1、（完整版）模擬電子技術基礎-知識點總結(jié)模擬電子技術復習資料總結(jié)第一章半導體二極管一。半導體的基礎知識半導體導電能力介于導體和絕緣體之間的物質(zhì)（如硅Si、鍺Ge）。特性光敏、熱敏和摻雜特性。本征半導體-純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導體。兩種載流子-帶有正、負電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子.5。雜質(zhì)半導體-在本征半導體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導體.體現(xiàn)的是半導體的摻雜特性。*P型半導體：在本征半導體中摻入微量的三價元素（多子是空穴，少子是電子）。*N型半導體：在本征半導體中摻入微量的五價元素（多子是電子，少子是空穴）。雜質(zhì)半導體的特性載流子的濃度-多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關。*體電

2、阻-通常把雜質(zhì)半導體自身的電阻稱為體電阻。*轉(zhuǎn)型通過改變摻雜濃度,一種雜質(zhì)半導體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導體。7。PN結(jié)PN結(jié)的接觸電位差硅材料約為0.60。8V,鍺材料約為0.20.3V。PN結(jié)的單向?qū)щ娦哉珜ǎ雌刂埂?。PN結(jié)的伏安特性（完整版）模擬電子技術基礎-知識點總結(jié)（完整版）模擬電子技術基礎-知識點總結(jié)*總的解題手段將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低:*總的解題手段將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低:半導體二極管*單向?qū)щ娦哉驅(qū)?，反向截止?二極管伏安特性同PN結(jié)。*正向?qū)▔航倒韫?.60.7V,鍺管0.20。3V。*死區(qū)電壓硅管0。5V,鍺管0。IV。3。分

3、析方法將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低:若VV（正偏）,二極管導通（短路）；陽陰若VV（反偏）,二極管截止（開路）。陽陰1）圖解分析法該式與伏安特性曲線的交點叫靜態(tài)工作點Q.2）等效電路法直流等效電路法（完整版）模擬電子技術基礎-知識點總結(jié)（完整版）模擬電子技術基礎-知識點總結(jié)若V陽V陰（正偏），二極管導通（短路）；若V陽V陰（反偏）,二極管截止（開路）。*三種模型（ii）理怛模型Cn（b）怔壓源模甩（C）折鑑橫型微變等效電路法（d）水看號模型穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路*穩(wěn)壓二極管的特性正常工作時處在PN結(jié)的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接。1j/inAL雨Mtiahid/穩(wěn)用管

4、的伏左特性第二章三極管及其基本放大電路一。三極管的結(jié)構(gòu)、類型及特點類型分為NPN和PNP兩種。2特點基區(qū)很薄，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸面積較小；集電區(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大。三極管的工作原理I冊處基楓組態(tài)三極管的三種基本組態(tài)6VI2。三極管內(nèi)各極電流的分配k=J(VU)時，受截止失真限制，U=2U=2IR.CEQCESCCCEQOPPOMAXCQL（完整版）模擬電子技術基礎-知識點總結(jié)（完整版）模擬電子技術基礎-知識點總結(jié)*當2u)V(VCEQCESCCCEQU）時，受飽和失真限制，Uopp=2Uomax=2U)。CEQCES*當2u)=(VCEQCESCCUC

5、EQ），放大器將有最大的不失真輸出電壓。Cm）交流通路微變蒔效電路*放大倍數(shù):_UQ_Aj=盡甩*Us血十盡血盡十盡廠皿*輸入電阻六。放大電路的等效電路法靜態(tài)分析（1）靜態(tài)工作點的近似估算r_fzccBEQ/bq=r廠匸1EQ=CCCQc（2）Q點在放大區(qū)的條件欲使Q點不進入飽和區(qū)，應滿足R0Rc。B放大電路的動態(tài)分析2.=尺*輸出電阻1.靜態(tài)分析R*=皿V?rA七.分壓式穩(wěn)定工作點放大電路的等效樋定T柞點放人器共射電路法心工心丄+frCEQ忌fCCCQ(c+e)3）亢謊通踣f+(l+0)盡微變等效電路輸入電阻動態(tài)分析*電壓放大倍數(shù)在Re兩端并一電解電容Ce后氣=bl/Z?b2/rbe+(l+

6、/?)/el在Re兩端并一電解電容Ce后*輸出電阻尺斑盡八。共集電極基本放大電路1.靜態(tài)分析-rBEQ（n）共聚電極基本放大電路CEQ用CCCQe2.動態(tài)分析rrj）凡1k.l*電壓放大倍數(shù)N-JFET結(jié)構(gòu)及電踣符號CIOP；ET納構(gòu)及電路符號輸出特性曲線（可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)）止電壓八njjjsxtgs-.m0P；擊爲球-31fJJ_粗和加_：TKn-心Yj2唧jstiAAhlF戳止區(qū)BH1輸出特性出二戰(zhàn)DS1-5-4-3-2-L心轉(zhuǎn)嚴特性gs/yMl禺r/炮利區(qū)-a丄叵r/-那立Kj-u預交斷軌跡阿寸UffiitE!)&=bm輸出特檢gii/Up二。絕緣柵型場效應管（M0SF

7、ET）分為增強型（EMOS）和耗盡型（DM0S）兩種。結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號Lr）式中，I是U=2U時所對應的i值。DOGSTD*N-DMOS的輸出特性曲線2耗盡型輸出特性Cd）耗盡型轉(zhuǎn)移特性注意：u可正、可零、可負。轉(zhuǎn)移特性曲線上i=0處的值是夾斷電壓U,此曲線表示式與結(jié)型場GSDP效應管一致。三。場效應管的主要參數(shù)1。漏極飽和電流IDSS夾斷電壓Up開啟電壓UT直流輸入電阻RGS低頻跨導g（表明場效應管是電壓控制器件）mDS=1書數(shù)四.場效應管的小信號等效模型場效應管微變等效咁路（完整版）模擬電子技術基礎-知識點總結(jié)(完整版)模擬電子技術基礎-知識點總結(jié)GSQEMOS的跨導gm(a)原理申一

8、路五.共源極基本放大電路自偏壓式偏置放大電路*靜態(tài)分析f?GSQ=DQs1v%WQ=tDDDQ(Jid+s)+J1.+認1冰11訂LMd去(c)微變等效電路動態(tài)分析=心=聲m尺】U麗J若帶有Cs,則i-筍|閃.Ki=尺翼2。分壓式偏置放大電路*靜態(tài)分析Ch)原理電路匕Q二噸詈跟&D_dqs/Dq=/dss(1)2或dq=Ajo(,：-1產(chǎn)巧DSQ=TDP_jrDQ(d+心(c)微變等效電路J?d&(a)電路組成(W微變等效電路(C)3KCE功放電路的匸作狀態(tài)低。*動態(tài)分析I=D“DQ盡*動態(tài)分析R、二Rg+Rg1IR#第五章功率放大電路一。功率放大電路的三種工作狀態(tài)1。甲類工作狀態(tài)導通角為36

9、0o,I大，管耗大，效率CQ2。乙類工作狀態(tài)I=0,導通角為180o，效率高，失真大。CQ3。甲乙類工作狀態(tài)導通角為180o360o,效率較高，失真較大。乙類功放電路的指標估算工作狀態(tài)任意狀態(tài)：Uom=Uim盡限狀態(tài)：Uom=VUCCCES理想狀態(tài)：Uom=VCC1，p=_/r;=凹】,A,亠o-orriVo輸出功率直流電源提供的平均功率ptFrI$21qqIcm管耗P=0.2P尺0.4*血c1mom效率理想時為78.5%甲乙類互補對稱功率放大電路問題的提出在兩管交替時出現(xiàn)波形失真交越失真（本質(zhì)上是截止失真）。2。解決辦法甲乙類雙電源互補對稱功率放大器OCL利用二極管、三極管和電阻上的壓降產(chǎn)生

10、偏置電壓。（完整版）模擬電子技術基礎-知識點總結(jié)（完整版）模擬電子技術基礎-知識點總結(jié)動態(tài)指標按乙類狀態(tài)估算。甲乙類單電源互補對稱功率放大器OTL電容C上靜態(tài)電壓為V/2,2CC功放中的負電源-V.CC動態(tài)指標按乙類狀態(tài)估算，只是用V/2代替。CC復合管的組成及特點前一個管子c-e極跨接在后一個管子的bc極間。類型取決于第一只管子的類型。0=0012第六章集成運算放大電路一.集成運放電路的基本組成1。輸入級采用差放電路，以減小零漂.2。中間級多采用共射（或共源）放大電路，以提高放大倍數(shù)。3。輸出級多采用互補對稱電路以提高帶負載能力。4。偏置電路多采用電流源電路，為各級提供合適的靜態(tài)電流.二。長

11、尾差放電路的原理與特點1。抑制零點漂移的過程當TTTi、iTTi、iTTuTTu、uJTi、iJTi、C1C2E1E2EBE1BE2B1B2C1淹對溫度漂移及各種共模信號有強烈的抑制作用，被稱為“共模反饋電阻2靜態(tài)分析1）計算差放電路IC/=1“-設U0，則U=0。7V，得M1BE2）計算差放電路U并且取代了OCLJ.C2CE（完整版）模擬電子技術基礎-知識點總結(jié)（完整版）模擬電子技術基礎-知識點總結(jié)（完整版）模擬電子技術基礎-知識點總結(jié)+乘戰(zhàn)遠咸的電冷傳輸特性雙端輸出時/111二mI=-人川十仇了單端輸出時（設VT1集電極接R）L對于VT1:Nc-【c十f7CF1=f7C1-F=Q+07半邊

12、差模交流通路對于VT2：UC2=1CC-C2c*fCE2=fC2fE=1CC？C2鳳+-73。動態(tài)分析1）差模電壓放大倍數(shù)雙端輸出%十儉+1亠朋州單端輸出時從VT1單端輸出：Adi=2區(qū)亠張+（1+網(wǎng)旳申）1從VT2單端輸出：Adi=j4udl=叭叭）2區(qū)十低十卩+妙嗎2）差模輸入電阻wmi+鬥屮3）差模輸出電阻雙端輸出：兒川二縱單端輸出：臨d尸孫集成運放的電壓傳輸特性當u在+U與一U之間，運放工作在線性區(qū)域：Iimimwo=odtfl=lod（w+-免）理想集成運放的參數(shù)及分析方法理想集成運放的參數(shù)特征*開環(huán)電壓放大倍數(shù)AodT8；*差模輸入電阻RidTs；*輸出電阻RoT0；*共模抑制比K

13、CMRTs；理想集成運放的分析方法1）運放工作在線性區(qū)：*電路特征引入負反饋*電路特點“虛短”和“虛斷”：“虛斷2）運放工作在非線性區(qū)*電路特征-一開環(huán)或引入正反饋*電路特點一-輸出電壓的兩種飽和狀態(tài):當uu時，u=+U+oom當u0時，Af下降，這種反饋稱為負反饋。當AF=0時，表明反饋效果為零。當AFV0時，A彳升高，這種反饋稱為正反饋.當AF=1時，AfT.放大器處于“自激振蕩”狀態(tài)。反饋的形式和判斷反饋的范圍本級或級間。反饋的性質(zhì)交流、直流或交直流。直流通路中存在反饋則為直流反饋，交流通路中存在反饋則為交流反饋，交、直流通路中都存在反饋則為交、直流反饋.反饋的取樣電壓反饋：反饋量取樣于

14、輸出電壓；具有穩(wěn)定輸出電壓的作用。（輸出短路時反饋消失）電流反饋：反饋量取樣于輸出電流。具有穩(wěn)定輸出電流的作用。（輸出短路時反饋不消失）4。反饋的方式并聯(lián)反饋:反饋量與原輸入量在輸入電路中以電流形式相疊加。Rs越大反饋效果越好.反饋信號反饋到輸入端）串聯(lián)反饋:反饋量與原輸入量在輸入電路中以電壓的形式相疊加。Rs越小反饋效果越好。反饋信號反饋到非輸入端）反饋極性瞬時極性法：（1）假定某輸入信號在某瞬時的極性為正（用+表示），并設信號的頻率在中頻段.（2）根據(jù)該極性，逐級推斷出放大電路中各相關點的瞬時極性（升高用+表示，降低用一表示）。（3）確定反饋信號的極性。（4）根據(jù)X與X的極性，確定凈輸入信

15、號的大小.X減小為負反ifid饋；X增大為正反饋.id三。反饋形式的描述方法某反饋元件引入級間（本級）直流負反饋和交流電壓（電流）串聯(lián)（并聯(lián)）負反饋。四。負反饋對放大電路性能的影響提高放大倍數(shù)的穩(wěn)定性=1d42珂1+一4擴展頻帶(完整版)模擬電子技術基礎-知識點總結(jié)(完整版)模擬電子技術基礎-知識點總結(jié)(a)基本形式(a)基本形式減小非線性失真及抑制干擾和噪聲改變放大電路的輸入、輸出電阻*串聯(lián)負反饋使輸入電阻增加1+AF倍*并聯(lián)負反饋使輸入電阻減小1+AF倍*電壓負反饋使輸出電阻減小1+AF倍*電流負反饋使輸出電阻增加1+AF倍自激振蕩產(chǎn)生的原因和條件產(chǎn)生自激振蕩的原因附加相移將負反饋轉(zhuǎn)化為正

16、反饋。產(chǎn)生自激振蕩的條件Af=a若表示為幅值和相位的條件則為:Waf二卩一血+卩F=(2川+1(11為整數(shù))第八章信號的運算與處理一.基本運算電路1.反相比例運算電路(a)基本形式分析依據(jù)“虛斷”和“虛短”R二R/R21f2.同相比例運算電路R=R/R21f(完整版)模擬電子技術基礎-知識點總結(jié)(完整版)模擬電子技術基礎-知識點總結(jié)（完整版）模擬電子技術基礎-知識點總結(jié)WO=1十反相求和運算電路4.同相求和運算電路阪用求利運算電路R二R/R/R/R4123fftAcoR/R/R/R=R/R1234f55.加減運算電路R/R/R=R/R/R12f345單遠如減運算備路O=ffj4毀i叱、瓦石卞二.積分和微分運算電路積分運算=一糸j旳曲微分運算英耶積介運算蹴路Ca）辛本微分ill路第九章信號發(fā)生電路一.正弦波振蕩電路的基本概念1.產(chǎn)生正弦波振蕩的條件