Rietveld精修基本概念1峰形函數(shù)計(jì)算譜晶體結(jié)構(gòu)模型實(shí)驗(yàn)譜-計(jì)算譜實(shí)驗(yàn)譜反復(fù)修改差值最小否是精修結(jié)束，得到晶體結(jié)構(gòu)信息粉末衍射的強(qiáng)度計(jì)算

2結(jié)構(gòu)因子

3原子散射因子

4吸收因子

5吸收因子A擇優(yōu)取向校正&消光校正

6擇優(yōu)取向修正消光校正放大因子&多重因子&洛倫茲偏振因子

7S：放大因子M：多重因子

全譜擬合的原理（1）

8全譜擬合的原理(2)

9峰形函數(shù)&峰寬函數(shù)

10本底函數(shù)Yib

11精修參數(shù)（1）結(jié)構(gòu)參數(shù)：晶胞參數(shù)各原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)各原子位置的占有率原子的各向同性（或各向異性）溫度因子定標(biāo)因子（2）峰形參數(shù)峰形參數(shù)峰寬參數(shù)不對(duì)稱參數(shù)擇優(yōu)取向參數(shù)本底參數(shù)消光校正零位校正12Rietveld精修策略13精修參數(shù)順序問題增加了被精修參數(shù)的數(shù)目相同的結(jié)構(gòu)參數(shù)比較避免陷入偽極小1.分布精修2.約束的引入鍵長(zhǎng)鍵角的變化范圍3.不同數(shù)據(jù)組的聯(lián)合精修同一樣品在不同實(shí)驗(yàn)條件下得到4.真?zhèn)巫钚《朔綐O小值的判斷(1)改變初始結(jié)構(gòu)(2)改變實(shí)現(xiàn)最小二法乘法的方法5.混合物的Rietveld精修精修參數(shù)順序定標(biāo)因子和零位校正本底參數(shù)和晶胞參數(shù)原子坐標(biāo)、占有率和各向同性溫度因子各種線形參數(shù)（如高斯峰寬中的U、V、W，洛倫茲峰寬中的X、Y、Z，PV函數(shù)中的比例因子η等）各向異性溫度因子14精修步驟151.采集衍射數(shù)據(jù)與設(shè)計(jì)初始結(jié)構(gòu)4.計(jì)算衍射譜及作Rietveld精修3.初值的選擇2.衍射指數(shù)標(biāo)定5.修改初始結(jié)構(gòu)6.精修終止的判斷各衍射峰指標(biāo)化點(diǎn)陣參數(shù)、原子坐標(biāo)、占有率、峰形參數(shù)等，溫度因子Bi先設(shè)為零加入各種約束

峰形和峰寬的來源

16峰形分析(1):樣品結(jié)構(gòu)峰形和儀器峰形的分離

17峰形分析(2):從樣品峰寬中將尺寸峰寬與應(yīng)力峰寬分離

18衍射數(shù)據(jù)的校正衍射線位置的校正外標(biāo)法、內(nèi)標(biāo)法、外標(biāo)和內(nèi)標(biāo)結(jié)合法標(biāo)樣的選擇：（1）穩(wěn)定（2）具有高對(duì)稱性（3）純度高、缺陷少、且粒度適中（4）對(duì)入射X射線吸收大（5）容易得到，價(jià)格低廉現(xiàn)在一般公認(rèn)最好的標(biāo)樣是硅粉（SRM640）對(duì)小2θ角作校正的標(biāo)樣是云母（SRM675）強(qiáng)度(I、Y)的校正α-Al2O3板（SRM1976）一塊邊長(zhǎng)為45mm，厚1.6mm的方形板，由直徑為3-7μm、厚1-2μm的小晶片壓制而成，是高度取向，其中含有少量的非晶態(tài)，板內(nèi)很均勻，所得衍射強(qiáng)度可以很好地重復(fù)。衍射峰形的校正從衍射峰形中校正掉儀器峰形的辦法：在對(duì)被研究樣品的衍射峰進(jìn)行反卷積求結(jié)構(gòu)峰形時(shí)，可將標(biāo)樣的衍射峰形作為儀器峰形代入19針對(duì)CeO2體系的策略想要得到的信息：晶格參數(shù)、晶粒尺寸分布、微應(yīng)力、氧空位數(shù)量、CeZr中可能的相態(tài)以及各相的含量20J.I.Langfordetal.J.Appl.Cryst.33,200021A.Varezetal.,J.Eur.Ceram.Soc.,2007針對(duì)分子篩（Cu-SAPO-34和Cu-SSZ-13）的策略想得到的信息：Cu的準(zhǔn)確位置，Si/Al比，去除非晶態(tài)的影響22Andersen,CasperWelzel,etal.

IUCrJ

1.6(2014):0-0.Cu的位置：（1）參考文獻(xiàn)設(shè)置初始位置（2）以DFT模擬得出的結(jié)構(gòu)為初始結(jié)構(gòu)目前的學(xué)習(xí)現(xiàn)狀&軟件的選擇23軟件種類軟件的特點(diǎn)GSAS最常用，適于晶體結(jié)構(gòu)精修，但較難掌握，對(duì)Expgui圖形界面友好Fullprof磁性結(jié)構(gòu)最佳，結(jié)構(gòu)修正好，無圖形界面Maud對(duì)定量分析、粒度-應(yīng)力、織構(gòu)分析好，解決織構(gòu)/應(yīng)力問題最佳SIMPRO程序隱含了直至1500K的硅標(biāo)準(zhǔn)峰位MaterialStudioReflex模塊很好的可視化效果，但是可調(diào)的參數(shù)不多Rietquan可對(duì)硅玻璃及非晶相進(jìn)行定量分析，