大綱光刻工藝介紹光刻概述工藝流程主要工藝設(shè)備介紹四、其他清洗工藝介紹、清洗概述、常用濕法清洗(腐蝕)方法、清洗機(jī)及超聲清洗四、等離子清洗機(jī)五、常用化學(xué)品理化特性大綱1光刻工藝介紹光刻概述二、工藝流程三、主要工藝設(shè)備介紹四、其他光刻工藝介紹2光刻概述什么是光刻通過(guò)曝光將掩模板(reticle)上的圖形,轉(zhuǎn)移到晶片(wafer)上的過(guò)程叫光刻,圖形轉(zhuǎn)移過(guò)程包含兩個(gè)步驟(1)通過(guò)曝光將掩模板圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上(2)通過(guò)顯影將曝光后溶于顯影液的光刻膠溶解掉,顯露出我仉需要的功能窗口。光刻概述32、光刻的質(zhì)量光刻的質(zhì)量∶用分辨率、光刻精度以及缺陷密度等來(lái)衡量影響光刻質(zhì)量的主要因素是:光刻膠、光刻掩模板、曝光方式、曝光系統(tǒng)等光刻的質(zhì)量要求光刻的質(zhì)量直接影響到器件的性能,成品率和可靠性。要圖形完整性好大針孔尺寸準(zhǔn)確邊緣整齊,線條陡直圖形內(nèi)無(wú)針孔,圖形外無(wú)小島圖形脫青硅片表面清潔,無(wú)底膜圖形套刻準(zhǔn)確。小針孔光刻常見缺陷2、光刻的質(zhì)量43、基本流程前部工清洗表面處e理-匚*膠」一匚烘對(duì)準(zhǔn)匚些-[]-江曝光核心工藝黃光室通過(guò)刻蝕3、基本流程5二、光刻工藝流程(一)、表面處理為什么要進(jìn)行表面處理由于晶圓容易吸附潮氣到它的表面。光刻膠黏附要求要嚴(yán)格的干燥表面,所以在涂膠之前要進(jìn)行脫水娂焙和黏附劑的涂覆。脫水烘焙的溫度通常在140度到200度之間。有時(shí)還要用到黏附劑,黏附劑通常使用HMDS(六甲基二硅胺脘)。表面處理的主要作用是提高光刻膠與襯底之間的粘附力,使之在顯影過(guò)程中光刻膠不會(huì)被液態(tài)顯影液滲逶。(如下圖)顯影液帖附力好表面利底是否要使用黏附劑要根據(jù)圖形大小、襯扆及光刻膠的種類來(lái)決定,HMDS可以用浸泡、噴霧和氣相方法來(lái)涂矍。粘附力差的表面二、光刻工藝流程6使用烘箱進(jìn)行HMDS增粘處理要注意那些問(wèn)題?①預(yù)處理完的硅片應(yīng)在一定的時(shí)間內(nèi)盡快涂膠,以免表面吸附空氣中的水分,降低増粘效果。但同時(shí)也要充分冷卻,因硅片的溫度對(duì)膠厚有很大的影響。②反復(fù)預(yù)處理反而會(huì)降低增粘效果。3ⅢMDS的瓶蓋打開后,其壽命有限,一定要盡快用完。使用烘箱進(jìn)行HMDS增粘處理要注意那些問(wèn)題?7(二)涂膠目的:就是在晶園表面建立一厚度均勻的、并且沒(méi)有缺陷的光刻膠膜。方法:靜態(tài)旋轉(zhuǎn)涂覆動(dòng)態(tài)噴灑涂覆1.滴膠(靜態(tài)、動(dòng)態(tài))2.加速旋轉(zhuǎn)3.甩掉多余的膠溶劑揮發(fā)(二)涂膠8靜態(tài)涂膠:首先把光刻膠通過(guò)管道堆積在晶圓的中心,然后低速旋轉(zhuǎn)使光刻膠鋪開,再高速旋轉(zhuǎn)甩掉多余的光刻膠,高速旋轉(zhuǎn)時(shí)光刻膠中的溶劑會(huì)揮發(fā)一部分。涂膠鋪展∨真空靜態(tài)涂膠:9動(dòng)態(tài)涂膠隨著wafer直徑越來(lái)越大,靜態(tài)涂膠已不能滿足要求,動(dòng)態(tài)噴灑是以低徳旋轉(zhuǎn),目的是幫助光刻膠最初的擴(kuò)散,用這種方法可以用較少量的光刻膠而達(dá)到更均勻的光刻膠膜,然后高速旋轉(zhuǎn)完成最終要求薄而均勹的光刻膠膜。低轉(zhuǎn)速、轉(zhuǎn)速動(dòng)態(tài)涂膠10光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件11光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件12光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件13光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件14光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件15光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件16光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件17光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件18光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件19光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件20光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件21光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件22光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件23光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件24光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件25光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件26光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件27光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件28光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件29光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件30光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件31光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件32光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件33光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件34光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件35光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件36光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件37光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件38光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件39光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件40光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件41光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件42光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件43光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件44光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件45光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件46光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件47光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件48光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件49光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件50光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件51光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件52光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件53光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件54光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件55光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件56光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件57光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件58光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件59光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件60光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件61光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件62光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件63光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件64光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件65大綱光刻工藝介紹光刻概述工藝流程主要工藝設(shè)備介紹四、其他清洗工藝介紹、清洗概述、常用濕法清洗(腐蝕)方法、清洗機(jī)及超聲清洗四、等離子清洗機(jī)五、常用化學(xué)品理化特性大綱66光刻工藝介紹光刻概述二、工藝流程三、主要工藝設(shè)備介紹四、其他光刻工藝介紹67光刻概述什么是光刻通過(guò)曝光將掩模板(reticle)上的圖形,轉(zhuǎn)移到晶片(wafer)上的過(guò)程叫光刻,圖形轉(zhuǎn)移過(guò)程包含兩個(gè)步驟(1)通過(guò)曝光將掩模板圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上(2)通過(guò)顯影將曝光后溶于顯影液的光刻膠溶解掉,顯露出我仉需要的功能窗口。光刻概述682、光刻的質(zhì)量光刻的質(zhì)量∶用分辨率、光刻精度以及缺陷密度等來(lái)衡量影響光刻質(zhì)量的主要因素是:光刻膠、光刻掩模板、曝光方式、曝光系統(tǒng)等光刻的質(zhì)量要求光刻的質(zhì)量直接影響到器件的性能,成品率和可靠性。要圖形完整性好大針孔尺寸準(zhǔn)確邊緣整齊,線條陡直圖形內(nèi)無(wú)針孔,圖形外無(wú)小島圖形脫青硅片表面清潔,無(wú)底膜圖形套刻準(zhǔn)確。小針孔光刻常見缺陷2、光刻的質(zhì)量693、基本流程前部工清洗表面處e理-匚*膠」一匚烘對(duì)準(zhǔn)匚些-[]-江曝光核心工藝黃光室通過(guò)刻蝕3、基本流程70二、光刻工藝流程(一)、表面處理為什么要進(jìn)行表面處理由于晶圓容易吸附潮氣到它的表面。光刻膠黏附要求要嚴(yán)格的干燥表面,所以在涂膠之前要進(jìn)行脫水娂焙和黏附劑的涂覆。脫水烘焙的溫度通常在140度到200度之間。有時(shí)還要用到黏附劑,黏附劑通常使用HMDS(六甲基二硅胺脘)。表面處理的主要作用是提高光刻膠與襯底之間的粘附力,使之在顯影過(guò)程中光刻膠不會(huì)被液態(tài)顯影液滲逶。(如下圖)顯影液帖附力好表面利底是否要使用黏附劑要根據(jù)圖形大小、襯扆及光刻膠的種類來(lái)決定,HMDS可以用浸泡、噴霧和氣相方法來(lái)涂矍。粘附力差的表面二、光刻工藝流程71使用烘箱進(jìn)行HMDS增粘處理要注意那些問(wèn)題?①預(yù)處理完的硅片應(yīng)在一定的時(shí)間內(nèi)盡快涂膠,以免表面吸附空氣中的水分,降低増粘效果。但同時(shí)也要充分冷卻,因硅片的溫度對(duì)膠厚有很大的影響。②反復(fù)預(yù)處理反而會(huì)降低增粘效果。3ⅢMDS的瓶蓋打開后,其壽命有限,一定要盡快用完。使用烘箱進(jìn)行HMDS增粘處理要注意那些問(wèn)題?72(二)涂膠目的:就是在晶園表面建立一厚度均勻的、并且沒(méi)有缺陷的光刻膠膜。方法:靜態(tài)旋轉(zhuǎn)涂覆動(dòng)態(tài)噴灑涂覆1.滴膠(靜態(tài)、動(dòng)態(tài))2.加速旋轉(zhuǎn)3.甩掉多余的膠溶劑揮發(fā)(二)涂膠73靜態(tài)涂膠:首先把光刻膠通過(guò)管道堆積在晶圓的中心,然后低速旋轉(zhuǎn)使光刻膠鋪開,再高速旋轉(zhuǎn)甩掉多余的光刻膠,高速旋轉(zhuǎn)時(shí)光刻膠中的溶劑會(huì)揮發(fā)一部分。涂膠鋪展∨真空靜態(tài)涂膠:74動(dòng)態(tài)涂膠隨著wafer直徑越來(lái)越大,靜態(tài)涂膠已不能滿足要求,動(dòng)態(tài)噴灑是以低徳旋轉(zhuǎn),目的是幫助光刻膠最初的擴(kuò)散,用這種方法可以用較少量的光刻膠而達(dá)到更均勻的光刻膠膜,然后高速旋轉(zhuǎn)完成最終要求薄而均勹的光刻膠膜。低轉(zhuǎn)速、轉(zhuǎn)速動(dòng)態(tài)涂膠75光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件76光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件77光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件78光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件79光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件80光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件81光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件82光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件83光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件84光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件85光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件86光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件87光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件88光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件89光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件90光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件91光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件92光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件93光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件94光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件95光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件96光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件97光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件98光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件99光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件100光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件101光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件102光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件103光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件104光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件105光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件106光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件107光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件108光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件109光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件110光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件111光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件112光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件113光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件114光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件115光刻清洗工藝簡(jiǎn)介課件116光刻清