1、渦 流 無 損 檢 測 E T答辯人： 王炎 13010123 王信 13010110 趙言吾 130101091工程背景2實驗環(huán)節(jié)3實驗結(jié)果4改進方案CONTENT工程背景 在在先進的集成電路中，薄金屬、半先進的集成電路中，薄金屬、半導體和聚合物薄膜是必不可少的元素。評估導體和聚合物薄膜是必不可少的元素。評估這些薄膜這些薄膜狀態(tài)狀態(tài)是在這些領(lǐng)域的工作一個重要是在這些領(lǐng)域的工作一個重要的部分。的部分。一、工程背景u電磁感應(yīng)電磁感應(yīng) 渦流渦流 楞次定律楞次定律 反反磁場磁場u集膚效應(yīng)集膚效應(yīng)實驗環(huán)節(jié)電路圖2.1 原理檢測成圖原理l內(nèi)置線圈，電阻，導線內(nèi)置線圈，電阻，導線l四線兩端，輸入輸出四線兩

2、端，輸入輸出l總長總長10 cm10 cm，8 cm8 cm2.2 硬件準備探頭頭部鐵氧體磨尖鐵氧體磨尖電電阻阻線圈線圈內(nèi)部結(jié)構(gòu)內(nèi)部結(jié)構(gòu)Hs3函數(shù)發(fā)生器根據(jù)電路圖連線；根據(jù)電路圖連線；利用位移機器進行精準掃描；利用位移機器進行精準掃描；利用利用labviewlabview缺陷成圖。缺陷成圖。2.3 實驗過程請觀賞視頻數(shù)據(jù)分析1.1.不通電情況下的不通電情況下的 正常及小正常及小型缺陷；型缺陷；2.2.創(chuàng)新實驗創(chuàng)新實驗。實驗結(jié)果3.1 3.1 不不通電情況下通電情況下的正的正常及小型缺常及小型缺陷陷0 016/cm16/cm待測缺陷待測缺陷小三角形缺口大三角形缺口大缺陷小缺陷 實實驗結(jié)驗結(jié)果果

3、由由上圖可以對比看出，此傳感器對上圖可以對比看出，此傳感器對于缺陷的檢測是可行的，但限于傳感器的精于缺陷的檢測是可行的，但限于傳感器的精度不夠高，所以對于小型缺陷的檢測不夠有度不夠高，所以對于小型缺陷的檢測不夠有效。并且由于襯板為波紋紙板，自身有一定效。并且由于襯板為波紋紙板，自身有一定的弧度，所以無缺陷區(qū)所顯示的阻抗略有不的弧度，所以無缺陷區(qū)所顯示的阻抗略有不同。同。結(jié)果分析3.2 3.2 創(chuàng)新實驗創(chuàng)新實驗待測缺陷待測缺陷通電電極1V 實實驗結(jié)驗結(jié)果果100KHz100KHz5V10V1V 實實驗結(jié)驗結(jié)果果300KHz300KHz5V10V1V 實實驗結(jié)驗結(jié)果果500KHz500KHz5V1

4、0V 我們對的到實驗數(shù)據(jù)進行了處理，我們對的到實驗數(shù)據(jù)進行了處理，分析了結(jié)果并得到了一些結(jié)論。分析了結(jié)果并得到了一些結(jié)論。結(jié)果分析結(jié)果分析29.129.229.329.429.529.629.729.829.93030.1024681012300k/Min808590951001051101150246810300k/Max阻抗阻抗電壓/V電壓/V結(jié)果分析40455055606570758085024681012300k/Max-Min阻抗電壓/V100KHz 實實驗結(jié)驗結(jié)果果5V5V300KHz500KHz結(jié)果分析28.428.628.82929.229.429.629.83030.201002003004005006005V/Min8085909510010501002003004005006005V/Max頻率/KHz頻率/KHz阻抗阻抗結(jié)果分析404550556065707501002003004005006005V/Max-Min阻抗頻率/KHz改進方案1.1.鐵氧體尖端的研磨做的更細一點；鐵氧體尖端的研磨做的更細一點；2.2.對于焊點的絕緣處理做的更嚴密；對于焊點的絕緣處理做的更嚴密；3.3.制制作工序更合理，避免不必要的誤差；作工序更合理，避免不必要的誤差；4.4.