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文檔簡介
2026屆新高考化學(xué)沖刺復(fù)習(xí)分子的空間結(jié)構(gòu)人教版2019必修第一冊(cè)考點(diǎn)一
分子結(jié)構(gòu)的測(cè)定1.紅外光譜(1)原理:
分子中的原子不是固定不動(dòng)的,而是不斷振動(dòng)的。當(dāng)一束紅外光線透過分子時(shí),分子會(huì)吸收跟它的某些化學(xué)鍵的振動(dòng)頻率相同的紅外線,再記錄到譜圖上呈現(xiàn)吸收峰。通過和已有譜圖庫比對(duì),或通過量子化學(xué)計(jì)算,可以得知各吸收峰是由哪種化學(xué)鍵、哪種振動(dòng)方式引起的。(2)應(yīng)用:
紅外光譜可以分析出分子中含有哪些化學(xué)鍵或官能團(tuán)。選必一課本P41考點(diǎn)一
分子的空間結(jié)構(gòu)選必一課本P41有O-H、C-H、C-O的振動(dòng)吸收,初步判斷該未知物含有羥基。2.質(zhì)譜法考點(diǎn)一
分子結(jié)構(gòu)的測(cè)定選必一課本P42(1)原理:在質(zhì)譜儀中使分子失去電子變成帶正電荷的分子離子和碎片離子等粒子。由于生成的離子具有不同的相對(duì)質(zhì)量,它們?cè)诟邏弘妶?chǎng)加速后,通過狹縫進(jìn)入磁場(chǎng)得以分離,在記錄儀常呈現(xiàn)一系峰,進(jìn)行分析得出分子的此相對(duì)分子質(zhì)量??键c(diǎn)一
分子結(jié)構(gòu)的測(cè)定考點(diǎn)二
多樣的分子空間結(jié)構(gòu)
三原子分子四原子分子五原子分子1.理論要點(diǎn)(1)價(jià)層電子對(duì)互斥模型認(rèn)為,分子的空間結(jié)構(gòu)是中心原子周圍的“價(jià)層電子對(duì)”___________的結(jié)果。
(2)VSEPR的“價(jià)層電子對(duì)”是指分子中的中心原子與結(jié)合原子間的σ鍵電子對(duì)和中心原子上的___________。多重鍵只計(jì)其中的σ鍵電子對(duì),不計(jì)π鍵電子對(duì)
相互排斥
孤電子對(duì)
考點(diǎn)三
價(jià)層電子對(duì)互斥模型(VSEPR模型)其中:a為中心原子的價(jià)電子數(shù)(對(duì)于主族元素等于原子的__________電子數(shù),陽離子要減去電荷數(shù),陰離子要加上電荷數(shù));x為與中心原子結(jié)合的原子數(shù);b為與中心原子結(jié)合的原子最多能__________的電子數(shù)(氫原子為1,其他原子=8-該原子的價(jià)電子數(shù),如鹵族元素為1,氧族元素為2等)。
原子數(shù)
孤電子對(duì)數(shù)
最外層
接受
2.中心原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)的計(jì)算用價(jià)層電子對(duì)互斥模型推測(cè)分子的空間結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵是判斷分子中的中心原子上的價(jià)層電子對(duì)數(shù)。價(jià)層電子對(duì)數(shù)σ鍵電子對(duì)數(shù)孤電子對(duì)數(shù)電子對(duì)的排列方式VSEPR模型名稱分子或離子的空間結(jié)構(gòu)名稱實(shí)例2______________________________3__________________________________________________232001直線形平面三角形直線形平面三角形V形CO2、CS2BeCl2BF3、SO3NO3-、CO32-SO2、O3NO2-3.價(jià)層電子對(duì)互斥理論與分子構(gòu)型3.價(jià)層電子對(duì)互斥理論與分子構(gòu)型價(jià)層電子對(duì)數(shù)σ鍵電子對(duì)數(shù)孤電子對(duì)數(shù)電子對(duì)的排列方式VSEPR模型名稱分子或離子的空間結(jié)構(gòu)名稱實(shí)例4______________________________________________________________________432012正四面體形三角錐形V形CH4、CCl4NH4+NF3、NH3H3O+H2O、H2S四面體形微點(diǎn)撥
價(jià)層電子對(duì)互斥模型說明的是價(jià)層電子對(duì)的空間結(jié)構(gòu),而分子的空間結(jié)構(gòu)指的是成鍵電子對(duì)的空間結(jié)構(gòu),不包括孤電子對(duì)。(1)當(dāng)中心原子無孤電子對(duì)時(shí),二者的空間結(jié)構(gòu)一致。(2)當(dāng)中心原子有孤電子對(duì)時(shí),二者的空間結(jié)構(gòu)不一致?!纠?】判斷正誤:對(duì)的打“√”,錯(cuò)的打“×”。(1)(2024·湖北卷)VSEPR理論認(rèn)為VSEPR模型與分子的空間結(jié)構(gòu)相同。(
)(2)(2024·浙江1月選考卷)SO2的價(jià)層電子對(duì)互斥(VSEPR)模型:。(
)(3)(2024·河北卷)NH4ClO4中的陰、陽離子有相同的VSEPR模型和空間結(jié)構(gòu)。(
)(4)(2023·河北卷)CH4的價(jià)層電子對(duì)互斥模型和空間結(jié)構(gòu)均為正四面體。(
)(5)(2023·浙江6月選考卷)AlCl3的價(jià)層電子對(duì)互斥模型:
。(
)×√√√×
×××【例3】PCl5在氣態(tài)和液態(tài)時(shí),分子結(jié)構(gòu)如圖所示。下列關(guān)于PCl5分子的說法中錯(cuò)誤的是(
)A.每個(gè)原子都達(dá)到最外層8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)B.分子中5個(gè)P—Cl鍵鍵能不都相同C.鍵角(∠Cl—P—Cl)有90°、120°、180°三種D.PCl5受熱后生成的PCl3的空間結(jié)構(gòu)是三角錐形
A考點(diǎn)四雜化軌道理論1.理論要點(diǎn)當(dāng)原子成鍵時(shí),原子中能量__________的價(jià)電子軌道發(fā)生混雜,混雜時(shí)保持軌道總數(shù)_________,得到與原軌道數(shù)目_________、方向_________的一組新的能量__________的雜化軌道。
(2)雜化軌道數(shù)不同,軌道間的__________不同,形成分子的空間結(jié)構(gòu)也不同。相近
不變
相等
不同
相同
夾角
(1)、軌道雜化軌道雜化雜化軌道形成原子內(nèi)部___________的原子軌道重新組合的過程組合后形成的一組新的_____________的原子軌道能量相近能量相同選必二P48(2)、常見的雜化類型選必二P48sp3雜化:1個(gè)s軌道與3個(gè)p
軌道混雜并重新組合成4個(gè)能量與形狀完全相同
的軌道,形成4個(gè)sp3雜化軌道。(方向不同)等性雜化:參與雜化的各原子軌道進(jìn)行成分的均勻混合。甲烷分子中C原子的1個(gè)2s軌道與3個(gè)2p軌道形成4個(gè)相同的sp3雜化軌道,夾角109°28′NH3空間結(jié)構(gòu):三角錐形鍵角:107o2pH2O空間結(jié)構(gòu):V形鍵角為:105o2s2p1對(duì)孤電子對(duì)2對(duì)孤電子對(duì)
不等性雜化:參與雜化的各原子軌道進(jìn)行成分的不均勻混合。某雜化軌道有孤電子對(duì)?!九e例】NH3H2O分析C2H4的雜化方式:C2s基態(tài)原子:H1s雜化后:2pC2psp2雜化類型spsp2sp3參與雜化的原子軌道1個(gè)ns1個(gè)np1個(gè)ns2個(gè)np
1個(gè)ns3個(gè)np
雜化軌道數(shù)
2
3
4雜化軌道間夾角180°120°109°28′雜化軌道空間構(gòu)型直線形平面三角形
正四面體
實(shí)例CO2、CS2、BeCl2等
BF3、BCl3、BBr3等CH4、SiH4、NH3等
1.雜化的過程:激發(fā)、雜化、雜化軌道成鍵2.經(jīng)雜化后軌道能量和成分均發(fā)生了變化,雜化的目的使軌道的成鍵能力增強(qiáng)3.雜化軌道一般形成σ鍵,也可以用來容納孤電子對(duì)。4.雜化軌道數(shù)=參與雜化的原子軌道數(shù)【說明】【歸納總結(jié)】
常見的雜化類型【得分速記】價(jià)層電子空軌道雜化軌道激發(fā)軌道重新組合成對(duì)電子中的一個(gè)吸收能量少與激發(fā)電子原軌道能量相近能量相近、類型不同的原子軌道軌道總數(shù)目不變,方向和形狀發(fā)生變化,成鍵時(shí)釋放能量較多,軌道重疊成都增大,形成的分子更穩(wěn)定2.由雜化軌道數(shù)判斷中心原子的雜化類型雜化軌道用來形成σ鍵和容納孤電子對(duì),所以有關(guān)系式:雜化軌道的數(shù)目=中心原子上的_________________+中心原子的________________(與中心原子直接相連的原子個(gè)數(shù))=中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)孤電子對(duì)數(shù)σ鍵電子對(duì)數(shù)3.分子(ABn型)、離子(ABnm±型)的空間結(jié)構(gòu)分析示例實(shí)例價(jià)層電子對(duì)數(shù)(即雜化軌道數(shù))σ鍵電子對(duì)數(shù)孤電子對(duì)數(shù)中心原子的雜化軌道類型VSEPR模型分子或離子的空間結(jié)構(gòu)BeCl22____________sp____________________CO2____________________20直線形直線形直線形直線形3.分子(ABn型)、離子(ABnm±型)的空間結(jié)構(gòu)分析示例實(shí)例價(jià)層電子對(duì)數(shù)(即雜化軌道數(shù))σ鍵電子對(duì)數(shù)孤電子對(duì)數(shù)中心原子的雜化軌道類型VSEPR模型分子或離子的空間結(jié)構(gòu)BF33__________________________________________________SO2__________________________CH44__________________________________________________NH3__________________________H2O__________________________CO32-3__________________________________________________NH4+4__________________________________________________30214031223040sp2sp2sp3sp3平面三角形平面三角形四面體形四面體形平面三角形V形正四面體形三角錐形V形平面三角形正四面體形【例5】(1)(2024·全國甲卷節(jié)選)一種光刻膠薄膜成分為聚甲基硅烷
,其中硅原子的雜化軌道類型為__________。
(2)(2024·北京卷節(jié)選)SnCl2和SnCl4是錫的常見氯化物,SnCl2可被氧化得到。①SnCl2分子的VSEPR模型名稱是____________。
②SnCl4的Sn—Cl鍵是由錫的_________軌道與氯的3p軌道重疊形成σ鍵。sp3平面三角形
sp3雜化
(2)(2023·全國乙卷節(jié)選)SiCl4的空間結(jié)構(gòu)為________________,其中Si的軌道雜化形式為__________。
sp3正四面體形
sp3(3)(2023·全國新課標(biāo)卷節(jié)選)C()中碳原子的軌道雜化類型有__________種。
2【例6】(1)(2023·全國甲卷節(jié)選)氣態(tài)AlCl3通常以二聚體Al2Cl6的形式存在,其空間結(jié)構(gòu)如圖所示,二聚體中Al的軌道雜化類型為__________。
5D【例7】XeF2室溫下易升華。XeF2中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為
,下列對(duì)XeF2中心原子雜化方式推斷合理的是__________(填字母)。
A.sp
B.sp2C.sp3
D.sp3d【例8】(2021·全國甲卷節(jié)選)SiCl4是生產(chǎn)高純硅的前驅(qū)體,其中Si采取的雜化類型為___________。SiCl4可發(fā)生水解反應(yīng),機(jī)理如下:
含s、p、d軌道的雜化類型有:①dsp2,②sp3d,③sp3d2,中間體SiCl4(H2O)中Si采取的雜化類型為___________(填標(biāo)號(hào))。
sp3②(1)基態(tài)P原子的價(jià)電子排布式為__________。P、S、Cl的第一電離能由小到大順序?yàn)開__________。
(2)PCl5水解產(chǎn)生一種無色油狀中間產(chǎn)物POCl3,該分子的空間結(jié)構(gòu)為_____________。
(3)PCl5中P的軌道雜化類型為_______(填字母)。
A.sp3
B.sp3d C.d2sp3
D.dsp23s23p3S<P<Cl四面體形
B【例9】(2025·湖南邵陽三校聯(lián)考)白磷(P4)是磷的單質(zhì)之一,與鹵素單質(zhì)反應(yīng)生成鹵化磷。鹵化磷通常有三鹵化磷和五鹵化磷(PCl5分子結(jié)構(gòu)如圖所示,其中Cl原子有兩種不同位置)?;卮鹣铝袉栴}:A.P為非極性分子,Q為極性分子 B.第一電離能:B<C<NC.1molP和1molQ所含電子數(shù)目相等D.P和Q分子中C、B和N均為sp2雜化A【例10】(2024·湖南卷)通過理論計(jì)算方法優(yōu)化了P和Q的分子結(jié)構(gòu),P和Q呈平面六元并環(huán)結(jié)構(gòu),原子的連接方式如圖所示,下列說法錯(cuò)誤的是(
)
(2)(2023·浙江1月選考卷)Si(NH2)4分子的空間結(jié)構(gòu)(以Si為中心
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