《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》幻燈片本課件PPT僅供大家學(xué)習(xí)使用學(xué)習(xí)完請(qǐng)自行刪除，謝謝！本課件PPT僅供大家學(xué)習(xí)使用學(xué)習(xí)完請(qǐng)自行刪除，謝謝！《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》幻燈片本課件PPT僅供大家學(xué)習(xí)使用薄膜成長(zhǎng)或者稱(chēng)薄膜沈積(ThinFilmDeposition)技術(shù)，是指在一基板上(Substrate)成長(zhǎng)一層同質(zhì)(HomogeneousStructure)或者是異質(zhì)(Hetero-structure)材料之技術(shù)。金屬層、複晶矽薄膜(polycrystallinesilicon)、二氧化矽(SiO2)、氮化矽(Si3N4)層都適用此種方法來(lái)沉積薄膜層。薄膜成長(zhǎng)或者稱(chēng)薄膜沈積(ThinFilmDepositi4-1薄膜沈積之原理薄膜沈積技術(shù)可分為化學(xué)氣相沈積(ChemicalVaporDeposition,CVD)和物理氣相沈積(PhysicalVaporDeposition,PVD)二種方法。而化學(xué)氣相沈積方法在半導(dǎo)體工業(yè)上最常用的是低壓化學(xué)氣相沈積方法(LowPressureChemicalVaporDeposition,LPCVD)與常壓化學(xué)氣相沈積方法(AtmosphericPressureChemicalVaporDeposition,APCVD)

4-1薄膜沈積之原理薄膜沈積技術(shù)可分為化學(xué)氣相沈積(Che以LPCVD為例，要生成薄膜的材料是與爐管的溫度及注入爐管的氣體種類(lèi)有關(guān)爐管的溫度高於550℃＋SiH4→複晶矽薄膜爐管的溫度約485℃＋Si2H6→複晶矽薄膜氧氣和SiH4在爐管內(nèi)→二氧化矽(SiO2)層氨氣和SiH2Cl2在爐管內(nèi)→Si3N4以LPCVD為例，要生成薄膜的材料是與爐管的溫度及注入爐管的物理氣相沈積方法，最常用的是金屬濺鍍機(jī)(Sputtering)和金屬蒸鍍機(jī)(Evaporation)最為典型也最為常用。Sputtering：藉助電漿產(chǎn)生之離子(如Ar)去撞擊電極靶源，始靶源之金屬沉積於基座上

如AlCuSi、W等Evaporation：把要蒸鍍的金屬置放在熔點(diǎn)極高的承載器，然後加溫至被蒸發(fā)金屬之熔點(diǎn)如鋁線(Al)與金線(Au)之蒸鍍物理氣相沈積方法，最常用的是金屬濺鍍機(jī)(Sputtering電漿(plasma)是一群中性分子(氣體)中有一局部帶正電，一局部帶負(fù)電，而正負(fù)電賀立子數(shù)目接近相等，故整體電將呈現(xiàn)電中性，其活性皆很強(qiáng)。由中性原子或分子、負(fù)電(電子)和正電(離子)所構(gòu)成。電子濃度對(duì)所有氣體濃度的比例被定義為游離率(ionizationrate)電漿(plasma)是一群中性分子(氣體)中有一局部帶正電，薄膜沉積之機(jī)制薄膜沉積之機(jī)制4-2低壓力化學(xué)氣相沈積法

(LowPressureChemicalVapor

Depostition,LPCVD)1. 複晶矽材料之沈積：4-2低壓力化學(xué)氣相沈積法

(LowPress《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件2. 氧化矽和氮化矽材料之沈積：

以低溫製程來(lái)沉積此兩種絕緣材料作內(nèi)層介電層，內(nèi)金屬介電層以及作保護(hù)層之用低溫之電漿加強(qiáng)式化學(xué)氣相沉積(PlsmaEnhancedVaporDeposition,PECVD)

2. 氧化矽和氮化矽材料之沈積：反應(yīng)溫度藉高能量之電漿效應(yīng)，使溫度得以降低磷矽玻璃(PhosphosilicateGlass,PSG)PSG材料和氮化矽材料均可以阻擋水氣，更可以防止鹼金屬之?dāng)U散，很適合做鈍化保護(hù)層反應(yīng)溫度藉高能量之電漿效應(yīng)，使溫度得以降低氮化矽(siliconnitride)之成長(zhǎng)PECVD之化學(xué)反應(yīng)式為：LPCVD爐之化學(xué)反應(yīng)式則為

或者氮化矽(siliconnitride)之成長(zhǎng)4-3磊晶矽晶片之成長(zhǎng)技術(shù)磊晶之原文，Epi-taxy是希臘文，原意是在上面有秩序的(Upon-order)排列，而磊晶晶片即是用一簡(jiǎn)單之製程，在一有結(jié)晶狀之基座(Substrate)上面成長(zhǎng)單晶結(jié)構(gòu)之物質(zhì)，以目前製程上之應(yīng)用，可分為同質(zhì)之磊晶晶片(HomoepitaxyWafer)和異質(zhì)之磊晶晶片(HeteroepitaxyWafer)。4-3磊晶矽晶片之成長(zhǎng)技術(shù)磊晶之原文，Epi-taxy是希

磊晶矽晶圓片之成長(zhǎng)磊晶矽晶圓片之成長(zhǎng)《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件1. 低溫氧化層之技術(shù)(LTO)目前較常用之低溫氧化矽之成長(zhǎng)技術(shù)為大氣壓力化學(xué)氣相沈積方法，(AtmosphericPressureChemicalVaporDeposition,APCVD)。2. 去除晶片邊緣處之氧化矽(EOS)

因晶片成長(zhǎng)磊晶層時(shí)因晶片邊緣粗糙處，易吸附雜質(zhì)及異物1. 低溫氧化層之技術(shù)(LTO)《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件

磊晶晶片之成長(zhǎng)機(jī)制磊晶晶片之成長(zhǎng)機(jī)制《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件1. 磊晶成長(zhǎng)之物理機(jī)制當(dāng)在氣體流動(dòng)穩(wěn)定狀態(tài)下，F(xiàn)1和F0是相等，F(xiàn)為通量(Flux)，定義為單位面積下參與反應(yīng)之原子數(shù)目，hg則為氣相質(zhì)量傳送係數(shù)(Gas-phaseMass-transferCoefficient)，ks是化學(xué)外表反應(yīng)速率常數(shù)(ChemicalSurface-reactionRateConstant)Ea是主動(dòng)活化能(ActivationEnergy)，大約1.9eV。當(dāng)hg>>ks為SurfaceReactionControl主導(dǎo)成長(zhǎng)之機(jī)制1. 磊晶成長(zhǎng)之物理機(jī)制，反之hg<<ks則為MassTransferControl來(lái)主導(dǎo)磊晶層之成長(zhǎng)。成長(zhǎng)速率為，N1是單位體積下之矽原子數(shù)量〔經(jīng)驗(yàn)值約為~5×1022cm–3〕Cg=YCT，CT是單位體積之總氣體量，Y是矽原子之莫耳(Mole)數(shù)比，當(dāng)hg>>ks時(shí)，磊晶膜之成長(zhǎng)速率為，反之hg<<ks時(shí)成長(zhǎng)速率為。，反之hg<<ks則為MassTransferCo《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件2. 磊晶成長(zhǎng)之問(wèn)題磊晶層在成長(zhǎng)時(shí)如遇到原晶片基座外表不均勻之所謂選擇性磊晶層(SelectiveEpitaxyGrowth,SEG)。另外一個(gè)製程之問(wèn)題即“Auto-doping〞之現(xiàn)象，磊晶層與單晶基座之介面處之載子濃度不是陡峭(Abruptly)分佈，中最大之紅外線長(zhǎng)長(zhǎng)度為，最小之紅外線波長(zhǎng)長(zhǎng)度則為，t為磊晶層之厚度，n是磊晶層折射線係，m為1,2,3…，2. 磊晶成長(zhǎng)之問(wèn)題θ是紅外線之入射角度，n是磊晶層折射係數(shù)，m為1,2,3…，θ是紅外線之入射角度。，υ是磊晶矽之成長(zhǎng)速度，D是載子之?dāng)U展常數(shù)，t為成長(zhǎng)時(shí)間。有關(guān)抑制Autodoping現(xiàn)象的方法有以下方式(a)在矽晶片反面成長(zhǎng)一層二氣化矽(SiO2)或氮化矽(Si3N4)材料(b)低壓磊晶成長(zhǎng)(c)高溫烘烤θ是紅外線之入射角度，n是磊晶層折射係數(shù)，m為1,2,3《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件還有一個(gè)製程上之問(wèn)題，那就是反應(yīng)氣體在爐管之停滯層(StagnantLayer)。υ是氣體之流速，η是黏度(Viscosity)，是其密度，其中c1和c2為經(jīng)驗(yàn)常數(shù)。還有一個(gè)製程上之問(wèn)題，那就是反應(yīng)氣體在爐管之停滯層(Stag《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件3. 磊晶成長(zhǎng)之缺陷3. 磊晶成長(zhǎng)之缺陷

其他磊晶成長(zhǎng)技術(shù)其實(shí)磊晶成長(zhǎng)方法除了上面所談之APCVD方式，還有很多種，如有機(jī)金屬氣相磊晶法(MetalOrganicChemicalVaporDeposition,MOCVD)、分子束磊晶法(MolecularBeamEpitaxy,MBE)、液相磊晶法(LiquidPhaseEpitaxy,LPE)…在磊晶成長(zhǎng)過(guò)程中，影響品質(zhì)因素有很多種，可分為外部的(Extrinsic)與本質(zhì)(Intrinsic)，前者是界面乾淨(jìng)度和磊晶層之純度，後者則包括晶格差異和界面化學(xué)鍵之能量(InterfaceChemicalEnergy)等。其他磊晶成長(zhǎng)技術(shù)其實(shí)磊晶成長(zhǎng)方法除了上面所談之APCVD方

磊晶晶片之市場(chǎng)與應(yīng)用磊晶晶片之市場(chǎng)與應(yīng)用4-4單晶矽與複晶矽電阻特性之

比較4-4單晶矽與複晶矽電阻特性之

比較4-5物理氣相沈積法以目前半導(dǎo)體製程中，最常用的是蒸鍍機(jī)(Evaporation)與濺鍍機(jī)(Sputtering)二種

Evaporation：沉積熔點(diǎn)比較低的金屬,如金線,白金,鉻線Sputtering：熔點(diǎn)比較高或者複合材料,如鎢,鈦,TiN,TiW,及YBCuO4-5物理氣相沈積法以目前半導(dǎo)體製程中，最常用的是蒸鍍機(jī)(

蒸鍍系統(tǒng)與原理蒸鍍系統(tǒng)與原理

濺鍍系統(tǒng)與原理濺鍍系統(tǒng)與原理濺鍍系統(tǒng)分類(lèi)直流濺鍍技術(shù)(DCSputtering)

導(dǎo)電性佳之金屬靶源,TiW、AlSiCu交流射頻濺鍍技術(shù)(RFSputtering)導(dǎo)電性較差之金屬靶源材料,如陶瓷材料、BaCO3濺鍍系統(tǒng)分類(lèi)直流濺鍍技術(shù)(DCSputtering)

PVD在體積電路之對(duì)屬製程的應(yīng)用最常用之金屬材料，可以說(shuō)是鋁，其優(yōu)點(diǎn)為低電阻率，廉價(jià)與二氧化矽之結(jié)合性(Coherence)良好，低應(yīng)力(LowStress)1.鋁Spiking現(xiàn)象PVD在體積電路之對(duì)屬製程的應(yīng)用最常用之金屬材料，可以說(shuō)是《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件2.鋁之電子遷移現(xiàn)象(Electromigration)2.鋁之電子遷移現(xiàn)象(Electromigration)《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件3.鋁金屬線改善之道1.用AlSiCu合金材料此種方法吾人稱(chēng)為“PassivatetheGrainBoundary〞。2.則是在鋁合金屬和矽材料之間加一層厚度很薄之障礙金屬層(BarrierMetal)。3.銅製程技術(shù)3.鋁金屬線改善之道《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》幻燈片本課件PPT僅供大家學(xué)習(xí)使用學(xué)習(xí)完請(qǐng)自行刪除，謝謝！本課件PPT僅供大家學(xué)習(xí)使用學(xué)習(xí)完請(qǐng)自行刪除，謝謝！《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》幻燈片本課件PPT僅供大家學(xué)習(xí)使用薄膜成長(zhǎng)或者稱(chēng)薄膜沈積(ThinFilmDeposition)技術(shù)，是指在一基板上(Substrate)成長(zhǎng)一層同質(zhì)(HomogeneousStructure)或者是異質(zhì)(Hetero-structure)材料之技術(shù)。金屬層、複晶矽薄膜(polycrystallinesilicon)、二氧化矽(SiO2)、氮化矽(Si3N4)層都適用此種方法來(lái)沉積薄膜層。薄膜成長(zhǎng)或者稱(chēng)薄膜沈積(ThinFilmDepositi4-1薄膜沈積之原理薄膜沈積技術(shù)可分為化學(xué)氣相沈積(ChemicalVaporDeposition,CVD)和物理氣相沈積(PhysicalVaporDeposition,PVD)二種方法。而化學(xué)氣相沈積方法在半導(dǎo)體工業(yè)上最常用的是低壓化學(xué)氣相沈積方法(LowPressureChemicalVaporDeposition,LPCVD)與常壓化學(xué)氣相沈積方法(AtmosphericPressureChemicalVaporDeposition,APCVD)

4-1薄膜沈積之原理薄膜沈積技術(shù)可分為化學(xué)氣相沈積(Che以LPCVD為例，要生成薄膜的材料是與爐管的溫度及注入爐管的氣體種類(lèi)有關(guān)爐管的溫度高於550℃＋SiH4→複晶矽薄膜爐管的溫度約485℃＋Si2H6→複晶矽薄膜氧氣和SiH4在爐管內(nèi)→二氧化矽(SiO2)層氨氣和SiH2Cl2在爐管內(nèi)→Si3N4以LPCVD為例，要生成薄膜的材料是與爐管的溫度及注入爐管的物理氣相沈積方法，最常用的是金屬濺鍍機(jī)(Sputtering)和金屬蒸鍍機(jī)(Evaporation)最為典型也最為常用。Sputtering：藉助電漿產(chǎn)生之離子(如Ar)去撞擊電極靶源，始靶源之金屬沉積於基座上

如AlCuSi、W等Evaporation：把要蒸鍍的金屬置放在熔點(diǎn)極高的承載器，然後加溫至被蒸發(fā)金屬之熔點(diǎn)如鋁線(Al)與金線(Au)之蒸鍍物理氣相沈積方法，最常用的是金屬濺鍍機(jī)(Sputtering電漿(plasma)是一群中性分子(氣體)中有一局部帶正電，一局部帶負(fù)電，而正負(fù)電賀立子數(shù)目接近相等，故整體電將呈現(xiàn)電中性，其活性皆很強(qiáng)。由中性原子或分子、負(fù)電(電子)和正電(離子)所構(gòu)成。電子濃度對(duì)所有氣體濃度的比例被定義為游離率(ionizationrate)電漿(plasma)是一群中性分子(氣體)中有一局部帶正電，薄膜沉積之機(jī)制薄膜沉積之機(jī)制4-2低壓力化學(xué)氣相沈積法

(LowPressureChemicalVapor

Depostition,LPCVD)1. 複晶矽材料之沈積：4-2低壓力化學(xué)氣相沈積法

(LowPress《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件2. 氧化矽和氮化矽材料之沈積：

以低溫製程來(lái)沉積此兩種絕緣材料作內(nèi)層介電層，內(nèi)金屬介電層以及作保護(hù)層之用低溫之電漿加強(qiáng)式化學(xué)氣相沉積(PlsmaEnhancedVaporDeposition,PECVD)

2. 氧化矽和氮化矽材料之沈積：反應(yīng)溫度藉高能量之電漿效應(yīng)，使溫度得以降低磷矽玻璃(PhosphosilicateGlass,PSG)PSG材料和氮化矽材料均可以阻擋水氣，更可以防止鹼金屬之?dāng)U散，很適合做鈍化保護(hù)層反應(yīng)溫度藉高能量之電漿效應(yīng)，使溫度得以降低氮化矽(siliconnitride)之成長(zhǎng)PECVD之化學(xué)反應(yīng)式為：LPCVD爐之化學(xué)反應(yīng)式則為

或者氮化矽(siliconnitride)之成長(zhǎng)4-3磊晶矽晶片之成長(zhǎng)技術(shù)磊晶之原文，Epi-taxy是希臘文，原意是在上面有秩序的(Upon-order)排列，而磊晶晶片即是用一簡(jiǎn)單之製程，在一有結(jié)晶狀之基座(Substrate)上面成長(zhǎng)單晶結(jié)構(gòu)之物質(zhì)，以目前製程上之應(yīng)用，可分為同質(zhì)之磊晶晶片(HomoepitaxyWafer)和異質(zhì)之磊晶晶片(HeteroepitaxyWafer)。4-3磊晶矽晶片之成長(zhǎng)技術(shù)磊晶之原文，Epi-taxy是希

磊晶矽晶圓片之成長(zhǎng)磊晶矽晶圓片之成長(zhǎng)《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件1. 低溫氧化層之技術(shù)(LTO)目前較常用之低溫氧化矽之成長(zhǎng)技術(shù)為大氣壓力化學(xué)氣相沈積方法，(AtmosphericPressureChemicalVaporDeposition,APCVD)。2. 去除晶片邊緣處之氧化矽(EOS)

因晶片成長(zhǎng)磊晶層時(shí)因晶片邊緣粗糙處，易吸附雜質(zhì)及異物1. 低溫氧化層之技術(shù)(LTO)《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件

磊晶晶片之成長(zhǎng)機(jī)制磊晶晶片之成長(zhǎng)機(jī)制《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件1. 磊晶成長(zhǎng)之物理機(jī)制當(dāng)在氣體流動(dòng)穩(wěn)定狀態(tài)下，F(xiàn)1和F0是相等，F(xiàn)為通量(Flux)，定義為單位面積下參與反應(yīng)之原子數(shù)目，hg則為氣相質(zhì)量傳送係數(shù)(Gas-phaseMass-transferCoefficient)，ks是化學(xué)外表反應(yīng)速率常數(shù)(ChemicalSurface-reactionRateConstant)Ea是主動(dòng)活化能(ActivationEnergy)，大約1.9eV。當(dāng)hg>>ks為SurfaceReactionControl主導(dǎo)成長(zhǎng)之機(jī)制1. 磊晶成長(zhǎng)之物理機(jī)制，反之hg<<ks則為MassTransferControl來(lái)主導(dǎo)磊晶層之成長(zhǎng)。成長(zhǎng)速率為，N1是單位體積下之矽原子數(shù)量〔經(jīng)驗(yàn)值約為~5×1022cm–3〕Cg=YCT，CT是單位體積之總氣體量，Y是矽原子之莫耳(Mole)數(shù)比，當(dāng)hg>>ks時(shí)，磊晶膜之成長(zhǎng)速率為，反之hg<<ks時(shí)成長(zhǎng)速率為。，反之hg<<ks則為MassTransferCo《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件2. 磊晶成長(zhǎng)之問(wèn)題磊晶層在成長(zhǎng)時(shí)如遇到原晶片基座外表不均勻之所謂選擇性磊晶層(SelectiveEpitaxyGrowth,SEG)。另外一個(gè)製程之問(wèn)題即“Auto-doping〞之現(xiàn)象，磊晶層與單晶基座之介面處之載子濃度不是陡峭(Abruptly)分佈，中最大之紅外線長(zhǎng)長(zhǎng)度為，最小之紅外線波長(zhǎng)長(zhǎng)度則為，t為磊晶層之厚度，n是磊晶層折射線係，m為1,2,3…，2. 磊晶成長(zhǎng)之問(wèn)題θ是紅外線之入射角度，n是磊晶層折射係數(shù)，m為1,2,3…，θ是紅外線之入射角度。，υ是磊晶矽之成長(zhǎng)速度，D是載子之?dāng)U展常數(shù)，t為成長(zhǎng)時(shí)間。有關(guān)抑制Autodoping現(xiàn)象的方法有以下方式(a)在矽晶片反面成長(zhǎng)一層二氣化矽(SiO2)或氮化矽(Si3N4)材料(b)低壓磊晶成長(zhǎng)(c)高溫烘烤θ是紅外線之入射角度，n是磊晶層折射係數(shù)，m為1,2,3《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件還有一個(gè)製程上之問(wèn)題，那就是反應(yīng)氣體在爐管之停滯層(StagnantLayer)。υ是氣體之流速，η是黏度(Viscosity)，是其密度，其中c1和c2為經(jīng)驗(yàn)常數(shù)。還有一個(gè)製程上之問(wèn)題，那就是反應(yīng)氣體在爐管之停滯層(Stag《薄膜成長(zhǎng)技術(shù)》教學(xué)課件3. 磊晶成長(zhǎng)之缺陷3. 磊晶成長(zhǎng)之缺陷

其他磊晶成長(zhǎng)技術(shù)其實(shí)磊晶成長(zhǎng)方法除了上面所談之APCVD方式，還有很多種，如有機(jī)金屬氣相磊晶法(MetalOrganicChemicalVaporDeposition,MOCVD)、分子束磊晶法(MolecularBeamEpitaxy,MBE)、液相磊晶法(LiquidPhaseEpitaxy,LPE)…在磊晶成長(zhǎng)