電子元器件之電容器電容器是一種能儲存電荷的容器．屬于被動式儲能電子器件.它在電子設備中充當整流器的平滑濾波、電源的退耦、交流信號的旁路、交直流電路的交流耦合等。

電容器的構(gòu)造是由兩片靠得較近的金屬片，中間再隔以絕緣物質(zhì)而組成的．它的表示符號為:一ll一，用字母“C”來表示。鋁電解電容就現(xiàn)在的產(chǎn)量來說，鋁電解電容器在電容器中占第二位．這類電容器本來是一般的直流電容器，但現(xiàn)在已經(jīng)從直流發(fā)展到交流、從低溫發(fā)展到高溫、從低壓發(fā)展到高壓.(溫度已可做到150℃,額定電壓做到700V)─容量？耐壓？根據(jù)國際IEC384-4規(guī)定，低于315V時，Vs=1.15×WV，高于315V時，Vs=1.1×WV。Vs是涌浪電壓，WV是額定電壓(workingvoltage)。價錢。品牌系列型號適用工作溫度容量誤差散逸因數(shù)-損失角（DF）漏電流（Lc）等效串聯(lián)電阻（ESR）耐紋波電流（Irac）真正有關(guān)電容器品質(zhì)的幾個重要參數(shù):

漏電流（Lc）漏電流(leakagecurrent)它的計算公式是:I＝K×CV。I的單位是μA，K是常數(shù).電容器容量愈高，漏電流就愈大。如果你有容量愈大平滑效果愈好的想法，這個「漏電流」也請考慮在內(nèi)。等效串聯(lián)電阻（ESR）容量愈大ESR愈低;額定電壓愈大ESR愈低;低頻時ESR高，高頻時ESR低；溫度愈低，ESR愈高。良好的電路設計，應該考慮到低溫時的ESR值.注意:在開關(guān)電路中過低的ESR值容易引起振蕩等效串聯(lián)電阻相當于耗能元件，它的損耗功率變成熱量，從而影響了電容的壽命。ESR值大的電容溫升高.阿雷尼厄斯10度法則

低頻紋波以120Hz做標準

高頻紋波以10KHz做標準

電容器耐紋波電流的能力與頻率剛好成正比。鎖螺絲式電容的耐紋波電流能力通常比插PC板式來得高。RIFA的電容在耐紋波電流方面要優(yōu)于其它品牌,1000μF相當于其它廠牌1200μF。德國Siemens、英國BHC電容，在Irac這項特性上也常優(yōu)于一般日制品。。能在短時間內(nèi)做靜電能與動電能的互變，短路電流約比電池大1000倍。

電容器的主要特點：儲蓄電能少，但接受電能的功率大，亦即充放電的時間很短，效率極高。容抗與頻率、電容量有直接的關(guān)係。Xc=1/2πfc，即頻率/容量愈高則容抗愈小，反之則愈大。

在AC電路中，其電流相位比電壓基準提前90°，有進相作用。鉭質(zhì)電解電容固體鉭電容器是1956年由美國貝樂試驗室首先研制成功的，它的性能優(yōu)異，是所有電容器中體積小而又能達到較大電容量的產(chǎn)品，價格較為昂貴。貼片鉭電容的封裝：封裝代碼

Y

A

X

B

C

D

規(guī)格尺寸

L（mm）

3.2

3.8

3.5

4.7

6.0

7.3

W(mm)

1.6

1.9

2.8

2.6

3.2

4.3

T（mm）

1.6

1.6

1.9

2.1

2.5

2.8

注意：規(guī)格相同但封裝不同的鉭質(zhì)電容不可代用。

如：10UF/16V”B”型與10UF/16V”C”型不可相互代用。

鉭質(zhì)電容的優(yōu)點:易于加工、有最高的比容效率、適宜于小型化。

在一定溫度范圍內(nèi)性能穩(wěn)定。

工作過程中具有自我復原能力，故障率隨時間下降。工作溫度范圍大，-55℃~+125℃

比鋁電容有更好的頻率特性。性能和可靠性不會隨時間而退化。鉭電容對庫存期無限制，電介質(zhì)穩(wěn)定，不必矯正。貼片電容單片陶瓷電容器(通稱貼片電容)是目前產(chǎn)量最大的電容器。因其體積小、價格低、使用壽命長、利于自動化作業(yè)，而被廣泛應用于各類電子產(chǎn)品中。NPO電容器

NPO是一種具有溫度補償特性的貼片電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到+125℃時容量變化為0±30ppm/℃。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同。NPO電容器相應封裝可選取的容量范圍：

NPO電容器適用于各種高頻電路，如：高頻振蕩、計時、諧振、耦合等。X7R電容器

X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當溫度在-55℃到+125℃時其容量變化為15%，需要注意的是此時電容器容量變化是非線性的。X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也隨時間的變化而變化，表現(xiàn)為10年變化了約5%。在相同的體積下電容量可以比NPO做的大。Z5U電容器

Z5U電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。工作溫度范圍+10℃---+85℃.溫度特性+22%----56%。對于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。但它的電容量受環(huán)境和工作條件影響較大。

盡管它的容量不穩(wěn)定，由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感（ESL）和等效串聯(lián)電阻（ESR）低、良好的頻率響應，使其具有廣泛的應用范圍。尤其是在退耦電路的應用中。

Z5U電容器主要應用于退耦、隔直、旁路等電路中

Z5U電容器相應封裝可選取的容量范圍：

Y5V電容器

Y5V電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器，在-30℃到85℃范圍內(nèi)其容量變化可達+22%到-82%。Y5V的高介電常數(shù)允許在較小的物理尺寸下制造出很高的電容量。

獨石電容獨石電容又叫積層電容是由貼片電容用兩根引線將電極引出，再用環(huán)氧樹脂包封而成，它具備貼片電容的各種電性能，同時又增強了機械強度和耐濕性，被廣泛應用于電子精密儀器。陶瓷電容陶瓷電容又叫圓板型瓷片電容，介質(zhì)主要為鈦酸鋇，并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極制成。有干式涂裝和濕式涂裝兩種，按其介質(zhì)可分為CLASS-Ⅰ溫度補償型；CLASS-Ⅱ高誘電率型；CLASS-Ⅲ半導體型。溫度補償型(CLASS-I）陶瓷電容器測試條件1MHz1.0V~5.0Vrms.25±3℃容量範圍0.5pF~1200pF誤差判定

誤差代字CDJKM允許誤差±0.25pF±0.5pF±5%±10%±20%應用在低損耗﹑穩(wěn)定性高或要求溫度係數(shù)有明顯規(guī)定的諧振電路中的。具有高品質(zhì)因素﹑高穩(wěn)定性(溫度變化率低）。靜電容量﹕品質(zhì)因數(shù)﹕測試條件溫度特性容量範圍判定標準1MHz

1.0Vrms.

25±3℃

NPO~N750

S2L(SL)C≧30pFQ≧1000C＜30pFQ≧400+20CN3300~N4700

S3N(YN)C≧30pFQ≧500C＜30pFQ≧200+10C絕緣電阻﹕額定電壓分類測試電壓/時間判定標準額定電壓≦50V10V/1分鐘10,000MΩ以上額定電壓≧500V500V/1分鐘高誘電率型(CLASS-II）陶瓷電容器應在旁路或藕合之電路中。非線性的溫度特性--靜電容量變化率。靜電容量﹕測試條件1KHz1.0V~5.0Vrms.25±3℃

容量範圍80pF~0.2μF誤差判定誤差代字KMZP允許誤差±10%±20%+80/-20%+100/-0%損失角(散逸因數(shù))﹕測試條件溫度特性判定標準1KHz

1.0Vrms.

25±3℃

X7RY5EY5P

Z5FZ5PZ5U2.5%Max.Z5UY5UY5V5.0%Max.

絕緣電阻﹕額定電壓分類測試電壓/時間電容量分類判定標準額定電壓≦50V10V/1分鐘＜20nF10,000MΩ以上額定電壓≧500V500V/1分鐘≧20nF7,500MΩ以上耐壓測試﹕額定電壓分類測試電壓測試時間充放電流R.W＜1KVR.W×2.501~5秒＜50mAR.W=KVR.W×2.00R.W>1KVR.W×1.75R.W≧3KVR.W×1.50R.W≧10KVR.W×1.20

半導體型(CLASS-III）陶瓷電容器一種半導體特性之電容器﹐應用在低壓旁路或藕合之電路中。非線性的溫度特性--靜電容量變化率。

靜電容量﹕測試條件1KHz1.0V~5.0Vrms.25±3℃

容量範圍0.01pF~0.2μF誤差判定誤差代字KMZP允許誤差±10%±20%+80/-20%+100/-0%損失角(散逸因數(shù))﹕測試條件溫度特性判定標準1KHz0.1Vrms.25±3℃Y5PY5R

Y5UY5V5.0%Max.絕緣電阻﹕測試電壓測試時間判定標準12V16V1分鐘100MΩ以上25V50V1000MΩ以上耐壓測試﹕額定電壓分類測試電壓測試時間充放電流R.W=12VR.W×2.501~5秒＜50mAR.W=16VR.W=25VR.W=50VEIA第一碼XYZ

-55-30+10

第二碼24567

+45+65+85+105+125

第三碼EFPRTUV

±4.7%±7.5%±10%±15%+22-33%+22-56%+22-82%美國電子工業(yè)協(xié)會對電容溫度特性的規(guī)定:EIARS-198D標準:安規(guī)（Y）電容Y電容屬于AC類陶瓷電容，主要應用於EMI濾波抑制高頻干擾或連接輸入端與地端,防止產(chǎn)品對人體產(chǎn)生電擊。靜電容量﹕測試條件1KHz1.0V~5.0Vrms.25±3℃容量範圍Y2100pF~10000pFY1100pF~4700pF誤差判定誤差代字KMZ允許誤差±10%±20%+80/-20%損失角(散逸因數(shù))﹕測試條件溫度特性判定標準1KHz

1.0Vrms.25±3℃Y5PY5U2.5%Max.Y5V5.0%Max.測試電壓/時間判定標準DC500V/1分鐘10,000MΩ以上額定電壓測試電壓測試時間充放電流浪涌雷擊電壓Y1AC400VAC4000V1分鐘無擊穿或飛弧8KVY2AC250VAC2500V5KV耐壓測試﹕絕緣電阻﹕薄膜電容薄膜電容器是以金屬箔當電極，以低損耗薄膜材料作介質(zhì)卷繞而成,(或在薄膜上以真空蒸鍍上一層很薄的金屬，再卷繞成電容

)它具有無極性，絕緣阻抗很高，頻率特性優(yōu)異(頻率響應寬廣)，而且介質(zhì)損耗很小，有一定的自恢復能力等優(yōu)點而被得到廣泛應用。薄膜電容器種類繁多,制造工藝多樣化.屬技術(shù)密集型產(chǎn)品,近幾年市場需求量以每年20%的速度遞增.安規(guī)（X）電容X電容常用于輸入端EMI的濾波,抑制低頻端的電磁干擾.由鍍金屬聚丙烯薄膜卷繞,裝入高絕緣塑膠殼后用環(huán)氧樹脂封裝而成.安規(guī)等級分為X1和X2.X1電容特性:額定溫度:-40~+100℃額定電壓:300VAC容量范圍:0.0047~4.7uF介電強度:1290VDC/1分鐘或4000VDC/1秒容量誤差:±5%(J)±10%(K)±20%(M)DF值:0.1%MAXat1KHz絕緣電阻:0.33uF以下≥30000MΩ

0.33uF(含)以上≥10000MΩX2電容特性:額定溫度:-40~+100℃額定電壓:275VAC容量范圍:0.001~2.2uF介電強度:1183VDC/1分鐘或2000VDC/1秒容量誤差:±5%(J)±10%(K)±20%(M)DF值:0.1%MAXat1KHz絕緣電阻:0.33uF以下≥30000MΩ

0.33uF(含)以上≥10000MΩ

滌綸電容滌綸電容采用聚脂薄膜作介質(zhì)、以鋁箔為電極卷繞而成,外部浸封環(huán)氧樹脂,單向引出,為有感式。適用于電子設備的直流或脈動電路中.

額定溫度:-40~+85℃額定電壓:50VDC/100VDC容量范圍:0.001~0.1uF介電強度:2.5倍的額定電壓5秒容量誤差:±5%(J)±10%(K)±20%(M)DF值:1.0%MAXat1KHz絕緣電阻:50000MΩMINat25℃

滌綸電容特性:金屬化聚丙烯電容(CBB)該電容器采用聚丙烯作介質(zhì)，并用真空蒸鍍法將鋁沉積在薄膜上作電極卷繞而成，環(huán)氧樹脂包封，為無感式繞制，適應頻率高,穩(wěn)定性好.金屬化聚丙烯電容特性:額定溫度:-40~+85℃額定電壓:100/250/400/630VDC容量范圍:0.001~10uF介電強度:1.75倍的額定電壓5秒容量誤差:±5%(J)±10%(K)DF值:0.1%MAXat1KHz絕緣電阻:0.33uF以下≥30000MΩ

0.33uF(含)以上≥10000MΩ

金屬化聚脂薄膜電容(CL)該電容器采用鍍金屬聚脂薄膜卷繞而成，也是無感式繞制，與CBB電容相比,其介質(zhì)穩(wěn)定性要差,DF值較大(有1%)適應頻率稍低,價格要便宜些.此電容為無感結(jié)構(gòu)，由金屬化聚酯薄膜以堆積方式制成,矩形阻燃塑殼和阻燃環(huán)氧樹脂封裝.

具有體積小，容量大，自愈良好，使用壽命長等特點.別名

校正電容

適用于隔直流、旁路、藕合、降躁＼濾波電路。

聯(lián)系方式地址:深圳市龍崗區(qū)平湖鎮(zhèn)鳳凰大道景泰一巷12號聯(lián)系人:李海峰電話:7E-Mail:來源IP:219.133.129.171(2006-4-109:11:31)鏈接:相關(guān)的信息到“３５Ｂａｓｅ．ｃｏｍ”上試試吧給該公司留言>>>

材料

為無感結(jié)構(gòu)，由金屬化聚酯薄膜為介質(zhì)/電極以堆積方式制成，鍍錫銅包鋼線(CP)線單向引出，粉末環(huán)氧樹脂封裝

特點

體積小，容量大，自愈良好，使用壽命長

適用

用于直流和ＶＨ