2025中國(guó)電子科技集團(tuán)校園招聘1000人筆試歷年?？键c(diǎn)試題專(zhuān)練附帶答案詳解（第1套）一、單項(xiàng)選擇題下列各題只有一個(gè)正確答案，請(qǐng)選出最恰當(dāng)?shù)倪x項(xiàng)（共30題）1、在半導(dǎo)體材料中，常用于制造高頻器件的基片材料是（）。A.硅B.鍺C.砷化鎵D.碳化硅2、理想運(yùn)算放大器工作在線性區(qū)時(shí)，兩個(gè)輸入端滿足（）特性。A.虛斷和虛地B.虛斷和虛短C.虛短和虛地D.短路和斷路3、在數(shù)字通信系統(tǒng)中，QPSK調(diào)制方式表示每個(gè)符號(hào)攜帶的比特?cái)?shù)為（）。A.1B.2C.3D.44、計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)中，OSI模型的物理層主要負(fù)責(zé)（）。A.路由選擇B.進(jìn)程通信C.比特傳輸D.數(shù)據(jù)加密5、以下電路元件中，屬于儲(chǔ)能元件的是（）。A.電阻B.晶體管C.電容D.繼電器6、十進(jìn)制數(shù)255轉(zhuǎn)換為8位二進(jìn)制補(bǔ)碼形式是（）。A.11111111B.01111111C.10000000D.100000017、在無(wú)線通信中，超短波（VHF）主要依靠哪種方式傳播？（）A.地波B.天波C.直射波D.繞射波8、以下不屬于傳感器靜態(tài)特性指標(biāo)的是（）。A.靈敏度B.線性度C.頻率響應(yīng)D.遲滯誤差9、C語(yǔ)言中，若定義inta[5]={1,2,3};則a[2]和a[4]的值分別是（）。A.2和0B.2和隨機(jī)數(shù)C.3和0D.3和隨機(jī)數(shù)10、電磁波在理想介質(zhì)中的傳播速度主要取決于（）。A.頻率B.介質(zhì)磁導(dǎo)率和介電常數(shù)C.波長(zhǎng)D.電場(chǎng)強(qiáng)度11、在數(shù)字信號(hào)處理中，若某模擬信號(hào)的最高頻率為10kHz，根據(jù)奈奎斯特定理，其采樣頻率至少應(yīng)為_(kāi)_____才能避免混疊現(xiàn)象。A.10kHzB.20kHzC.30kHzD.40kHz12、操作系統(tǒng)中，死鎖的四個(gè)必要條件包括互斥、不可搶占、循環(huán)等待和______。A.資源有序分配B.持有并等待C.資源共享D.進(jìn)程調(diào)度13、關(guān)于本征半導(dǎo)體，以下說(shuō)法正確的是______。A.純度極高不含雜質(zhì)B.電子濃度大于空穴濃度C.摻雜后可形成P型或N型半導(dǎo)體D.常溫下導(dǎo)電性極強(qiáng)14、在QPSK調(diào)制技術(shù)中，每個(gè)符號(hào)攜帶的比特?cái)?shù)為_(kāi)_____。A.1bitB.2bitC.3bitD.4bit15、鏈表數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)相較于數(shù)組的優(yōu)勢(shì)在于______。A.隨機(jī)訪問(wèn)速度快B.內(nèi)存空間連續(xù)C.緩存命中率高D.插入刪除效率高16、TCP協(xié)議建立連接的三次握手過(guò)程依次為_(kāi)_____。A.SYN→ACK→SYN-ACKB.SYN→SYN-ACK→ACKC.ACK→SYN→SYN-ACKD.SYN→FIN→ACK17、實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)（RTOS）的核心特征是______。A.高實(shí)時(shí)性與可預(yù)測(cè)性B.支持多用戶并發(fā)C.圖形界面友好D.文件存儲(chǔ)容量大18、電磁波垂直入射至介質(zhì)表面時(shí)，反射系數(shù)與______有關(guān)。A.介質(zhì)厚度B.極化方向C.入射角D.介質(zhì)電導(dǎo)率19、CMOS集成電路的靜態(tài)功耗主要與______成正比。A.輸入電壓幅度B.負(fù)載電容C.工作頻率D.溫度梯度20、Python中實(shí)現(xiàn)列表的淺拷貝方法是______。A.使用賦值操作符(=)B.調(diào)用copy.deepcopy()C.調(diào)用copy.copy()D.使用切片[:]21、某公司研發(fā)的衛(wèi)星通信系統(tǒng)采用的頻段中，下列哪項(xiàng)屬于其常用工作頻段？A.Ka頻段B.C頻段C.L頻段D.以上都是22、以下關(guān)于雷達(dá)技術(shù)的描述，哪項(xiàng)不符合現(xiàn)代相控陣?yán)走_(dá)的特點(diǎn)？A.波束指向靈活B.多目標(biāo)跟蹤能力強(qiáng)C.機(jī)械掃描天線D.高可靠性23、某電子對(duì)抗系統(tǒng)需實(shí)現(xiàn)對(duì)敵方信號(hào)的精準(zhǔn)定位，下列技術(shù)最可能采用的是：A.擴(kuò)頻通信B.跳頻技術(shù)C.單脈沖測(cè)向D.正交頻分復(fù)用24、若某芯片設(shè)計(jì)采用7nm工藝制程，其晶體管密度約為多少？A.1億個(gè)/平方毫米B.5億個(gè)/平方毫米C.10億個(gè)/平方毫米D.50億個(gè)/平方毫米25、某信息安全系統(tǒng)采用國(guó)密算法，其SM4分組密碼的密鑰長(zhǎng)度為：A.64位B.128位C.192位D.256位26、以下哪種通信方式最可能用于戰(zhàn)場(chǎng)環(huán)境下長(zhǎng)距離隱蔽傳輸？A.短波通信B.微波中繼C.衛(wèi)星通信D.超視距雷達(dá)27、某無(wú)人機(jī)集群控制系統(tǒng)需實(shí)現(xiàn)千架級(jí)別協(xié)同，其核心算法最可能采用：A.集中式規(guī)劃B.分布式優(yōu)化C.遺傳算法D.人工勢(shì)場(chǎng)法28、某光電探測(cè)系統(tǒng)采用焦平面探測(cè)器，其主要優(yōu)勢(shì)是：A.高幀率B.低成本C.寬視場(chǎng)D.無(wú)需制冷29、某電子設(shè)備需通過(guò)CE認(rèn)證，其EMC測(cè)試中傳導(dǎo)發(fā)射限值主要針對(duì)：A.輻射干擾B.電源端口干擾C.靜電放電D.快速瞬變脈沖群30、某微波器件的S參數(shù)測(cè)試中，S11參數(shù)代表：A.輸入端電壓駐波比B.輸入端反射系數(shù)C.正向增益D.反向隔離度二、多項(xiàng)選擇題下列各題有多個(gè)正確答案，請(qǐng)選出所有正確選項(xiàng)（共15題）31、下列半導(dǎo)體材料特性描述正確的是（）。A.硅的禁帶寬度大于鍺；B.本征半導(dǎo)體中自由電子與空穴濃度相等；C.摻雜三價(jià)元素形成N型半導(dǎo)體；D.溫度升高時(shí)半導(dǎo)體電阻率增加。32、關(guān)于運(yùn)算放大器應(yīng)用，以下說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。A.反相放大器輸入阻抗由反饋電阻決定；B.電壓跟隨器可用作阻抗匹配；C.積分電路輸出與輸入電壓的積分成正比；D.理想運(yùn)放開(kāi)環(huán)增益為無(wú)窮大。33、電磁波傳播特性中，以下屬于地波傳播特點(diǎn)的是（）。A.沿直線傳播；B.受電離層反射；C.適用于低頻通信；D.衰減隨頻率升高而增大。34、數(shù)字通信系統(tǒng)中，采用QPSK調(diào)制的優(yōu)點(diǎn)包括（）。A.抗干擾能力優(yōu)于BPSK；B.頻譜效率是2bit/s/Hz；C.每個(gè)符號(hào)攜帶2個(gè)比特信息；D.實(shí)現(xiàn)復(fù)雜度低于FSK。35、下列邏輯門(mén)電路中，能實(shí)現(xiàn)任意組合邏輯函數(shù)的是（）。A.與門(mén)；B.或非門(mén)；C.異或門(mén)；D.與非門(mén)。36、關(guān)于OSI七層模型，以下描述正確的是（）。A.物理層定義電壓電平標(biāo)準(zhǔn)；B.數(shù)據(jù)鏈路層負(fù)責(zé)錯(cuò)誤檢測(cè)；C.網(wǎng)絡(luò)層處理MAC地址尋址；D.傳輸層提供端到端流量控制。37、嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)中，以下屬于RTOS（實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)）特點(diǎn)的是（）。A.任務(wù)調(diào)度確定性；B.支持多任務(wù)并行；C.內(nèi)核體積可裁剪；D.無(wú)需中斷處理機(jī)制。38、壓阻式傳感器的工作原理與下列哪些因素相關(guān)？（）A.材料電阻率變化；B.幾何尺寸形變；C.溫度漂移補(bǔ)償；D.霍爾效應(yīng)。39、開(kāi)關(guān)電源相較于線性電源的優(yōu)勢(shì)包括（）。A.效率更高；B.輸出紋波更小；C.體積更緊湊；D.動(dòng)態(tài)響應(yīng)更快。40、自動(dòng)控制系統(tǒng)中，負(fù)反饋的主要作用包括（）。A.提高系統(tǒng)穩(wěn)定性；B.增加開(kāi)環(huán)增益；C.抑制外部干擾；D.減小帶寬范圍。41、下列關(guān)于半導(dǎo)體材料特性的描述，正確的是：A.硅是典型的元素半導(dǎo)體材料；B.本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力主要由溫度決定；C.P型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是電子；D.摻雜濃度越高，半導(dǎo)體導(dǎo)電性能越強(qiáng)42、在通信系統(tǒng)中，5G相比4G的主要技術(shù)革新體現(xiàn)在：A.采用OFDM調(diào)制技術(shù)；B.頻譜效率提升至3倍以上；C.時(shí)延降低至1ms級(jí)別；D.支持大規(guī)模設(shè)備連接的網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)43、計(jì)算機(jī)CPU的基本組成包括：A.運(yùn)算器；B.控制器；C.高速緩存；D.輸入/輸出接口44、以下屬于物聯(lián)網(wǎng)感知層關(guān)鍵技術(shù)的有：A.RFID技術(shù)；B.無(wú)線傳感網(wǎng)絡(luò)；C.云計(jì)算平臺(tái)；D.嵌入式系統(tǒng)45、根據(jù)企業(yè)社會(huì)責(zé)任理論，企業(yè)應(yīng)履行的責(zé)任包含：A.經(jīng)濟(jì)責(zé)任；B.法律責(zé)任；C.技術(shù)創(chuàng)新責(zé)任；D.倫理責(zé)任三、判斷題判斷下列說(shuō)法是否正確（共10題）46、中國(guó)電子科技集團(tuán)的核心業(yè)務(wù)主要以民用消費(fèi)電子產(chǎn)品為主。A.是B.否47、校園招聘筆試中，性格測(cè)試環(huán)節(jié)的結(jié)果可能影響最終錄用決策。A.是B.否48、在模擬電路中，負(fù)反饋可以提升放大器的輸出電壓穩(wěn)定性。A.是B.否49、嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)中，RISC架構(gòu)的處理器因指令集復(fù)雜而具備高性能優(yōu)勢(shì)。A.是B.否50、CAN總線通信協(xié)議因高實(shí)時(shí)性，廣泛應(yīng)用于汽車(chē)電子控制系統(tǒng)。A.是B.否51、C++語(yǔ)言因面向?qū)ο筇匦?，已成為嵌入式開(kāi)發(fā)領(lǐng)域的絕對(duì)主流編程語(yǔ)言。A.是B.否52、電磁兼容性（EMC）設(shè)計(jì)中，僅需關(guān)注設(shè)備對(duì)外干擾，無(wú)需防范外界干擾。A.是B.否53、FPGA芯片內(nèi)部邏輯單元可通過(guò)編程重復(fù)配置，實(shí)現(xiàn)不同數(shù)字電路功能。A.是B.否54、物聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)開(kāi)發(fā)中，Java語(yǔ)言因高效率特性被優(yōu)先選用。A.是B.否55、VerilogHDL硬件描述語(yǔ)言僅用于數(shù)字電路設(shè)計(jì)，不支持模擬電路仿真。A.是B.否

參考答案及解析1.【參考答案】C【解析】砷化鎵（GaAs）具有高電子遷移率和直接帶隙特性，適合高頻器件制作。硅（A）廣泛用于通用芯片，但高頻性能較差；碳化硅（D）主要用于高功率器件。2.【參考答案】B【解析】虛短（兩端電位相等）和虛斷（輸入電流為零）是理想運(yùn)放線性區(qū)的核心特征，虛地是指反相輸入端與地等電位的特殊情況。3.【參考答案】B【解析】QPSK（四相相移鍵控）通過(guò)4種相位狀態(tài)表示2比特信息（22=4），而8PSK對(duì)應(yīng)3比特（C項(xiàng)），16QAM對(duì)應(yīng)4比特（D項(xiàng)）。4.【參考答案】C【解析】物理層定義電氣、機(jī)械特性，實(shí)現(xiàn)比特流的物理傳輸；路由選擇（A）對(duì)應(yīng)網(wǎng)絡(luò)層，進(jìn)程通信（B）對(duì)應(yīng)傳輸層，數(shù)據(jù)加密（D）在應(yīng)用層處理。5.【參考答案】C【解析】電容通過(guò)電場(chǎng)存儲(chǔ)能量（E=?CU2），電感通過(guò)磁場(chǎng)存儲(chǔ)能量；電阻消耗能量（A），晶體管（B）為有源器件，繼電器（D）是開(kāi)關(guān)元件。6.【參考答案】A【解析】255=256-1，8位二進(jìn)制最大值為255（全1），補(bǔ)碼表示正數(shù)時(shí)與原碼相同，故全1為255；負(fù)數(shù)-1的補(bǔ)碼也是全1，需結(jié)合符號(hào)位判斷。7.【參考答案】C【解析】超短波（30-300MHz）穿透電離層，主要以直射波（空間波）傳播，用于電視、移動(dòng)通信；地波（A）適用于低頻，天波（B）用于短波通信。8.【參考答案】C【解析】靜態(tài)特性指輸入不隨時(shí)間變化時(shí)的輸出特性，包括靈敏度（輸出變化/輸入變化）、線性度、遲滯等；頻率響應(yīng)（C）是動(dòng)態(tài)特性指標(biāo)。9.【參考答案】C【解析】數(shù)組未初始化元素默認(rèn)補(bǔ)0，a[0]=1,a[1]=2,a[2]=3，a[3]=0,a[4]=0。注意數(shù)組下標(biāo)從0開(kāi)始。10.【參考答案】B【解析】v=1/√(με)，速度由介質(zhì)的磁導(dǎo)率μ和介電常數(shù)ε決定；頻率（A）與波長(zhǎng)（C）相關(guān)，但速度由介質(zhì)特性決定。11.【參考答案】B【解析】奈奎斯特定理規(guī)定采樣頻率需至少為信號(hào)最高頻率的兩倍，故10kHz×2=20kHz，選B。12.【參考答案】B【解析】死鎖的四個(gè)必要條件為互斥、不可搶占、循環(huán)等待和持有并等待，選B。13.【參考答案】C【解析】本征半導(dǎo)體通過(guò)摻雜可轉(zhuǎn)化為P型（摻硼）或N型（摻磷），選C。A錯(cuò)誤，D錯(cuò)誤因其導(dǎo)電性較弱。14.【參考答案】B【解析】QPSK通過(guò)4種相位表示2bit數(shù)據(jù)（00/01/11/10），選B。15.【參考答案】D【解析】鏈表插入刪除僅需修改指針，時(shí)間復(fù)雜度為O(1)，而數(shù)組需移動(dòng)元素，選D。16.【參考答案】B【解析】客戶端先發(fā)SYN，服務(wù)端響應(yīng)SYN-ACK，客戶端再回ACK，選B。17.【參考答案】A【解析】RTOS強(qiáng)調(diào)任務(wù)在截止時(shí)間內(nèi)完成，選A。18.【參考答案】B【解析】不同極化方式的反射系數(shù)公式不同，垂直極化與水平極化結(jié)果不同，選B。19.【參考答案】C【解析】CMOS靜態(tài)功耗公式為P=CV2f，與頻率f正相關(guān)，選C。20.【參考答案】C【解析】copy.copy()和切片[:]均可實(shí)現(xiàn)淺拷貝，但選項(xiàng)中僅C為標(biāo)準(zhǔn)方法，選C。21.【參考答案】D【解析】中國(guó)電科研發(fā)的衛(wèi)星通信系統(tǒng)覆蓋多種頻段，Ka（26.5-40GHz）、C（4-8GHz）、L（1-2GHz）均用于不同場(chǎng)景，D項(xiàng)正確。22.【參考答案】C【解析】相控陣?yán)走_(dá)通過(guò)電子掃描實(shí)現(xiàn)波束控制，無(wú)需機(jī)械轉(zhuǎn)動(dòng)，C項(xiàng)屬于傳統(tǒng)雷達(dá)特征，錯(cuò)誤。23.【參考答案】C【解析】單脈沖測(cè)向技術(shù)通過(guò)同時(shí)接收多個(gè)波束信號(hào)計(jì)算角度，定位精度高，適用于電子對(duì)抗場(chǎng)景，C項(xiàng)正確。24.【參考答案】A【解析】根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)數(shù)據(jù)，7nm工藝晶體管密度約0.1億個(gè)/平方毫米（即1×10^8），A項(xiàng)最接近。25.【參考答案】B【解析】SM4算法密鑰長(zhǎng)度為128位，分組長(zhǎng)度為128位，B項(xiàng)正確。26.【參考答案】A【解析】短波通信利用電離層反射實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)距離傳輸，無(wú)需中繼設(shè)備且隱蔽性強(qiáng)，A項(xiàng)正確。27.【參考答案】B【解析】分布式優(yōu)化算法可降低中心節(jié)點(diǎn)壓力，適應(yīng)大規(guī)模集群實(shí)時(shí)性需求，B項(xiàng)更優(yōu)。28.【參考答案】A【解析】焦平面探測(cè)器集成讀出電路，顯著提升成像幀率，但需制冷且成本較高，A項(xiàng)正確。29.【參考答案】B【解析】傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試針對(duì)電源線/信號(hào)線傳導(dǎo)的干擾，B項(xiàng)正確；A項(xiàng)對(duì)應(yīng)輻射發(fā)射測(cè)試。30.【參考答案】B【解析】S11表示輸入端反射系數(shù)，反映阻抗匹配程度，B項(xiàng)正確；駐波比是S11的衍生參數(shù)。31.【參考答案】AB【解析】硅的禁帶寬度（1.1eV）大于鍺（0.67eV），A正確；本征半導(dǎo)體中自由電子與空穴濃度相同，B正確；摻雜三價(jià)元素形成P型半導(dǎo)體，C錯(cuò)誤；溫度升高時(shí)半導(dǎo)體載流子濃度增加，電阻率降低，D錯(cuò)誤。32.【參考答案】A【解析】反相放大器的輸入阻抗由輸入端電阻決定，而非反饋電阻，A錯(cuò)誤；電壓跟隨器具有高輸入阻抗和低輸出阻抗，適合阻抗匹配，B正確；積分電路輸出電壓與輸入電壓對(duì)時(shí)間的積分成正比，C正確；理想運(yùn)放開(kāi)環(huán)增益為無(wú)窮大是基本特性，D正確。33.【參考答案】CD【解析】地波傳播通過(guò)地面與大氣層交界面?zhèn)鞑?，低頻信號(hào)繞射能力強(qiáng)，適用于低頻通信（C正確）；高頻信號(hào)衰減顯著（D正確）；直線傳播為視距傳播特點(diǎn)（A錯(cuò)誤）；電離層反射對(duì)應(yīng)天波傳播（B錯(cuò)誤）。34.【參考答案】BC【解析】QPSK每個(gè)符號(hào)攜帶2bit信息，頻譜效率為2bit/s/Hz（B、C正確）；QPSK抗干擾能力弱于BPSK（A錯(cuò)誤）；QPSK實(shí)現(xiàn)復(fù)雜度高于FSK（D錯(cuò)誤）。35.【參考答案】BD【解析】或非門(mén)與與非門(mén)均屬于通用邏輯門(mén)，可通過(guò)組合實(shí)現(xiàn)任意邏輯功能（B、D正確）；與門(mén)和異或門(mén)無(wú)法單獨(dú)實(shí)現(xiàn)所有邏輯函數(shù)（A、C錯(cuò)誤）。36.【參考答案】ABD【解析】物理層規(guī)定傳輸介質(zhì)電氣特性（A正確）；數(shù)據(jù)鏈路層通過(guò)校驗(yàn)和實(shí)現(xiàn)錯(cuò)誤檢測(cè)（B正確）；網(wǎng)絡(luò)層處理IP地址，MAC地址屬于數(shù)據(jù)鏈路層（C錯(cuò)誤）；傳輸層的TCP協(xié)議具備流量控制功能（D正確）。37.【參考答案】ABC【解析】RTOS要求任務(wù)調(diào)度時(shí)間可預(yù)測(cè)（A正確），支持多任務(wù)調(diào)度（B正確），內(nèi)核模塊化設(shè)計(jì)支持裁剪（C正確）；RTOS必須具備高效中斷處理能力（D錯(cuò)誤）。38.【參考答案】ABC【解析】壓阻效應(yīng)指材料受力后電阻率變化（A正確），同時(shí)幾何形變導(dǎo)致阻值變化（B正確）；實(shí)際應(yīng)用需溫度補(bǔ)償（C正確）；霍爾效應(yīng)屬于磁電轉(zhuǎn)換原理（D錯(cuò)誤）。39.【參考答案】AC【解析】開(kāi)關(guān)電源通過(guò)高頻開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)高效率（A正確）和小型化（C正確）；因開(kāi)關(guān)噪聲存在，輸出紋波通常大于線性電源（B錯(cuò)誤）；動(dòng)態(tài)響應(yīng)速度低于線性電源（D錯(cuò)誤）。40.【參考答案】AC【解析】負(fù)反饋通過(guò)降低閉環(huán)增益提升穩(wěn)定性（A正確，B錯(cuò)誤），能有效抑制反饋環(huán)內(nèi)的外部干擾（C正確）；負(fù)反饋會(huì)擴(kuò)展系統(tǒng)帶寬（D錯(cuò)誤）。41.【參考答案】ABD【解析】P型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是空穴（C錯(cuò)誤）。本征半導(dǎo)體的載流子濃度與溫度呈指數(shù)關(guān)系，溫度升高時(shí)導(dǎo)電能力顯著增強(qiáng)；摻雜半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能隨摻雜濃度增加而提升，但過(guò)高會(huì)導(dǎo)致晶格缺陷影響性能。42.【參考答案】BCD【解析】OFDM是4G已采用的技術(shù)（A錯(cuò)誤）。5G通過(guò)大規(guī)模MIMO、毫米波等技術(shù)實(shí)現(xiàn)頻譜效率突破；網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)通過(guò)虛擬化實(shí)現(xiàn)多場(chǎng)景定制化服務(wù)；uRLLC場(chǎng)景實(shí)現(xiàn)超低時(shí)延。43.【參考答案】AB【解析】CPU核心由運(yùn)算器（ALU）、控制器和寄存器組成。高速緩存屬于存儲(chǔ)層次結(jié)構(gòu)，輸入/輸出接口屬于芯片組功能模塊，均不直接構(gòu)成CPU核心。44.【參考答案】ABD【解析】云計(jì)算平臺(tái)屬于物聯(lián)網(wǎng)的云計(jì)算層（處理層），感知層主要負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)采集，包含傳感器、RFID、WSN等感知設(shè)備及嵌入式控制單元。45.【參考答案】ABD【解析】企業(yè)社會(huì)責(zé)任四階段模型包含經(jīng)濟(jì)（基礎(chǔ)）、法律（規(guī)制）、倫理（道德期待）和慈善責(zé)任，技術(shù)創(chuàng)新屬于企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力范疇，非社會(huì)責(zé)任強(qiáng)制要求。46.【參考答案】B【解析】中國(guó)電子科技集團(tuán)（CETC）以軍事電子、信息系統(tǒng)、電子信息技術(shù)為核心業(yè)務(wù)，民用產(chǎn)品占比較低，重點(diǎn)服務(wù)國(guó)防和公共安全領(lǐng)域。47.【參考答案】A【解析】央企招聘中，性格測(cè)試常用于評(píng)估崗位匹配度，尤其技術(shù)崗需考察抗壓能力、團(tuán)隊(duì)協(xié)作傾向，結(jié)果作為綜合評(píng)價(jià)參考項(xiàng)。48.【參考答案】A【解析】負(fù)反饋通過(guò)犧牲增益換取穩(wěn)定性，降低非線性失真，抑制溫度漂移，是提升電路穩(wěn)定性的關(guān)鍵技術(shù)手段。49.【參考答案】B【解析】RISC架構(gòu)采用精簡(jiǎn)指令集，降低硬件復(fù)雜度，提高執(zhí)行效率，適用于低功耗、實(shí)時(shí)性要求高的嵌入式場(chǎng)景。50.【參考答案】A【解析】CAN總線支持優(yōu)先級(jí)仲裁機(jī)制，抗干擾能力強(qiáng)，通信速率可達(dá)1Mbps，是車(chē)載網(wǎng)絡(luò)主流協(xié)議之一。51.【參考答案】B【解析】嵌入式開(kāi)發(fā)仍以C語(yǔ)言為主，C++在復(fù)雜項(xiàng)目中使用，但需權(quán)衡內(nèi)存占用和實(shí)時(shí)性，非絕對(duì)主導(dǎo)地位。52.【參考答案】B【解析】EMC設(shè)計(jì)需同時(shí)滿足發(fā)射控制和抗擾度要求，確保設(shè)備在電磁環(huán)境中正常工作且不干擾其他設(shè)備。53.【參考答案】A【解析】FPGA基于可編程邏輯塊（如LUT）和互連資源，支持多次燒錄，適用于原型驗(yàn)證和定制化計(jì)算加速。54.【參考答案】B【解析】物聯(lián)網(wǎng)后端常用Python、Go或C++，Java因運(yùn)行效率和資源占用問(wèn)題較少用于硬件端，更適用于企業(yè)級(jí)應(yīng)用。55.【參考答案】B【解析】Verilog可通過(guò)Verilog-AMS擴(kuò)展支持模擬和混合信號(hào)仿真，但主流應(yīng)用仍集中于數(shù)字電路建模與綜合。

2025中國(guó)電子科技集團(tuán)校園招聘1000人筆試歷年?？键c(diǎn)試題專(zhuān)練附帶答案詳解（第2套）一、單項(xiàng)選擇題下列各題只有一個(gè)正確答案，請(qǐng)選出最恰當(dāng)?shù)倪x項(xiàng)（共30題）1、某國(guó)產(chǎn)CPU研發(fā)項(xiàng)目需突破核心架構(gòu)技術(shù)瓶頸，主要涉及以下哪項(xiàng)技術(shù)領(lǐng)域？A.量子通信B.超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)C.生物識(shí)別D.工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)2、中國(guó)電子科技集團(tuán)在北斗衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)建設(shè)中，主要承擔(dān)了以下哪類(lèi)設(shè)備的研發(fā)？A.原子鐘B.地面測(cè)控站C.用戶終端D.星間鏈路3、根據(jù)《"十四五"數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展規(guī)劃》，以下哪項(xiàng)技術(shù)最可能納入CETC重點(diǎn)攻關(guān)方向？A.區(qū)塊鏈分布式賬本B.6G網(wǎng)絡(luò)太赫茲通信C.氫能儲(chǔ)能材料D.智能制造工業(yè)軟件4、某雷達(dá)系統(tǒng)采用氮化鎵（GaN）器件提升性能，其核心優(yōu)勢(shì)在于：A.降低信號(hào)延遲B.提高功率密度C.簡(jiǎn)化調(diào)制解調(diào)D.優(yōu)化波束成形5、某軍工項(xiàng)目需滿足GJB9001C-2017標(biāo)準(zhǔn)要求，該標(biāo)準(zhǔn)主要涉及：A.信息安全體系B.武器裝備質(zhì)量體系C.職業(yè)健康安全D.環(huán)境管理體系6、某電子對(duì)抗系統(tǒng)需對(duì)抗新型認(rèn)知雷達(dá)，最有效技術(shù)手段是：A.寬譜干擾B.自適應(yīng)捷變頻C.欺騙式誘餌D.高功率微波7、某數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)項(xiàng)目采用7nm制程工藝，其特征尺寸約相當(dāng)于：A.3個(gè)硅原子直徑B.10個(gè)硅原子直徑C.20個(gè)硅原子直徑D.50個(gè)硅原子直徑8、某航天器采用LDPC碼進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，該編碼主要實(shí)現(xiàn)：A.數(shù)據(jù)壓縮B.加密保護(hù)C.信道糾錯(cuò)D.調(diào)制解調(diào)9、某艦載雷達(dá)采用雙波段體制，其核心優(yōu)勢(shì)在于：A.降低功耗B.提高測(cè)距精度C.增強(qiáng)多目標(biāo)跟蹤D.改善抗干擾能力10、根據(jù)《新一代人工智能發(fā)展規(guī)劃》，CETC最可能優(yōu)先開(kāi)發(fā)哪類(lèi)AI技術(shù)？A.智能客服系統(tǒng)B.工業(yè)視覺(jué)檢測(cè)C.軍事智能決策D.智慧醫(yī)療服務(wù)11、一無(wú)限長(zhǎng)直導(dǎo)線通有電流I=5A，在距離導(dǎo)線0.1m處的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為（μ?=4π×10??H/m）A.1×10??TB.2×10??TC.1×10??TD.2×10??T12、PN結(jié)在正向偏置時(shí)，其耗盡層會(huì)A.變寬B.變窄C.不變D.完全消失13、操作系統(tǒng)中，當(dāng)進(jìn)程等待的I/O操作完成后，進(jìn)程狀態(tài)會(huì)從A.就緒態(tài)→運(yùn)行態(tài)B.運(yùn)行態(tài)→阻塞態(tài)C.阻塞態(tài)→就緒態(tài)D.運(yùn)行態(tài)→就緒態(tài)14、十進(jìn)制數(shù)255對(duì)應(yīng)的8位二進(jìn)制補(bǔ)碼為A.01111111B.10000000C.11111111D.1111111015、理想運(yùn)算放大器工作在線性區(qū)時(shí)，滿足A.虛短B.虛斷C.虛短和虛斷D.無(wú)任何特性16、若采樣頻率為8kHz，根據(jù)奈奎斯特定理可無(wú)失真恢復(fù)的最高信號(hào)頻率為A.2kHzB.4kHzC.8kHzD.16kHz17、ARM處理器中，用于快速中斷處理的異常模式是A.用戶模式B.管理模式C.快中斷模式D.中斷模式18、C語(yǔ)言中，若有定義inta[3][4];則a[1][2]的地址計(jì)算式為A.a+6B.a+5C.a+1*4+2D.a+2*4+119、硅材料半導(dǎo)體在絕對(duì)零度時(shí)，其載流子濃度為A.與溫度無(wú)關(guān)B.本征載流子濃度C.零D.雜質(zhì)濃度決定20、IPv4地址192.168.1.0/24的子網(wǎng)掩碼為A.255.255.0.0B.255.255.255.0C.255.0.0.0D.255.255.255.25521、某電路中，電阻R1與R2并聯(lián)后接入12V電源，已知R1=4Ω，R2=6Ω，則流過(guò)R1的電流為？A.1AB.2AC.3AD.4A22、以下通信協(xié)議中，屬于5G技術(shù)核心頻段的是？A.Sub-6GHzB.2.4GHzC.GSM900D.CDMA200023、下列哪項(xiàng)技術(shù)屬于低功耗廣域網(wǎng)（LPWAN）的主要應(yīng)用場(chǎng)景？A.智能電表B.4K視頻傳輸C.高速鐵路通信D.數(shù)據(jù)中心互聯(lián)24、關(guān)于ARM架構(gòu)處理器，以下說(shuō)法正確的是？A.采用復(fù)雜指令集（CISC）B.主頻普遍高于x86架構(gòu)C.功耗較低D.主要用于桌面計(jì)算機(jī)25、UART通信協(xié)議的典型特征是？A.使用時(shí)鐘線同步數(shù)據(jù)B.需共享同一參考時(shí)鐘C.支持多主節(jié)點(diǎn)通信D.包含起始位、停止位26、以下哪種技術(shù)能有效提升無(wú)線信號(hào)穿透能力？A.提高載波頻率B.采用波束賦形C.增大發(fā)射功率D.降低調(diào)制階數(shù)27、某放大電路的電壓增益為20dB，對(duì)應(yīng)的電壓放大倍數(shù)為？A.2倍B.10倍C.20倍D.100倍28、在數(shù)字電路中，三態(tài)門(mén)的輸出不包含以下哪種狀態(tài)？A.高電平B.低電平C.高阻態(tài)D.短路態(tài)29、關(guān)于PCB布局設(shè)計(jì)，以下做法正確的是？A.模擬與數(shù)字電路共用地平面B.高速信號(hào)線靠近電源線C.關(guān)鍵信號(hào)線采用帶狀線結(jié)構(gòu)D.高頻器件靠近外殼接口30、某系統(tǒng)采用CRC校驗(yàn)，生成多項(xiàng)式為x3+x+1，則對(duì)應(yīng)二進(jìn)制數(shù)為？A.10011B.10101C.11001D.11101二、多項(xiàng)選擇題下列各題有多個(gè)正確答案，請(qǐng)選出所有正確選項(xiàng)（共15題）31、某雷達(dá)系統(tǒng)采用相控陣天線技術(shù)，其優(yōu)勢(shì)可能包括以下哪些特征？A.掃描速度更快B.波束指向更靈活C.多目標(biāo)跟蹤能力更強(qiáng)D.結(jié)構(gòu)更簡(jiǎn)單32、以下哪些屬于數(shù)字信號(hào)處理的基本操作？A.采樣與量化B.快速傅里葉變換C.脈沖編碼調(diào)制D.阻抗匹配33、根據(jù)電磁波傳播特性，以下哪些現(xiàn)象可能導(dǎo)致信號(hào)衰減？A.電離層反射B.多徑效應(yīng)C.自由空間損耗D.建筑物繞射34、中國(guó)電科集團(tuán)研發(fā)的預(yù)警機(jī)系統(tǒng)可能集成以下哪些關(guān)鍵技術(shù)？A.有源相控陣?yán)走_(dá)B.數(shù)據(jù)鏈通信C.光電探測(cè)系統(tǒng)D.激光武器模塊35、關(guān)于通信系統(tǒng)中信噪比提升措施，以下哪些方法可行？A.增大發(fā)送功率B.采用糾錯(cuò)編碼C.提高載波頻率D.使用分集接收技術(shù)36、某微波組件采用GaN功放管，其優(yōu)勢(shì)可能包含：A.高功率密度B.低噪聲系數(shù)C.高效率D.寬禁帶特性37、電子對(duì)抗系統(tǒng)中，以下哪些屬于主動(dòng)干擾手段？A.噪聲壓制干擾B.角反射器投放C.欺騙性假目標(biāo)D.吸波材料涂覆38、數(shù)字電路設(shè)計(jì)中，以下哪些因素會(huì)影響FPGA的時(shí)鐘頻率？A.組合邏輯延遲B.觸發(fā)器建立時(shí)間C.PCB布線長(zhǎng)度D.供電電壓穩(wěn)定性39、衛(wèi)星通信系統(tǒng)中，以下哪些技術(shù)可用于提升頻譜效率？A.高階調(diào)制B.多波束天線C.功率控制D.正交頻分復(fù)用40、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中，低功耗廣域網(wǎng)絡(luò)（LPWAN）技術(shù)適用于：A.智能電表B.高速列車(chē)監(jiān)測(cè)C.環(huán)境傳感器D.工業(yè)機(jī)器人41、在雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，下列關(guān)于天線方向性的描述正確的是：A.相控陣?yán)走_(dá)通過(guò)機(jī)械轉(zhuǎn)動(dòng)實(shí)現(xiàn)波束掃描B.脈沖雷達(dá)天線通常具有高增益特性C.連續(xù)波雷達(dá)的發(fā)射與接收天線必須分離D.多普勒雷達(dá)利用天線頻率變化檢測(cè)目標(biāo)速度42、下列屬于無(wú)線通信調(diào)制技術(shù)的是：A.幅移鍵控（ASK）B.頻移鍵控（FSK）C.脈沖編碼調(diào)制（PCM）D.正交頻分復(fù)用（OFDM）43、關(guān)于CMOS集成電路特性，下列說(shuō)法正確的是：A.靜態(tài)功耗接近零B.抗干擾能力優(yōu)于TTL電路C.工作速度與電源電壓無(wú)關(guān)D.輸入阻抗高但易受靜電損傷44、下列協(xié)議屬于物聯(lián)網(wǎng)感知層通信標(biāo)準(zhǔn)的是：A.ZigBeeB.LoRaC.MQTTD.CoAP45、在數(shù)字信號(hào)處理中，快速傅里葉變換（FFT）的作用包括：A.降低傅里葉變換計(jì)算復(fù)雜度B.將時(shí)域信號(hào)轉(zhuǎn)換為頻域表示C.實(shí)現(xiàn)信號(hào)卷積運(yùn)算的快速計(jì)算D.提升信號(hào)采樣精度三、判斷題判斷下列說(shuō)法是否正確（共10題）46、本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能主要由自由電子和空穴共同決定。A.正確B.錯(cuò)誤47、運(yùn)算放大器構(gòu)成的反相放大電路中，輸入電阻無(wú)窮大，輸出電阻為零。A.正確B.錯(cuò)誤48、根據(jù)香農(nóng)定理，信道容量?jī)H與帶寬和信噪比有關(guān)，與編碼方式無(wú)關(guān)。A.正確B.錯(cuò)誤49、QPSK調(diào)制方式中，每個(gè)符號(hào)攜帶2bit信息，且星座點(diǎn)間最小相位差為90度。A.正確B.錯(cuò)誤50、二進(jìn)制補(bǔ)碼表示的數(shù)值范圍是-2??1~2??1-1（n為位數(shù)）。A.正確B.錯(cuò)誤51、電磁波在理想導(dǎo)體表面會(huì)發(fā)生全反射，且透入深度趨近于無(wú)窮大。A.正確B.錯(cuò)誤52、TCP/IP協(xié)議中，TCP提供可靠傳輸服務(wù)，IP負(fù)責(zé)主機(jī)間尋址和路由。A.正確B.錯(cuò)誤53、負(fù)反饋控制系統(tǒng)一定會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)穩(wěn)定性下降。A.正確B.錯(cuò)誤54、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)中，棧的“先進(jìn)后出”特性意味著其插入和刪除操作均在棧頂進(jìn)行。A.正確B.錯(cuò)誤55、5G通信技術(shù)主要采用6GHz以下頻段以實(shí)現(xiàn)高速率與低時(shí)延。A.正確B.錯(cuò)誤

參考答案及解析1.【參考答案】B【解析】超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)是CPU研發(fā)的核心技術(shù)，涉及芯片性能與能效優(yōu)化。量子通信（A）屬前沿通信技術(shù)，生物識(shí)別（C）側(cè)重應(yīng)用層，工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)（D）屬工業(yè)數(shù)字化領(lǐng)域，均與CPU基礎(chǔ)架構(gòu)無(wú)關(guān)。2.【參考答案】B【解析】CETC在北斗系統(tǒng)中負(fù)責(zé)地面設(shè)備研制，包括測(cè)控站（B）和運(yùn)控系統(tǒng)。原子鐘（A）由航天科技集團(tuán)主導(dǎo)，星間鏈路（D）屬衛(wèi)星平臺(tái)技術(shù)，用戶終端（C）為下游應(yīng)用產(chǎn)品。3.【參考答案】B【解析】太赫茲通信（B）是6G網(wǎng)絡(luò)關(guān)鍵技術(shù)，符合規(guī)劃中"前瞻布局6G網(wǎng)絡(luò)技術(shù)儲(chǔ)備"要求。氫能（C）屬新能源領(lǐng)域，工業(yè)軟件（D）雖重要但屬通用領(lǐng)域，區(qū)塊鏈（A）未被單獨(dú)強(qiáng)調(diào)。4.【參考答案】B【解析】氮化鎵器件具有高擊穿電壓和電子遷移率，可顯著提升功率密度（B），適用于高功率雷達(dá)發(fā)射機(jī)。波束成形（D）依賴陣列設(shè)計(jì)，調(diào)制解調(diào)（C）與信號(hào)處理相關(guān)，信號(hào)延遲（A）主要受傳輸介質(zhì)影響。5.【參考答案】B【解析】GJB9001C-2017是軍用標(biāo)準(zhǔn)的質(zhì)量管理體系（B），適用于武器裝備全生命周期管理。信息安全（A）對(duì)應(yīng)GB/T22080，職業(yè)健康（C）對(duì)應(yīng)ISO45001，環(huán)境管理（D）對(duì)應(yīng)ISO14001。6.【參考答案】B【解析】認(rèn)知雷達(dá)具備頻率捷變能力，需采用自適應(yīng)捷變頻干擾（B）實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)對(duì)抗。寬譜干擾（A）易被過(guò)濾，誘餌（C）針對(duì)方位欺騙，高功率微波（D）屬定向能武器，適用于硬殺傷。7.【參考答案】C【解析】硅原子直徑約0.2nm，7nm工藝對(duì)應(yīng)約35個(gè)硅原子間距，實(shí)際特征尺寸（如柵極長(zhǎng)度）約為20倍硅原子直徑（C）。選項(xiàng)中20倍接近理論值且符合行業(yè)表述習(xí)慣。8.【參考答案】C【解析】LDPC（低密度奇偶校驗(yàn)）碼屬于前向糾錯(cuò)編碼（C），通過(guò)冗余校驗(yàn)提升信道傳輸可靠性。數(shù)據(jù)壓縮（A）屬信源編碼，加密（B）涉及安全傳輸，調(diào)制（D）是信號(hào)成型過(guò)程。9.【參考答案】D【解析】雙波段雷達(dá)通過(guò)不同頻段互補(bǔ)（如S+X波段），可有效對(duì)抗壓制性干擾和箔條干擾（D）。測(cè)距精度（B）主要與帶寬相關(guān)，多目標(biāo)跟蹤（C）依賴算法優(yōu)化，功耗（A）不是主要設(shè)計(jì)目標(biāo)。10.【參考答案】C【解析】規(guī)劃明確要求"促進(jìn)人工智能在國(guó)防領(lǐng)域的應(yīng)用"，結(jié)合CETC軍工背景，軍事智能決策（C）最符合戰(zhàn)略需求。工業(yè)（B）和醫(yī)療（D）屬民用領(lǐng)域，智能客服（A）技術(shù)門(mén)檻較低。11.【參考答案】A【解析】根據(jù)安培環(huán)路定理B=μ?I/(2πr)，代入數(shù)據(jù)得B=(4π×10??×5)/(2π×0.1)=1×10??T。選項(xiàng)A正確。12.【參考答案】B【解析】正向偏置降低內(nèi)建電勢(shì)差，使耗盡層中載流子擴(kuò)散增強(qiáng)，導(dǎo)致耗盡層變窄。選項(xiàng)B正確。13.【參考答案】C【解析】I/O完成后中斷處理程序?qū)⑦M(jìn)程狀態(tài)從阻塞態(tài)轉(zhuǎn)為就緒態(tài)，等待調(diào)度。選項(xiàng)C正確。14.【參考答案】C【解析】255為正數(shù)，補(bǔ)碼等于原碼。255=2?-1，故8位二進(jìn)制全1。選項(xiàng)C正確。15.【參考答案】C【解析】線性區(qū)需滿足虛短（輸入兩端電位相等）和虛斷（輸入電流為0）。選項(xiàng)C正確。16.【參考答案】B【解析】奈奎斯特頻率為采樣頻率的一半，即8kHz/2=4kHz。選項(xiàng)B正確。17.【參考答案】C【解析】快中斷模式（FIQ）專(zhuān)為低延遲中斷設(shè)計(jì)，擁有獨(dú)立寄存器組。選項(xiàng)C正確。18.【參考答案】C【解析】二維數(shù)組地址計(jì)算為a+行數(shù)×列數(shù)+列數(shù)索引。1*4+2=6，選項(xiàng)C正確。19.【參考答案】C【解析】絕對(duì)零度下所有載流子被凍結(jié)，濃度為零。選項(xiàng)C正確。20.【參考答案】B【解析】/24表示前24位為網(wǎng)絡(luò)位，對(duì)應(yīng)子網(wǎng)掩碼255.255.255.0。選項(xiàng)B正確。21.【參考答案】C【解析】并聯(lián)電路電壓相等，U=12V。根據(jù)歐姆定律，I1=U/R1=12V/4Ω=3A。22.【參考答案】A【解析】5G采用Sub-6GHz（低于6GHz）和毫米波（如28GHz/39GHz）頻段，Sub-6GHz兼顧覆蓋與速率，是主流部署方案。23.【參考答案】A【解析】LPWAN（如LoRa、NB-IoT）具備低功耗、廣覆蓋特性，適用于智能電表等周期性小數(shù)據(jù)量傳輸場(chǎng)景。24.【參考答案】C【解析】ARM采用精簡(jiǎn)指令集（RISC），功耗低，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備和嵌入式系統(tǒng)。x86架構(gòu)主頻更高但功耗較大。25.【參考答案】D【解析】UART為異步串行通信協(xié)議，通過(guò)起始位、停止位實(shí)現(xiàn)幀同步，無(wú)需共享時(shí)鐘，通信雙方需約定波特率。26.【參考答案】B【解析】波束賦形通過(guò)定向增強(qiáng)信號(hào)，提升覆蓋范圍；高頻信號(hào)穿透損耗更大，增大功率可能受法規(guī)限制，降低調(diào)制階數(shù)會(huì)影響速率。27.【參考答案】B【解析】電壓增益dB=20lg(Av)，代入20dB=20lg(Av)得Av=10^(1)=10倍。28.【參考答案】D【解析】三態(tài)門(mén)輸出包含高電平、低電平和高阻態(tài)（斷開(kāi)狀態(tài)），短路態(tài)會(huì)導(dǎo)致器件損壞，不屬于正常工作狀態(tài)。29.【參考答案】C【解析】關(guān)鍵高速信號(hào)線應(yīng)采用帶狀線或微帶線控制阻抗；模擬與數(shù)字電路需分割地平面減少干擾，高頻器件應(yīng)遠(yuǎn)離接口防止輻射干擾。30.【參考答案】A【解析】多項(xiàng)式x3+x+1對(duì)應(yīng)指數(shù)項(xiàng)為3、1、0，二進(jìn)制表示為1011（最高次冪系數(shù)為1，中間缺x2項(xiàng)補(bǔ)0），補(bǔ)全8位為10011。31.【參考答案】ABC【解析】相控陣天線通過(guò)電子控制波束方向，相比機(jī)械掃描顯著提升掃描速度（A），波束可動(dòng)態(tài)調(diào)整指向（B），且多波束技術(shù)能同時(shí)跟蹤多個(gè)目標(biāo)（C）。D錯(cuò)誤，因其陣列結(jié)構(gòu)復(fù)雜度高于傳統(tǒng)天線。32.【參考答案】ABC【解析】采樣量化是模擬信號(hào)數(shù)字化的基礎(chǔ)（A），F(xiàn)FT用于頻域分析（B），PCM是語(yǔ)音編碼標(biāo)準(zhǔn)（C）。D屬于射頻電路設(shè)計(jì)范疇，與數(shù)字信號(hào)處理無(wú)直接關(guān)聯(lián)。33.【參考答案】BCD【解析】多徑導(dǎo)致相位抵消（B），自由空間傳播損耗隨距離增加（C），繞射產(chǎn)生能量擴(kuò)散（D）。電離層反射（A）是短波通信增強(qiáng)機(jī)制，并非衰減主因。34.【參考答案】ABC【解析】現(xiàn)代預(yù)警機(jī)以有源雷達(dá)（A）為核心探測(cè)手段，依賴數(shù)據(jù)鏈（B）實(shí)現(xiàn)信息共享，并搭載光電設(shè)備（C）輔助探測(cè)。激光武器（D）尚未成為預(yù)警機(jī)標(biāo)準(zhǔn)配置。35.【參考答案】ABD【解析】增大功率（A）直接提升信噪比，