ICS3108001

CCSL.40.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T46788—2025/IEC624832013

:

半導(dǎo)體器件表面鍍涂錫和錫合金上的

錫須的環(huán)境接收要求

Environmentalacceptancerequirementsfortinwhiskersusceptibilityoftinand

tinalloysurfacefinishesonsemiconductordevices

IEC624832013IDT

(:,)

2025-12-02發(fā)布2026-07-01實(shí)施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T46788—2025/IEC624832013

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

測量錫須生長的試驗(yàn)方法

4………………6

程序

4.1…………………6

試驗(yàn)樣品

4.2……………7

注意事項(xiàng)

4.3……………7

回流焊

4.4………………7

表面鍍涂的錫和錫合金接收試驗(yàn)程序

5…………………8

技術(shù)制造工藝或相似性接收試驗(yàn)的確定

5.1、…………8

樣品

5.2…………………11

試驗(yàn)程序及持續(xù)時間

5.3………………13

確定試驗(yàn)中用到的等級

5.4……………16

接收試驗(yàn)判據(jù)

6……………16

通則

6.1…………………16

排除通孔引線端頭的錫須

6.2…………16

報告

7………………………17

一般要求

7.1……………17

使用表中的技術(shù)和工藝參數(shù)來描述表面鍍涂

7.22…………………17

樣品和預(yù)處理

7.3………………………17

接收試驗(yàn)

7.4……………18

生長中的錫須評估

8………………………18

附錄資料性測量半導(dǎo)體器件錫和錫合金表面鍍涂上錫須生長的試驗(yàn)方法

A()……19

概述

A.1………………19

免責(zé)聲明

A.2…………………………19

儀器設(shè)備

A.3…………………………20

光學(xué)顯微鏡設(shè)備確認(rèn)

A.4……………21

樣品要求和可選的預(yù)處理

A.5………………………22

錫須檢查長度測量和試驗(yàn)條件

A.6、…………………25

Ⅰ

GB/T46788—2025/IEC624832013

:

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件等同采用半導(dǎo)體器件表面鍍涂錫和錫合金上的錫須的環(huán)境接收要求

IEC62483:2013《》。

本文件增加了規(guī)范性引用文件一章

“”。

本文件做了下列最小限度的編輯性改動

:

增加了中注延緩錫須生長的具體措施示例

a)5.4“”;

增加了表中n代表每個引線引出端或試樣檢查區(qū)域的錫須總數(shù)

b)A.7“”“、”。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任

。。

本文件由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本文件由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC78)。

本文件起草單位中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所深圳市創(chuàng)智成功科技有限公司深圳基本

:、、

半導(dǎo)體有限公司廈門旌存半導(dǎo)體技術(shù)有限公司廣州海關(guān)技術(shù)中心中山奧士森電子有限公司廣東省

、、、、

中紹宣標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)研究院有限公司江蘇上達(dá)半導(dǎo)體有限公司佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司河北中

、、、

電科航檢測技術(shù)服務(wù)有限公司

。

本文件主要起草人裴選彭浩姚玉席善斌宋玉璽高東陽蒙肇蕓汪之涵和巍巍李華輝

:、、、、、、、、、、

龍秀才王英程裴曉波林鈺嵐尹麗儀孫彬張國光魏兵

、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T46788—2025/IEC624832013

:

引言

為了滿足無鉛要求許多電子行業(yè)制造商采用了錫基表面鍍涂但是錫和錫合金表面鍍涂易于形

,。,

成錫須可能會降低產(chǎn)品可靠性采取合適的延緩措施來降低錫須形成傾向以滿足接收條件

,。,。

本文件附錄給出的試驗(yàn)條件和合格判據(jù)是基于現(xiàn)有的錫須數(shù)據(jù)這些試驗(yàn)條件尚未與使用中

A。

的器件長期環(huán)境暴露相關(guān)聯(lián)因此目前尚無方法基于本文件中通過短期試驗(yàn)測量得到的錫須長度來

。,

定量預(yù)測長期的錫須長度目前尚未完全理解錫須生長的基本機(jī)制本文件未規(guī)定加速因子因此

。,,。,

本文件描述的試驗(yàn)不能保證在現(xiàn)場使用條件下錫須是否會生長

。

Ⅳ

GB/T46788—2025/IEC624832013

:

半導(dǎo)體器件表面鍍涂錫和錫合金上的

錫須的環(huán)境接收要求

1范圍

本文件規(guī)定了半導(dǎo)體器件表面錫基鍍涂的環(huán)境接收試驗(yàn)和延緩錫須生長的方法本方法可能不能

。

滿足有特定需求的應(yīng)用如軍用航天等在合適的要求或采購文件中規(guī)定補(bǔ)充要求

(:、),。

本文件不適用于只有底部引出端的半導(dǎo)體器件如方形扁平無引線和球柵陣列器件倒裝芯片凸

(:、

點(diǎn)引出端由于這類器件在組裝過程中引出端全部鍍層表面會被浸潤

),