2026年電子技術(shù)基礎(chǔ)電子元器件與應(yīng)用題集一、選擇題（每題2分，共20題）1.在5V電源電路中，穩(wěn)壓二極管VD1的穩(wěn)壓值為4.7V，限流電阻R1為1kΩ，流過VD1的電流為多少？A.3mAB.5mAC.7mAD.9mA2.晶體三極管工作在放大區(qū)時，其發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的偏置狀態(tài)分別是？A.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏B.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏C.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏D.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏3.下列哪種電容最適合用于高頻濾波電路？A.紙介電容B.電解電容C.陶瓷電容D.有機(jī)薄膜電容4.555定時器構(gòu)成的多諧振蕩器，其振蕩頻率主要由哪些元件決定？A.R1和R2B.C1和C2C.R1和C1D.R2和C25.MOSFET的柵極電壓高于閾值電壓時，其工作狀態(tài)為？A.截止態(tài)B.飽和態(tài)C.可變電阻態(tài)D.擊穿態(tài)6.在數(shù)字電路中，TTL邏輯門的電源電壓通常為多少？A.3.3VB.5VC.12VD.24V7.下列哪種傳感器適用于檢測人體運動？A.溫度傳感器B.光敏傳感器C.紅外運動傳感器D.壓力傳感器8.繼電器線圈兩端并聯(lián)一個二極管的作用是什么？A.提高線圈電流B.防止線圈反電動勢C.增強(qiáng)線圈磁性D.降低線圈電阻9.在單相橋式整流電路中，若輸入電壓為220V，輸出直流電壓約為多少？A.220VB.311VC.150VD.100V10.CMOS集成電路的主要優(yōu)點是？A.高功耗B.低功耗C.高噪聲容限D(zhuǎn).高輸入阻抗二、填空題（每空1分，共10空）1.二極管正向?qū)〞r，其正向壓降在正向電流較大時約為______V。2.晶體管的輸出特性曲線分為______區(qū)、______區(qū)和______區(qū)。3.電感器在直流電路中相當(dāng)于______，在交流電路中相當(dāng)于______。4.555定時器的復(fù)位端（RESET）電壓低于______V時，定時器輸出低電平。5.MOSFET根據(jù)結(jié)構(gòu)可分為______和______兩種類型。6.TTL與非門的輸入低電平電壓范圍通常為______V～0.8V。7.光敏電阻的阻值隨光照強(qiáng)度的增加而______。8.繼電器線圈斷電時產(chǎn)生反電動勢，為保護(hù)線圈，需并聯(lián)一個______。9.在電容濾波電路中，濾波電容的容量通常為幾到幾十______。10.CMOS電路的輸入阻抗可達(dá)______MΩ以上。三、簡答題（每題5分，共4題）1.簡述穩(wěn)壓二極管在電路中的作用及其工作原理。2.晶體三極管有哪三種工作狀態(tài)？簡述其特點。3.555定時器構(gòu)成的單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器，其輸出脈沖寬度主要由哪個元件決定？如何計算？4.MOSFET與晶體三極管在結(jié)構(gòu)和工作原理上有何區(qū)別？四、計算題（每題10分，共2題）1.在圖1所示電路中，已知電源電壓為12V，R1=1kΩ，R2=10kΩ，穩(wěn)壓二極管VD1的穩(wěn)壓值為5V，求流過R1和VD1的電流。（假設(shè)電路正常工作，忽略VD1正向壓降）2.在圖2所示放大電路中，晶體三極管VT的β=100，輸入電壓為10mV，R1=10kΩ，R2=20kΩ，求輸出電壓Vout。（假設(shè)晶體管工作在放大區(qū)，忽略偏置電路影響）五、綜合應(yīng)用題（每題15分，共2題）1.設(shè)計一個簡單的過流保護(hù)電路，要求當(dāng)電流超過2A時，繼電器動作并切斷電源。已知繼電器線圈電壓為12V，線圈電阻為60Ω，請選擇合適的限流電阻并說明原理。2.設(shè)計一個基于555定時器的多諧振蕩器電路，要求振蕩頻率為1kHz，輸出占空比為50%。請選擇合適的電阻和電容值并畫出電路圖。答案與解析一、選擇題1.C解析：穩(wěn)壓二極管流過電流I=(5V-4.7V)/1kΩ=3mA。2.B解析：放大區(qū)要求發(fā)射結(jié)正偏（保證注入載流子），集電結(jié)反偏（保證收集載流子）。3.C解析：陶瓷電容具有高頻損耗小、容量小但頻率特性好，適合高頻濾波。4.A解析：多諧振蕩器的頻率f≈1.44/(R1+2R2)C1。5.B解析：MOSFET柵極電壓高于閾值電壓時，進(jìn)入飽和導(dǎo)通狀態(tài)。6.B解析：TTL邏輯門標(biāo)準(zhǔn)電源電壓為5V。7.C解析：紅外運動傳感器通過檢測人體紅外輻射變化來觸發(fā)。8.B解析：二極管用于吸收線圈斷電時的反電動勢，保護(hù)電路。9.C解析：單相橋式整流輸出直流電壓約為輸入電壓峰值的0.9倍，即150V。10.B解析：CMOS電路功耗極低，適合便攜式和低功耗應(yīng)用。二、填空題1.0.72.放大、飽和、截止3.短路、感性負(fù)載4.0.45.N溝道、P溝道6.0.87.減小8.二極管9.μF10.100三、簡答題1.穩(wěn)壓二極管的作用與原理穩(wěn)壓二極管通過反向偏置工作，當(dāng)電壓超過擊穿電壓時，反向電流急劇增大，但電壓基本保持不變，從而實現(xiàn)穩(wěn)壓。其工作原理基于齊納擊穿效應(yīng)。2.晶體三極管的三種工作狀態(tài)-放大區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏，電流放大作用明顯。-飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均正偏，輸出電阻極小，相當(dāng)于短路。-截止區(qū)：發(fā)射結(jié)反偏或零偏，集電結(jié)反偏，電流接近零，相當(dāng)于開路。3.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器脈沖寬度計算脈沖寬度t=1.1RC。例如，取R=10kΩ，C=1μF，則t=11ms。4.MOSFET與晶體三極管的區(qū)別-結(jié)構(gòu)：MOSFET是電壓控制器件，晶體三極管是電流控制器件。-輸入阻抗：MOSFET輸入阻抗極高，晶體三極管為中等。-驅(qū)動功耗：MOSFET驅(qū)動功耗更低。四、計算題1.穩(wěn)壓二極管電路計算-流過R1的電流I1=(12V-5V)/1kΩ=7mA。-流過VD1的電流I2≈I1=7mA（忽略VD1正向壓降）。2.放大電路計算-基極電流Ib=Vbe/R1=0.7V/10kΩ=0.07mA。-集電極電流Ic=βIb=1000.07mA=7mA。-輸出電壓Vout=-IcR2=-7mA20kΩ=-0.14V。五、綜合應(yīng)用題1.過流保護(hù)電路設(shè)計-選擇0.1Ω的精密電流采樣電阻，壓降ΔV=2A0.1Ω=0.2V。-使用比較器將ΔV與參考