1、半導體物理復習要點第一章半導體晶體結(jié)構(gòu)一、理解下列基本概念空間點陣，晶格，晶面指數(shù)，缺陷，位錯。二、分析掌握下列基本問題格子，復式格子，固體物理學原胞，結(jié)晶學原胞，晶列指數(shù)，會標示常用晶體結(jié)構(gòu)的晶列指數(shù)和晶面指數(shù)。圖示正格子與倒格子的相互轉(zhuǎn)換，在倒格子點陣中畫出半導體中缺陷的種類及特點區(qū)。第二章 半導體能帶 一、理解下列基本概念單電子近似，共有化運動，能帶（導帶，價帶，滿帶，空帶），禁帶，有效質(zhì)量，本征半導體，雜質(zhì)半導體，本征激發(fā)，載流子，空穴，間隙式雜質(zhì)，替位式雜質(zhì)，施主雜質(zhì)，受主雜質(zhì)，雜質(zhì)電離，雜質(zhì)補償，淺能級雜質(zhì)，深能級雜質(zhì)，缺陷能級，n 型半導體，p 型半導體。二、分析掌握下列基本問題

2、了解晶體能帶的求解過程和處理方法，掌握能帶圖的描述。從能帶角度理解導體，半導體，絕緣體之間的導電性的差異。本征半導體的導電原理。Si，Ge，GaAs 能帶結(jié)構(gòu)的異同點。N 型半導體和 P 型半導體的形成機制及導電原理。雜質(zhì)的補償原理及應(yīng)用。第三章 半導體中載流子的統(tǒng)計分布一、理解下列基本概念熱平衡狀態(tài)，熱平衡載流子，多數(shù)載流子，少數(shù)載流子。二、分析掌握下列基本問題能級，非簡并半導體，簡并半導體，有效狀態(tài)密度，1分布函數(shù)的性質(zhì)2系統(tǒng)遵從玻耳分布和分布的前提條件導帶電子濃度和價帶空穴濃度表示式推導方法雜質(zhì)半導體 EF 隨雜質(zhì)濃度變化關(guān)系，隨溫度的變化關(guān)系載流子濃度隨溫度的變化關(guān)系區(qū)分半導體載流子出

3、現(xiàn)非簡并，弱簡并，簡并的標準各種熱平衡狀態(tài)下半導體電中性條件三、熟識公式并運用12345分布函數(shù)和玻耳分布的表示式導帶電子濃度，價帶空穴濃度表示式本征載流子濃度表示式，本征能級表示式載流子濃度乘積表示式，及其與本征載流子濃度的關(guān)系飽和電離溫度區(qū)載流子濃度及 EF 的表示式（n 型和 p 型半導體）第四章 半導體的導電性一、理解下列基本概念電流密度，漂移運動，平均漂移速度，遷移率，時間，平均時間，電導有效質(zhì)量，載流子散射，散射幾率，二、分析掌握下列基本問題，聲子遷移率概念的引進，影響遷移率的主要半導體中載流子散射的主要模式及其影響電阻率(或電導率)與雜質(zhì)和溫度的關(guān)系。三、熟識公式并運用歐姆定律的

4、微分形式遷移率表示式電導率和電導率的表示式（混合型，n 型，p 型，本征型半導體）第五章 非平衡載流子一、理解下列基本概念載流子的產(chǎn)生率，復合率，凈復合率，半導體非平衡態(tài)，非平衡載流子，非平衡載流子的復合率，復合幾率，準能級，非平衡載流子，直接復合，間接復合，表面復合，復合中心，復合中心能級，陷阱效應(yīng)，陷阱中心，陷阱能級，擴散系數(shù)，擴散長度，注入(電注入、光注入)二、分析掌握下列基本問題半導體熱平衡態(tài)和非平衡態(tài)特點的比較。非平衡載流子的注入與檢驗方法的原理。非平衡載流子隨時間衰減規(guī)律，及其推證方法，的物理意義。4 準能級的特點，準能級位置隨注入強度的變化。5 直接復合和間接復合異同點。三、熟識

5、公式并運用非平衡載流子隨時間衰減規(guī)律表示式非平衡載流子復合率與非平衡載流子濃度關(guān)系表示式非平衡導帶電子濃度（價帶空穴濃度）的表示式連續(xù)性方程一般式及其在各種特殊情形下的靈活應(yīng)用5關(guān)系式及其應(yīng)用。第六章 半導體表面及接觸界面特性一、理解下列基本概念空間電荷區(qū)，表面勢，功函數(shù)，接觸勢壘，高阻區(qū)（阻擋層），高電導區(qū)（反阻擋層），耗盡層，堆積層，弱反型層，強反型層，少子注入，歐姆接觸，能級，表面電容，平帶電容，平帶電壓，表面電導。二、分析掌握下列基本問題勢壘，表面態(tài)，表面外電場作用下半導體表面空間電荷區(qū)的形成，表面層電場，電勢，電勢能的分布及能帶圖。金屬和半導體接觸，接觸電勢差的形成及接觸勢壘的出現(xiàn)。

6、金屬和半導體接觸能整流特性的定性說明。歐姆接觸形成方法及原理。理想 MIS 結(jié)構(gòu) C-V 特性的分析，歸一化電容與外加偏壓的變化關(guān)系；金屬和半導體功函數(shù)差，絕緣層中電荷對 MIS 結(jié)構(gòu) C-V 特性的影響；Si-SiO2 系統(tǒng)中可動離子電荷，固定荷，界面態(tài)，電離陷阱電荷這四種電荷的特征，成因及其對 C-V 特性影響。三、熟識公式并運用123接觸電勢差與功函數(shù)關(guān)系表示式。完全接觸電勢高度表示式。金屬和半導體接觸耗盡近似電勢分布表示式及勢壘寬度與表面勢之間的相互關(guān)系強反型條件的推導，強反型下最大耗盡寬度表示式。MIS 結(jié)構(gòu)歸一化電容與絕緣層電容和表面層電容關(guān)系表示式。歸一化平帶電容表示式。氧化層中

7、電荷對平帶電壓的影響關(guān)系式.第七章 半導體的光電性質(zhì)及光電效應(yīng)一、理解下列基本概念本征吸收，雜質(zhì)吸收，晶格吸收，激子，激子吸收，載流子吸收，長波限，直接躍遷，間接躍遷，光電導，光電導馳豫過程，光生伏特效應(yīng)，輻射躍遷，受激輻射躍遷，本征躍遷。二、分析掌握下列基本問題半導體光吸收的主要微觀過程。光生伏特效應(yīng)的產(chǎn)生機理。p-n 結(jié)正向電注入發(fā)光機理。p-n 結(jié)注入式半導體激光產(chǎn)生的機理及基本條件三、熟識公式并應(yīng)用光強隨深入距離衰減的關(guān)系表示式。本征吸收長波限與半導體禁帶寬度之間的關(guān)系式。半導體光電導表示式。半導體光電池 I-V 表示式（電壓與電流關(guān)系，開路電壓，短路電流）。第八章 半導體的熱電、磁電及壓阻效應(yīng)一、理解下列基本概念溫差電