ICS3108001

CCSL.40.

中華人民共和國國家標準

GB/T46789—2025/IEC624172010

:

半導體器件金屬氧化物半導體場效應

晶體管MOSFETs的可動離子試驗

()

Semiconductordevices—Mobileiontestsformetal-oxidesemiconductor

fieldeffecttransistorsMOSFETs

()

IEC624172010IDT

(:,)

2025-12-02發(fā)布2026-07-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T46789—2025/IEC624172010

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

符號和縮略語

4……………1

概述

5………………………1

測試設備

6…………………2

測試結(jié)構(gòu)

7…………………2

樣本大小

8…………………2

條件

9………………………2

程序

10………………………2

偏壓溫度應力

10.1………………………2

電壓掃描

10.2……………3

判據(jù)

11………………………3

報告

12………………………4

Ⅰ

GB/T46789—2025/IEC624172010

:

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件等同采用半導體器件金屬氧化物半導體場效應晶體管的

IEC62417:2010《(MOSFETs)

可動離子試驗

》。

本文件增加了規(guī)范性引用文件和術(shù)語和定義兩章

“”“”。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別專利的責任

。。

本文件由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本文件由全國半導體器件標準化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC78)。

本文件起草單位中國電子科技集團公司第十三研究所河北北芯半導體科技有限公司合肥華禎

:、、

智能科技有限公司佛山市川東磁電股份有限公司廈門芯陽科技股份有限公司河北新華北集成電路

、、、

有限公司工業(yè)和信息化部電子第五研究所上海維安半導體有限公司浙江朗德電子科技有限公司

、、、、

重慶平偉實業(yè)股份有限公司無錫新潔能股份有限公司江蘇長晶科技股份有限公司河北賽美科技有

、、、

限公司

。

本文件主要起草人趙海龍彭浩張魁張中席善斌黃志強黃杰劉東月冉紅雷尹麗晶顏天寶

:、、、、、、、、、、、

裴選柳華光曲韓賓任懷龍高博章曉文蘇海偉陳磊李述洲朱袁正楊國江李永安康金萌

、、、、、、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T46789—2025/IEC624172010

:

半導體器件金屬氧化物半導體場效應

晶體管MOSFETs的可動離子試驗

()

1范圍

本文件確立了一種用于確定金屬氧化物半導體場效應晶體管的氧化層中可動正電荷

(MOSFETs)

數(shù)量的晶圓級測試程序

。

本文件適用于有源場效應晶體管和寄生場效應晶體管可動電荷會引起半導體器件退化例如改

。,

變的閾值電壓或使雙極型晶體管基極反型

MOSFETs。

2規(guī)范性引用文件

本文件沒有規(guī)范性引用文件

。

3術(shù)語和定義

本文件沒有需要界定的術(shù)語和定義

。

4符號和縮略語

下列符號和縮略語適用于本文件

。

C-V電容電壓

:-(capacitance-voltagemeasurement)

高頻電容電壓

HFCV:-(highfrequencycapacitance-voltagemeasurement)

I漏源電流

ds:(drain-sourcecurrent)

t氧化層厚度

ox:(oxidethickness)

V柵極電壓

g:(gatevoltage)

V正向電源電壓

dd:(positivepowersupplyvoltage)

V最大電源電壓

dd,max:(maximumsupplyvoltage)

V電源電壓的絕對值

supply:(theabsolutevalueofthesupplyvoltage)

V晶體管閾值電壓

t:(transistort