半導體光刻設備工程師崗位招聘考試試卷及答案一、填空題（每題1分，共10分）1.常用光刻機按技術(shù)代際分為接觸式、接近式和______光刻機。2.光刻分辨率公式R=k1λ/NA中，λ代表______。3.正性光刻膠曝光后，未曝光區(qū)域會______（填“保留”或“溶解”）。4.光刻掩模的主要基底材料是______。5.EUV（極紫外）光刻的光源波長約為______nm。6.光刻顯影分為濕法顯影和______顯影兩種。7.光刻后緊跟的核心工藝步驟是______。8.光刻機對準精度單位常用______（填“μm”或“nm”）。9.濕法清洗光刻后晶圓的常用試劑是______（舉一種即可）。10.提升光刻膠對比度的工藝是______。答案1.投影式2.曝光光源波長3.保留4.石英玻璃5.13.56.干法7.刻蝕8.nm9.異丙醇10.后烘（PEB）二、單項選擇題（每題2分，共20分）1.光刻分辨率影響最大的參數(shù)是（）A.k1（工藝因子）B.λ（波長）C.NA（數(shù)值孔徑）D.曝光時間2.EUV光源的主要產(chǎn)生方式是（）A.激光激發(fā)錫液滴B.汞燈C.氙燈D.激光直寫3.負性光刻膠的特點是（）A.曝光區(qū)域溶解B.未曝光區(qū)域溶解C.分辨率高于正膠D.成本更低4.掩?！昂邳c缺陷”會導致芯片（）A.短路B.開路C.無影響D.良率下降5.濕法顯影的主要成分是（）A.有機溶劑B.酸溶液C.堿溶液D.去離子水6.光刻機對準系統(tǒng)的作用是（）A.調(diào)整掩模與晶圓位置B.控制曝光劑量C.檢測膠厚D.清洗晶圓7.光刻“前烘”的目的是（）A.去除膠溶劑B.增強對比度C.去除顯影液D.固化膠膜8.ArF浸潤式光刻的光源波長是（）A.193nmB.248nmC.13.5nmD.365nm9.正膠曝光后發(fā)生的反應是（）A.交聯(lián)B.分解C.聚合D.氧化10.7nm以下制程依賴的光刻技術(shù)是（）A.ArF浸潤式B.EUVC.接觸式D.接近式答案1.B2.A3.B4.D5.C6.A7.A8.A9.B10.B三、多項選擇題（每題2分，共20分，多選/少選不得分）1.光刻機關(guān)鍵組件包括（）A.光源系統(tǒng)B.掩模臺C.晶圓臺D.對準系統(tǒng)2.光刻基本步驟包括（）A.晶圓清洗B.膠涂覆C.前烘D.曝光3.正膠顯影特點有（）A.曝光區(qū)域溶解B.分辨率高C.適合精細圖形D.未曝光區(qū)域保留4.EUV光刻優(yōu)勢包括（）A.更高分辨率B.更少多重曝光C.更低缺陷率D.更高throughput5.掩模制備流程包括（）A.圖形設計B.光刻C.刻蝕D.清洗6.光刻膠性能要求包括（）A.高分辨率B.良好粘附性C.耐刻蝕性D.低對比度7.顯影關(guān)鍵參數(shù)包括（）A.時間B.溫度C.濃度D.曝光劑量8.對準系統(tǒng)類型包括（）A.全局對準B.局部對準C.動態(tài)對準D.靜態(tài)對準9.濕法清洗的作用是（）A.去殘留膠B.去顯影液C.減缺陷D.提粘附性10.光刻與芯片制造的關(guān)聯(lián)是（）A.定義電路圖形B.決定制程節(jié)點C.影響良率D.核心步驟答案1.ABCD2.ABCD3.ABCD4.AB5.ABCD6.ABC7.ABC8.ABCD9.ABCD10.ABCD四、判斷題（每題2分，共20分，√/×）1.光刻分辨率與波長成正比（）2.負膠曝光后未曝光區(qū)域溶解（）3.EUV光刻不需要掩模（）4.顯影是光刻膠化學溶解過程（）5.對準精度越高，良率越高（）6.曝光后可直接顯影，無需后烘（）7.濕法刻蝕在光刻之前（）8.掩模微小缺陷不影響良率（）9.EUV光源需激光激發(fā)錫液滴（）10.光刻是芯片核心工藝之一（）答案1.×2.√3.×4.√5.√6.×7.×8.×9.√10.√五、簡答題（每題5分，共20分）1.簡述光刻工藝基本流程答案：光刻核心流程為：①晶圓清洗（去雜質(zhì)）；②光刻膠涂覆（旋涂均勻）；③前烘（去溶劑固化）；④曝光（掩模轉(zhuǎn)移圖形）；⑤后烘（PEB，增強對比度）；⑥顯影（溶解目標區(qū)域膠）；⑦可選清洗（去殘留膠）。每步精準控制是良率關(guān)鍵。2.正膠與負膠的主要區(qū)別答案：①反應：正膠曝光分解，負膠曝光交聯(lián)；②顯影：正膠曝光區(qū)溶解，負膠未曝光區(qū)溶解；③分辨率：正膠更高（nm級），負膠較低；④應用：正膠用于精細邏輯電路，負膠用于厚膠/簡單圖形；⑤成本：正膠更高。3.光刻機分辨率的關(guān)鍵影響因素答案：由R=k1λ/NA決定：①λ（波長）：越短分辨率越高（EUV＞ArF）；②NA（數(shù)值孔徑）：越大越好（浸潤式用水提升NA）；③k1（工藝因子）：先進制程可低至0.25；④輔助：劑量均勻性、對準精度、膠性能等。4.EUV光刻的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)答案：優(yōu)勢：①分辨率高（3nm及以下）；②減少多重曝光；③缺陷少。挑戰(zhàn)：①光源功率低（需提升）；②掩模成本高（易污染）；③設備復雜（真空/錫液管理）；④膠性能要求苛刻（高靈敏度）。六、討論題（每題5分，共10分）1.如何提升光刻工藝良率？答案：從多環(huán)節(jié)優(yōu)化：①前序：晶圓清洗徹底，膠涂覆均勻（厚度誤差＜1%）；②曝光：精準劑量/對準（nm級），優(yōu)化k1；③后序：顯影參數(shù)精準（避過顯/欠顯）；④設備：定期維護光源/臺體；⑤檢測：實時監(jiān)測掩模缺陷/圖形；⑥材料：高純度膠/顯影液。2.EUV光刻在5nm及以下制程的必要性答案：①傳