半導(dǎo)體靶材制備工程師崗位招聘考試試卷及答案一、填空題（共10題，每題1分）1.半導(dǎo)體常用單質(zhì)靶材包括鋁、銅、______。2.靶材制備核心工藝之一是______（熔煉/粉末冶金）。3.濺射靶材純度要求通常高于______（以N表示）。4.靶材與背板結(jié)合常用工藝為_(kāi)_____。5.半導(dǎo)體鋁靶材主要用于______層。6.靶材grainsize會(huì)影響濺射的______。7.銅靶退火的主要目的是______。8.半導(dǎo)體鈦靶材主要作為_(kāi)_____層。9.銅靶材電阻率應(yīng)控制在______μΩ·cm以下（常溫）。10.粉末冶金法制備靶材的步驟包括混粉、壓制、______。二、單項(xiàng)選擇題（共10題，每題2分）1.以下屬于化合物靶材的是（）A.鋁靶B.銅靶C.氮化鈦靶D.鎢靶2.濺射靶材最低純度要求一般為（）A.3NB.4NC.5ND.6N3.靶材與背板結(jié)合最常用的方法是（）A.機(jī)械緊固B.擴(kuò)散焊C.粘接D.電鍍4.鋁靶材主要應(yīng)用于（）A.柵極B.源漏C.金屬布線(xiàn)D.絕緣層5.不屬于靶材制備工藝的是（）A.熔煉B.軋制C.光刻D.燒結(jié)6.銅靶材常溫電阻率標(biāo)準(zhǔn)為（）A.<1.7μΩ·cmB.<2.0μΩ·cmC.<2.5μΩ·cmD.<3.0μΩ·cm7.鈦靶材在半導(dǎo)體中主要作用是（）A.布線(xiàn)B.阻擋層C.絕緣層D.摻雜層8.靶材grainsize過(guò)大易導(dǎo)致（）A.沉積速率下降B.濺射不均勻C.純度降低D.結(jié)合力差9.粉末冶金壓制壓力通常為（）A.10-50MPaB.100-500MPaC.500-1000MPaD.1000-2000MPa10.半導(dǎo)體靶材中的有害雜質(zhì)是（）A.銅B.鐵C.鋁D.鈦三、多項(xiàng)選擇題（共10題，每題2分）1.半導(dǎo)體靶材按成分分為（）A.單質(zhì)靶材B.化合物靶材C.合金靶材D.復(fù)合靶材2.靶材制備關(guān)鍵工藝包括（）A.熔煉B.粉末冶金C.軋制D.退火3.靶材核心性能指標(biāo)有（）A.純度B.grainsizeC.電阻率D.結(jié)合力4.常用背板材料是（）A.銅B.鋁C.鈦D.鉬5.化合物靶材包括（）A.TiNB.AlCuC.TaND.Cu6.退火對(duì)靶材的作用（）A.消除應(yīng)力B.細(xì)化晶粒C.提高純度D.改善均勻性7.靶材應(yīng)用領(lǐng)域包括（）A.集成電路B.平板顯示C.太陽(yáng)能電池D.LED8.粉末冶金法優(yōu)點(diǎn)（）A.制備難熔金屬靶材B.成分均勻C.成本低D.純度極高9.影響濺射均勻性的因素（）A.grainsizeB.純度C.表面粗糙度D.背板結(jié)合力10.合金靶材包括（）A.AlCuB.TiWC.TaSiND.Cu四、判斷題（共10題，每題2分）1.半導(dǎo)體靶材純度越高越好（）2.擴(kuò)散焊是靶材-背板結(jié)合常用方法（）3.銅靶主要用于柵極布線(xiàn)（）4.粉末冶金可制備難熔金屬靶材（）5.靶材grainsize越大，沉積速率越快（）6.鋁靶電阻率比銅靶高（）7.化合物靶材無(wú)需高純度（）8.背板作用是散熱和導(dǎo)電（）9.軋制可用于靶材表面處理（）10.鈦靶主要用于絕緣層（）五、簡(jiǎn)答題（共4題，每題5分）1.簡(jiǎn)述半導(dǎo)體靶材的核心性能要求及意義。2.對(duì)比熔煉法與粉末冶金法制備靶材的優(yōu)缺點(diǎn)。3.靶材與背板結(jié)合的工藝選擇依據(jù)是什么？4.如何控制靶材的grainsize均勻性？六、討論題（共2題，每題5分）1.針對(duì)半導(dǎo)體器件小型化趨勢(shì)，靶材制備需做哪些技術(shù)調(diào)整？2.如何降低靶材制備過(guò)程中的雜質(zhì)污染？---答案部分一、填空題答案1.鎢2.熔煉（或粉末冶金）3.4N4.擴(kuò)散焊5.金屬布線(xiàn)6.均勻性7.消除應(yīng)力/細(xì)化晶粒8.阻擋9.1.710.燒結(jié)二、單項(xiàng)選擇題答案1.C2.B3.B4.C5.C6.A7.B8.B9.B10.B三、多項(xiàng)選擇題答案1.ABC2.ABCD3.ABCD4.AD5.AC6.ABD7.ABCD8.AB9.ABCD10.AB四、判斷題答案1.×2.√3.×4.√5.×6.√7.×8.√9.√10.×五、簡(jiǎn)答題答案1.核心要求及意義：①高純度（≥4N）：減少雜質(zhì)對(duì)器件漏電流、可靠性的干擾；②均勻grainsize：保證濺射薄膜厚度均勻，避免缺陷；③低電阻率：降低布線(xiàn)電阻損耗；④強(qiáng)結(jié)合力（靶材-背板）：防止濺射脫落，延長(zhǎng)使用壽命。2.熔煉vs粉末冶金：-熔煉：優(yōu)點(diǎn)（工藝簡(jiǎn)單、成本低、適合易熔金屬）；缺點(diǎn)（難熔金屬難制備、成分均勻性差）。-粉末冶金：優(yōu)點(diǎn)（可制備鎢/鈦等難熔金屬、成分均勻、grainsize可控）；缺點(diǎn)（工藝復(fù)雜、成本高）。3.工藝選擇依據(jù)：①熱膨脹系數(shù)匹配（避免熱應(yīng)力開(kāi)裂）；②靶材材質(zhì)（銅靶選擴(kuò)散焊，鋁靶可選釬焊）；③應(yīng)用場(chǎng)景（高功率需強(qiáng)結(jié)合力，選擴(kuò)散焊）；④成本（粘接成本低，適合低功率）。4.grainsize控制：①原料：選高純度、粒度均勻的粉末/熔煉原料；②工藝：熔煉控制快冷細(xì)化晶粒，粉末冶金控制壓制壓力/燒結(jié)溫度；③退火：合理設(shè)置退火溫度（低于熔點(diǎn)）和保溫時(shí)間；④后續(xù)：避免軋制/加工導(dǎo)致晶粒變形不均。六、討論題答案1.小型化調(diào)整：①靶材減?。◤?mm→2mm），優(yōu)化軋制/磨削精度（±0.1mm）；②grainsize細(xì)化（≤10μm），調(diào)整熔煉冷卻速率/粉末燒結(jié)參數(shù)；③純度提升（≥5N），嚴(yán)控原料雜質(zhì)；④改進(jìn)結(jié)合工藝（如低溫?cái)U(kuò)散焊），保證薄靶材結(jié)合均勻；⑤開(kāi)發(fā)納米復(fù)合靶材，提高沉積效率。2.