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文檔簡介

1、(三) 分子束外延,分子束外延(MBE)是新發(fā)展起來的外延制膜方法,也是一種特殊的真空鍍膜工藝。它是在超高真空條件下,將薄膜諸組分元素的分子束流直接噴到襯底表面,從而在其上形成外延層的技術(shù)。 其突出的優(yōu)點是能生長極薄的單晶膜層,且能夠精確控制膜厚、組分和摻雜,適合于制作微波、光電和多層結(jié)構(gòu)器件。,分子束外延裝置圖,分子束外延裝置主要由工作室、分子束噴射爐和各種監(jiān)控儀器組成。 特點: 其突出的優(yōu)點是能生長極薄的單晶膜層,且能夠精確控制膜厚、組分和摻雜,適合于制作微波、光電和多層結(jié)構(gòu)器件。 分子束外延制膜是將原子一個一個地直接沉積在襯底上實現(xiàn)外延生成的。分子束外延雖然也是一個蒸發(fā)過程,但它并不以蒸

2、發(fā)溫度為控制參數(shù),而以系統(tǒng)中的四極質(zhì)譜儀、原子吸收光譜等現(xiàn)代儀器精密地監(jiān)控分子束的種類和強度,從而嚴(yán)格控制生長過程與生長速率。 分子束外延是一個超高真空的物理淀積過程,利用快門可對生長和中斷進行瞬時控制。因此,膜的組分和摻雜濃度可隨要求的變化作迅速調(diào)整。,分子束外延能獨立控制各蒸發(fā)源的蒸發(fā)和噴射速度,從而能制備合金薄膜。 分子束外延的襯底溫度低,因此降低了界面上熱膨脹引入的晶格失配效應(yīng)和襯底雜質(zhì)對外延層的自摻雜擴散影響。 分子束外延是動力學(xué)過程,即將入射的中性粒子(原子或分子)一個一個地堆積在襯底上進行生長,而不是一個熱力學(xué)過程,所以它是按照普通熱平衡生長方法難以生長的薄膜。 分子束外延的另一顯著特點是生長速率低,大約1 ,相當(dāng)于每秒生長一個單原子層,因此有利于實現(xiàn)精確控制厚度、結(jié)構(gòu)與成分和形成陡峭異質(zhì)結(jié)等,特別適于生長超晶格材料和外延薄膜材料。分子束外延受襯底材料的影響較大,

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