《GB/T34178-2017光掩模石英玻璃基板》(2026年)深度解析目錄01光掩模基石為何鎖定石英玻璃?專家視角剖析標(biāo)準(zhǔn)制定的核心邏輯與行業(yè)價(jià)值03尺寸精度決定芯片良率?標(biāo)準(zhǔn)中基板幾何參數(shù)的深層考量與檢測(cè)方案揭秘

表面質(zhì)量是“生命線”?深度剖析標(biāo)準(zhǔn)對(duì)基板劃痕

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缺陷的嚴(yán)苛規(guī)范與控制策略05環(huán)境適應(yīng)性藏著哪些玄機(jī)?解讀標(biāo)準(zhǔn)中基板耐溫

、耐化學(xué)性的測(cè)試與要求07合格判定有“硬杠杠”:GB/T34178-2017的驗(yàn)收規(guī)則如何規(guī)避生產(chǎn)與應(yīng)用風(fēng)險(xiǎn)?09面向先進(jìn)制程:GB/T34178-2017的適應(yīng)性升級(jí)方向與未來(lái)標(biāo)準(zhǔn)修訂預(yù)判02040608從成分到性能:GB/T34178-2017如何構(gòu)建光掩?；宓摹包S金指標(biāo)體系”?透光性與穩(wěn)定性如何平衡?標(biāo)準(zhǔn)下光學(xué)性能指標(biāo)的設(shè)定依據(jù)與未來(lái)優(yōu)化方向檢測(cè)方法是“標(biāo)尺”:標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的試驗(yàn)流程為何能成為行業(yè)統(tǒng)一的質(zhì)量評(píng)判依據(jù)?包裝運(yùn)輸藏隱患?標(biāo)準(zhǔn)對(duì)基板防護(hù)的細(xì)節(jié)規(guī)范與供應(yīng)鏈保障價(jià)值解析、標(biāo)準(zhǔn)落地見(jiàn)實(shí)效：光掩模企業(yè)如何借GB/T34178-2017提升核心競(jìng)爭(zhēng)力？、光掩?；癁楹捂i定石英玻璃？專家視角剖析標(biāo)準(zhǔn)制定的核心邏輯與行業(yè)價(jià)值光掩?；宓牟馁|(zhì)抉擇：石英玻璃何以成為不二之選？01光掩模是芯片光刻的“底片”，基板材質(zhì)直接影響光刻精度。石英玻璃因低膨脹系數(shù)、高透光率、優(yōu)異化學(xué)穩(wěn)定性，契合微米級(jí)光刻需求。標(biāo)準(zhǔn)將其定為核心材質(zhì)，源于行業(yè)實(shí)踐：普通玻璃熱變形大，無(wú)法適配深紫外光刻；藍(lán)寶石成本過(guò)高，難以規(guī)?；瘧?yīng)用。石英玻璃的性能均衡性，使其成為光掩模基板的最優(yōu)解，這也是標(biāo)準(zhǔn)制定的材質(zhì)邏輯起點(diǎn)。02（二）標(biāo)準(zhǔn)制定的行業(yè)背景：為何急需統(tǒng)一光掩?；宓募夹g(shù)規(guī)范？12017年前，國(guó)內(nèi)光掩模基板市場(chǎng)亂象叢生：企業(yè)自定標(biāo)準(zhǔn)，參數(shù)差異大，導(dǎo)致上下游適配難題。進(jìn)口基板壟斷市場(chǎng)，價(jià)格高昂且交貨周期長(zhǎng)。隨著國(guó)內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)崛起，基板自主化迫在眉睫。GB/T34178-2017的出臺(tái)，首次統(tǒng)一技術(shù)要求，解決“各說(shuō)各話”問(wèn)題，為國(guó)產(chǎn)基板研發(fā)、生產(chǎn)提供依據(jù)，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展，打破進(jìn)口依賴。2（三）專家視角：標(biāo)準(zhǔn)對(duì)光掩模產(chǎn)業(yè)鏈的戰(zhàn)略價(jià)值與深遠(yuǎn)影響01從產(chǎn)業(yè)鏈視角看，該標(biāo)準(zhǔn)是“承上啟下”的關(guān)鍵。對(duì)上規(guī)范石英玻璃原料生產(chǎn)，明確原料純度等要求；對(duì)下為光掩模制造、芯片光刻提供統(tǒng)一“標(biāo)尺”。專家指出，標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)施使國(guó)產(chǎn)基板合格率從不足50%提升至80%以上，推動(dòng)國(guó)內(nèi)企業(yè)參與國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)，為后續(xù)先進(jìn)制程基板研發(fā)奠定基礎(chǔ)，助力我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主可控。02、從成分到性能：GB/T34178-2017如何構(gòu)建光掩?；宓摹包S金指標(biāo)體系”？成分管控：石英玻璃純度指標(biāo)的設(shè)定依據(jù)與雜質(zhì)危害解析01標(biāo)準(zhǔn)明確SiO2純度≥99.999%，堿金屬、過(guò)渡金屬等雜質(zhì)含量需低于ppm級(jí)。雜質(zhì)會(huì)吸收光刻光線，導(dǎo)致圖形失真，影響芯片良率。如鈉元素會(huì)降低基板折射率均勻性，鐵元素會(huì)產(chǎn)生光吸收。標(biāo)準(zhǔn)通過(guò)限定雜質(zhì)種類與含量，從源頭保障基板光學(xué)性能，這是后續(xù)所有指標(biāo)的基礎(chǔ)，也是區(qū)別于普通石英玻璃的核心要點(diǎn)。02（二）核心性能指標(biāo)：強(qiáng)度、硬度與韌性的協(xié)同要求與測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)基板需承受光刻過(guò)程中的機(jī)械應(yīng)力與化學(xué)處理，標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定抗彎強(qiáng)度≥80MPa，維氏硬度≥550HV。強(qiáng)度不足易導(dǎo)致基板碎裂，硬度不夠會(huì)產(chǎn)生表面劃傷。同時(shí)，標(biāo)準(zhǔn)通過(guò)彈性模量指標(biāo)間接管控韌性，避免硬而脆的問(wèn)題。測(cè)試采用三點(diǎn)彎曲法測(cè)強(qiáng)度，顯微硬度計(jì)測(cè)硬度，確保數(shù)據(jù)客觀可比，為生產(chǎn)提供明確的質(zhì)量判定依據(jù)。321（三）指標(biāo)關(guān)聯(lián)性：成分與性能的內(nèi)在邏輯及標(biāo)準(zhǔn)的系統(tǒng)考量成分純度直接決定性能：高純度石英玻璃結(jié)構(gòu)更均勻，減少內(nèi)部缺陷，從而提升強(qiáng)度與透光性。標(biāo)準(zhǔn)并非孤立設(shè)定指標(biāo)，而是構(gòu)建“成分-結(jié)構(gòu)-性能”的關(guān)聯(lián)體系。例如，限定羥基含量≤10ppm，既避免羥基吸收光刻光，又減少結(jié)構(gòu)疏松導(dǎo)致的強(qiáng)度下降，體現(xiàn)了標(biāo)準(zhǔn)指標(biāo)設(shè)定的系統(tǒng)性與科學(xué)性。、尺寸精度決定芯片良率？標(biāo)準(zhǔn)中基板幾何參數(shù)的深層考量與檢測(cè)方案揭秘尺寸規(guī)格：不同型號(hào)基板的長(zhǎng)寬厚公差要求與應(yīng)用場(chǎng)景匹配1標(biāo)準(zhǔn)涵蓋152mm×152mm、203mm×203mm等主流規(guī)格，厚度公差控制在±0.01mm內(nèi)。大尺寸基板適配高端芯片生產(chǎn)，公差要求更嚴(yán)——光刻時(shí)基板與掩?？蚣苄杈珳?zhǔn)貼合，尺寸偏差會(huì)導(dǎo)致圖形錯(cuò)位。如203mm規(guī)格基板，長(zhǎng)度公差超限時(shí)，無(wú)法裝入標(biāo)準(zhǔn)掩模盒，影響生產(chǎn)效率，這也是標(biāo)準(zhǔn)按規(guī)格細(xì)分公差的原因。2（二）平面度與平行度：微米級(jí)精度要求背后的光刻工藝需求解析標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定平面度≤0.5μm/100mm，平行度≤0.1μm。光刻中，光線需垂直穿過(guò)基板，平面度差會(huì)導(dǎo)致光線折射偏差，使芯片圖形尺寸失真；平行度不足則會(huì)產(chǎn)生雙折射現(xiàn)象，影響成像質(zhì)量。對(duì)于7nm以下制程，平面度要求更苛刻，標(biāo)準(zhǔn)的基礎(chǔ)要求為先進(jìn)制程升級(jí)預(yù)留了空間，體現(xiàn)前瞻性。（三）檢測(cè)技術(shù)：標(biāo)準(zhǔn)推薦的激光干涉儀檢測(cè)方案與精度保障措施標(biāo)準(zhǔn)推薦使用激光干涉儀檢測(cè)幾何參數(shù)，其測(cè)量精度可達(dá)nm級(jí)。檢測(cè)時(shí)需控制環(huán)境溫度23±2℃,避免溫度變化導(dǎo)致基板熱脹冷縮影響數(shù)據(jù)。同時(shí)，采用多點(diǎn)掃描方式，覆蓋基板全表面，避免局部缺陷遺漏。檢測(cè)流程的標(biāo)準(zhǔn)化，確保不同實(shí)驗(yàn)室測(cè)量結(jié)果一致，解決了此前檢測(cè)數(shù)據(jù)“不可比”的行業(yè)痛點(diǎn)。12、表面質(zhì)量是“生命線”？深度剖析標(biāo)準(zhǔn)對(duì)基板劃痕、缺陷的嚴(yán)苛規(guī)范與控制策略表面缺陷分級(jí)：劃痕、麻點(diǎn)的尺寸界定與對(duì)光刻的影響程度01標(biāo)準(zhǔn)將表面缺陷分為A、B、C三級(jí)，A級(jí)基板不允許存在≥0.5μm的劃痕和≥1μm的麻點(diǎn)。劃痕會(huì)遮擋光線，形成光刻圖形缺陷；麻點(diǎn)可能導(dǎo)致掩模涂層附著不良。對(duì)于用于邏輯芯片的基板，需采用A級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，而存儲(chǔ)芯片可根據(jù)需求選用B級(jí)，體現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)的靈活性與針對(duì)性。02（二）表面粗糙度：Ra≤0.2nm的要求如何通過(guò)拋光工藝實(shí)現(xiàn)？標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定表面粗糙度Ra≤0.2nm，這一指標(biāo)直接影響掩模圖形的清晰度。高粗糙度會(huì)導(dǎo)致光線散射，降低光刻分辨率。要實(shí)現(xiàn)該要求，需采用多步拋光工藝：先粗拋去除加工痕跡，再精拋使用納米級(jí)磨料，最后化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）優(yōu)化表面。標(biāo)準(zhǔn)通過(guò)明確粗糙度指標(biāo)，引導(dǎo)企業(yè)提升拋光技術(shù)水平。（三）生產(chǎn)過(guò)程控制：從原料切割到成品清洗的全流程缺陷防控01標(biāo)準(zhǔn)不僅規(guī)定成品指標(biāo)，還隱含對(duì)生產(chǎn)過(guò)程的要求。如切割環(huán)節(jié)需采用金剛石線切割，減少崩邊；清洗環(huán)節(jié)使用超純水與專用清洗劑，避免殘留雜質(zhì)形成缺陷。企業(yè)需建立全流程SOP，結(jié)合在線檢測(cè)設(shè)備，實(shí)時(shí)監(jiān)控表面質(zhì)量，才能滿足標(biāo)準(zhǔn)要求，這也是標(biāo)準(zhǔn)推動(dòng)行業(yè)生產(chǎn)規(guī)范化的體現(xiàn)。02、透光性與穩(wěn)定性如何平衡？標(biāo)準(zhǔn)下光學(xué)性能指標(biāo)的設(shè)定依據(jù)與未來(lái)優(yōu)化方向透光率要求：不同波長(zhǎng)下的透光率標(biāo)準(zhǔn)與光刻光源適配性01標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定在248nm（深紫外）波長(zhǎng)下透光率≥90%，193nm（極紫外）波長(zhǎng)下≥85%。光刻光源波長(zhǎng)不斷縮短，對(duì)基板透光率要求更高。低透光率會(huì)導(dǎo)致光刻能量不足，影響圖形形成。標(biāo)準(zhǔn)針對(duì)主流光刻波長(zhǎng)設(shè)定指標(biāo)，同時(shí)為157nm等更短波長(zhǎng)預(yù)留了技術(shù)升級(jí)空間，契合行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)。02（二）折射率均勻性：光學(xué)性能的核心指標(biāo)與測(cè)試方法解析1折射率均勻性是基板光學(xué)性能的關(guān)鍵，標(biāo)準(zhǔn)要求折射率偏差≤1×10-6。折射率不均會(huì)導(dǎo)致光線傳播路徑偏移，使光刻圖形產(chǎn)生畸變。測(cè)試采用干涉法，通過(guò)分析干涉條紋的彎曲程度計(jì)算偏差。該指標(biāo)的設(shè)定，確保基板在整個(gè)表面具有一致的光學(xué)特性，為高精度光刻提供保障。2（三）未來(lái)優(yōu)化：面向EUV光刻的基板光學(xué)性能升級(jí)方向預(yù)判隨著EUV（極紫外）光刻技術(shù)普及，基板需適應(yīng)13.5nm波長(zhǎng)需求。當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)指標(biāo)需向更高透光率(≥95%）、更優(yōu)折射率均勻性（偏差≤5×10-7）升級(jí)。專家預(yù)測(cè)，未來(lái)標(biāo)準(zhǔn)修訂將加入EUV專用基板的光學(xué)指標(biāo)，同時(shí)強(qiáng)化抗輻射性能要求，以應(yīng)對(duì)EUV光刻的特殊環(huán)境。、環(huán)境適應(yīng)性藏著哪些玄機(jī)？解讀標(biāo)準(zhǔn)中基板耐溫、耐化學(xué)性的測(cè)試與要求耐溫性能：高低溫循環(huán)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)與光刻工藝的溫度環(huán)境匹配01標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定基板在-40℃~200℃循環(huán)10次后，無(wú)裂紋、性能無(wú)衰減。光刻過(guò)程中，基板會(huì)經(jīng)歷涂膠、烘烤、顯影等溫度變化，耐溫性不足會(huì)導(dǎo)致尺寸變形。測(cè)試采用高低溫試驗(yàn)箱，模擬實(shí)際生產(chǎn)中的溫度循環(huán)，確?；逶谌に嚵鞒讨斜３址€(wěn)定，這是保障光刻精度的重要環(huán)節(jié)。02（二）耐化學(xué)性：對(duì)光刻膠、清洗劑的耐腐蝕要求與測(cè)試方法01基板需耐受光刻膠、顯影液、蝕刻液等化學(xué)試劑，標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定浸泡后重量變化率≤0.01%，表面無(wú)腐蝕痕跡。化學(xué)腐蝕會(huì)破壞表面質(zhì)量，影響掩模涂層附著力。測(cè)試采用浸泡法，將基板置于常用化學(xué)試劑中24小時(shí)，通過(guò)重量與表面檢測(cè)判定性能，確保基板適配主流光刻工藝。02（三）環(huán)境穩(wěn)定性：濕度、振動(dòng)對(duì)基板性能的影響與防控措施標(biāo)準(zhǔn)雖未直接規(guī)定濕度指標(biāo)，但通過(guò)耐水性要求間接管控——基板在85℃、85%濕度環(huán)境下放置1000小時(shí)無(wú)異常。濕度過(guò)高會(huì)導(dǎo)致基板表面吸潮，影響涂層結(jié)合力；振動(dòng)會(huì)導(dǎo)致光刻時(shí)基板位移。標(biāo)準(zhǔn)的環(huán)境適應(yīng)性要求，為基板存儲(chǔ)、運(yùn)輸與使用提供了明確的環(huán)境參數(shù)范圍。12七

、檢測(cè)方法是“標(biāo)尺”

：標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的試驗(yàn)流程為何能成為行業(yè)統(tǒng)一的質(zhì)量評(píng)判依據(jù)？理化性能檢測(cè)：成分分析與性能測(cè)試的標(biāo)準(zhǔn)化流程解析01成分分析采用電感耦合等離子體質(zhì)譜法（ICP-MS），可精準(zhǔn)檢測(cè)ppm級(jí)雜質(zhì)；強(qiáng)度測(cè)試用三點(diǎn)彎曲試驗(yàn)機(jī)，加載速度控制在2mm/min，確保數(shù)據(jù)穩(wěn)定。標(biāo)準(zhǔn)明確了每種檢測(cè)的設(shè)備要求、試樣制備、試驗(yàn)步驟與數(shù)據(jù)處理方法，避免因操作差異導(dǎo)致結(jié)果偏差，實(shí)現(xiàn)檢測(cè)的統(tǒng)一性與公正性。02（二）幾何參數(shù)檢測(cè)：非接觸式測(cè)量技術(shù)的應(yīng)用與精度保障01除激光干涉儀外，標(biāo)準(zhǔn)推薦使用坐標(biāo)測(cè)量機(jī)檢測(cè)尺寸公差，其定位精度達(dá)±0.001mm。非接觸式測(cè)量避免了接觸力導(dǎo)致的基板變形，尤其適用于薄型基板。檢測(cè)時(shí)需進(jìn)行設(shè)備校準(zhǔn)，采用標(biāo)準(zhǔn)件驗(yàn)證精度，確保測(cè)量結(jié)果可靠。標(biāo)準(zhǔn)化的檢測(cè)技術(shù)，為企業(yè)質(zhì)量控制提供了可操作的方法。02（三）檢測(cè)結(jié)果的重復(fù)性與再現(xiàn)性：標(biāo)準(zhǔn)對(duì)試驗(yàn)可靠性的雙重保障標(biāo)準(zhǔn)要求同一實(shí)驗(yàn)室重復(fù)檢測(cè)結(jié)果偏差≤5%，不同實(shí)驗(yàn)室再現(xiàn)性偏差≤10%。為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了統(tǒng)一的試樣取樣位置、檢測(cè)環(huán)境條件與數(shù)據(jù)修約規(guī)則。例如，強(qiáng)度測(cè)試需選取3個(gè)試樣，每個(gè)試樣測(cè)試3次取平均值，確保結(jié)果具有統(tǒng)計(jì)意義，這也是標(biāo)準(zhǔn)作為行業(yè)“標(biāo)尺”的核心支撐。、合格判定有“硬杠杠”：GB/T34178-2017的驗(yàn)收規(guī)則如何規(guī)避生產(chǎn)與應(yīng)用風(fēng)險(xiǎn)？抽樣方案：批量生產(chǎn)中樣本選取的原則與不合格判定閾值1標(biāo)準(zhǔn)采用GB/T2828.1的一次抽樣方案，按批量大小確定樣本量。如批量500片時(shí)，樣本量32片，允收數(shù)（Ac）=1，拒收數(shù)（Re）=2。若樣本中不合格品數(shù)≤1，判定該批合格；≥2則拒收。抽樣方案的設(shè)定，在保證質(zhì)量的同時(shí)兼顧生產(chǎn)效率，避免過(guò)度檢測(cè)增加成本，或抽樣不足導(dǎo)致風(fēng)險(xiǎn)漏判。2（二）不合格分類：A、B、C類缺陷的判定標(biāo)準(zhǔn)與處理方式A類缺陷（如嚴(yán)重劃痕、尺寸超差）為致命缺陷，出現(xiàn)1個(gè)即判定不合格；B類缺陷（如微小麻點(diǎn)）為主要缺陷，累計(jì)超3個(gè)不合格；C類缺陷（如輕微色差）為次要缺陷，累計(jì)超5個(gè)不合格。不同缺陷分類對(duì)應(yīng)不同處理方式，A類直接報(bào)廢，B類可返工，C類視應(yīng)用場(chǎng)景讓步接收，體現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)用性。12（三）驗(yàn)收流程：從入庫(kù)檢驗(yàn)到出廠確認(rèn)的全環(huán)節(jié)質(zhì)量把控驗(yàn)收分為入庫(kù)檢驗(yàn)（原料）、過(guò)程檢驗(yàn)（半成品）與出廠檢驗(yàn)（成品）。入庫(kù)檢驗(yàn)重點(diǎn)查成分與外觀；過(guò)程檢驗(yàn)測(cè)尺寸與表面質(zhì)量；出廠檢驗(yàn)全面覆蓋所有指標(biāo)。每環(huán)節(jié)需出具檢驗(yàn)報(bào)告，不合格品需隔離并分析原因。標(biāo)準(zhǔn)的驗(yàn)收流程，構(gòu)建了“層層把關(guān)”的質(zhì)量體系，有效規(guī)避不合格品流入下游。、包裝運(yùn)輸藏隱患？標(biāo)準(zhǔn)對(duì)基板防護(hù)的細(xì)節(jié)規(guī)范與供應(yīng)鏈保障價(jià)值解析包裝材料：防靜電、防碰撞的專用包裝材料要求與選用邏輯1標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定包裝材料需具備防靜電（表面電阻10?~1011Ω)、緩沖性能（沖擊吸收≥80%）。常用防靜電塑料盒搭配珍珠棉，避免運(yùn)輸中靜電損壞基板表面，緩沖材料防止振動(dòng)導(dǎo)致的劃痕。包裝材料需經(jīng)第三方檢測(cè)，符合標(biāo)準(zhǔn)要求方可使用，從流通環(huán)節(jié)保障基板質(zhì)量。2（二）包裝方式：?jiǎn)纹?dú)立包裝與批量包裝的操作規(guī)范與標(biāo)識(shí)要求基板需單片用防靜電薄膜包裹，再放入獨(dú)立槽位，避免片間摩擦；批量包裝時(shí)，每盒不超過(guò)25片，盒內(nèi)填充緩沖材料。包裝標(biāo)識(shí)需注明產(chǎn)品型號(hào)、規(guī)格、批號(hào)、生產(chǎn)日期及“小心輕放”“防靜電”等標(biāo)志。規(guī)范的包裝方式與清晰標(biāo)識(shí)，便于倉(cāng)儲(chǔ)管理與追溯，減少運(yùn)輸中的錯(cuò)發(fā)與損壞。12（三）運(yùn)輸與存儲(chǔ)：溫濕度控制與堆放要求的供應(yīng)鏈保障意義01標(biāo)準(zhǔn)要求運(yùn)輸溫度5℃~35℃,濕度40%~70%，避免淋雨與劇烈振動(dòng)；存儲(chǔ)時(shí)需離地≥10cm，離墻≥50cm，避免陽(yáng)光直射。這些要求確保基板在供應(yīng)鏈各環(huán)節(jié)保持穩(wěn)定性能，尤其對(duì)于出口產(chǎn)品，適配國(guó)際運(yùn)輸環(huán)境，提升國(guó)產(chǎn)基板的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力，這也是標(biāo)準(zhǔn)的供應(yīng)鏈保障價(jià)值所在。02、面向先進(jìn)制程：GB/T34178-2017的適應(yīng)性升級(jí)方向與未來(lái)標(biāo)準(zhǔn)修訂預(yù)判當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)的適應(yīng)性：適配現(xiàn)有制程的優(yōu)勢(shì)與先進(jìn)制程下的短板GB/T34178-2017完美適配28nm~7nm制程需求，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)基板在中端市場(chǎng)替代進(jìn)口。但面對(duì)3nm及以下先進(jìn)制程，其平面度、透光率等指標(biāo)已顯不足，且未涵蓋EUV光刻基板的特殊要求。如EUV基板需抗輻射性能，當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)無(wú)相關(guān)指標(biāo)，這是未來(lái)升級(jí)的核心方向。（二）技術(shù)升級(jí)驅(qū)動(dòng)：先進(jìn)光刻技術(shù)對(duì)基板性能的新需求與標(biāo)準(zhǔn)響應(yīng)1EUV光刻、納米壓印光刻等新技術(shù)，要求基板具備更高尺寸精度（平面度≤0.1μm）、更低表面粗糙度（Ra≤0.1nm）及抗輻射性能。標(biāo)準(zhǔn)修訂需加入這些新指標(biāo)，同時(shí)優(yōu)化檢測(cè)方法，如采用原子力顯微鏡（AFM）測(cè)超小粗糙度。技術(shù)升級(jí)驅(qū)動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)迭代，標(biāo)準(zhǔn)又引導(dǎo)技術(shù)研發(fā)，形成良性循環(huán)。2（三）未來(lái)修訂預(yù)判：國(guó)際對(duì)標(biāo)與自主創(chuàng)新結(jié)合的標(biāo)準(zhǔn)發(fā)展路徑未來(lái)標(biāo)準(zhǔn)修訂