行業(yè)研究報告行業(yè)研究報告行業(yè)|深度|研究報告 2026年1月15日，臺積電召開2025Q4交流會，對2026年的資本開支指引為520-560億美元（2025年409億，顯著上修至多36.9%），其中先進封裝、測試及掩膜版制造等的投入比例占10-20%。隨臺積電進一步上調(diào)資本開支，有望提振先進制程擴產(chǎn)預(yù)期；高端先進封裝作為AI芯片必選項，有望隨制造端產(chǎn)能釋放同步爬坡放量，相關(guān)需求或?qū)@著提振。隨著AI建設(shè)的持續(xù)，先進封裝相關(guān)的產(chǎn)能逐步滿產(chǎn)，有望迎來漲價，國內(nèi)相關(guān)公司將受益于這波AI投資帶來的景氣周期。圍繞先進封裝行業(yè)，下面我們從其與傳統(tǒng)封裝差異、發(fā)展思路及趨勢、當(dāng)前競爭格局、市場規(guī)模進行分析，并對其產(chǎn)業(yè)鏈及相關(guān)公司進行梳理，希望幫助大家更多了解先進封裝行業(yè)發(fā)展情況。一、先進封裝概述 1二、先進封裝發(fā)展思路 4三、封裝技術(shù)發(fā)展趨勢 5四、先進封裝競爭格局 10五、先進封裝產(chǎn)業(yè)鏈及產(chǎn)業(yè)政策梳理 13六、先進封裝市場規(guī)模 15七、先進封裝相關(guān)公司 17八、參考研報 19半導(dǎo)體封裝，是一種用于容納、包覆一個或多個半導(dǎo)體器件或集成電路的載體/外殼，外殼的材料可以是金屬、塑料、玻璃、或者是陶瓷。封裝的的功能可以拆解為機械保護、電氣連接、散熱、機械連接四封裝的工藝步驟包含了背面研磨、切割、單芯片鍵合、引線連接、成型等。1行業(yè)|深度|研究報告 先進封裝是指處于當(dāng)時最前沿的封裝形式和技術(shù)。傳統(tǒng)封裝是為了保護芯片、提供連接；先進封裝是為了通過更高效、更緊湊、更靈活的方式連接芯片和芯片內(nèi)的各個部分，從而間接地、系統(tǒng)性地提升整體芯片/系統(tǒng)性能和功能。半導(dǎo)體封裝流程主要包含了背部研磨；劃片、拾取和放置；鍵合；塑封等。第一階段為晶圓處理與切割。包含了來料檢查、貼膜、磨片、貼片和劃片等步驟。第二階段為組裝與互聯(lián)。包含了裝片、鍵合等環(huán)節(jié)。第三階段為封裝與后處理。包含了塑封、去毛刺和電鍍、切筋打彎等步驟。第四階段為測試與出貨，包含了品質(zhì)檢測和產(chǎn)品出貨等。2行業(yè)|深度|研究報告 2019年到2029年先進封裝的CAGR達8.9%；從2019年到2029年，先進封裝占封裝行業(yè)比例從45.6%攀升至50.9%。市場規(guī)模層面：先進封裝正在崛起，并將超越傳統(tǒng)封裝占據(jù)主要地位。單元數(shù)量層面：傳統(tǒng)封裝仍然是市場的主流，占據(jù)絕對的數(shù)量優(yōu)勢。晶圓消耗量層面：傳統(tǒng)封裝仍然消耗更多的晶圓，但先進封裝的晶圓消耗量占比也在逐步提升。不同封裝平臺中，ED和2.5D/3D預(yù)計將是增長最快的領(lǐng)域。先進封裝市場份額趨勢與異構(gòu)集成趨勢一致。3行業(yè)|深度|研究報告 二、先進封裝發(fā)展思路先進封裝的主要特征包含：高速信號傳輸、堆疊、高可靠性、低成本、小型化、散熱性有保障等。與之對應(yīng)，半導(dǎo)體封裝的核心思路有：提升電氣性能、提高集成度與小型化、降低成本、增強可靠性與散熱性和適應(yīng)新型應(yīng)用需求。半導(dǎo)體封裝經(jīng)歷了通孔插裝技術(shù)、表面貼裝技術(shù)（周邊引腳）、表面貼裝技術(shù)（陣列引腳）、3D集成等發(fā)展階段。Bump（凸塊/焊球）:在芯片焊盤上制作的微小金屬凸起結(jié)構(gòu)，通常為焊錫球，作為倒裝芯片封裝中芯片與基板間電氣和機械連接的關(guān)鍵互連結(jié)構(gòu)4行業(yè)|深度|研究報告 RDL（重布線在芯片或封裝基板表面沉積的金屬層，用于將芯片內(nèi)部的焊盤(Pad)位置重新布線和引出，以適應(yīng)封裝外部互連的需求，實現(xiàn)扇出(Fan-out)和更靈活的封裝引腳布局。Wafer（晶圓級封裝在整個晶圓完成芯片制造工藝后，在晶圓層面而非單顆芯片層面進行封裝和互TSV（硅通孔一種垂直穿透硅晶圓或芯片的微型金屬化孔道，用于在三維(3D)集成電路中實現(xiàn)芯片之間的垂直互連，從而顯著縮短互連距離，提高集成密度和性能。引線鍵合工藝是將導(dǎo)電金屬線焊接在一起以形成電連接的過程。5行業(yè)|深度|研究報告 倒裝芯片封裝是一種將芯片有源面朝下，通過焊球直接與基板連接的封裝技術(shù)。晶圓級封裝是在芯片還在晶圓上的時候就對芯片進行封裝，保護層可以黏接在晶圓的頂部或底部，然后連接電路，再將晶圓切成單個芯片。WLP（晶圓級封裝）有Fan-In（扇入式）和Fan-Out（扇出式）兩種類型。FIWLP尺寸與芯片本身尺寸相同，但I/O數(shù)量一般較少；FOWLP在芯片面積之外區(qū)域充分利用RDL做連接，相比于同面積FIWLP，擁有更多引腳數(shù)。2.5D封裝的典型代表分別為臺積電的CoWos封裝以及英特爾的EMIB封裝。3D封裝通過TSV技術(shù)，實現(xiàn)多個芯片垂直堆疊互連。3D封裝中，芯片相互靠得很近，所以延遲會更低、相關(guān)寄生效應(yīng)會更少，使器件以更高頻率運行，從而轉(zhuǎn)化為性能改進。6行業(yè)|深度|研究報告 SoC是將數(shù)個不同芯片，經(jīng)過重新設(shè)計使其全部使用“同樣制程工藝”，并整合于單一芯片上；而Chiplet技術(shù)便是通過先進封裝技術(shù)讓多個小芯片形成的SiP（系統(tǒng)級封裝），它能夠?qū)⒕邆洳煌δ艿男⌒酒?，通過先進封裝技術(shù)整合于單一基板上。為了在保證連接密度的前提下，減少芯片制造難度，誕生了Chiplet技術(shù)。其信息傳輸速率和一個完整的SOC基本是一致的。Chiplet可提升良品率；實現(xiàn)模塊化設(shè)計；兼容多種制程工藝。進而促使成本大幅下降；技術(shù)難度大幅下降；靈活性更高。7行業(yè)|深度|研究報告 在半導(dǎo)體制程工藝不夠先進的情況下，可通過Chiplet技術(shù)將制造環(huán)節(jié)的難度和成本轉(zhuǎn)移到封裝環(huán)節(jié)（芯片堆疊），發(fā)揮中國在封裝工藝上的領(lǐng)先優(yōu)勢，助力實現(xiàn)彎道超車。摩爾定律是戈登·摩爾在1965年提出的一個預(yù)測：晶體管上可容納的晶體管數(shù)量，每隔兩年增長一倍，同時性能也將提升一倍，成本下降一半。后摩爾時代：依靠縮小晶體管尺寸來提升性能和降低成本的模式，已經(jīng)遇到物理和經(jīng)濟上的瓶頸，變得越來越困難和昂貴。后摩爾時代的特征和發(fā)展趨勢主要體現(xiàn)在：異構(gòu)集成（通過Chiplet、2.5D/3D等封裝技術(shù)實現(xiàn)）、架構(gòu)創(chuàng)新、超越硅基材料等方面。近20年，處理器峰值算力每兩年提升3倍，而DRAM帶寬每兩年提升1.6倍，互連帶寬每兩年提升1.4倍，使存儲器的發(fā)展遠(yuǎn)落后于處理器。AI領(lǐng)域，AI模型規(guī)模的指數(shù)級增長也遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了硬件內(nèi)存容量的增長速度。內(nèi)存墻：指內(nèi)存帶寬較慢的發(fā)展速度制約了CPU性能發(fā)揮的現(xiàn)象。先進封裝帶來的突破：通過2.5D/3D封裝技術(shù)制備HBM（平房和樓房的區(qū)別），可大幅提升內(nèi)存帶寬；將計算單元與內(nèi)存盡量靠近放置（Cowos、EMIB、Chiplet等技術(shù)降低傳輸距離。8行業(yè)|深度|研究報告 面積墻：芯片尺寸受制于光刻機曝光場尺寸，當(dāng)前最先進的極紫外光刻機的典型曝光場尺寸通常為858mm2（26*33），單次曝光下，芯片面積不能超過曝光場尺寸。當(dāng)前，英偉達的A100GPU芯片面積已達到826mm2。增加曝光場面積會提升光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計的復(fù)雜性，帶來機械系統(tǒng)和運動控制方面的挑戰(zhàn)，提升光掩模制造的難度，進而大幅提升成本。隨著面積增加，良率呈現(xiàn)出迅速下降趨勢。芯片面積從213mm2提升到777mm2，良率從59%下降到26%。通過Chiplet、2.5D/3D等封裝技術(shù)可將多個芯片堆疊或并排封裝在一起，實現(xiàn)更高的系統(tǒng)集成度，突破單芯片面積限制。9行業(yè)|深度|研究報告 功耗墻：隨著晶體管密度的提升，功耗密度也急劇上升，散熱問題日益嚴(yán)峻，限制了芯片性能的進一步功能墻：單純依靠單片集成電路（SoC）難以滿足日益增長的復(fù)雜應(yīng)用需求，難以集成傳感器、模擬電路、射頻電路、功率器件等。功耗墻的解決：異構(gòu)集成可將不同制程工藝、不同功能的芯片集成在一個封裝內(nèi)，針對不同功能模塊選擇不同工藝，優(yōu)化整體功耗。更短的互連可減少信號傳輸距離和電阻，降低功耗。先進封裝技術(shù)可集成更好的散熱解決方案，例如導(dǎo)熱界面材料等，幫助芯片更好地散熱。先進封裝可以更靈活地進行電源分配和管理，例如通過3D堆疊實現(xiàn)垂直電源供電，提升電源效率。功能墻的解決：系統(tǒng)級封裝（SIP）技術(shù)可將不同類型芯片（數(shù)字芯片、模擬芯片、傳感器芯片、存儲芯片、無源器件等）及其他原件（連接器、天線）集成在一個封裝內(nèi)，形成一個完整的系統(tǒng)模塊。從全球封裝行業(yè)收入?yún)^(qū)域分布來看，中國臺灣占據(jù)了主導(dǎo)地位，貢獻了超過四成的全球收入（43.7%其次是美國（21%）和中國大陸（20.2%）。韓國、新加坡、馬來西亞和日本也占據(jù)了一定的市場份額，但相對較小，表明全球封裝產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)出亞洲地區(qū)為主導(dǎo)，美洲和亞洲其他地區(qū)為輔的格局。10行業(yè)|深度|研究報告 中國大陸封測市場主要以傳統(tǒng)封裝為主，根據(jù)盛合晶微招股說明書數(shù)據(jù)，2024年先進封裝占封測市場比重約15.5%、遠(yuǎn)低于全球先進封裝的40%占比。考慮到臺積電CoWoS產(chǎn)能自身供應(yīng)緊張（主要用于AI服務(wù)器領(lǐng)域），疊加需求端國產(chǎn)GPU發(fā)展節(jié)奏考量，因此我們預(yù)計中國大陸有望加速以CoWoS為代表的先進封裝擴產(chǎn)。根據(jù)盛合晶微招股說明書數(shù)據(jù)，預(yù)計中國大陸先進封裝市場規(guī)模將由2024年的514億元增長至2029年的1006億元，CAGR達14.4%。行業(yè)|深度|研究報告 各國制定了一系列支持性政策，支持本國半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。中美的支持力度最大。美國制定一系列打壓政策，對中國的半導(dǎo)體行業(yè)進行打擊。當(dāng)前的打擊重點為芯片制程、AI芯片、模型、技術(shù)及GPU等，力圖遏制中國AI領(lǐng)域快速發(fā)展。在芯片封裝領(lǐng)域中國受到的打壓相對較少。行業(yè)|深度|研究報告 中國半導(dǎo)體領(lǐng)域的優(yōu)劣勢分析：卡脖子技術(shù)：全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)中，中國大陸在封裝及封裝設(shè)備領(lǐng)域已具備較強國際競爭力，但是在EDA、IP核、部分半導(dǎo)體材料、部分半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域存在明顯的卡脖子問題（封裝產(chǎn)業(yè)已成為AI芯片擴大產(chǎn)能的卡脖子環(huán)節(jié)）。下圖中，綠色代表具有較強國際競爭力，黃色表示具備一定的競爭力，橙色表示競爭力微弱，紅色表示幾乎無競爭力。橙色和紅色為卡脖子關(guān)鍵領(lǐng)域。五、先進封裝產(chǎn)業(yè)鏈及產(chǎn)業(yè)政策梳理行業(yè)|深度|研究報告 半導(dǎo)體封裝上中下游分別為封裝材料與設(shè)備、集成電路封裝以及應(yīng)用與終端市場。其中，上游提供封裝所需的各種材料（基板、引線框架、鍵合線等）和設(shè)備（濺鍍機、光刻設(shè)備等）；中游進行各種封裝工藝（傳統(tǒng)封裝、先進封裝、晶圓級封裝等）和測試（電性測試、老化測試）；封裝后的芯片應(yīng)用于移動設(shè)備、高性能計算、人工智能和汽車電子等領(lǐng)域。政府高度重視先進半導(dǎo)體封裝，近年來出臺了一系列政策措施鼓勵和支持該領(lǐng)域發(fā)展。體現(xiàn)在集中研發(fā)、政府補助、稅收優(yōu)惠、人才培養(yǎng)、投融資等多方面。大基金三期于2024年5月正式注冊，注冊資本3440億元，超過了一二期（987.2億元、2041.5億元）注冊資本總和。行業(yè)|深度|研究報告 據(jù)Yole及中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)測算，2024年全球先進封裝市場規(guī)模約為450億美元，占全球半導(dǎo)體封裝市場總額的55%左右。隨著AI、高性能計算、5G、汽車電子等下游需求拉動，Yole預(yù)計到2030年全球先進封裝市場規(guī)模將增長至約800億美元，2024-2030年復(fù)合年增長率達到9.4%，成為推動半導(dǎo)體行業(yè)價值升級的核心環(huán)行業(yè)|深度|研究報告 以TSMCCoWoS等2.5D工藝為例，單個封裝模組通常由邏輯Die、HBM堆疊及硅中介層等多顆關(guān)鍵組件集成而成，封裝與材料成本高、返工空間有限，一旦將失效裸片帶入封裝，將帶來整模組報廢或顯著良率損失風(fēng)險。因此產(chǎn)業(yè)在晶圓測試的基礎(chǔ)上，趨向于對每一顆裸Die進行全覆蓋的“已知合格芯片”（KGD）測試，其判定強度更接近成品測試對功能與可靠性的要求。該趨勢將直接拉動高精度探針臺和高端測試機的新增需求。傳統(tǒng)ATE測試基于結(jié)構(gòu)化向量，主要驗證物理電路的通斷，但AI/HPC芯片在真實負(fù)載下涉及軟硬件協(xié)同、互連與內(nèi)存子系統(tǒng)耦合等復(fù)雜工況，ATE難以覆蓋全部系統(tǒng)級失效風(fēng)險。SLT在模擬終端使用場景中對待測芯片（DUT）進行測試，通常通過加載操作系統(tǒng)/驅(qū)動并運行通用或目標(biāo)應(yīng)用來暴露系統(tǒng)交互類問題，且SLT成本/測試時間不隨著復(fù)雜性的增加而增加，成本更具優(yōu)勢。當(dāng)前所有主流CPU、APU和GPU在出貨前都須經(jīng)過SLT測試，成為后道測試的流程新增量。行業(yè)|深度|研究報告 長電科技是中國大陸第一大OSAT廠商，擁有先進和全面的芯片成品制造技術(shù)，包括晶圓級封裝、2.5D/3D封裝、系統(tǒng)級封裝、倒裝芯片封裝、引線鍵合封裝及主流封裝先進化解決方案。公司加速轉(zhuǎn)型，優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，持續(xù)推動長電微電子晶圓級高端制造項目的產(chǎn)品上量。隨著公司高附加值業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)型升級落地，毛利率及盈利能力有望逐步回升。先進封裝方面：公司推出XDFOI?芯粒高密度多維異構(gòu)集成系列工藝，已進入量產(chǎn)階段。該技術(shù)是一種面向芯粒的極高密度、扇出型異構(gòu)封裝集成解決方案，利用工藝設(shè)計協(xié)同優(yōu)化突破了2.5D、3D集成技術(shù)。經(jīng)過持續(xù)研發(fā)與客戶產(chǎn)品驗證，公司XDFOI?已應(yīng)用在高性能計算、人工智能、5G、汽車電子等領(lǐng)域，為客戶提供了高性能、高能效比的芯片成品制造解決方案，滿足日益增長的終端市場需求。定增擴充存儲、汽車及高性能計算等產(chǎn)品封測產(chǎn)能：公司公告，擬募資44億元用于存儲及高性能計算封測領(lǐng)域的產(chǎn)能擴張。其中，存儲芯片封測擬投8億元、汽車等新興應(yīng)用領(lǐng)域封測擬投10.6億元、晶圓級封測擬投7億元、高性能計算擬投6.2億元.擬發(fā)行不超過4.55億股（不超過總股本的30%）。通過定增，公司將抓住AI、國產(chǎn)替代的戰(zhàn)略機遇期，將進一步擴大公司在封測領(lǐng)域的影響力，長期影響正3Q25業(yè)績快速增長，增速領(lǐng)跑行業(yè)：得益于手機芯片、汽車芯片國產(chǎn)化進程加快、家電等領(lǐng)域國補政策持續(xù)利好，以及大客戶AMD的強勁增長，2025年前三季度公司實現(xiàn)營收201.2億元,YOY增長17.8%;實現(xiàn)凈利潤8.6億元,YOY增長55.7%，扣非后凈利潤7.8億元，YOY增長43.7%，EPS0.567元。其中，3Q25公司實現(xiàn)營收70.8億元,YOY增長17.9%，實現(xiàn)凈利潤4.5億元，YOY增長95.1%，扣非后17行業(yè)|深度|研究報告 凈利潤3.6億元，YOY增長59%。3Q25公司業(yè)績快速增長，并且領(lǐng)跑行業(yè)。從毛利率來看，2025年前三季度公司綜合毛利率15.3%,較上年同期上升0.9個百分點。華天科技為國內(nèi)封測龍頭企業(yè)，2025Q1-Q3歸母凈利潤同比增加51.98%。2025Q1-Q3公司歸母凈利潤增長主要系：公司前三季度營業(yè)收入、收到計入其他收益的政府補助和以公允價值計量且其變動計入當(dāng)期損益的金融資產(chǎn)的公允價值變動收益增加等綜合因素影響。公司擬通過發(fā)行股份及支付現(xiàn)金方式收購華羿微電子股份有限公司（以下簡稱“華羿微電”）100%股份，同時募集配套資金。此次收購，是華天科技的一次業(yè)務(wù)鏈延伸。華天科技主要聚焦集成電路封裝測試業(yè)務(wù)，業(yè)務(wù)規(guī)模位列中國大陸前三、全球第六。華羿微電專注于半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域，具備芯片設(shè)計、封裝測試到銷售的全鏈條能力。通過本次收購，華天科技可以迅速完善封裝測試主業(yè)布局，拓展功率器件封裝測試業(yè)務(wù)，開辟第二增長曲線。截至2025年8月底，華羿微電總資產(chǎn)約24億元，三季度，公司預(yù)計盈利超3000萬元，環(huán)比增長約80%。先進封裝技術(shù)持續(xù)突破，產(chǎn)能擴張穩(wěn)步推進：2025年上半年，得益于半導(dǎo)體行業(yè)景氣度的整體回升，封測行業(yè)市場需求穩(wěn)步提升，公司訂單和經(jīng)營業(yè)績穩(wěn)步增長。1）公司開發(fā)完成ePoP/PoPt高密度存儲器及應(yīng)用于智能座艙與自動駕駛的車規(guī)級FCBGA封裝技術(shù)。2.5D/3D封裝產(chǎn)線完成通線。啟動CPO封裝技術(shù)研發(fā)，關(guān)鍵單元工藝開發(fā)正在進行之中。FOPLP封裝完成多家客戶不同類型產(chǎn)品驗證，通過客戶可靠性認(rèn)證。2）公司持續(xù)開展降本增效與自動化建設(shè)工作，提升公司自動化水平和生產(chǎn)效率。3）公司推動華天江蘇、華天上海及募集資金投資項目逐步釋放產(chǎn)能，公司先進封裝產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴大，產(chǎn)業(yè)布局不斷優(yōu)化。4）公司2023年股票期權(quán)激勵計劃首次授予部分第一個行權(quán)期等待期屆滿，相應(yīng)的股票期權(quán)開始行權(quán)。5）公司于2025年8月發(fā)布公告，設(shè)立子公司南京華天先進封裝有限公司，注冊資本總額20億元，華天江蘇/華天昆山/先進壹號認(rèn)繳出資比例分別為50.00%/33.25%/16.75%，華天先進以2.5D/3D等先進封裝測試為主營業(yè)務(wù)，進一步擴大公司在先進封測產(chǎn)業(yè)的規(guī)模和市場份額。AI帶動行業(yè)景氣度，產(chǎn)線建設(shè)/客群拓展/規(guī)模效應(yīng)三線并舉。2025年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在人工智能、高性能計算、數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)等需求的拉動下，延續(xù)增長態(tài)勢。得益于海外大客戶的持續(xù)放量和國內(nèi)核心端側(cè)SoC客戶群的成長，公司營業(yè)收入規(guī)模保持增長。根據(jù)公司披露，預(yù)計公司2025年實現(xiàn)營收42億元至46億，同比增長16.37%至27.45%；預(yù)計實現(xiàn)歸母凈利潤0.75億元到1億元，同比增長13.08%至50.77%。1）產(chǎn)品線建設(shè)：公司依靠二期重點打造的“Bumping+CP+FC+FT”的一站式交付能力，可有效縮短客戶從晶圓裸片到成品芯片交付時間及實現(xiàn)更好品質(zhì)控制；隨著晶圓級產(chǎn)品線產(chǎn)能與稼動率持續(xù)爬坡，公司先進封裝產(chǎn)品占比不斷提升，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化。2）客群拓展：公司持續(xù)深化AIoT大客戶以及海外頭部設(shè)計客戶合作，目前已經(jīng)形成以各細(xì)分領(lǐng)域龍頭設(shè)計公司以及臺系頭部設(shè)計公司為主的穩(wěn)定客戶群，未來大客戶以及海外營業(yè)收入占比有望持續(xù)提升，客戶集中度將進一步提高。3）規(guī)?；?yīng)：隨著公司營業(yè)收入的增長，規(guī)模效應(yīng)初步顯現(xiàn)，單位制造成本及期間費用率逐步降低，正向促進凈利潤水平提升。資本開支保持穩(wěn)定，未來隨著原有投資設(shè)備折舊陸續(xù)到期利潤有望逐步釋放。集成電路封裝和測試行業(yè)是較為典型的資本密集型行業(yè)，收入規(guī)模同固定資產(chǎn)投資規(guī)模直接相關(guān)。公司2025年資本開支規(guī)模預(yù)計在25億元以內(nèi)，較2024年保持穩(wěn)定，主要投向包括現(xiàn)有產(chǎn)品線產(chǎn)能擴張、晶圓級封裝及2.5D、FC-BGA等先進封裝領(lǐng)域。隨著固定資產(chǎn)的繼續(xù)投入，2025年全年折舊的絕對金額預(yù)計相比2024年仍會18行業(yè)|深度|研究報告 上漲。固定資產(chǎn)中約90%為專用設(shè)備，投入專用設(shè)備金額大且折舊年限較短，折舊年限集中在5至8年內(nèi)，導(dǎo)致前期折舊金額較大。受該因素影響，公司近年來毛利率和EBITDARatio、凈利潤和EBITDA之間都存在較