2026秋招：工藝整合題目及答案

單項選擇題（每題2分，共10題）1.以下哪種不是常見的光刻工藝氣體？A.氬氣B.氮氣C.乙炔D.氪氣2.氧化工藝主要目的是？A.增加器件硬度B.形成絕緣層C.提高導電性D.降低表面粗糙度3.化學機械拋光（CMP）用于？A.去除雜質(zhì)B.表面平坦化C.增加膜厚D.改變材料成分4.離子注入工藝中，離子束的作用是？A.加熱材料B.改變材料晶體結(jié)構(gòu)C.去除表面氧化層D.增加材料韌性5.以下哪種是濕法刻蝕的優(yōu)點？A.各向異性好B.刻蝕速率快C.設備簡單D.對圖形精度控制高6.擴散工藝是使雜質(zhì)？A.附著在材料表面B.均勻混合在材料中C.富集在材料表面D.以離子形式存在于材料中7.化學氣相沉積（CVD）主要用于？A.去除材料B.沉積薄膜C.改變材料顏色D.提高材料磁性8.光刻工藝中，光刻膠的作用是？A.保護襯底B.傳導電流C.吸附雜質(zhì)D.反射光線9.以下哪種工藝不屬于薄膜沉積工藝？A.物理氣相沉積（PVD）B.化學機械拋光C.原子層沉積（ALD）D.化學氣相沉積（CVD）10.清洗工藝主要是為了？A.降低材料溫度B.去除表面污染物C.增加材料光澤D.改變材料形狀答案：1.C2.B3.B4.B5.C6.B7.B8.A9.B10.B多項選擇題（每題2分，共10題）1.常見的光刻工藝步驟包括？A.涂膠B.曝光C.顯影D.刻蝕2.氧化工藝可以分為？A.干氧氧化B.濕氧氧化C.水汽氧化D.等離子氧化3.化學機械拋光（CMP）涉及的因素有？A.壓力B.轉(zhuǎn)速C.拋光液D.拋光墊4.離子注入工藝的特點有？A.精確控制雜質(zhì)濃度B.低溫工藝C.可實現(xiàn)大面積注入D.不會損傷材料晶格5.濕法刻蝕的局限性包括？A.各向同性刻蝕B.易產(chǎn)生側(cè)蝕C.環(huán)境污染D.設備昂貴6.擴散工藝的影響因素有？A.溫度B.時間C.雜質(zhì)種類D.材料純度7.化學氣相沉積（CVD）的優(yōu)點是？A.可沉積多種材料B.臺階覆蓋性好C.沉積速率快D.設備成本低8.光刻工藝中，光刻膠的性能指標有？A.感光度B.分辨率C.對比度D.粘附性9.薄膜沉積工藝的選擇依據(jù)有？A.薄膜材料B.基片類型C.薄膜性能要求D.生產(chǎn)成本10.常見的清洗工藝方法有？A.濕法清洗B.干洗C.超聲清洗D.等離子清洗答案：1.ABC2.AB3.ABCD4.ABC5.ABC6.ABCD7.ABC8.ABCD9.ABCD10.ABCD判斷題（每題2分，共10題）1.光刻工藝中，曝光劑量越大越好。（）2.氧化工藝只能在高溫下進行。（）3.化學機械拋光（CMP）能完全消除表面的粗糙度。（）4.離子注入工藝會引入晶格損傷。（）5.濕法刻蝕可以實現(xiàn)精確的圖形控制。（）6.擴散工藝中，雜質(zhì)擴散系數(shù)只與溫度有關。（）7.化學氣相沉積（CVD）過程中不會有副產(chǎn)物產(chǎn)生。（）8.光刻膠的感光度越高，曝光時間越短。（）9.所有薄膜沉積工藝都需要真空環(huán)境。（）10.清洗工藝對半導體器件性能影響不大。（）答案：1.×2.×3.×4.√5.×6.×7.×8.√9.×10.×簡答題（每題5分，共4題）1.簡述光刻工藝的基本原理。利用光刻膠受特定波長光線照射后發(fā)生化學反應，通過曝光、顯影等步驟將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底表面光刻膠上，后續(xù)可借助刻蝕等實現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移到襯底。2.氧化工藝在半導體制造中有哪些重要作用？可形成絕緣氧化層，用于器件隔離、保護；增加表面硬度；改變表面化學性質(zhì)，利于后續(xù)工藝。3.化學機械拋光（CMP）的作用和原理是什么？作用是使材料表面平坦化。原理是通過拋光液化學腐蝕和拋光墊機械摩擦共同作用，去除材料突出部分，實現(xiàn)表面平整。4.離子注入工藝的優(yōu)點有哪些？能精確控制雜質(zhì)濃度和注入深度；可在低溫下進行，減少熱影響；可實現(xiàn)大面積、均勻注入。討論題（每題5分，共4題）1.討論光刻工藝中分辨率的影響因素及提高分辨率的方法。影響因素：光源波長、光刻膠性能、曝光系統(tǒng)數(shù)值孔徑等。提高方法：采用更短波長光源，優(yōu)化光刻膠性能，增大數(shù)值孔徑，改進曝光技術如浸沒式光刻。2.分析氧化工藝中干氧氧化和濕氧氧化的優(yōu)缺點及適用場景。干氧氧化：優(yōu)點是氧化層質(zhì)量高、結(jié)構(gòu)致密，缺點是生長速率慢，適用于對氧化層質(zhì)量要求高場景。濕氧氧化：生長速率快，質(zhì)量稍差，用于對速率要求高、對質(zhì)量要求不極端場景。3.探討化學機械拋光（CMP）過程中可能出現(xiàn)的問題及解決措施。可能問題有表面劃痕、不均勻去除、腐蝕等。解決措施：優(yōu)化拋光液成分和濃度，調(diào)