1、雞西大學單結晶體管觸發(fā)電路課程設計院系：電信系班級：08機電4班姓名：呂長明學號：04040804021指導教師：王夢文雞西大學 單結晶體管簡介和應用單結晶體管具有大的脈沖電流能力而且電路簡單，因此在各種開關應用中，在構成定時電路或觸發(fā)SCR等方面獲得了廣泛應用。它的開關特性具有很高的溫度穩(wěn)定性，基本上不隨溫度而變化。單結晶體管（簡稱UJT）又稱基極二極管，它是一種只有一個PN結和兩個電阻接觸電極的半導體器件，它的基片為條狀的高阻N型硅片，兩端分別用歐姆接觸引出兩個基極b1和b2。在硅片中間略偏b2一側用合金法制作一個P區(qū)作為發(fā)射極e。其結構、符號和等效電呼。 單結晶體管電路及原理利用單結晶體

2、管(又稱雙基極二極管)的負阻特性和RC的充放電特性，可組成頻率可調的自激振蕩電路。V6為單結晶體管，其常用的型號有BT33和BT35兩種，由等效電阻V5和C1組成組成RC充電回路，由C1-V6-脈沖變壓器組成電容放電回路，調節(jié)RP1即可改變C1充電回路中的等效電阻。圖11-1 單結晶體管觸發(fā)電路原理圖工作原理簡述如下：由同步變壓器副邊輸出60V的交流同步電壓，經(jīng)VD1半波整流，再由穩(wěn)壓管V1、V2進行削波，從而得到梯形波電壓，其過零點與電源電壓的過零點同步，梯形波通過R7及等效可變電阻V5向電容C1充電，當充電電壓達到單結晶體管的峰值電壓UP時，單結晶體管V6導通，電容通過脈沖變壓器原邊放電，

3、脈沖變壓器副邊輸出脈沖。同時由于放電時間常數(shù)很小，C1兩端的電壓很快下降到單結晶體管的谷點電壓Uv，使V6關斷，C1再次充電，周而復始，在電容C1兩端呈現(xiàn)鋸齒波形，在脈沖變壓器副邊輸出尖脈沖。在一個梯形波周期內，V6可能導通、關斷多次，但只有輸出的第一個觸發(fā)脈沖對晶閘管的觸發(fā)時刻起作用。充電時間常數(shù)由電容C1和等效電阻等決定，調節(jié)RP1改變C1的充電的時間，控制第一個尖脈沖的出現(xiàn)時刻，實現(xiàn)脈沖的雞西大學移相控制。單結晶體管觸發(fā)電路的各點波形如圖所示。電位器RP1已裝在面板上，同步信號已在內部接好，所有的測試信號都在面板上引出。圖11-2 單結晶體管觸發(fā)電路各點的電壓波形(=90°)單

4、結晶體管的外形很象晶體三極管，它也有三個電極，稱為發(fā)射極e，第一基極b1，第二基極b2，又叫雙基極二極管。因為只有一個PN結所以又稱為單結晶體管。外形及符號如圖(a)、(b)所示。圖中發(fā)射極箭頭指向b1，表示經(jīng)PN結的電流只流向b1極。單結管的等效電路如圖(C)所示，rb1表示e與b1之間的等效電阻，它的阻值受e-b1間電壓的控制，所以等效為可變電阻。兩個基極之間的電阻用Rbb表示，即：Rbb=Rb1+Rb2，Rb1與Rbb的比值稱為分壓比h=Rb1/Rbb，h一般在0.30.8之間。 單結晶體管的主要參數(shù)（1）基極間電阻Rbb 發(fā)射極開路時，基極b1、b2之間的電阻，一般為2-10千歐，其數(shù)

5、值隨溫度上升而增大。（2）分壓比 由管子內部結構決定的常數(shù)，一般為0.3-0.85。（3）eb1間反向電壓Vcb1 b2開路，在額定反向電壓Vcb2下，基極b1與發(fā)射極e之間的反向耐壓。（4）反向電流Ieo b1開路，在額定反向電壓Vcb2下，eb2間的反向電流。（5）發(fā)射極飽和壓降Veo 在最大發(fā)射極額定電流時，eb1間的壓降。雞西大學（6）峰點電流Ip 單結晶體管剛開始導通時，發(fā)射極電壓為峰點電壓時的發(fā)射極電流單結晶體管具有大的脈沖電流能力而且電路簡單，因此在各種開關應用中，在構成定時電路或觸發(fā)SCR等方面獲得了廣泛應用。它的開關特性具有很高的溫度穩(wěn)定性，基本上不隨溫度而變化。本電路為單結

6、晶體管觸發(fā)點路。V1V5，R1組成橋式整流削波電路，為后續(xù)電路提供與焦爐電壓同時過零（同步）的梯形波電壓。V6，R2R4及C組成單結晶體管震蕩電路，由R4輸出所需要的脈沖信號觸發(fā)晶閘管。R2，RP及C組成RC充電電路，當C兩端的電壓達到V6的峰值電壓VP時，單結晶體管導通；C和E-B1間形成放電回路，在R4的上形成脈沖電壓，當C兩端的電壓隨著放電電壓下降到谷點電壓UV時，單結晶體管截至，R4上的電壓為零，完成一次震蕩。所需掛件及附件單結晶體管的工作原理和特性曲線當b1b2間加電源VBB，且發(fā)射極開路時，A點電位及基極b2的電流為：雞西大學式中稱為單結晶體管的分壓比，其數(shù)值主要與管子的結構有關，

7、一般在0.50.9之間。圖3 單結晶體管特性曲線的測試當e一b1電壓Ueb1為零或(Ueb1< UA)時，二極管承受反向電壓，發(fā)射極的電流Ie為二極管的反向電流，記作IEO。當Ueb1增大，使PN結正向電壓大于開啟電壓時，則IE變?yōu)檎螂娏?，從發(fā)射極e流向基極b1,此時，空穴濃度很高的P區(qū)向電子濃度很低的硅棒的Ab1區(qū)注入非平衡少子；由于半導體材料的電阻與其載流子的濃度緊密相關，注入的載流子使rb1減??；而且rb1的減小，使其壓降減小，導致PN結正向電壓增大，IE隨之增大，注入的載流子將更多，于是rb1進一步減小；當IE增大到一定程度時，二極管的導通電壓將變化不大，此時UEB1。將因rb1的減小而減小，表現(xiàn)出負阻特性。負阻特性:是指輸入電壓增大到某一數(shù)值后，輸入電流愈大，輸入端的等效電阻愈小的特性。一旦單結晶體管進入負阻工作區(qū)域，輸入電流IE的增加只受輸入回路外部電阻的限制，除非將輸入回路開路或將IE減小到很小的數(shù)值，否則管子將始終保持導通狀態(tài)。單結晶體管的特性曲線如圖3，當 UEB1增大至UP(峰點電壓)時，PN結開始正向導通，UP=UA+Uon；UEB1再增大一點，管子就進入負阻區(qū)，隨著IE增大，rb1減小，UEB1減小，