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文檔簡介

1、PN結(jié)二極管的制備,主要內(nèi)容： PN結(jié)二極管的制備,1,（0）準備,p-Si,1、制備單晶硅片,2、硅片表面的化學清洗,PN結(jié)二極管的制備,2,(1) 氧化,問題： 1、為什么要雙面氧化？ 2、氧化層的厚度需要大于設(shè)計的厚度，為什么？,PN結(jié)二極管的制備,3,(2) 涂膠,問題：,1、涂膠過程,2、光刻膠分類，作用，常用的光刻膠？,3、涂膠后，曝光前，對光刻膠加固的過程是什么工藝,PN結(jié)二極管的制備,4,Mask 1,黑色部分都是不透光的，中間的白色部分是做擴散的位置。,Mask的剖面圖,PN結(jié)二極管的制備,5,（3）曝光,問題：,1、光刻的作用？,2、圖中使用的是正膠，如果用負膠如何修改工藝

2、？,PN結(jié)二極管的制備,6,（4）顯影,問題： 1、什么是顯影工藝？ 2、顯影液選擇的注意事項。,PN結(jié)二極管的制備,7,（5）腐蝕,問題：,1、腐蝕分為哪兩種形式，各有什么特點？ 2、選用腐蝕液要注意什么？,PN結(jié)二極管的制備,8,（6）去膠,1、通常用什么方法去膠？,問題：,PN結(jié)二極管的制備,9,（7）雜質(zhì)擴散,1、硅片要經(jīng)過適當?shù)那逑春?2、應該擴散什么雜質(zhì) 3、雜質(zhì)擴散源有哪些,4、以液態(tài)擴散源簡要說一下擴散的化學原理,5、這只是雜質(zhì)的預淀積。,問題：,PN結(jié)二極管的制備,10,(8)驅(qū)入,在未被氧化層保護的區(qū)域形成了n+-p結(jié)。 （n+中的“+”號表示高摻雜）,問題：,PN結(jié)二極管

3、的制備,11,（9）金屬化,1、金屬化的目的？,2、淀積金屬薄膜有幾種方法？,3、（低于或等于500oC）退火來改善金屬層 與硅之間的歐姆接觸。,問題：,PN結(jié)二極管的制備,12,(10)涂膠,目的：通過光刻去除擴散結(jié)區(qū)域之外的多余的金屬薄膜。,PN結(jié)二極管的制備,13,Mask 2,Mask,黑色部分都是不透光的，四周的白色部分是刻蝕金屬的位置。,Mask的剖面圖,問題：可不可以用Mask1？,PN結(jié)二極管的制備,14,(11)曝光mask2板,問題： 如果采用負膠，如何修改掩膜板Mask2？,PN結(jié)二極管的制備,15,(12)顯影,問題：顯影液的選擇,PN結(jié)二極管的制備,16,(13)腐蝕,1、此次腐蝕的目的？ 2、腐蝕液的選擇。,PN結(jié)

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