第九章薄膜的性質力學性質電學性質介電性質半導體薄膜性質其他性質§9-1薄膜的力學性質薄膜的力學性質與其結構密切相關。薄膜的主要力學性能：

附著性質—取決于薄膜成長的初始階段

內應力

機械性能取決于生長階段及其結構類型一、附著性質控制著對其他性能的觀察和研究。理論上，關系到對結合界面的了解；使用上，決定了薄膜元器件的穩(wěn)定性和可靠性。1、附著現象宏觀角度看，附著是指薄膜和基體表面相互作用將薄膜粘附在基體上的一種現象。是與薄膜在基體上存在的耐久性及耐磨性直接相關的重要概念。薄膜的附著性能直接與材料種類、附著的類型、附著力的性質、工藝、測量方法有關。易氧化的金屬膜附著性比難氧化的金屬膜好得多。

①簡單附著薄膜和基片間形成一個很清楚的分界面，由兩個接觸面相互吸引而形成。其附著能=分開單位附著面所需做的功

Wfs=Ef+Es-Efs（Ef—薄膜的表面能，Es—基片的表面能，Efs—薄膜與基片之間的界面能）兩個相似或相容的表面接觸，Efs小，Wfs大，附著牢

兩個完全不相似或不相容的表面接觸，Efs大，Wfs小

影響因素：表面污染；表面粗糙不平薄膜與基片間的結合力—范德華力②擴散附著由兩個固體間相互擴散或溶解而導致在薄膜和基片間形成一個漸變界面。（膜基間無明顯界面）實現擴散方法：基片加熱法、離子注入法、離子轟擊法、電場吸引法。

基片加熱法：高溫蒸發(fā)，后低溫

離子轟擊法：先在基片上淀積一層?。?0-30nm）金屬膜，再用高能（100KeV）氬離子對它進行轟擊實現擴散，再鍍膜

電場吸引法：在基片背面鍍上導體加電壓，促進離子擴散。濺射鍍膜比蒸發(fā)鍍膜附著牢，因為濺射粒子動能大，形成擴散附著。③中間層附著在薄膜與基片之間形成一個化合物中間層而附著，膜基間無明顯界面。中間層組成：膜-基成分組成；膜、基與環(huán)境氣氛組成；兼而有之。通常含有氧化物和氮化物。隨制膜條件不同，其化合物組成也不同。中間層形成方法：反應蒸發(fā)、反應濺射、蒸發(fā)或濺射過渡層、基片表面摻雜等。雙電層產生的原因：由于膜基材料的功函數不同，它們相互接觸后，彼此間發(fā)生電子轉移，在界面累積符號相反的電荷。類似于一個充電的平板電容器。膜基間單位面積的靜電吸引能與其他結合力的比較：★

靜電吸引能的數值接近于范德華吸引能。前者為長程力，后者為短程力。★雙電層吸引受膜-基間距變化的影響小，在基片表面有吸附氣體，或進行附著力測定時，膜-基間距略有變大時，因化學鍵力和范德華力迅速變小，雙電層力即成為主導作用力。3、附著機理附著的機理是吸附。分為物理吸附和化學吸附。（1）物理吸附

范德華力

靜電力吸引：即雙電層力范德華力作用能約為0.04~0.4eV，實現的附著較差，靜電力數值小，但對附著的貢獻較大。定向力：永久偶極矩間的相互作用（?。┱T導力：永久偶極矩的誘導作用形成的吸引力（最小，0.02eV）色散力：瞬時偶極矩間的吸引（最強）（2）化學吸附薄膜與基體間形成化學鍵結合（離子鍵、共價鍵、金屬鍵）力產生的一種吸附。是短程力，數值上比范德華力大，約為0.5~10eV。薄膜與基片間，化學鍵力不是普遍存在的，只有在它們的界面產生了化學鍵，形成了化合物，才具有這種鍵力。要使薄膜在基體上有牢固的附著性，必須在它們間產生化學鍵。原子與原子間的相互作用往往是物理的和化學的作用交織在一起，而不是單純的某一種作用，因此，薄膜對基片的附著常常不是單純的某一種附著力。劃痕法將硬度較高的劃針垂直置于薄膜表面，施加載荷對薄膜進行劃傷試驗的方法來評價薄膜的附著力。當劃針前沿的剪切力超過薄膜的附著力時，薄膜將發(fā)生破壞與剝落。在劃針移動的同時，逐漸加大所施加的載荷，并在顯微鏡下觀察得出劃開薄膜，露出襯底所需的臨界載荷，即可作為薄膜附著力的量度。當載荷一定時，薄膜剝離痕跡的完整程度也依賴于薄膜的附著力，因而也可根據劃痕邊緣的完整程度來比較薄膜附著力的大小。拉張法（拉伸法）利用黏結或焊接的方法將薄膜結合與拉伸棒的端面上，測量將薄膜從襯底上拉伸下來所需的載荷的大小。薄膜的附著力等于拉伸時的臨界載荷與被拉伸的薄膜面積之比。在用黏結劑時，其黏結強度決定了這一方法可測定的附著力的上限。焊接可增加界面的結合強度，但焊接過程可能會由于加熱溫度的影響而改變界面的組織和附著力。其他方法膠帶剝離法：將具有一定粘著力的膠帶粘到薄膜表面，在剝離膠帶的同時，觀察薄膜從襯底上被剝離的難易程度。摩擦法：用布、皮革或橡膠等材料摩擦薄膜表面，以薄膜脫落時所需的摩擦次數和力的大小推斷薄膜附著力的強弱。超聲波法：用超聲波的方法造成周圍介質發(fā)生強力的振動，從而在近距離對薄膜產生破壞效應，根據薄膜發(fā)生剝落時的超聲波的能量水平推斷薄膜的附著力。離心力法：使薄膜與襯底一起進行高速旋轉，在離心力的作用卜，使薄膜從襯底上脫開，用旋轉的離心力來表征薄膜的附著力。容易形成氧化物的薄膜其附著力則較大附著力中起主要作用的是范德華力大部分薄膜隨著厚度的增加附著力緩慢增加但玻璃基體上沉積的Cu膜，存放270天，在厚度較小的區(qū)域其附著力有減小的傾向?；瑺顟B(tài)的影響如果基片不經過清潔處理，將在其表面上留有一個污染層，使基片表面的化學鍵達到飽和，故淀積上薄膜以后，膜的附著力很差。因此，在制造薄膜時，為了提高其附著性能，必須先對基片進行清潔和活化處理（如離子轟擊）?；瑴囟忍岣呋瑴囟龋欣诒∧ず突g的原子擴散，并且還會加速其化學反應，從面有利于形成擴散附著和通過中間層的附著，所以附著力增大。但會使薄膜晶粒增大，增加熱應力，故不能過分提高基片溫度。淀積方式對薄膜附著力的影響非常明顯。對于同樣的薄膜/基片組合，用濺射方法淀積的薄膜一般比用蒸發(fā)方法制造的薄膜附著牢。淀積速率

淀積速率增大，表示單位時間內入射的原子數目增多，因而相對減少了成膜真空室中殘留的氧分子的入射幾率，結果在薄膜與基片界面上生成的氧化物中間層減少，導致薄膜附著力下降。高速淀積的薄膜結構疏松，內應力較大，也導致附著性能變差。淀積氣氛對薄膜附著力的影響，主要發(fā)生在薄膜的成長初期。這時，在制膜的真空室內若有一定量的殘留氧氣或水蒸氣，氧和水蒸氣將與入射的淀積原子相化合，生成氧化物中間層，從而增強薄膜的附著。若能增強氧和水蒸氣的化學活性，例如使其處于電離狀態(tài)，則更能增強薄膜的附著。

成膜以后，若氧從外部或從薄膜和基片內部繼續(xù)向薄膜和基片間的界面擴散，則該界面隨著時間的進展，將繼續(xù)發(fā)生氧化，使附著逐漸變強，一直達到其強度飽和值。這種現象被稱為附著力的時間效應。張應力（+）：通過與基體表面垂直的斷面給對面施加的力使其處于拉伸狀態(tài)，此時內應力為張應力。壓應力（-）：與張應力相反。熱應力當薄膜的形成溫度和測量或使用溫度不同時，由于薄膜和基片的熱脹系數不同而引起的內應力，是一種可逆的應力。幾點討論：（1）從上式看出，要消除薄膜中的熱應力，最根本的辦法就是選用熱脹系數相同的薄膜和基片材料。其次是讓成膜溫度與薄膜的測量或使用溫度相同。（2）通常情況，Td>T,若薄膜的彈性常數與溫度無關，薄膜和基片的熱脹系數不隨溫度發(fā)生變化、為常數時，薄膜的熱應力隨溫度作線性變化。薄膜熱應力的表達式為（3）時，熱應力為正，即是為張應力。反之，熱應力為負，即為壓應力。因此，可通過選擇基片或者改變成膜溫度的辦法來改變薄膜中熱應力的性質和大小。（4）對于高熔點的金屬薄膜及其他薄膜，隨著成膜溫度的提高，熱應力可能成為它內應力中的一個主要部分。對于低熔點金屬和結構高度有序的薄膜，因為它們的本征應力很小，所以熱應力能成為它們內應力中的絕大部分。在失配位錯層中，雖然其應變小些，結構較為松弛，但仍有較大的內應力。若在界面有相當高缺陷密度和雜質密度時，也會引起嚴重的界面失配，從而導致較大的界面應力。生長應力：來源于薄膜在生長過程中所形成的各種結構缺陷。

克羅克霍姆模型能較簡單地說明薄膜的生長應力。該模型假設，在薄膜生長過程中，由于其表面迅速前進，許多無序結構層被埋在下而。被埋各無序層的逐漸退火和收縮，引起生長應力。（3）內應力對薄膜的影響使用與基片性質不同的材料，在基片上淀積成膜以后，薄膜常處于應變狀態(tài)。在張應力作用下，薄膜自身有收縮的趨勢。若超過薄膜的強度限度，薄膜就會開裂。在壓應力作用下，薄膜內部有向表面擴散的趨勢。在嚴重情況下，壓應力就使薄膜起皺和脫落。（4）產生原因熱收縮效應在薄膜形成過程中，沉積到基體上的蒸發(fā)氣相原子具有較高的動能，從蒸發(fā)源產生的熱輻射等使薄膜溫度上升。當沉積過程結束，薄膜冷卻到周圍環(huán)境溫度過程中，原子逐漸地變成不能移動狀態(tài)。薄膜內部的原子是否還移動的臨界標準是再結晶溫度。在再結晶溫度以下的熱收縮就是產生應力的原因。相轉移效應在薄膜形成過程中發(fā)生的相轉移是從氣相到固相的轉移，在相轉移時一般都發(fā)生體積的變化，形成內應力。如Ga膜在從液相到固相轉移時體積發(fā)生膨脹，形成的內應力是壓應力?？瘴坏南∧ぶ薪洺：芯Ц袢毕?。其中的空位和空隙等缺陷經過熱退火處理，原子在表面擴散時消滅這些缺陷，可使體積發(fā)生收縮，從而形成張應力。表面張力(表面能)和表面層固體的表面張力(表面能)大約是102—103達因/厘米2，內應力中的一部分可歸結為這種表面張力。但是當全應力為104達因/厘米時，其內應力就不能作為表面張力考慮。表面張力和晶粒間界弛豫在薄膜形成初期，不連續(xù)結構的薄膜都是由孤立小島或晶粒構成的。這些晶粒受基體附著力的作用不能隨意移動，而表面張力是壓縮性的、它要向外擴展，于是顯示一種壓縮應力狀態(tài)。隨著晶粒的成長，晶粒間隔逐漸減小，晶粒表面的原子與另一個晶粒表面的原子相互間受到引力作用，兩個晶粒的兩個表面結合起來形成了一個晶粒間界，在晶粒結合時因表面能作用形成的壓縮狀態(tài)得到馳豫。晶粒再進一步長大便產生張應力。界面失配膜-基間晶格結構有較大差異時，若兩者之間相互作用較強，薄膜的晶格結構則變得接近基體的晶格結構。于是薄膜內部產生大的畸變而形成內應力。雜質效應在成膜過程中，殘留氣體作為雜質進入薄膜，以及成膜以后表面發(fā)生氧化；此外，還有基片原子向薄膜中的擴散。這些雜質進入薄膜以后，都使薄膜產生壓應力。原子、離子埋入效應當用陰極濺射法制備薄膜時，往往在薄膜中產生壓應力。這種壓應力一般是濺射薄膜中固有的應力。在陰極濺射過程中入射到薄膜上的濺射原子能量較高，可能形成空位或填隙原子等缺陷使薄膜體積增大；此外，加速離子或中性原子作為雜質被薄膜捕獲之外，薄膜表面原子也向內部移動埋入導致薄膜體積增大，在薄膜中形成了壓應力。2、內應力的測量兩類：測量晶格畸變采用X射線衍射法測量基體變形采用圓形基體或短條形基體。圓形基體—測量球面曲率再計算出應力。方法有牛頓環(huán)法、光截面顯微鏡法和觸針法。短條形基體—將基體一端因薄膜內應力作用產生的變位作為測量對象，其測量方法有直視法、光杠桿法、單縫衍射法、干涉計法、電微天平法和電容量法等。Au膜的全應力比Ag膜大得多.在厚度較大的Ag薄膜中，真空度越好全應力顯得越大一些.張應力和壓應力都可能存在大部分薄膜的內應力都是壓應力金屬膜時，熔點越高則張應力越大。在非金屬膜時，熔點越高其壓應力則越大。3、影響內應力的因素主要有基片情況、淀積過程和薄膜本身基片情況包括基片材料、基片表面狀態(tài)和基片溫度?；牧系臒崦浵禂祵Ρ∧さ臒釕τ绊懞艽?，所以要選用合適的基片材料，并且盡可能使薄膜略處于壓應力狀態(tài)?；谋砻鏍顟B(tài)在相當大的程度上，決定著薄膜的界面應力。為了減小界面應力，基片表面的晶格結構和晶格常數必須與薄膜的相匹配；表面上應不含雜質?；瑴囟葘Ρ∧葢Φ挠绊懞艽?。原因在于為溫度直接影響到吸附原子在基片表面的遷移能力，從而影響薄膜的結構、成分、晶粒尺寸、晶面取向以及各種缺陷的數量和分布。淀積過程包括淀積方式、熱源溫度、淀積速率、入射角和環(huán)境氣氛。薄膜內應力隨淀積方式發(fā)生變化，是由于淀積方式不同時，薄膜的結構、缺陷和含雜量等會有顯著的差別。淀積速率對內應力的影響沒有肯定的規(guī)律。一般情況是淀積速率越大，晶粒平均尺寸就越小，因而內應力將增大;再者，淀積速率越大薄膜中的缺陷就越多，內應力也會增大。當入射角較大時，迅速形成結構粗糙的薄膜，對內應力產生顯著影響。真空中SiO2薄膜(玻璃基片)內應力與蒸氣束入射角的關系在淀積薄膜時，環(huán)境氣氛對內應力的影響很大，而且比較復雜。環(huán)境氣氛可以直接進入結構不夠緊密的薄膜中，從而產生壓應力，如在水蒸汽或氧分壓較高的真空室中淀積的一氧化硅膜、銅膜。進入薄膜中的殘留氣體也可能再飛離薄膜，而留下空位和空位團，從而引起張應力。氣氛的壓力也與內應力有十分密切的關系。薄膜本身包括薄膜原材料、薄膜厚度和薄膜熱史。內應力與原材料的關系，以金屬材料的研究較多。

薄膜內應力與薄膜厚度的關系基本上有三種類型。一是隨稱膜厚度的增大，平均應力先是迅速增大到最大值，然后又逐漸下降到趨于恒定值，

二是平均應力經過最大值后，迅速下降到趨于零。三是經最大值后，下降到性質相反的應力(如從張應力變到壓應力，或者相反)。薄膜的內應力與它的熱史、甚至與它在空氣中暴露的時間有密切的關系。各種較易氧化的金屬薄膜暴露在空氣中，會因表面氧化而使應力從張應力變?yōu)閴簯Γ移鋽抵惦S氧化層的厚度增大而變大。金屬膜在電子學領域的應用很廣，包括半導體器件的電極、各種集成電路的導線和電極、電阻器、電容器、超導器件、敏感元件等。金屬膜電導不同于塊材，它的大小和性質取決于薄膜的結構和厚度，很大程度上即取決于成膜工藝。§9-2金屬薄膜的電學性質同種材料，膜材電阻率大于塊材，引起電阻的物理根源也多于塊材。一、塊狀金屬材料的導電性質宏觀理論基本物理量：電阻R、電阻率ρ、電導σ、電阻溫度系數α電阻率只與金屬材料本性有關，與導體的幾何尺寸無關，與溫度有關。微觀理論量子力學對金屬導電問題的看法：在金屬晶體中，原子失去價電子成為正離子。正離子構成晶體點陣，價電子則成為公有化的自由電子。金屬中正離子形成的電場是均勻的。對于電子的運動不可能同時測準其位置和動量，只能用電子出現的幾率來描述電子的位置。根據波粒二象性原理，對電子的運動既可用質量、速度和動能來描述，又可用波長、頻率等參數描述。自由電子的能量必須符合量子化的不連續(xù)性。由此得金屬電阻率m是電子質量，e是電子電荷，n是參與導電的有效電子濃度，τ是電子波受相鄰兩次散射的間隔時間，也常用散射幾率P=1/τ(單位時間的散射次數)來表示電子波的散射。電阻率與金屬晶體中散射的關系主要的散射機構：晶格散射(聲子散射)、電離雜質散射、中性雜質散射、位錯散射、載流子散射和晶粒間界散射。其中只有聲子散射與溫度有關，其對電阻率的貢獻高溫時

低溫時電阻率當溫度趨于0K時，ρT也趨于零，電阻率趨于剩余電阻率ρi。二、連續(xù)金屬膜的導電性質1、性質特點(a)薄膜電阻率與薄膜厚度有密切關系，隨膜厚的增大電阻率逐漸減小并趨于穩(wěn)定值。(b)薄膜電阻率始終大于塊金屬箔電阻率。(c)薄膜電阻率的溫度系數與膜厚有關。(d)薄膜電阻率受時間或溫度影響發(fā)生不可逆變化。(e)薄膜電阻率與晶粒尺寸有關。(f)其它還有薄膜霍耳系數與膜厚有關；薄膜熱電勢與膜厚有關；薄膜的磁阻與磁場有關等。2、連續(xù)金屬膜的形狀效應與厚度有關的現象，即薄膜的上下表面對導電電子平均自由程的幾何限制。由于薄膜表面狀態(tài)不同，導電電子與它相碰撞時可能產生兩種反射：彈性反射和非彈性反射。若彈性反射(或稱鏡面反射)電子數與總的反射電子數之比稱為鏡面反射系數（P），非彈性反射電子數與總的反射電子數之比為（1-P）。波爾茲曼輸運方程（參考《薄膜物理》曲喜新）經過推導，得到電場方向的電流密度分布（也是厚度的函數）連續(xù)金屬膜電阻率若考慮彈性散射，即P不為0，則結論：薄膜電阻率大于塊金屬電阻率；薄膜電阻率與膜厚有關系。若令則得：表明：薄膜的電阻率可認為是塊狀材料的電阻率，加上由表面引起的與厚度有關的電阻率。ρs1，ρs2為第七種散射機構，即薄膜表面散射對電阻率的貢獻。因此，連續(xù)金屬薄膜電阻率為3、連續(xù)金屬膜電阻率與溫度的關系物理參數：電阻率的溫度系數αF對厚度較大的薄膜表面散射使薄膜的電阻率大于塊材，而電阻率溫度系數小于塊材。另一種形式當薄膜厚度一定時，ρB/ρF為恒定值，αF與αB成正比關系。利用這種關系選擇塊金屬電阻率溫度系數較大的材料，可制作薄膜電阻率溫度系數較大的熱敏元件。三、不連續(xù)金屬膜的導電性質（島狀膜）一般指厚度為幾十埃完全由孤立小島形成的薄膜。1、性質特點①電阻率非常大。②電阻率溫度系數為負值;③在低電場時呈現歐姆性質導電，在高電場時呈現非歐姆性質導電;④導電電子激活能較大，隨膜厚的減小激活能上升;⑤電阻應變系數較大;⑥薄膜沉積后的經時變化大;⑦因吸附各種氣體，電阻率隨溫度有可逆和不可逆變化;⑧在高電場下有電子發(fā)射和光發(fā)射現象。⑨電流噪音較大，大多數呈現1/f特性。2、導電機理熱電子發(fā)射理論和激活隧道效應理論。（1）熱電子發(fā)射理論該理論的核心是溫度上升時，金屬中電子的動能增加。當電子垂直金屬表面的速度分量增大到使該動能分量大于金屬的逸出功時，電子逸出金屬表面發(fā)射到真空中。施加外電場，則可使熱發(fā)射電子定向流動。熱發(fā)射電子的電流密度電阻率優(yōu)點：能說明這種薄膜的電導溫度系數為正，電阻溫度系數為負。這時Φ應為金屬小島之間的位壘。缺陷：在這個理論中，未引入外加電場的影響;未計入位壘Φ與小島尺寸及島間距離的關系；算出的電流密度還遠小于實際值(相差幾個數量級)，而位壘高度卻又比實驗值大一到二個數量級。只能近似的應用于高溫、低位壘和大距離島間距的情況。熱電子發(fā)射理論的發(fā)展——肖特基發(fā)射理論該理論的實質是在電子逸出金屬小島表面、需要克服的位壘中，引入鏡象力和外加電場的影響，從而使位壘降低，得到更大的電流密度。修正后的電阻率優(yōu)點：與島狀薄膜的試驗結果相符，能說明不連續(xù)金屬膜電阻率與溫度和電場的關系。缺陷：沒有給出島狀薄膜電導對小島尺寸及島間距離的依從關系。（2）激活隧道效應理論本質是把載流子的熱活化產生機理與隧道效應相互結合起來。該理論認為由于熱活化的結果，電子從一個中性小島移至另一個中性小島，因而使原來中性的一些小島帶有電荷。在載電小島與中性小島間的電子傳輸則是一個隧道過程。因為在這個過程中，系統(tǒng)的能量沒有增加。與熱電子發(fā)射相比，隧道過程對島間距離的變化更敏感。電阻率的表達式為活化隧道理論與肖特基發(fā)射理論類似，也可以說明島狀薄膜電導率與溫度和外加場強的關系。與肖特基理論不同處：該理論還能比較正確地說明電導率與小島尺寸和島間距離的關系。當小島的線度a減小以后，載流子密度增大，因而電導率增大。除此以外，在島間距離d增大時，式中的指數因子比指數前的系數因子影響更大，島狀薄膜的電導率應該減小，因而更符合實際情況。缺陷：主要缺點是把活化能和隧道位壘看作是互不相關的、各在不同階段起作用的。而實際上，活化能應該是隧道位壘的一部分，應該包括在費米函數中。另一個缺點是認為電子來自中性小島，因而不能解釋觀察到的大電流。除此以外，這個理論也沒有考慮到載電小島的電子補給源，因而電子必須繼續(xù)熱生。該理論也沒有說明，為什么不能在中性小島間，由隧道過程產生載流子?四、網狀薄膜的電導包括接觸膜和絲狀膜。網狀薄膜的電導是由金屬小島、金屬接觸點或者金屬細絲、以及島間空隙的電導所構成。薄膜的電導對觸點和細絲處的物理和化學變化，非常敏感。這類變化可以由多種原因引起，例如吸附、退火和老化。

接觸膜的電導，顯然受到接觸點的極大限制。由于島間相互接觸處的面積很小，因而兩個小島的接觸電阻遠大于這兩個小島本身的電阻，所以在計算接觸膜的電阻時，可以略去金屬小島的電阻。由于島間空隙或島間介質的電阻遠大于接觸電阻，故相對來說，可以認為它們是無限大的。對于絲狀薄膜，由于細絲的直徑遠小于塊材中電于的平均自由程，所以除了電于在薄膜的兩個平行面上的散射以外，還受到細絲的整個周界的嚴重散射。因此，絲狀薄膜的電阻率遠大于連續(xù)薄膜。介質膜用途：

介質用于各種微型容器和各種敏感電容元件

絕緣層用于各種集成電路和各種金屬一氧化物一半導體器件

導體用于各種隧道二極管、有超導隧道器件、金屬陶瓷電阻器、熱敏電阻器、開關器件

介質薄膜的介電性能雖然與塊狀介質有很大的相似，但是，在某些方面卻有著顯著的不同。如：塊狀介質的電導率較小。§9-3介質薄膜的電學性質一、介質薄膜的絕緣性質考慮電導和擊穿。1、介質薄膜的電導由于夾層結構（MIM結構），只有在電極與介質的接觸是歐姆接觸時，所測出的電導才是介質薄膜的電導。分類：按載流子性質按載流子來源離子型電導電子型電導本征電導非本征電導來源于介質薄膜本身來源于雜質及缺陷離子電導與電子電導的區(qū)分：

(1)符合下列公式的為離子電導式中，σ是電導率，D是擴散常數，Z是離子價數，e是電子電荷，N是電荷為Ze的離子濃度。(2)加果活化能大于0.6eV，遷移率很小時，可能是離子電導，也可能是電子電導。當活化能小于0.1eV，遷移率很大時，則是電子電導。(Nernst-Einstein關系)介質薄膜的電導來源強電場作用下，介質薄膜中的電導包括有電子電導和離子電導。

電子電導主要來源于導帶中的電子，其中包括導帶中傳導電子、隧道效應引起的電導、雜質能級電子電導以及介質薄膜與金屬電極界面處的空間電荷。離子電導有外來的雜質離子和偏離化學計量比造成的離子缺陷，弱電場作用下，其電導主要來源于雜質能級電子電導和離子電導。因為這時介質薄膜導帶中幾乎沒有自由電子，雜質能級電子電導就占主要地位。介質薄膜電導與場強的關系弱電場（<105V/cm）時，電導符合歐姆定律。電流密度為強電場（>106V/cm）時，非歐姆性，缺陷離子等在外電場作用下獲得較高能量，以致產生雪崩式碰撞電離而感生出電子電流。電流密度為與溫度的關系在一般電場條件下，介質薄膜的電導率，隨溫度升高而增加。表明在不同溫度范圍內有不同的激活能。在高溫下同種材料的曲線斜率相等，其電導稱為本征電導。在中、低溫情況下，不同溫度范圍的激活能不相等。它反映出不同的導電機理。這種電導稱為非本征電導.2、介質薄膜的擊穿當施加到介質薄膜上的電場強度達到某一數值時。它便立刻失去絕緣性能，這種現象稱為擊穿。介質薄膜在發(fā)生擊穿時絕緣電阻很小。分類：軟擊穿：介質膜在擊穿時并不被燒毀而是長期穩(wěn)定地維持低阻狀態(tài)。硬擊穿：介質薄膜擊穿后，如果電場仍持續(xù)地加在介質膜上則有較大的電流通過將它燒毀。本征擊穿：外電場超過介質薄膜本身抗電強度而產生的擊穿非本征擊穿：因薄膜缺陷引起的擊穿對于同一種介質薄膜，因制造方法不同其擊穿場強有較大差異。原因是不同制造方法在介質薄膜產生的針孔、微裂紋、纖維絲和雜質等缺陷情況不同。本征擊穿機理電擊穿和熱擊穿共同作用下產生的擊穿。電擊穿是介質薄膜中載流子(大部分為電子)在某臨界電場作用下產生電子倍增過程使介質膜絕緣性急劇下降而形成的擊穿。理論研究認為電擊穿是電子與原子碰撞、電子和離子碰撞，特別是晶格的碰撞電離形成的電子雪崩擊穿，一般都在極短的時間里發(fā)生。電子從電場中得到的能量主要用于碰撞電離過程。當電極較厚時發(fā)生的電擊穿類似于氣體擊穿，其擊穿場強為若碰撞電離的起始電子來源于陰極場致發(fā)射，其擊穿場強為熱擊穿在電擊穿時電流雪崩式增加，產生大量焦耳熱，介質膜溫度迅速上升就轉為熱擊穿；介質膜電導隨溫度上升呈指數規(guī)律急劇增大，隨后電流又增大，焦耳熱增大，介質膜溫度進一步增高。在很短時間內由于介質膜溫度過高，造成局部地方產生熱分解、揮發(fā)或熔化，則進一步促成熱擊穿的產生。熱擊穿時電場強度為二、介質薄膜的介電性質主要考慮介電常數和介質損耗1、介電常數非極性性介質薄膜（2~45），如有機聚合物、無機氧化物薄膜極性介質薄膜（3~3000或更大），如有機聚合物薄膜、無機鐵電薄膜介電常數本征來源于薄膜本身原子的電子狀態(tài)、固有偶極矩及晶格結構等。非本征來源于薄膜的不均勻性、雜質、空位、填隙離子、應力、晶界層上的偏析物、氧化物等。介電常數的本征部分決定于薄膜內部的各種極化機構。其中起主要作用的有電子極化、離子晶格振動極化和離子變形極化。此外，還有緩慢式極化，如偶極式極化、熱離子極化和電子弛豫極化等。由干極化的強弱與介質薄膜中總電荷數的多少及電荷間相互作用強弱有關，所以介質薄膜介電常數與原子序數有關。介質常數的溫度系數介電常數溫度系數的測量：在介質薄膜上制備歐姆接觸電極，構成片狀電容器。在測量電容器溫度系數之后再推求介電常數的溫度系數。電容器溫度系數為溫度變化時其平面方向可膨脹或收縮，介質薄膜在厚度方向上也發(fā)生膨脹或收縮。則有若電極是沉積在介質薄膜上，電極和薄膜一起膨脹或收縮。當薄膜的熱膨脹為各向同性時，則有只要測出αd便可求得介電常數溫度系數αc。對于介質損耗較小的介質薄膜，由本征極化形成的電容器溫度系數，按介電常數的大小不同可分為四種情況:真空或空氣薄膜，各種非極性固體有機薄膜介質薄膜材料的離子式極化貢獻和電子式極化相近，但離子式極化對溫度變化比較敏感。介質薄膜的極化大多數是離子變形極化。2、介質薄膜的損耗對介質薄膜膜施加交變電場后，由于電導和極化方面原因，必然產生能量損耗。這種損耗值的大小與介質薄膜本身的晶體結構和各種缺陷有密切關系。所以介質薄膜的損耗就是表征介質薄膜質量和性能的重要參數，并用損耗角δ的正切值tgδ表示。由三部分組成：電導損耗馳豫型損耗非弛豫型損耗電導損耗在直流或交流電場作用下都始終存在。直流電導損耗在低頻下比較顯著，它不隨頻率變化，交流電導包括有一般載流子電導，小極化子和偶極子等弛豫子在位置時間的運動。馳豫損耗它與交變電場的頻率有密切關系。高頻弛豫損耗時峰值頻率在1MHz以上。低叔弛豫損耗的峰值頻率在100Hz以下。非馳豫型損耗對于絕大多數介質薄膜在室溫下都能觀察到非弛豫型損耗。而且在較低電場下完全為歐姆性導電時也可觀察到這種損耗。這種損耗的特征是tgδ幾乎與頻率無關。它是介質薄膜內部不均勻性造成的，就是介質薄膜中的各種微觀缺陷和雜質的不均勻性導致電子、離子和原子等所處的微觀環(huán)境不同造成的。三、介質薄膜的壓電性質正壓電效應：應力作用—→極化電荷壓電效應負壓電效應：電場作用—→應變介質薄膜：CdS、ZnS、AlN、ZnO、LiNbO3、PZT等1、壓電薄膜的結構結構上有分別帶正電荷和負電荷的離子或離子團（離子晶體