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1、第三節(jié) 單質(zhì)晶體結(jié)構(gòu),同種元素組成的晶體稱為單質(zhì)晶體。 一、金屬晶體的結(jié)構(gòu) 二、非金屬元素單質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu),1.金屬中原子緊密堆積的化學(xué)基礎(chǔ),由于金屬元素的最外層電子構(gòu)型多數(shù)屬于S型,而S型軌道沒(méi)有方向性,它可以與任何方向的相鄰原子的S軌道重疊,相鄰原子的數(shù)目在空間幾何因素允許的情況下并無(wú)嚴(yán)格的限制,因此,金屬鍵既沒(méi)有方向性,也沒(méi)有飽和性。當(dāng)由數(shù)目眾多的S軌道組成晶體時(shí),金屬原子只有按緊密的方式堆積起來(lái),才能使各個(gè)S軌道得到最大程度的重疊,使晶體結(jié)構(gòu)最為穩(wěn)定。,一、金屬晶體的結(jié)構(gòu),2.常見(jiàn)金屬晶體結(jié)構(gòu) 典型金屬的晶體結(jié)構(gòu)是最簡(jiǎn)單的晶體結(jié)構(gòu)。由于金屬鍵的性質(zhì),使典型金屬的晶體具有高對(duì)稱性,高密度的
2、特點(diǎn)。常見(jiàn)的典型金屬晶體是面心立方、體心立方和密排六方三種晶體,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。另外,有些金屬由于其鍵的性質(zhì)發(fā)生變化,常含有一定成分的共價(jià)鍵,會(huì)呈現(xiàn)一些不常見(jiàn)的結(jié)構(gòu)。錫是A4型結(jié)構(gòu)(與金剛石相似),銻是A7型結(jié)構(gòu)等。,常見(jiàn)金屬晶體的晶胞結(jié)構(gòu),(a)面心立方(A1型),(b)體心立方(A2型),(c)密排六方(A3型),(A)面心立方晶體結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)特點(diǎn):質(zhì)點(diǎn)位于角頂及面心 典型物質(zhì):Al、Cu、Ag、Au等,面心立方晶體結(jié)構(gòu)幾何特征,晶胞原子數(shù)n= 原子半徑r= 配位數(shù)CN=12 八面體空隙和四面體空隙,面心立方空隙,面心立方點(diǎn)陣四面體間隙,面心立方點(diǎn)陣八面體間隙,致密度,=,體心立方晶體結(jié)
3、構(gòu),結(jié)構(gòu)特點(diǎn):質(zhì)點(diǎn)位于角頂及體心 典型物質(zhì):Cr、V、Mo等,體心立方晶體結(jié)構(gòu)幾何特征,晶胞原子數(shù)n= 原子半徑r= 配位數(shù)CN=8 八面體空隙和四面體空隙,體心立方空隙,體心立方點(diǎn)陣四面體間隙,體心立方點(diǎn)陣八面體間隙,致密度,=,密排六方晶體結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)特點(diǎn):質(zhì)點(diǎn)位于角頂、上下底面面心及體內(nèi) 典型物質(zhì):Mg、Zn、Cd等,密排六方晶體結(jié)構(gòu)幾何特征,晶胞原子數(shù)n= 原子半徑r= 配位數(shù)CN=12 八面體空隙和四面體空隙,密排六方空隙,密排六方點(diǎn)陣四面體間隙,密排六方點(diǎn)陣八面體間隙,致密度,=,3.金屬原子形成晶體時(shí)結(jié)構(gòu)上的差異,為什么有的金屬形成A1型結(jié)構(gòu),而有的形成A2或A3型結(jié)構(gòu)? 周期表中
4、IA族的堿金屬原子最外層電子皆為ns1,為了實(shí)現(xiàn)最大程度的重疊,原子之間相互靠近一些較為穩(wěn)定,配位數(shù)為8的一圈其鍵長(zhǎng)比配位數(shù)為12的一圈之鍵長(zhǎng)短一些,即A2型(體心堆積)結(jié)構(gòu)。 IB族的銅、銀、金在其最外層電子4s1、5s1、6s1內(nèi)都有d10的電子構(gòu)型,即d軌道五個(gè)方向全被電子占滿。這些不參與成鍵的d軌道在原子進(jìn)一步靠近時(shí)產(chǎn)生斥力,使原子不能進(jìn)一步接近,因此,接觸距離較大的A1型結(jié)構(gòu)就比較穩(wěn)定。,A1和A3型最緊密堆積結(jié)構(gòu)之間也有差異。在兩種結(jié)構(gòu)中每個(gè)原子周圍均有12個(gè)最近鄰原子,其距離為 r;有6個(gè)次近鄰原子,其距離為 r;從第三層近鄰起,兩種堆積有一定差別。根據(jù)計(jì)算,這種差別可以導(dǎo)致六方
5、最緊密堆積的自由焓比面心立方最緊密堆積的自由焓低0.01%左右。所以,有些金屬常溫下采用六方最緊密堆積,而在高溫下由于A1的無(wú)序性比A3大,即A1型比A3型具有更高的熵值,所以由A3型轉(zhuǎn)變到A1型時(shí),熵變S0。溫度升高,TS增大,G=HTS0,因此,高溫下A1型結(jié)構(gòu)比較穩(wěn)定。,4.金屬鍵的結(jié)構(gòu)特征及金屬的特性,1)金屬或合金在組成上不遵守定比或倍比定律 金屬鍵和離子鍵都沒(méi)有方向性和飽和性。在離子晶體中,為了保持電中性,正負(fù)離子在數(shù)目上具有一定比例,即離子晶體中的正負(fù)離子在數(shù)目上符合化學(xué)中的定比或倍比定律。在金屬或合金中,電中性并不取決于各種原子的相對(duì)數(shù)目,因此,金屬往往很容易形成成分可變、不遵
6、守定比或倍比定律的金屬化合物 。如: Cu5Zn8、 MgCu2等,2) 金屬或合金在力學(xué)性能上表現(xiàn)出良好的塑性和延展性 金屬的范性變形起因于金屬中的原子面在外力作用下沿某個(gè)特定原子面的某個(gè)特定方向的滑移。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),鋁晶體受拉力作用后,晶體變長(zhǎng),并不是原子間距離增大,而是晶體中各部分沿(111)晶面在110方向上移動(dòng)了原子間距的整數(shù)倍(詳細(xì)情況請(qǐng)參閱位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng))。所以,晶體雖然變長(zhǎng),但晶體中原子間距仍然保持原來(lái)的周期性而未改變。,單晶試棒在拉伸應(yīng)力作用下的變化(宏觀),(a)變形前,(b)變形后,晶體中的原子面在外力作用下能否順利實(shí)現(xiàn)滑移,取決于晶體中滑移系統(tǒng)(由一個(gè)滑移面和一個(gè)滑移方向構(gòu)成一
7、個(gè)滑移系統(tǒng))的多少?;葡到y(tǒng)越多,越容易產(chǎn)生塑性變形。反之,滑移系統(tǒng)越少,材料的脆性越大。 典型的金屬結(jié)構(gòu),由于結(jié)合力沒(méi)有方向性和飽和性、配位數(shù)高、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單等原因,易產(chǎn)生滑移。共價(jià)晶體(如金剛石)結(jié)構(gòu),要使滑移方向、鍵角方向、滑移周期都剛好一致是比較困難的。在離子晶體中,雖然離子鍵也沒(méi)有方向性和飽和性,但滑移過(guò)程中在許多方向上有正負(fù)離子吸引、相鄰?fù)?hào)離子排斥,使滑移過(guò)程難以進(jìn)行。,在金屬晶體中,其延展性也有差異。銅、銀、金等金屬的延展性非常好,這是因?yàn)殂~、銀、金晶體中存在完整的d電子層,d電子層有互斥作用,使s電子重疊時(shí)不能進(jìn)一步靠近,從而形成接觸距離較大的A1型結(jié)構(gòu)。而A1型結(jié)構(gòu)比A2、A3
8、型結(jié)構(gòu)和其它更復(fù)雜的結(jié)構(gòu)有更多的滑移系統(tǒng)。A1型金屬具有12個(gè)滑移系統(tǒng),即4個(gè)111面、3個(gè)滑移方向,故共有43=12個(gè)滑移系統(tǒng)。該面上原子堆積密度最大,相互平行的原子面間距離也最大。非金屬晶體,如剛玉(-Al2O3)只有1個(gè)滑移面(001)和2個(gè)滑移方向,塑性變形受到嚴(yán)格限制,表現(xiàn)出脆性。,二、非金屬元素單質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu),1.惰性氣體元素的晶體 惰性氣體在低溫下形成的晶體為A1(面心立方)型或A3(六方密堆)型結(jié)構(gòu)。由于惰性氣體原子外層為滿電子構(gòu)型,它們之間并不形成化學(xué)鍵,低溫時(shí)形成的晶體是靠微弱的沒(méi)有方向性的范德華力直接凝聚成最緊密堆積的A1型或A3型分子晶體。,2.其它非金屬元素單質(zhì)的晶體
9、結(jié)構(gòu) 休謨-偌瑟瑞(Hume-Rothery)規(guī)則 如果某非金屬元素的原子能以單鍵與其它原子共價(jià)結(jié)合形成單質(zhì)晶體,則每個(gè)原子周圍共價(jià)單鍵的數(shù)目為8減去元素所在周期表的族數(shù)(m),即共價(jià)單鍵數(shù)目為8m,亦稱為8m規(guī)則。,對(duì)于第VII族元素,每個(gè)原子周圍共價(jià)單鍵個(gè)數(shù)為87=1,因此,其晶體結(jié)構(gòu)是兩個(gè)原子先以單鍵共價(jià)結(jié)合成雙原子分子,雙原子分子之間再通過(guò)范德華力結(jié)合形成分子晶體,如圖2-11 。,圖2-11 非金屬元素單質(zhì)晶體的結(jié)構(gòu)基元(a)第VII族元素,圖2-12 非金屬元素單質(zhì)晶體的結(jié)構(gòu)基元(b)第VI族元素,對(duì)于第VI族元素,單鍵個(gè)數(shù)為86=2,故其結(jié)構(gòu)是共價(jià)結(jié)合的無(wú)限鏈狀分子或有限環(huán)狀分子
10、,鏈或環(huán)之間由通過(guò)范德華力結(jié)合形成晶體,如圖2-12,對(duì)于第V族元素,單鍵個(gè)數(shù)為85=3,每個(gè)原子周圍有3個(gè)單鍵(或原子),其結(jié)構(gòu)是原子之間首先共價(jià)結(jié)合形成無(wú)限層狀單元,層狀單元之間借助范德華力結(jié)合形成晶體,如圖1-13 。,圖2-13 非金屬元素單質(zhì)晶體的結(jié)構(gòu)基元(c)第V族元素,對(duì)于第IV族元素,單鍵個(gè)數(shù)為84=4,每個(gè)原子周圍有4個(gè)單鍵(或原子)。其中C、Si、Ge皆為金剛石結(jié)構(gòu),由四面體以共頂方式共價(jià)結(jié)合形成三維空間結(jié)構(gòu),如圖1-14 。,圖2-14 非金屬元素單質(zhì)晶體的結(jié)構(gòu)基元(d)第IV族元素,金剛石結(jié)構(gòu),配位數(shù)為4 四個(gè)共價(jià)鍵形成四面體,四面體聯(lián)合形成立方體結(jié)構(gòu),屬面心立方結(jié)構(gòu),金剛石的配位情況,金剛石致密度計(jì)算法,晶胞分子數(shù) n8,值得注意的是O2、N2及石墨(C)不符合8m規(guī)則,因?yàn)樗鼈儾皇切纬蓡捂I。O2是三鍵,一個(gè)鍵和兩個(gè)三電子鍵。N2是一個(gè)鍵和兩個(gè)鍵。石墨是sp3雜化后和同一層上的C形成鍵,剩余的pz電子軌道形成離域鍵。,面心立方晶體結(jié)構(gòu),體心立方晶體結(jié)構(gòu),密排六方晶體結(jié)構(gòu),人有了知識(shí),就會(huì)具備各種
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