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WE>>WHWE=WHWE<<WHWE=WH磁場(chǎng)磁場(chǎng)電場(chǎng)電場(chǎng)電偶極子磁偶極子結(jié)論：近場(chǎng)時(shí)，電偶極子電場(chǎng)大于磁場(chǎng)磁偶極子磁場(chǎng)大于電場(chǎng)磁場(chǎng)磁場(chǎng)電場(chǎng)電場(chǎng)電偶極子磁偶極子結(jié)論：近場(chǎng)時(shí)，電偶極子電場(chǎng)大于磁場(chǎng)磁偶極子磁場(chǎng)大于電場(chǎng)—r<r>λλ—r<r>λλ/0cqr)*suivwxy+—@y—@yuz{|@}>~|@€??0???|@????>~?\??@?@???=ρE???{?+?@vw??@?@??ε0=0×}%js??v?+s?=0s—?—??^(??—Z(=V????['??@?—Z(=V????['??@?i?'????YZDE?????r????@??????J?@?????O?X?X?T????[???[????J1jωCjZsV=Vsg1+jωCj(Zg+Zs)—??—????1sjωC'ZjωC''Z j j ? j s VV ='2sg1+jωC'(Z +Z) 1+jωC''(Z+Z)jgjjs!"#$&()*+,-/01'(=???kQ?????@????+——???3??B=0?D?×B=J+6?p?J??p)J???O???)?6?(/?t6???vw~+??%j??s6???Q?????6????+—0LJ6vw?L"??6?L+VφBm(A) (B)?6Y6vw~QvwV?}N=+VmABVmAB+=φm+φ0J6vw~6DJVW6Dφ=—0LJ6vw?L"??6?L+VφBm(A) 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k$%$%???:>?4545`789:789:*;<78=dem;<78=deml"G%~d????71fc=15×109HzW??$?GHgPQ?(??g4??>?SE=20logfc+27.3LfW;<78=5SE;<78=5SE=SE?20log10N???r??)???????????V??u?????u???/d?()W(mm)fc(GHz)13.1847.17320070.122.462.5530074.25>?;<>?;<?;<7;<78=8JJ鋼制波導(dǎo)通風(fēng)窗—性能（mm）2.43.18屏蔽效能200kHz（磁場(chǎng)）9080100MHz（電場(chǎng)）115110500MHz（電場(chǎng)）1151101GHz鋼制波導(dǎo)通風(fēng)窗—性能（mm）2.43.18屏蔽效能200kHz（磁場(chǎng)）9080100MHz（電場(chǎng)）115110500MHz（電場(chǎng)）1151101GHz（平面波）11210510GHz（平面波）110100@?;<@?;<;<7?;<78=????/鋁制波導(dǎo)通風(fēng)窗—性能表面涂覆類型導(dǎo)電氧化鍍鎳鍍鎳磷合金屏蔽效能(dB)200kHz(磁場(chǎng))456570100MHz(磁場(chǎng))708590500MHz(電場(chǎng))7085901GHz(平面波)6574鋁制波導(dǎo)通風(fēng)窗—性能表面涂覆類型導(dǎo)電氧化鍍鎳鍍鎳磷合金屏蔽效能(dB)200kHz(磁場(chǎng))456570100MHz(磁場(chǎng))708590500MHz(電場(chǎng))7085901GHz(平面波)65748310GHz(平面波）506871工作溫度（oC）-75~+150ABCD78=ABCD78=????????????N??;???0???+?????ABCDEFABCDEF789:8789:8GHI9:?l????G789:I.!"#$B012%&'()*+,,-5@66B>78;=30~50C789:I.!"#$B012%&'()*+,,-5@66B>78;=30~50C0A.>5>E;=150k~18G60~100?ABC.GHE0KLM14k~40G80~120(?AB.>.>58?;10k~18G90~120789:8GHI12III=789:8GHI12III=789:8GHI2.789:8GHI2.1.m/saBPa<JKL??<JKL??x????\?}x????&????/<JK<JKKs<JK<JKKs???NntEiEtni?HiHt1?/?????/<JKMNOP <JKMNOP <JKQR<JKQR=K(2腐蝕電池模型電化學(xué)腐蝕原理?將銅片和鋅片稀硫酸溶液中，并用一根導(dǎo)線將其連接，就組成了一個(gè)最簡(jiǎn)單的原電池．鋅片原電池的陽(yáng)極，銅片形成陰極．e+-2HZnCu2SO4H 2Zn2鋅腐蝕電位低（－７６０mv）失電子發(fā)生氧化反應(yīng)氫離子腐蝕電位高（０mv）得到電子發(fā)生還原反應(yīng)ZnZn22腐蝕電池模型電化學(xué)腐蝕原理?將銅片和鋅片稀硫酸溶液中，并用一根導(dǎo)線將其連接，就組成了一個(gè)最簡(jiǎn)單的原電池．鋅片原電池的陽(yáng)極，銅片形成陰極．e+-2HZnCu2SO4H 2Zn2鋅腐蝕電位低（－７６０mv）失電子發(fā)生氧化反應(yīng)氫離子腐蝕電位高（０mv）得到電子發(fā)生還原反應(yīng)ZnZn22e2H2eH2輸?shù)疥帢O當(dāng)沒(méi)有導(dǎo)線在金屬之間連接，而直接使兩種金屬接原電池,其原理和上例相同觸時(shí)，也2H2eH2HSO當(dāng)沒(méi)有導(dǎo)線在金屬之間連接，而直接使兩種金屬接原電池,其原理和上例相同觸時(shí)，也2H2eH2HSO2HSO2H22 44Zn2ZnZn22e銅陽(yáng)極(電位-760mv)鋅陰極(電位-244mv)腐蝕較嚴(yán)重部位從上述過(guò)程可以看出金屬腐蝕基本條件:1從上述過(guò)程可以看出金屬腐蝕基本條件:1有一對(duì)不同腐蝕電位的金屬2金屬相互接觸3存在電解液金屬腐蝕基本過(guò)程:1陽(yáng)極過(guò)程:電位較負(fù)的金屬進(jìn)行陽(yáng)極溶解,以離子形式進(jìn)入溶液.2電子通過(guò)導(dǎo)體由陽(yáng)極進(jìn)入陰極3陰極過(guò)程:能接受電子的氧化劑在陰極得到電子進(jìn)行還原過(guò)程導(dǎo)電襯墊的電化學(xué)腐蝕?對(duì)于導(dǎo)電襯墊,在不同的環(huán)境下,導(dǎo)電襯墊的電化學(xué)腐蝕?對(duì)于導(dǎo)電襯墊,在不同的環(huán)境下,其腐蝕機(jī)理不相同.在濕熱和鹽霧環(huán)境下,主要是發(fā)生氧氣和襯墊材料的氧化還原反應(yīng).在酸性環(huán)境下主要是發(fā)生酸與襯墊材料的氧化還原反應(yīng)?對(duì)于Ag/Al填充的導(dǎo)電襯墊在酸性,濕熱和鹽霧環(huán)境主要是發(fā)生電偶腐蝕和縫隙腐蝕導(dǎo)電襯墊的電化學(xué)腐蝕導(dǎo)電襯墊電磁密封結(jié)構(gòu)電化學(xué)腐蝕部位螺栓Ag/Al填充導(dǎo)電襯墊機(jī)箱蓋板溝槽機(jī)箱壁板導(dǎo)電襯墊的電化學(xué)腐蝕導(dǎo)電襯墊電磁密封結(jié)構(gòu)電化學(xué)腐蝕部位螺栓Ag/Al填充導(dǎo)電襯墊機(jī)箱蓋板溝槽機(jī)箱壁板導(dǎo)電襯墊的電化學(xué)腐蝕對(duì)于導(dǎo)電襯墊和箱體?為了保持環(huán)境和電磁密封,導(dǎo)電襯墊和箱體緊密接觸.且對(duì)于箱體其材料為鋼,導(dǎo)電襯墊的電化學(xué)腐蝕對(duì)于導(dǎo)電襯墊和箱體?為了保持環(huán)境和電磁密封,導(dǎo)電襯墊和箱體緊密接觸.且對(duì)于箱體其材料為鋼,其腐蝕電位為-250mv,對(duì)于Ag/Al導(dǎo)電襯墊,其腐蝕電位為-730mv,兩種材料之間存在電位差.??在空氣中,空氣中存在氧氣,導(dǎo)電襯墊和箱體水,以及其他化學(xué)物質(zhì),可以形成電解液.可以看出,這種結(jié)構(gòu)滿足電化學(xué)腐蝕模型,對(duì)于本例,主要是電偶腐蝕和縫隙腐蝕.<JKQR!!"#<JKQR!!"#$,/2$6)77)8$11:-7$"#$=1B($@%^t?x??m???x-./x0<JKRJKRJKQRmaxminminmax<JKRJKRJKQRmaxminminmaxminmax}*+&/1==G<JKQR<JKQR :;?<=3?? 5645'789><JKQR<JKQRM設(shè)計(jì)安裝導(dǎo)電橡膠的槽——機(jī)械方面的考慮為了生產(chǎn)失效的槽中的襯料系統(tǒng)，設(shè)計(jì)者必須考慮三個(gè)導(dǎo)致密封失效的機(jī)械方面的：襯料變形過(guò)大(超變形)和連帶的損壞；失密封；料。1.2.3.形狀實(shí)體O-形10%18%25%實(shí)體D-形8%15%20%設(shè)計(jì)安裝導(dǎo)電橡膠的槽——機(jī)械方面的考慮為了生產(chǎn)失效的槽中的襯料系統(tǒng)，設(shè)計(jì)者必須考慮三個(gè)導(dǎo)致密封失效的機(jī)械方面的：襯料變形過(guò)大(超變形)和連帶的損壞；失密封；料。1.2.3.形狀實(shí)體O-形10%18%25%實(shí)體D-形8%15%20%矩形5%10%15%O-形中空D-形10%空心部分50%空心部分100%設(shè)計(jì)安裝導(dǎo)電橡膠的槽——計(jì)算流程圖左示框圖表示了的流程。說(shuō)明：在計(jì)算標(biāo)Y是否超出最大變形極限N的為初始的標(biāo)稱O形的變形為10%~25%，標(biāo)18%，則標(biāo)Y是否不到最小變形極限N稱槽深GrDnom0.82算例nom根據(jù)填充極限，計(jì)算溝槽的標(biāo)稱寬度計(jì)算最小變形設(shè)計(jì)安裝導(dǎo)電橡膠的槽——計(jì)算流程圖左示框圖表示了的流程。說(shuō)明：在計(jì)算標(biāo)Y是否超出最大變形極限N的為初始的標(biāo)稱O形的變形為10%~25%，標(biāo)18%，則標(biāo)Y是否不到最小變形極限N稱槽深GrDnom0.82算例nom根據(jù)填充極限，計(jì)算溝槽的標(biāo)稱寬度計(jì)算最小變形計(jì)算最大變形計(jì)算標(biāo)稱槽深(并確定公差)(并確定公差)<JKS<JKS]iNiGHBk89PQSPUV#3$4$7(!")*+,-?@ABC:45~6565~9010~1530~80-40~70I!@H:FG50~7590~12025~4510~30-55~160:7:FG55~6590~1255~1225~50-75~250:I!VRSIT:!!Y./055~80100~1253~515~30-55~165WXI[55~80100~1253~520~80-55~225H99_`_`50~7550~8515~2530~45-55~165:!C7950~8055~1005~830~55-55~165#3$4$7(!")*+,-?@ABC:45~6565~9010~1530~80-40~70I!@H:FG50~7590~12025~4510~30-55~160:7:FG55~6590~1255~1225~50-75~250:I!VRSIT:!!Y./055~80100~1253~515~30-55~165WXI[55~80100~1253~520~80-55~225H99_`_`50~7550~8515~2530~45-55~165:!C7950~8055~1005~830~55-55~165AHI50~7050~8012~2025~60-34~125I!opqH:48~8585~1203~525~50-62~165rs:!opqH:52~9085~1053~530~60-62~165—k—k"&479B97E=~675678~97—k—k—k/ss%'#*+,-.-/-012(#*+,—k/ss%'#*+,-.-/-012(#*+,-/-//:,D"--/-"--N(G,C,...$--VR>UD$WRRXUD(_`,"--"--ab"W,D"--"--——k@AB?9CD?:<EFGH??—k—k—k—k!#$!#——k—k—k!"$%25$(")'''*2+,5)679:;<"='>='>=#'>$TUVWTUVWTUVW?TUVWTUVWTUVW?lTvwstDU???Vh5J???WXhYZ?hT`ma???hx{Kc*j/TUVWTUVWTUVWTUVWTUVWTUVW?b.)*??bcD/0???:34?q???b??m\`abc.)*]^_`abcD/0de$34C5fghijkLm<FGKtL7uvwx+)-37*<=C+JORVTUVWTUVWTUV—????#$.1TUV—????#$.1 2(*-.2122.1～～B'CD*E—1HHHIKMMHHHSTUXHSTUU—$/ A\_00BTUV—??zKSOW-800KSOW-900KSOM-1000KSOM-1100KSOM-1200100H()^22351522100MH(d)^62802334500M[)^60752334(dB))^1GHz()587023351TUV—??zKSOW-800KSOW-900KSOM-1000KSOM-1100KSOM-1200100H()^22351522100MH(d)^62802334500M[)^60752334(dB))^1GHz()587023351(a32622233fa7060716972ccccc36W25~3025~3025~3025~3025~30aVDC^-55b-55bb36363636_`^_`55 12^_`^_`-55-55-55V\55125551255512555125P-[:H15g(11ms):QM501-15020OP-(1/2)MN:L3H+DEFG*TUVWwTUVWwmλ&/]TUVWTUVW?D€1&0?;aTUVW?TUVW?D/x??~V??t0j??;X;VW??l?X;VW??l??;??<="???,??????j,23Y?stD????x??N|}?x???|}/XY?L?XY?L??P?H???9?CH?`c6fijkm6fijX?Q#?0610dB(GHz-17~-25-30~-45-30~-40-30-17~-256~406~1510~154~403~15mm2500500500500-500-50~+70-50~+70-50~+70-50~+7050~+70500500500500500UL8903mm45100303020X?Q#?0610dB(GHz-17~-25-30~-45-30~-40-30-17~-256~406~1510~154~403~15mm2500500500500-500-50~+70-50~+70-50~+70-50~+7050~+70500500500500500UL8903mm45100303020KSAR P06KSP14KSAR P10KSAR P12-dB()17~2517~2510~2810~2810~2810~4014~405.7~6.39.5~10.511.4~12.6mm500305305305500-54~+163-54~+163mm-50~+70-50~+70-54~+1635003053053052500URL89039132.21.41.7電磁的主要問(wèn)題電磁要求殼體具有良好的導(dǎo)電連續(xù)型，對(duì)殼體上的開(kāi)孔開(kāi)縫有著嚴(yán)格的限制。孔縫泄漏原理對(duì)于產(chǎn)生諧振的機(jī)箱，上面的孔縫將產(chǎn)生比未出現(xiàn)諧振更大的孔縫泄漏。電磁的主要問(wèn)題電磁要求殼體具有良好的導(dǎo)電連續(xù)型，對(duì)殼體上的開(kāi)孔開(kāi)縫有著嚴(yán)格的限制?？卓p泄漏原理對(duì)于產(chǎn)生諧振的機(jī)箱，上面的孔縫將產(chǎn)生比未出現(xiàn)諧振更大的孔縫泄漏。吸波材料的損耗機(jī)理根據(jù)麥克斯韋電磁場(chǎng)理論，材料與電磁場(chǎng)的作用可以相對(duì)復(fù)介電系數(shù)和相對(duì)復(fù)磁導(dǎo)率。吸波材料的損耗機(jī)理根據(jù)麥克斯韋電磁場(chǎng)理論，材料與電磁場(chǎng)的作用可以相對(duì)復(fù)介電系數(shù)和相對(duì)復(fù)磁導(dǎo)率。jj吸波材料的損耗介質(zhì)可分為電損耗型和磁損耗型兩大類吸波材料抑制電磁干擾長(zhǎng)方體腔可以看成一個(gè)兩端封閉的波導(dǎo)，當(dāng)腔體諧振時(shí)，腔內(nèi)產(chǎn)生半波長(zhǎng)整數(shù)倍的駐波，腔內(nèi)的電磁波必是矩形波導(dǎo)中傳輸?shù)哪切┠Ｊ窖葑兌鴣?lái)，與矩形波導(dǎo)相對(duì)應(yīng)，諧振腔內(nèi)存在著TE型振蕩模式和TM型振蕩模式。吸波材料抑制電磁干擾長(zhǎng)方體腔可以看成一個(gè)兩端封閉的波導(dǎo)，當(dāng)腔體諧振時(shí)，腔內(nèi)產(chǎn)生半波長(zhǎng)整數(shù)倍的駐波，腔內(nèi)的電磁波必是矩形波導(dǎo)中傳輸?shù)哪切┠Ｊ窖葑兌鴣?lái)，與矩形波導(dǎo)相對(duì)應(yīng)，諧振腔內(nèi)存在著TE型振蕩模式和TM型振蕩模式。吸波材料在不同位置對(duì)諧振的抑制效果建模腔體為邊長(zhǎng)為a的正方體，分別在5個(gè)位置上吸波材料。吸波材料在不同位置對(duì)諧振的抑制效果建模腔體為邊長(zhǎng)為a的正方體，分別在5個(gè)位置上吸波材料。(,)(,2 22吸波材料在不同位置對(duì)諧振的抑制效果貼在z=0的壁上貼在z=0的壁上電場(chǎng)電場(chǎng)磁場(chǎng)磁場(chǎng)兩探針的耦合系數(shù)（電損耗型吸波材料在不同位置對(duì)諧振的抑制效果貼在z=0的壁上貼在z=0的壁上電場(chǎng)電場(chǎng)磁場(chǎng)磁場(chǎng)兩探針的耦合系數(shù)（電損耗型吸波材料）兩探針的耦合系數(shù)（磁損耗型吸波材料）電損耗型吸波材料在電場(chǎng)最強(qiáng)的地方對(duì)諧振的抑制效果最好磁損耗型吸波材料在磁場(chǎng)最強(qiáng)的地方對(duì)諧振的抑制效果最好如果只是為了消除諧振，可以選擇反射損耗較大的吸波材料較小反射系數(shù)的吸波材料，在面積較大的情況下，對(duì)非諧振頻段上電磁干擾也有較好的抑制效果不同吸波材料對(duì)諧振的抑制效果反射系數(shù)－5.5dB反射系數(shù)－9dB反射系數(shù)－11dB反射系數(shù)－22dB反射系數(shù)－37dB反射系數(shù)－15dB磁損耗型吸波材料，貼裝于一側(cè)腔壁磁場(chǎng)最強(qiáng)處如果只是為了消除諧振，可以選擇反射損耗較大的吸波材料較小反射系數(shù)的吸波材料，在面積較大的情況下，對(duì)非諧振頻段上電磁干擾也有較好的抑制效果不同吸波材料對(duì)諧振的抑制效果反射系數(shù)－5.5dB反射系數(shù)－9dB反射系數(shù)－11dB反射系數(shù)－22dB反射系數(shù)－37dB反射系數(shù)－15dB磁損耗型吸波材料，貼裝于一側(cè)腔壁磁場(chǎng)最強(qiáng)處吸波材料對(duì)開(kāi)縫腔體諧振的抑制實(shí)際應(yīng)用中的箱體上會(huì)有很多孔洞，如為滿足熱設(shè)計(jì)要求而開(kāi)的通風(fēng)孔，為操作設(shè)置的各種按鈕安裝孔，為觀察等需要開(kāi)的顯示口，各種電纜連接孔，還有體不同部分組合時(shí)形成的縫隙等等，這就破壞了箱體的完整性，外界的電磁場(chǎng)很容易耦合到腔體內(nèi)部形成干擾，尤其產(chǎn)生諧振時(shí)，情況就會(huì)變得更為嚴(yán)重?。?！一般認(rèn)為，機(jī)箱在低頻時(shí)的效能主要取決效能主要取決于于制造體的材料，在高頻時(shí)的機(jī)箱上孔洞和縫隙。吸波材料對(duì)開(kāi)縫腔體諧振的抑制實(shí)際應(yīng)用中的箱體上會(huì)有很多孔洞，如為滿足熱設(shè)計(jì)要求而開(kāi)的通風(fēng)孔，為操作設(shè)置的各種按鈕安裝孔，為觀察等需要開(kāi)的顯示口，各種電纜連接孔，還有體不同部分組合時(shí)形成的縫隙等等，這就破壞了箱體的完整性，外界的電磁場(chǎng)很容易耦合到腔體內(nèi)部形成干擾，尤其產(chǎn)生諧振時(shí)，情況就會(huì)變得更為嚴(yán)重?。?！一般認(rèn)為，機(jī)箱在低頻時(shí)的效能主要取決效能主要取決于于制造體的材料，在高頻時(shí)的機(jī)箱上孔洞和縫隙。吸波材料對(duì)開(kāi)縫腔體諧振的抑制為了定量分析吸波材料對(duì)開(kāi)縫腔體諧振的抑制效果，建立腔體模型，建如下模型：Length:10cmwidth:1cm吸波材料選取磁損耗吸波材料進(jìn)行磁損耗：吸波材料對(duì)開(kāi)縫腔體諧振的抑制為了定量分析吸波材料對(duì)開(kāi)縫腔體諧振的抑制效果，建立腔體模型，建如下模型：Length:10cmwidth:1cm吸波材料選取磁損耗吸波材料進(jìn)行磁損耗：1 tane0 d=1mm tanm0.2吸波材料對(duì)開(kāi)縫腔體諧振的抑制090180270360腔體在TE101模諧振時(shí)xoz面內(nèi)的場(chǎng)強(qiáng)分布吸波材料對(duì)開(kāi)縫腔體諧振的抑制090180270360腔體在TE101模諧振時(shí)xoz面內(nèi)的場(chǎng)強(qiáng)分布吸波材料對(duì)開(kāi)縫腔體諧振的抑制腔體兩側(cè)不加吸波材料和加磁損耗吸波材料時(shí)腔體中心點(diǎn)處的屏效：TE101TE103TE1021400（MHz）70011000吸波材料對(duì)開(kāi)縫腔體諧振的抑制腔體兩側(cè)不加吸波材料和加磁損耗吸波材料時(shí)腔體中心點(diǎn)處的屏效：TE101TE103TE1021400（MHz）70011000Z[\0]^_SZ[\0]^_S`???cK??????z&/'???????+4?23Y????/?????23Y?6Z[\0]^_S`,(<CFG2=11 GZ[\0]^_S`,(<CFG2=11 G1 G1 σ?ν(σy)x+σ==γτ+ xy?y?σ+ y+ xz?z?τ+ yz+F =0 xExyxyzbx1== y?ν(σ+σz) γτ+F =0yzyzEby?z1?τzx?τ+ zy?ν(σy+σx)=σzεzγτE xy??zs??s4?t?zxzx+F =0??s??4?????K0"?uZ[\0]^_S`=R?θ2(+)+μ?u+F=Z[\0]^_S`=R?θ2(+)+μ?u+F=0λμbx?x?θ(+)+μ?ν+F=0λμby?y?θ2(λ+μ+μ?ω+Fbz=0?zDZ?YKtAgorVW?23Ym??E??????m??*?1Yms4Y?/Z[\0]^_S`>?STUAZ[\0]^_S`>?STUA??#34/mD?j#$?3?D?VWWZ[\0]^_Z[\0]^_S`?x4x????Z[\0]^_S`εSEs4?12Z[\0]^_S`εSEs4?12*+12?*+εPY?412?12Z[\0]^_S`Z[\0]^_S`)??s4Y?)??12?????45=?/%&s4????/Z[\0]^_S`???12?Z[\0]^_S`???12?????s4Y???5J????12Y???s4Y???120.20.30?Y??D'=??1?????45=?/%&su?MPa?=?/a\01?????}a\01?????}??!?????}??!為盡量減效屏蔽層間的孔縫泄漏，如下圖所示需在屏蔽層間加吸波材料。吸波材料采用PY1-100型材料（厚為100mm），其反射損耗如下表所示。為盡量減效屏蔽層間的孔縫泄漏，如下圖所示需在屏蔽層間加吸波材料。吸波材料采用PY1-100型材料（厚為100mm），其反射損耗如下表所示。吸波材料的反射損耗加吸波材料的結(jié)構(gòu)示意圖!"?!"???O>?.P"?G?HPQ?G?HPQA?55~6550~601~21~2> 5~255~2512~2412~24)*+,-750.10.5!"-585-5854~6( 30-40μm)4~6( 30-40μm)(ZgEI"GJB151A314?!??"RS2RS"%gijeGJB151A314?!??"RS2RS"%gije_Y1TUVWBO,"!"#$%&'(&/7878,935IE<%pqO)*MNOPQ<%pqO)*MNOPQ8.×6m3M%ldklmGHzno電子設(shè)備結(jié)構(gòu)特點(diǎn)模型圖：微帶線縫隙頂部模塊圖PCB整體圖●結(jié)構(gòu)非對(duì)稱性●內(nèi)部結(jié)構(gòu)復(fù)雜PCB小凸臺(tái)印制板件眾多●中間模塊圖底部模塊圖●工作頻率較高●典型的電大問(wèn)題接插件孔電子設(shè)備結(jié)構(gòu)特點(diǎn)模型圖：微帶線縫隙頂部模塊圖PCB整體圖●結(jié)構(gòu)非對(duì)稱性●內(nèi)部結(jié)構(gòu)復(fù)雜PCB小凸臺(tái)印制板件眾多●中間模塊圖底部模塊圖●工作頻率較高●典型的電大問(wèn)題接插件孔&56JZ]Qlo=sqrl?€Lnno=vwqr&56JZ]Qlo=sqrl?€Lnno=vwqrlx?€?`a€?`a2CADMNL??3CAD1oyz{no+|}?,noy~€na#SC23&&56aEQAnsys/MultiphysicsFlowmerics/FLOWEMCEADS/EMC2000Integratedsoft/IESAnsys/FecoAnsoft/HFSS各種電磁分析軟件的特點(diǎn)Multiphysics該軟件基于CAE環(huán)境，采用協(xié)同化設(shè)計(jì)方法，提供結(jié)構(gòu)動(dòng)靜力分析、熱分析和高低頻電磁場(chǎng)分析，其建模軟件支持對(duì)CAD幾何模型的本征文件進(jìn)行無(wú)縫直接的傳遞標(biāo)準(zhǔn)。其主要的優(yōu)點(diǎn)為：和修補(bǔ)，可同時(shí)支持多種幾何模型多種場(chǎng)及多種場(chǎng)耦合分析：可進(jìn)行多種場(chǎng)的協(xié)同設(shè)計(jì)具有宏、參數(shù)設(shè)計(jì)語(yǔ)言、用戶可編程特性三個(gè)層次的用戶開(kāi)發(fā)功能直接的CAD幾何模型各種電磁分析軟件的特點(diǎn)Multiphysics該軟件基于CAE環(huán)境，采用協(xié)同化設(shè)計(jì)方法，提供結(jié)構(gòu)動(dòng)靜力分析、熱分析和高低頻電磁場(chǎng)分析，其建模軟件支持對(duì)CAD幾何模型的本征文件進(jìn)行無(wú)縫直接的傳遞標(biāo)準(zhǔn)。其主要的優(yōu)點(diǎn)為：和修補(bǔ)，可同時(shí)支持多種幾何模型多種場(chǎng)及多種場(chǎng)耦合分析：可進(jìn)行多種場(chǎng)的協(xié)同設(shè)計(jì)具有宏、參數(shù)設(shè)計(jì)語(yǔ)言、用戶可編程特性三個(gè)層次的用戶開(kāi)發(fā)功能直接的CAD幾何模型與修補(bǔ)，同時(shí)支持多種幾何模型傳遞標(biāo)準(zhǔn)支持異種、異構(gòu)平臺(tái)的網(wǎng)絡(luò)浮動(dòng)該軟件沒(méi)有試用版，也未能了解到該軟件用戶使用情況，因此無(wú)法。各種電磁分析軟件的特點(diǎn)FLO/EMC該軟件采用等效傳輸線（TLM）算法對(duì)設(shè)備進(jìn)行電磁效能、泄漏場(chǎng)分析，可設(shè)置印制板及其他干擾源的發(fā)射類型等，同時(shí)還可提供機(jī)箱開(kāi)孔、接縫等結(jié)構(gòu)參數(shù)。從Flomerics公司技術(shù)介紹情況看，比較適用于機(jī)箱機(jī)柜的電磁兼容性分析。但通過(guò)我們提供的算例看其計(jì)算結(jié)果與實(shí)際情況有較大偏差，一方各種電磁分析軟件的特點(diǎn)FLO/EMC該軟件采用等效傳輸線（TLM）算法對(duì)設(shè)備進(jìn)行電磁效能、泄漏場(chǎng)分析，可設(shè)置印制板及其他干擾源的發(fā)射類型等，同時(shí)還可提供機(jī)箱開(kāi)孔、接縫等結(jié)構(gòu)參數(shù)。從Flomerics公司技術(shù)介紹情況看