shí)，使用高純度原料可以減少晶體中的雜質(zhì)含量。（）

5.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，提高生長(zhǎng)溫度可以增加晶體生長(zhǎng)速度。（）

6.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)時(shí)，生長(zhǎng)環(huán)境中的濕度對(duì)晶體生長(zhǎng)沒有影響。（）

7.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，使用氬氣作為保護(hù)氣體可以防止晶體表面氧化。（）

8.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)時(shí)，晶體提拉速度越快，晶體生長(zhǎng)質(zhì)量越好。（）

9.在鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，晶體攪拌器的作用是提供均勻的攪拌速度。（）

10.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)時(shí)，生長(zhǎng)容器材料的導(dǎo)熱性越好，晶體生長(zhǎng)質(zhì)量越高。（）

11.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，晶體生長(zhǎng)速度不均勻可能是由于溫度梯度不穩(wěn)定引起的。（）

12.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)時(shí)，晶體表面出現(xiàn)裂紋可能是由于生長(zhǎng)速度過快引起的。（）

13.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，晶體生長(zhǎng)方向可以通過調(diào)整晶體原始取向來控制。（）

14.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)時(shí)，生長(zhǎng)過程中的震動(dòng)會(huì)導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)質(zhì)量下降。（）

15.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，使用光學(xué)顯微鏡可以觀察晶體生長(zhǎng)過程中的表面質(zhì)量。（）

16.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)時(shí)，提高生長(zhǎng)容器密封性可以減少晶體生長(zhǎng)過程中的雜質(zhì)含量。（）

17.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，晶體生長(zhǎng)速度可以通過調(diào)整晶體提拉速度來控制。（）

18.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)時(shí)，生長(zhǎng)環(huán)境中的氧氣含量對(duì)晶體生長(zhǎng)沒有影響。（）

19.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)過程中，晶體生長(zhǎng)中斷可能是由于生長(zhǎng)容器故障引起的。（）

20.鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)時(shí)，使用先進(jìn)的晶體生長(zhǎng)技術(shù)可以提高晶體生長(zhǎng)效率。（）

五、主觀題（本題共4小題，每題5分，共20分）

1.請(qǐng)簡(jiǎn)述鈮酸鋰晶體制取過程中可能存在的安全風(fēng)險(xiǎn)，并針對(duì)這些風(fēng)險(xiǎn)提出相應(yīng)的安全防護(hù)措施。

2.闡述在鈮酸鋰晶體制取過程中，如何通過優(yōu)化生長(zhǎng)參數(shù)來提高晶體的質(zhì)量和性能。

3.結(jié)合實(shí)際，討論在鈮酸鋰晶體制取過程中，如何有效控制雜質(zhì)含量，以保證晶體的純度。

4.分析鈮酸鋰晶體制取工藝中，如何通過技術(shù)創(chuàng)新來提高生產(chǎn)效率和降低成本。

六、案例題（本題共2小題，每題5分，共10分）

1.某公司在進(jìn)行鈮酸鋰晶體制取時(shí)，發(fā)現(xiàn)晶體表面出現(xiàn)大量裂紋。請(qǐng)分析可能的原因，并提出相應(yīng)的解決方案。

2.在某次鈮酸鋰晶體制取實(shí)驗(yàn)中，由于原料純度不足，導(dǎo)致晶體中雜質(zhì)含量超標(biāo)。請(qǐng)分析雜質(zhì)對(duì)晶體性能的影響，并討論如何提高原料純度以獲得高質(zhì)量的鈮酸鋰晶體。

標(biāo)準(zhǔn)答案

一、單項(xiàng)選擇題

1.B

2.B

3.D

4.C

5.D

6.C

7.A

8.B

9.B

10.A

11.C

12.D

13.A

14.A

15.D

16.B

17.D

18.A

19.B

20.C

21.D

22.A

23.B

24.D

25.E

二、多選題

1.A,B,C,D,E

2.A,B,C,D,E

3.A,B,C,D,E

4.A,B,C

5.A,B,C,D

6.A,B,C,E

7.A,B,C

8.A,B,C,D,E

9.A,B,C,D,E

10.A,B,E

11.A,B,C,D,E

12.A,B,C,D,E

13.A,B,C,D

14.A,B,C,D,E

15.A,B,C,D

16.A,B,C,D,E

17.A,B,C,D,E

18.A,B,C,D,E

19.A,B,C,D,E

20.A,B,C,D,E

三、填空題

1.光學(xué)元件和器件

2.LiNbO3

3.1-10mm/s

4.1000-1100℃

5.99.99