標準解讀
《GB/T 4937.37-2025 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第37部分:采用加速度計的板級跌落試驗方法》是針對半導體器件在遭遇跌落沖擊時性能穩(wěn)定性的一種測試標準。該標準詳細規(guī)定了使用加速度計作為測量工具,對安裝于電路板上的半導體器件進行跌落試驗的方法。通過這種試驗可以評估半導體器件及其封裝在受到物理沖擊后的可靠性和耐久性。
標準中明確了試驗所需設(shè)備、樣品準備步驟、具體操作流程以及數(shù)據(jù)記錄與分析的要求。其中,加速度計的選擇至關(guān)重要,它用于監(jiān)測并記錄跌落過程中產(chǎn)生的加速度變化情況,從而幫助研究人員了解產(chǎn)品在實際應用環(huán)境中可能遇到的問題。此外,還涉及到如何設(shè)置合適的跌落高度、角度等因素以模擬不同類型的跌落情景,并確保每次試驗條件的一致性。
對于樣品而言,需要按照特定方式固定在專用夾具上,保證其在自由下落或受控碰撞時能夠準確反映出真實使用條件下的表現(xiàn)。整個過程強調(diào)了重復性和再現(xiàn)性的要求,旨在為行業(yè)提供一個標準化的測試平臺,以便于比較不同廠商之間或者同一廠商不同批次產(chǎn)品之間的質(zhì)量差異。
此標準適用于所有類型的半導體器件制造商、電子設(shè)備生產(chǎn)商及相關(guān)研究機構(gòu),在新產(chǎn)品開發(fā)階段或是現(xiàn)有產(chǎn)品質(zhì)量控制環(huán)節(jié)中均可參考執(zhí)行。通過遵循本標準所規(guī)定的程序,有助于提高半導體產(chǎn)品的整體質(zhì)量和市場競爭力。
如需獲取更多詳盡信息,請直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標準文檔。
....
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- 即將實施
- 暫未開始實施
- 2025-12-31 頒布
- 2026-07-01 實施
文檔簡介
ICS3108001
CCSL.40.
中華人民共和國國家標準
GB/T493737—2025/IEC60749-372022
.:
半導體器件機械和氣候試驗方法
第37部分采用加速度計的板級跌落
:
試驗方法
Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—
Part37Boardleveldrotestmethodusinanaccelerometer
:pg
IEC60749-372022IDT
(:,)
2025-12-31發(fā)布2026-07-01實施
國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布
國家標準化管理委員會
GB/T493737—2025/IEC60749-372022
.:
目次
前言
…………………………Ⅲ
引言
…………………………Ⅴ
范圍
1………………………1
規(guī)范性引用文件
2…………………………1
術(shù)語和定義
3………………1
試驗設(shè)備和器件
4…………………………2
試驗程序
5…………………4
失效判據(jù)和失效分析
6……………………7
說明
7………………………7
附錄資料性標準電路板結(jié)構(gòu)材料設(shè)計和版圖
A()、、…………………9
參考文獻
……………………13
Ⅰ
GB/T493737—2025/IEC60749-372022
.:
前言
本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
本文件是半導體器件機械和氣候試驗方法的第部分已經(jīng)發(fā)布了
GB/T4937《》37。GB/T4937
以下部分
:
第部分總則
———1:;
第部分低氣壓
———2:;
第部分外部目檢
———3:;
第部分強加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗
———4:(HAST);
第部分密封
———8:;
第部分機械沖擊器件和組件
———10:;
第部分快速溫度變化雙液槽法
———11:;
第部分掃頻振動
———12:;
第部分鹽霧
———13:;
第部分引出端強度引線牢固性
———14:();
第部分通孔安裝器件的耐焊接熱
———15:;
第部分粒子碰撞噪聲檢測
———16:(PIND);
第部分中子輻照
———17:;
第部分電離輻射總劑量
———18:();
第部分芯片剪切強度
———19:;
第部分塑封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜合影響
———20:;
第部分對潮濕和焊接熱綜合影響敏感的表面安裝器件的操作包裝標志和運輸
———20-1:、、;
第部分可焊性
———21:;
第部分鍵合強度
———22:;
第部分高溫工作壽命
———23:;
第部分加速耐濕無偏置強加速應力試驗
———24:;
第部分溫度循環(huán)
———25:;
第部分靜電放電敏感度測試人體模型
———26:(ESD)(HBM);
第部分靜電放電敏感度測試機器模型
———27:(ESD)(MM);
第部分閂鎖試驗
———29:;
第部分非密封表面安裝器件在可靠性試驗前的預處理
———30:;
第部分塑封器件的易燃性內(nèi)部引起的
———31:();
第部分塑封器件的易燃性外部引起的
———32:();
第部分加速耐濕無偏置高壓蒸煮
———33:;
第部分功率循環(huán)
———34:;
第部分塑封電子元器件的聲學顯微鏡檢查
———35:;
第部分穩(wěn)態(tài)加速度
———36:;
第部分采用加速度計的板級跌落試驗方法
———37:;
第部分帶存儲的半導體器件的軟錯誤試驗方法
———38:;
Ⅲ
GB/T493737—2025/IEC60749-372022
.:
第部分半導體器件用有機材料的潮氣擴散率和水溶解度測量
———39:;
第部分采用應變儀的板級跌落試驗方法
———40:;
第部分溫濕度貯存
———42:;
第部分半導體器件的中子輻照單粒子效應試驗方法
———44:(SEE)。
本文件等同采用半導體器件機械與氣候試驗方法第部分采用加速度
IEC60749-37:2022《37:
計的板級跌落試驗方法
》。
請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別專利的責任
。。
本文件由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出
。
本文件由全國半導體器件標準化技術(shù)委員會歸口
(SAC/TC78)。
本文件起草單位中國電子科技集團公司第十三研究所廣州毅昌科技股份有限公司河北中電科
:、、
航檢測技術(shù)服務(wù)有限公司安徽鉅芯半導體科技有限公司廣州海關(guān)技術(shù)中心廣東仁懋電子有限公司
、、、。
本文件主要起草人高東陽魏兵陳汝文彭浩趙海龍裴選宋玉璽武利會曹孫根王英程
:、、、、、、、、、、
吳福娣藍春浩仇亮
、、。
Ⅳ
GB/T493737—2025/IEC60749-372022
.:
引言
半導體器件是電子行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈中的通用基礎(chǔ)產(chǎn)品為電子系統(tǒng)中的最基本單元半導
,,GB/T4937《
體器件機械和氣候試驗方法是半導體器件進行試驗的基礎(chǔ)性和通用性標準對于評價和考核半導體
》,
器件的質(zhì)量和可靠性起著重要作用擬由個部分構(gòu)成
。44。
第部分總則目的在于規(guī)定半導體器件機械和氣候試驗方法的通用準則
———1:。。
第部分低氣壓目的在于測定元器件和材料避免電擊穿失效的能力
———2:。。
第部分外部目檢目的在于驗證半導體器件的材料設(shè)計結(jié)構(gòu)標志和工藝質(zhì)量是否符合
———3:。、、、
采購文件的要求
。
第部分強加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗目的在于規(guī)定強加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗以評
———4:(HAST)。(HAST),
價非氣密封裝半導體器件在潮濕環(huán)境下的可靠性
。
第部分穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗目的在于規(guī)定穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗以評價非氣密
———5:。,
封裝半導體器件在潮濕環(huán)境下的可靠性
。
第部分高溫貯存目的在于在不施加電應力條件下確定高溫貯存對半導體器件的影響
———6:。,。
第部分內(nèi)部水汽測量和其他殘余氣體分析目的在于考核封裝過程的質(zhì)量并提供有關(guān)氣
———7:。,
體在管殼內(nèi)的長期化學穩(wěn)定性的信息
。
第部分密封目的在于檢測半導體器件的漏率
———8:。。
第部分標志耐久性目的在于對半導體器件上的標志耐久性進行試驗和驗證
———9:。。
第部分機械沖擊目的在于確定半導體器件和印制板組件承受中等嚴酷程度沖擊的適應
———10:。
能力
。
第部分快速溫度變化雙液槽法目的在于規(guī)定半導體器件的快速溫度變化雙液槽法
———11:。()
的試驗程序失效判據(jù)等內(nèi)容
、。
第部分掃頻振動目的在于測定在規(guī)定頻率范圍內(nèi)振動對半導體器件的影響
———12:。,。
第部分鹽霧目的在于確定半導體器件耐腐蝕的能力
———13:。。
第部分引出端強度引線牢固性目的在于測定半導體器件引線封裝界面和引線的牢
———14:()。/
固性
。
第部分通孔安裝器件的耐焊接熱目的在于確定通孔安裝的固態(tài)封裝半導體器件承受波
———15:。
峰焊或烙鐵焊接引線產(chǎn)生的熱應力的能力
。
第部分粒子碰撞噪聲檢測目的在于規(guī)定空腔器件內(nèi)存在自由粒子的檢測方法
———16:(PIND)。。
第部分中子輻照目的在于測定半導體器件在中子環(huán)境中性能退化的敏感性
———17:。。
第部分電離輻射總劑量目的在于提供了評估低劑量率電離輻射對半導體器件作用的
———18:()。
加速退火試驗方法
。
第部分芯片剪切強度目的在于確定半導體芯片安裝在管座或基板上所使用的材料和工
———19:。
藝步驟的完整性
。
第部分塑封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜合影響目的在于通過模擬貯存在倉庫或干
———20:。
燥包裝環(huán)境中定了塑封表面安裝半導體器件吸收的潮氣進而對其進行耐焊接熱性能的評價
,。
第部分對潮濕和焊接熱綜合影響敏感的表面安裝器件的操作包裝標志和運輸目的
———20-1:、、。
在于為對潮濕和焊接熱綜合影響敏感的塑封表面安裝半導體器件承制方和用戶提供操作包
、
裝運輸和使用的方法
、。
第部分可焊性目的在于規(guī)定了采用鉛錫焊料或無鉛焊料進行焊接的元器件封裝引出端
———21:。
Ⅴ
GB/T493737—2025/IEC60749-372022
.:
的可焊性試驗程序
。
第部分鍵合強度目的在于測量鍵合強度或確定鍵合強度是否滿足規(guī)定的要求
———22:。。
第部分高溫工作壽命目的在于規(guī)定隨時間的推移偏置條件和溫度對固態(tài)器件影響的
———23:。,
試驗方法
。
第部分加速耐濕無偏置強加速應力試驗目的在于評價非氣密封裝固態(tài)器件在潮濕環(huán)
———24:。
境下的可靠性
。
第部分溫度循環(huán)目的在于確定半導體器件元件及電路板組件承受由極限高溫和極限
———25:。、
低溫交變作用引發(fā)機械應力的能力
。
第部分靜電放電敏感度測試人體模型目的在于建立一種能夠復現(xiàn)
———26:(ESD)(HBM)。
失效的測試方法以提供可靠可重復的測試結(jié)果
HBM,、HBMESD。
第部分靜電放電敏感度測試機器模型目的在于建立一種能夠復現(xiàn)
———27:(ESD)(MM)。MM
失效的測試方法以提供可靠可重復的測試結(jié)果
,、MMESD。
第部分靜電放電敏感度測試帶電器件模型器件級目的在于建立一種
———28:(ESD)(CDM)。
能夠復現(xiàn)失效的測試方法以提供可靠可重復的測試結(jié)果
CDM,、CDMESD。
第部分閂鎖試驗目的在于建立一種判斷集成電路閂鎖特性的方法和規(guī)定閂鎖的失效
———29:。
判據(jù)
。
第部分非密封表面安裝器件在可靠性試驗前的預處理目的在于規(guī)定非密封表面安裝器
———30:。
件在可靠性試驗前預處理的標準程序
。
第部分塑封器件的易燃性內(nèi)部引起的目的在于確定塑封器件是否由于過負荷引起內(nèi)
———31:()。
部發(fā)熱而燃燒
。
第部分塑封器件的易燃性外部引起的目的在于確定塑封器件是否由于外部發(fā)熱造成
———32:()。
燃燒
。
第部分加速耐濕無偏置高壓蒸煮目的在于確認半導體器件封裝內(nèi)部失效機理
———33:。。
第部分功率循環(huán)目的在于通過對半導體器件內(nèi)部芯片和連接器施加循環(huán)功率損耗來確
———34:。
定半導體器件耐熱和機械應力能力
。
第部分塑封電子元器件的聲學顯微鏡檢查目的在于提供一種使用聲學顯微鏡對塑封電
———35:。
子元器件進行缺陷分層裂紋空洞等檢測的方法
(、、)。
第部分穩(wěn)態(tài)加速度目的在于規(guī)定空腔半導體器件穩(wěn)態(tài)加速度的試驗方法以檢測其結(jié)
———36:。,
構(gòu)和機械類型的缺陷
。
第部分采用加速度計的板級跌落試驗方法目的在于規(guī)定采用加速度計的板級跌落試驗
———37:。
方法對表面安裝器件跌落試驗可重復評估同時復現(xiàn)產(chǎn)品級試驗期間常見的失效模式
,,。
第部分帶存儲的半導體器件的軟錯誤試驗方法目的在于確立了帶存儲的半導體器件工
———38:。
作在高能粒子環(huán)境下如阿爾法輻射的軟錯誤敏感性的試驗方法
()。
第部分半導體器件用有機材料的潮氣擴散率和水溶解度測量目的在于確立了應用于半
———39:。
導體器件封裝用有機材料的潮氣擴散率和水溶解度的測量方法
。
第部分采用應變儀的板級跌落試驗方法目的在于規(guī)定采用應變儀的板級跌落試驗方
———40:。
法對表面安裝器件跌落試驗可重復評估同時復現(xiàn)產(chǎn)品級試驗期間常見的失效模式
,,。
第部分非易失性存儲器可靠性試驗方法目的在于系統(tǒng)地規(guī)定了非易失性存儲器有效耐
———41:。
久性數(shù)據(jù)保持和溫度循環(huán)試驗的要求
、。
第部分溫濕度貯存目的在于規(guī)定了評價半導體器件耐高溫高濕環(huán)境能力的試驗方法
———42:。。
第部分半導體器件的中子輻照單粒子效應試驗方法目的在于確立了一種測量高
———44:(SEE)。
密度集成電路單粒子效應的試驗方法
(SEE)。
所有部分一一對應采用所有部分以保證半導體器件試驗方法與國際標
GB/T4937()IEC60749(),
Ⅵ
GB/T493737—2025/IEC60749-372022
.:
準一致實現(xiàn)半導體器件檢驗方法可靠性評價質(zhì)量水平與國際接軌通過制定該系列標
,、、。
準確定統(tǒng)一的試驗方法及應力評價半導體器件的環(huán)境適應性對半導體器件的研究生產(chǎn)
,,,、、
檢驗和使用具有重要意義同時補充完善半導體器件標準體系為半導體器件行業(yè)的發(fā)展起到
,,
指導作用
。
Ⅶ
GB/T493737—2025/IEC60749-372022
.:
半導體器件機械和氣候試驗方法
第37部分采用加速度計的板級跌落
:
試驗方法
1范圍
本文件描述了一個在加速試驗環(huán)境中評估和比較手持電子產(chǎn)品中表面安裝器件跌落性能的試驗方
法跌落試驗過程中電路板過大彎曲會引起電子產(chǎn)品的失效本文件目的是使試驗電路板和試驗方法
,。
標準化能提供對表面安裝器件跌落試驗的可重復評估使在產(chǎn)品級測試中可得到相同的失效模式
,,。
本文件規(guī)定了一個標準的試驗方法和報告要求本文件與器件鑒定試驗判定手持電子產(chǎn)品合格
。、
與否的系統(tǒng)級跌落試驗模擬運輸和搬運器件或印制電路板組件產(chǎn)生的相關(guān)振動試驗不同例如
、,
中規(guī)定了這些試驗的方法要求本方法適用于面陣列封裝和四邊引線表面安裝
GB/T4937.10—2025。
封裝
。
本試驗方法使用加速度計測量機械沖擊的持續(xù)時間和振幅振幅與安
溫馨提示
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