匯報人：XXALD技術(shù)介紹目錄01.ALD技術(shù)概述02.ALD技術(shù)優(yōu)勢03.ALD設(shè)備與材料04.ALD技術(shù)在半導(dǎo)體中的應(yīng)用05.ALD技術(shù)在其他領(lǐng)域的應(yīng)用06.ALD技術(shù)的挑戰(zhàn)與前景ALD技術(shù)概述01定義與原理原子層沉積，基于自限制反應(yīng)的化學氣相薄膜沉積技術(shù)。ALD技術(shù)定義通過交替脈沖前驅(qū)體，在基體表面逐層構(gòu)建原子級薄膜。ALD技術(shù)原理發(fā)展歷程20世紀60年代蘇聯(lián)科學家提出分子分層技術(shù)，70年代芬蘭科學家Suntola發(fā)明ALD技術(shù)。起源探索2010年代至今，適配半導(dǎo)體3DNAND、FinFET制程，拓展至新能源、醫(yī)療領(lǐng)域。高端突破90年代至2000年代，ALD在平板顯示、光伏電池領(lǐng)域小規(guī)模落地，實現(xiàn)初步產(chǎn)業(yè)化。初步應(yīng)用應(yīng)用領(lǐng)域微電子與半導(dǎo)體ALD用于晶體管柵極、DRAM電容器介電層等高精度薄膜沉積。能源存儲與轉(zhuǎn)化應(yīng)用于鋰硫電池電極保護、燃料電池離子交換涂層等。生物醫(yī)學與封裝用于醫(yī)療設(shè)備生物相容性涂層、藥物遞送載體等。ALD技術(shù)優(yōu)勢02高精度控制ALD技術(shù)能實現(xiàn)原子層級別的薄膜厚度控制，確保精度極高。薄膜厚度精準該技術(shù)可保證薄膜成分在基底表面均勻分布，提升產(chǎn)品質(zhì)量。成分均勻分布良好的均勻性ALD技術(shù)能實現(xiàn)原子級別的沉積，確保薄膜厚度高度均勻。薄膜厚度均勻ALD過程中，各成分均勻沉積，形成成分分布一致的薄膜。成分分布均勻低溫沉積能力低溫兼容性ALD可在50-500℃低溫下沉積，適合熱敏感基底。ALD設(shè)備與材料03主要設(shè)備介紹01ALD設(shè)備類型包括管式、腔室式、批量式等，適用于不同基底和工藝需求。02設(shè)備核心組件反應(yīng)室、前驅(qū)體輸送系統(tǒng)、真空系統(tǒng)等，確保沉積過程精確可控。常用前驅(qū)體材料四二甲氨基鈦，ALD沉積TiN主流前驅(qū)體，高反應(yīng)活性、低缺陷。TDMAT材料如TiCl?，成本低但冷凝問題嚴重，易導(dǎo)致顆粒缺陷。金屬鹵化物如Ti(OiPr)?，用于沉積金屬氧化物，但反應(yīng)活性較低。金屬醇鹽類010203沉積過程分析01前驅(qū)體脈沖將前驅(qū)體分子吸附在基底表面，形成單分子層02反應(yīng)與吹掃前驅(qū)體與基底反應(yīng)后，用惰性氣體吹掃殘余分子和副產(chǎn)物ALD技術(shù)在半導(dǎo)體中的應(yīng)用04芯片制造中的作用ALD以原子層為單位沉積，實現(xiàn)納米級精度，確保芯片性能穩(wěn)定。高精度薄膜沉積01用于制備高k介電層、金屬柵極等關(guān)鍵層，提升晶體管開關(guān)速度和效率。關(guān)鍵層制備02在FinFET等復(fù)雜結(jié)構(gòu)中實現(xiàn)均勻填充，提高芯片集成度和可靠性。復(fù)雜結(jié)構(gòu)填充03高介電常數(shù)材料沉積ALD技術(shù)沉積HfO?、ZrO?等高k材料，減少漏電流，提高電容密度。提升電容性能采用ALD制備高k柵介質(zhì)層，提升晶體管開關(guān)速度，降低功耗。優(yōu)化柵極結(jié)構(gòu)三維集成電路技術(shù)芯片堆疊優(yōu)勢通過TSV實現(xiàn)垂直堆疊，提升集成度并縮小封裝體積，適用于手機等小型設(shè)備。性能與成本優(yōu)化支持異構(gòu)芯片集成，允許不同制程節(jié)點芯片獨立優(yōu)化，平衡性能與制造成本。ALD技術(shù)在其他領(lǐng)域的應(yīng)用05太陽能電池ALD制備光電轉(zhuǎn)換層，改善太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。提升光電轉(zhuǎn)換效率01ALD技術(shù)用于表面修飾，提升電池化學穩(wěn)定性和電子性能。增強電池穩(wěn)定性02薄膜電池ALD技術(shù)用于制備光電轉(zhuǎn)換層，提升薄膜電池光電轉(zhuǎn)換效率。提升光電效率ALD制備的薄膜可增強電池穩(wěn)定性，減少能量轉(zhuǎn)換效率衰減。增強穩(wěn)定性生物醫(yī)學材料ALD制備傳感器表面涂層，增強生物分子捕獲效率，提升檢測靈敏度。生物傳感器優(yōu)化ALD為醫(yī)用植入材料沉積涂層，提升生物相容性與耐久性，降低人體排斥風險。植入材料改性ALD技術(shù)的挑戰(zhàn)與前景06當前面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)低溫沉積工藝適配難，參數(shù)優(yōu)化要求高工藝適配瓶頸0304高κ材料開發(fā)受限，新型前驅(qū)體研發(fā)難度大材料創(chuàng)新瓶頸0102當前面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)未來發(fā)展方向應(yīng)用拓展探索ALD在新能源、生物醫(yī)療等新興領(lǐng)域的應(yīng)用潛力。技術(shù)創(chuàng)新持續(xù)研發(fā)新型前驅(qū)體材料，提升沉積速率與薄膜質(zhì)量。0102行業(yè)發(fā)展趨勢預(yù)測國產(chǎn)替代加速，國內(nèi)廠商技術(shù)追趕，國際巨頭轉(zhuǎn)型新能源領(lǐng)域。競爭格局重塑ALD設(shè)備智能化